JP5133660B2

JP5133660B2 - Breaking method of adhesive film mounted on backside of wafer

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Publication number: JP5133660B2
Application number: JP2007305469A
Authority: JP
Inventors: 勝中村
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2007-11-27
Filing date: 2007-11-27
Publication date: 2013-01-30
Anticipated expiration: 2027-11-27
Also published as: TW200939330A; CN101447411B; CN101447411A; TWI459452B; JP2009130241A

Description

本発明は、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面に装着された接着フィルムを、デバイスに沿って破断するウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法に関する。 The present invention provides an adhesive film attached to the back surface of a wafer in which a plurality of streets are formed in a lattice shape on the surface and a device is formed in a plurality of regions partitioned by the plurality of streets. about the breaking process of the adhesive film mounted on the back surface of the fracture to the wafer.

例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域をストリートに沿って分割することにより個々のデバイスを製造している。 For example, in a semiconductor device manufacturing process, devices such as IC and LSI are formed in a plurality of regions partitioned by dividing lines called streets formed in a lattice shape on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, Individual devices are manufactured by dividing each region in which the devices are formed along a street.

個々に分割されたデバイスは、その裏面にエポキシ樹脂等で形成された厚さ２０〜４０μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介してデバイスを支持するダイボンディングフレームに加熱圧着することによりボンディングされる。デバイスの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って切削ブレードにより接着フィルムとともに切断することにより、裏面に接着フィルムが装着されたデバイスを形成している。（例えば、特許文献１参照。）
特開２０００−１８２９９５号公報 Each of the divided devices has a die bonding adhesive film called a die attach film having a thickness of 20 to 40 μm formed of an epoxy resin or the like on the back surface thereof, and a die that supports the device through the adhesive film. Bonding is performed by thermocompression bonding to the bonding frame. As a method of attaching an adhesive film for die bonding to the back surface of the device, the adhesive film is attached to the back surface of the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is attached to the dicing tape through the adhesive film, and then the surface of the semiconductor wafer. The device with the adhesive film attached to the back surface is formed by cutting along with the adhesive film with a cutting blade along the street formed in the above. (For example, refer to Patent Document 1.)
JP 2000-182959 A

しかるに、切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断すると、切削ブレードに接着フィルムが絡まり、切断されたデバイスの切断面に欠けやクラックが発生するとともに、接着フィルムに髭状のバリが発生してワイヤボンディングの際に断線の原因になるという問題がある。 However, when the adhesive film is cut together with the semiconductor wafer by the cutting blade, the adhesive film is entangled with the cutting blade, and the cut surface of the cut device is chipped and cracked, and the adhesive film is wrinkled and burrs are generated. There is a problem of causing disconnection during bonding.

近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄いデバイスが要求されている。より薄くデバイスを分割する技術として所謂先ダイシング法と称する分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ（デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成されたウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させ個々のデバイスに分離する技術であり、デバイスの厚さを５０μｍ以下に加工することが可能である。 In recent years, electric devices such as mobile phones and personal computers are required to be lighter and smaller, and thinner devices are required. As a technique for dividing a device thinner, a so-called dicing method called a dicing method has been put into practical use. In this tip dicing method, a dividing groove having a predetermined depth (a depth corresponding to the finished thickness of the device) is formed along the street from the front surface of the wafer, and then the back surface of the wafer having the dividing groove formed on the surface is formed. This is a technique of grinding to expose the dividing grooves on the back surface and separating them into individual devices, and the device thickness can be processed to 50 μm or less.

しかるに、先ダイシング法によってウエーハを個々のデバイスに分割する場合には、ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成した後にウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させるので、ダイボンディング用の接着フィルムを前もってウエーハの裏面に装着することができない。従って、先ダイシング法によって分割されたデバイスをダイボンディングフレームにボンディングする際には、デバイスとダイボンディングフレームとの間にボンド剤を挿入しながら行わなければならず、ボンディング作業を円滑に実施することができないという問題がある。 However, when the wafer is divided into individual devices by the tip dicing method, after forming a dividing groove having a predetermined depth along the street from the front surface of the wafer, the back surface of the wafer is ground to form the dividing groove on the back surface. Since it is exposed, the adhesive film for die bonding cannot be mounted on the back surface of the wafer in advance. Therefore, when bonding the device divided by the previous dicing method to the die bonding frame, it must be performed while inserting a bonding agent between the device and the die bonding frame, and the bonding operation should be carried out smoothly. There is a problem that can not be.

このような問題を解消するために、先ダイシング法によって個々のデバイスに分割されたウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着し、この接着フィルムを介してウエーハをダイシングテープに貼着した後、ダイシングテープを拡張することにより接着フィルムを分割溝に沿って破断する方法が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
特開２００４−１９３２４１号公報 In order to solve such problems, after attaching an adhesive film for die bonding to the back surface of the wafer divided into individual devices by the prior dicing method, the wafer is attached to the dicing tape via this adhesive film. A method of breaking the adhesive film along the dividing groove by expanding the dicing tape has been proposed. (For example, see Patent Document 2.)
JP 2004-193241 A

一方、近年ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの裏面から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍ）のパルスレーザー光線を照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を作用せしめることにより、ウエーハを分割するものである。 On the other hand, in recent years, a laser processing method has also been attempted in which a pulse laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer is used and the pulse laser beam is irradiated with a focusing point inside the region to be divided. In this dividing method using the laser processing method, a condensing point is aligned from the back side of the wafer to the inside, and a pulsed laser beam having a wavelength (for example, 1064 nm) having transparency to the wafer is irradiated, and the inside of the wafer follows the street. Thus, the deteriorated layer is continuously formed, and the wafer is divided by applying an external force along the street whose strength is reduced by forming the deteriorated layer.

また、ウエーハに対して吸収性を有する波長（例えば３５５ｎｍ）のパルスレーザー光線をストリートに沿って照射し、ストリートに沿ってレーザー加工溝を形成した後、ストリートに沿って外力を作用せしめることにより、ウエーハを分割する方法も実用化されている。 Further, a pulse laser beam having a wavelength (for example, 355 nm) having an absorptivity with respect to the wafer is irradiated along the street, a laser processing groove is formed along the street, and then an external force is applied along the street. A method of dividing the image has also been put into practical use.

上記レーザー加工方法を用いてストリートに沿って変質層またはレーザー加工溝が形成されたウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着し、この接着フィルムを介してウエーハをダイシングテープに貼着した後、ダイシングテープを拡張することにより変質層またはレーザー加工溝が形成されることによって強度が低下せしめられたストリートに沿って個々のデバイスに分割されるとともに、接着フィルムを分割された各デバイスの外周縁に沿って破断する方法が提案されている。（例えば、特許文献３参照。）
特開２００４−２７３８９５号公報 After attaching an adhesive film for die bonding to the back surface of the wafer on which a modified layer or a laser processed groove is formed along the street using the laser processing method, and sticking the wafer to the dicing tape through this adhesive film The dicing tape is divided into individual devices along the streets whose strength has been reduced by forming altered layers or laser-processed grooves by expanding the dicing tape, and the outer peripheral edge of each device divided into adhesive films A method of breaking along the line has been proposed. (For example, refer to Patent Document 3.)
JP 2004-273895 A

ダイボンディング用の接着フィルムは、ウエーハの裏面全面に確実に装着するためにウエーハの外径より大きく形成されている。このため、接着フィルムが貼着されたダイシングテープを拡張して接着フィルムを各デバイスに沿って破断すると、ウエーハの外周縁からはみ出している接着フィルムが破壊して飛散し、その破片がデバイスの表面に付着する。このデバイスの表面に付着した接着フィルムの破片は除去することが困難であり、デバイスの品質を低下させるという問題がある。 The adhesive film for die bonding is formed larger than the outer diameter of the wafer so as to be securely attached to the entire back surface of the wafer. For this reason, when the dicing tape with the adhesive film attached is expanded and the adhesive film is broken along each device, the adhesive film protruding from the outer peripheral edge of the wafer is broken and scattered, and the fragments are on the surface of the device. Adhere to. The adhesive film fragments adhering to the surface of the device are difficult to remove, and there is a problem that the quality of the device is lowered.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、接着フィルムが貼着されたダイシングテープを拡張して接着フィルムを各デバイスに沿って破断する際に、接着フィルムの破片がデバイスの表面に付着しないようにしたウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above facts, and the main technical problem thereof is that when the dicing tape to which the adhesive film is attached is expanded to break the adhesive film along each device, fragments of the adhesive film It is an object of the present invention to provide a method for breaking an adhesive film mounted on the back surface of a wafer so that the film does not adhere to the surface of the device.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの裏面に装着されウエーハの外径より大きい外径を有する接着フィルムを、環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着された状態でデバイスに沿って破断するウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法であって、
該接着フィルムの外周部におけるウエーハの外周縁よりはみ出した領域に放射状の複数の分割溝を形成した後に、該ダイシングテープを拡張して接着フィルムをデバイスに沿って破断するとともに、該接着フィルムの外周部におけるウエーハの外周縁よりはみ出した領域を該放射状の複数の分割溝に沿って分離する、
ことを特徴とするウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法が提供される。 In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, a plurality of streets are formed in a lattice shape on the surface, and devices are formed in a plurality of regions partitioned by the plurality of streets. The adhesive film attached to the back surface of the wafer that breaks along the device in a state where the attached adhesive film having an outer diameter larger than the outer diameter of the wafer is attached to the surface of the dicing tape attached to the annular frame. Breaking method,
After forming a plurality of radial dividing grooves in a region protruding from the outer peripheral edge of the wafer in the outer peripheral portion of the adhesive film, the dicing tape is expanded to break the adhesive film along the device, and the outer periphery of the adhesive film Separating a region protruding from the outer peripheral edge of the wafer in the portion along the plurality of radial dividing grooves,
There is provided a method for breaking an adhesive film mounted on the back surface of a wafer.

本発明によれば、接着フィルムの外周部におけるウエーハの外周縁よりはみ出した領域に放射状の複数の分割溝を形成した後、ダイシングテープを拡張して接着フィルムをデバイスに沿って破断するとともに、接着フィルムの外周部におけるウエーハの外周縁よりはみ出した領域を放射状の複数の分割溝に沿って分離するので、接着フィルムの外周部におけるウエーハの外周縁よりはみ出した領域は扇状のフィルム片に分離されるため、接着フィルムがランダムに破壊され破片が飛散することはなく、デバイスの表面に接着フィルムの破片が付着することはない。従って、接着フィルムの破片がデバイスの表面に付着することによるデバイスの品質の低下を防止することができる。 According to the present invention, after forming a plurality of radial split grooves in a region protruding from the outer peripheral edge of the wafer at the outer peripheral portion of the adhesive film, with breaks along the adhesive film to the device to expand the dialog single tape, Since the area that protrudes from the outer peripheral edge of the wafer at the outer peripheral portion of the adhesive film is separated along a plurality of radial dividing grooves, the area that protrudes from the outer peripheral edge of the wafer at the outer peripheral portion of the adhesive film is separated into fan-shaped film pieces. Therefore, the adhesive film is not randomly broken and the fragments are not scattered, and the adhesive film fragments are not attached to the surface of the device. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the quality of the device due to the adhesive film fragments adhering to the surface of the device.

以下、本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, a preferred embodiment of a method for breaking an adhesive film mounted on the back surface of a wafer according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

ここで、裏面に接着フィルムが装着されたウエーハの形態について説明する。
図１の(a)および(b)には、所謂先ダイシング法によって個々のデバイスに分割された半導体ウエーハ２の裏面にダイボンディング用の接着フィルム３が装着されるとともに、該接着フィルム３側が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着され、半導体ウエーハ２の表面に貼着された保護テープ４が剥離された状態が示されている。図１の(a)および(b)に示す半導体ウエーハ２は、表面２ａに複数のストリート２１が格子状に形成されているとともに該複数のストリート２１によって区画された複数の領域にデバイス２２が形成されている。この半導体ウエーハ２を所謂先ダイシング法によって個々のデバイスに分割するには、切削装置を用いて半導体ウエーハ２の表面２ａに形成されたストリート２１に沿って所定深さ（デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝２３を形成する（分割溝形成工程）。次に、分割溝２３が形成された半導体ウエーハ２の表面に保護テープ４を貼着し、半導体ウエーハ２の裏面を研削して、分割溝を裏面に表出させることにより個々のデバイス２２に分割する（分割溝表出工程）。このようにして個々のデバイス２２に分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルム３を装着するとともに該接着フィルム３側を環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着する。次に、図１の(a)に示すように半導体ウエーハ２の表面に貼着された保護テープ４を剥離する。 Here, the form of the wafer having an adhesive film mounted on the back surface will be described.
1 (a) and 1 (b), an adhesive film 3 for die bonding is mounted on the back surface of a semiconductor wafer 2 divided into individual devices by a so-called tip dicing method, and the adhesive film 3 side is annular. A state where the protective tape 4 attached to the surface of the dicing tape T attached to the frame F and attached to the surface of the semiconductor wafer 2 is peeled off is shown. In the semiconductor wafer 2 shown in FIGS. 1A and 1B, a plurality of streets 21 are formed in a lattice shape on the surface 2a, and devices 22 are formed in a plurality of regions partitioned by the plurality of streets 21. Has been. In order to divide the semiconductor wafer 2 into individual devices by the so-called tip dicing method, a predetermined depth (corresponding to the finished thickness of the device) along the street 21 formed on the surface 2a of the semiconductor wafer 2 using a cutting machine is used. The dividing groove 23 having a depth to be formed is formed (dividing groove forming step). Next, the protective tape 4 is affixed to the surface of the semiconductor wafer 2 on which the divided grooves 23 are formed, the back surface of the semiconductor wafer 2 is ground, and the divided grooves are exposed on the back surface to divide into individual devices 22. (Divided groove exposing step). In this way, the adhesive film 3 for die bonding is attached to the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 divided into individual devices 22, and the adhesive film 3 side is attached to the surface of the dicing tape T attached to the annular frame F. Adhere. Next, as shown in FIG. 1A, the protective tape 4 adhered to the surface of the semiconductor wafer 2 is peeled off.

上記接着フィルム３は、厚さ２０〜４０μｍのエポキシ樹脂フィルムからなり、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して装着される。この接着フィルム３は、半導体ウエーハ２の裏面全面に確実に装着するために半導体ウエーハ２の外径より大きく形成されている。従って、図１の(a)に示すように接着フィルム３の外周部３０は、半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出た状態となる。なお、ダイシングテープの表面に予め接着フィルムが貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを用いることができる。この場合、上述したように先ダイシング法によって個々のデバイスに分割された半導体ウエーハ２の裏面を環状のフレームに装着された接着フィルム付きのダイシングテープの接着フィルム上に載置し、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム３を半導体ウエーハ２０の裏面２０ｂに押圧して装着する。上記環状のフレームＦは、例えば厚さが１mmのステンレス鋼によって環状に形成されている。上記ダイシングテープＴは、図示の実施形態においては厚さが７０μｍのポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなるシート基材の表面に粘着糊が厚さが５μｍ程度塗布されている。 The adhesive film 3 is made of an epoxy resin film having a thickness of 20 to 40 μm, and is pressed and attached to the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 while being heated at a temperature of 80 to 200 ° C. The adhesive film 3 is formed larger than the outer diameter of the semiconductor wafer 2 in order to be surely attached to the entire back surface of the semiconductor wafer 2. Therefore, as shown in FIG. 1A, the outer peripheral portion 30 of the adhesive film 3 protrudes from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 2. In addition, the dicing tape with the adhesive film by which the adhesive film was previously affixed on the surface of the dicing tape can be used. In this case, as described above, the back surface of the semiconductor wafer 2 divided into individual devices by the prior dicing method is placed on the adhesive film of the dicing tape with the adhesive film attached to the annular frame, and is 80 to 200 °. The adhesive film 3 is pressed and attached to the back surface 20b of the semiconductor wafer 20 while being heated at a temperature of C. The annular frame F is formed in an annular shape from stainless steel having a thickness of 1 mm, for example. In the illustrated embodiment, the dicing tape T has an adhesive paste having a thickness of about 5 μm applied to the surface of a sheet base material made of polyvinyl chloride (PVC) having a thickness of 70 μm.

図２の(a)および(b)には、ストリート２１に沿って内部に変質層２４が形成された半導体ウエーハ２の裏面にダイボンディング用の接着フィルム３が装着されるとともに、該接着フィルム３側が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着された状態が示されている。半導体ウエーハ２の内部にストリート２１に沿って変質層２４を形成するには、半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍ）のパルスレーザー光線をストリート２１に沿って照射し、半導体ウエーハ２の内部にストリート２１に沿って変質層２４を連続的に形成する（変質層形成工程）。このようにしてストリート２１に沿って内部に変質層２４が形成された半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルム３を装着するとともに該接着フィルム３側を環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着する。 2A and 2B, an adhesive film 3 for die bonding is mounted on the back surface of the semiconductor wafer 2 in which the altered layer 24 is formed inside along the street 21, and the adhesive film 3 A state where the side is attached to the surface of the dicing tape T attached to the annular frame F is shown. In order to form the deteriorated layer 24 along the street 21 inside the semiconductor wafer 2, a wavelength (for example, 1064 nm) having a light transmission property with respect to the wafer is obtained by aligning the condensing point from the back surface 2b side of the semiconductor wafer 2 to the inside. A pulsed laser beam is irradiated along the street 21, and the altered layer 24 is continuously formed along the street 21 inside the semiconductor wafer 2 (modified layer forming step). In this way, the adhesive film 3 for die bonding was attached to the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 in which the altered layer 24 was formed inside along the street 21, and the adhesive film 3 side was attached to the annular frame F. Adhere to the surface of dicing tape T.

図３の(a)および(b)には、ストリート２１に沿ってレーザー加工溝２５が形成された半導体ウエーハ２の裏面にダイボンディング用の接着フィルム３が装着されるとともに、該接着フィルム３側が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着された状態が示されている。半導体ウエーハ２にストリート２１に沿ってレーザー加工溝２５を形成するには、例えば半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルム３を装着するとともに該接着フィルム３側を上述した環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着する。次に、半導体ウエーハ２の表面２ａ側からウエーハに対して吸収性を有する波長（例えば３５５ｎｍ）のパルスレーザー光線をストリート２１に沿って照射し、ストリート２１に沿ってレーザー加工溝２５を形成する（レーザー加工溝形成工程）。 3 (a) and 3 (b), an adhesive film 3 for die bonding is mounted on the back surface of the semiconductor wafer 2 in which a laser processing groove 25 is formed along the street 21, and the adhesive film 3 side is shown in FIG. A state of being attached to the surface of the dicing tape T attached to the annular frame F is shown. In order to form the laser processing groove 25 along the street 21 in the semiconductor wafer 2, for example, the die bonding adhesive film 3 is mounted on the back surface 2b of the semiconductor wafer 2, and the above-mentioned annular frame F is disposed on the adhesive film 3 side. Affix to the surface of the dicing tape T attached to. Next, a pulse laser beam having a wavelength (for example, 355 nm) having an absorptivity with respect to the wafer is irradiated along the street 21 from the surface 2a side of the semiconductor wafer 2 to form a laser processing groove 25 along the street 21 (laser). Processing groove forming step).

以上のようにして、半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルム３を装着するとともに該接着フィルム３側を環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に貼着したならば、接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０に放射状の複数の分割溝を形成する分割溝形成工程を実施する。この分割溝形成工程について図４の(a)および(b)を参照して説明する。図４の(a)および(b)に示す実施形態は、分割溝形成工程をレーザー加工装置５を用いて実施する例である。即ち、レーザー加工装置５のチャックテーブル５１上に環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを載置し、図示しない吸引手段を作動してチャックテーブル５１上にダイシングテープTを介してダイボンディング用の接着フィルム３および半導体ウエーハ２を吸引保持する。そして、環状のフレームFをチャックテーブル４１に配設された図示しないクランプによって固定する。次に、図４の(a)に示すようにチャックテーブル５１を移動してレーザー光線照射手段の集光器５２の直下に接着フィルム３における半導体ウエーハ２の外周縁との境界部を位置付ける。そして、集光器４２からパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５１を矢印X1示す方向に移動し、図４の(b)に示すように接着フィルム３の外周縁（図４の(b)において左端）が集光器５２の直下に達したらレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。この結果、図４の(b)に示すように接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０に放射方向（径方向）に分割溝３１が形成される。 When the adhesive film 3 for die bonding is attached to the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 and the adhesive film 3 side is attached to the surface of the dicing tape T attached to the annular frame F as described above, A split groove forming step is performed in which a plurality of radial split grooves are formed in a region 30 protruding from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 2 in the outer peripheral portion of the adhesive film 3. This divided groove forming step will be described with reference to FIGS. 4 (a) and 4 (b). The embodiment shown in FIGS. 4A and 4B is an example in which the dividing groove forming step is performed using the laser processing apparatus 5. That is, the dicing tape T mounted on the annular frame F is placed on the chuck table 51 of the laser processing apparatus 5, and a suction means (not shown) is operated to perform die bonding on the chuck table 51 via the dicing tape T. The adhesive film 3 and the semiconductor wafer 2 are sucked and held. Then, the annular frame F is fixed by a clamp (not shown) disposed on the chuck table 41. Next, as shown in FIG. 4A, the chuck table 51 is moved, and the boundary portion of the adhesive film 3 with the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 2 is positioned immediately below the condenser 52 of the laser beam irradiation means. Then, the chuck table 51 is moved in the direction indicated by the arrow X1 while irradiating a pulse laser beam from the condenser 42, and as shown in FIG. 4 (b), the outer peripheral edge of the adhesive film 3 (the left end in FIG. 4 (b)). ) Reaches just below the condenser 52, the irradiation of the laser beam is stopped and the movement of the chuck table 51 is stopped. As a result, as shown in FIG. 4B, the division grooves 31 are formed in the radial direction (radial direction) in the region 30 protruding from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 2 in the outer peripheral portion of the adhesive film 3.

上記分割溝形成工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源：ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長：３５５ｎｍ
繰り返し周波数：５０ｋＨｚ
平均出力：１W
集光スポット径：φ５μｍ The division groove forming step is performed, for example, under the following processing conditions.
Laser light source: YVO4 laser or YAG laser Wavelength: 355 nm
Repetition frequency: 50 kHz
Average output: 1W
Condensing spot diameter: φ5μm

上述した分割溝形成工程を実施したならば、チャックテーブル５１を所定角度(例えば１０度)回動し（インデックス工程）、上記分割溝形成工程を実施する。以後、インデックス工程と分割溝形成工程を繰り返し実施することにより、図５に示すように接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０に放射状の複数の分割溝３１を形成することができる。 When the above-described divided groove forming step is performed, the chuck table 51 is rotated by a predetermined angle (for example, 10 degrees) (index step), and the divided groove forming step is performed. Thereafter, by repeatedly performing the indexing step and the dividing groove forming step, a plurality of radial dividing grooves 31 are formed in a region 30 protruding from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 2 in the outer peripheral portion of the adhesive film 3 as shown in FIG. can do.

なお、上述した実施形態においては、分割溝形成工程をレーザー加工によって実施した例を示したが、分割溝形成工程はカッターを用いて実施してもよい。 In the above-described embodiment, an example in which the dividing groove forming process is performed by laser processing has been described. However, the dividing groove forming process may be performed using a cutter.

なお、図３に示すように半導体ウエーハ２のストリート２１に沿ってレーザー加工溝２５を形成する場合には、上記分割溝形成工程はレーザー加工溝形成工程を実施する前に実施してもよい。 In addition, as shown in FIG. 3, when forming the laser processing groove | channel 25 along the street 21 of the semiconductor wafer 2, the said division | segmentation groove | channel formation process may be implemented before implementing a laser processing groove | channel formation process.

上述したように分割溝形成工程を実施したならば、環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張して接着フィルム３を各デバイスに沿って破断するとともに、接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０を放射状に形成された複数の分割溝３１に沿って分離するテープ拡張工程を実施する。このテープ拡張工程は、図示の実施形態においては図６に示すテープ拡張装置６を用いて実施する。図６に示すテープ拡張装置６は、上記環状のフレームFを保持するフレーム保持手段６１と、該フレーム保持手段６１に保持された環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張するテープ拡張手段６２を具備している。フレーム保持手段６１は、環状のフレーム保持部材６１１と、該フレーム保持部材６１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ６１２とからなっている。フレーム保持部材６１１の上面は環状のフレームＦを載置する載置面６１１ａを形成しており、この載置面６１１ａ上に環状のフレームFが載置される。そして、載置面６１１ａ上に載置された環状のフレームFは、クランプ６１２によってフレーム保持部材６１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段６１は、テープ拡張手段６２によって上下方向に進退可能に支持されている。 If the dividing groove forming step is performed as described above, the dicing tape T mounted on the annular frame F is expanded to break the adhesive film 3 along each device, and the semiconductor on the outer periphery of the adhesive film 3 A tape expansion process for separating the region 30 protruding from the outer peripheral edge of the wafer 2 along the plurality of radially formed dividing grooves 31 is performed. This tape expansion process is performed using the tape expansion apparatus 6 shown in FIG. 6 in the illustrated embodiment. 6 includes a frame holding means 61 for holding the annular frame F, and a tape extending means for extending the dicing tape T attached to the annular frame F held by the frame holding means 61. 62. The frame holding means 61 includes an annular frame holding member 611 and a plurality of clamps 612 as fixing means provided on the outer periphery of the frame holding member 611. An upper surface of the frame holding member 611 forms a mounting surface 611a on which the annular frame F is mounted, and the annular frame F is mounted on the mounting surface 611a. The annular frame F placed on the placement surface 611 a is fixed to the frame holding member 611 by the clamp 612. The frame holding means 61 configured in this manner is supported by the tape expanding means 62 so as to be able to advance and retract in the vertical direction.

テープ拡張手段６２は、上記環状のフレーム保持部材６１１の内側に配設される拡張ドラム６２１を具備している。この拡張ドラム６２１は、環状のフレームFの内径より小さく該環状のフレームFに装着されたダイシングテープTに貼着される接着フィルム３の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム６２１は、下端に支持フランジ６２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段６２は、上記環状のフレーム保持部材６１１を上下方向に進退可能な支持手段６３を具備している。この支持手段６３は、上記支持フランジ６２２上に配設された複数のエアシリンダ６３１からなっており、そのピストンロッド６３２が上記環状のフレーム保持部材６１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ６３１からなる支持手段６３は、図６および図７の(a)に示すように環状のフレーム保持部材６１１を載置面６１１ａが拡張ドラム６２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、図７の(b)に示すように環状のフレーム保持部材６１１を載置面６１１ａが拡張ドラム６２１の上端から図において所定量下方の拡張位置に選択的に移動せしめる。 The tape expansion means 62 includes an expansion drum 621 disposed inside the annular frame holding member 611. The expansion drum 621 has an inner diameter and an outer diameter that are smaller than the inner diameter of the annular frame F and larger than the outer diameter of the adhesive film 3 attached to the dicing tape T attached to the annular frame F. Further, the expansion drum 621 includes a support flange 622 at the lower end. The tape expansion means 62 in the illustrated embodiment includes support means 63 that can advance and retract the annular frame holding member 611 in the vertical direction. The support means 63 includes a plurality of air cylinders 631 disposed on the support flange 622, and the piston rod 632 is coupled to the lower surface of the annular frame holding member 611. As described above, the support means 63 including the plurality of air cylinders 631 includes the annular frame holding member 611 and the mounting surface 611a having substantially the same height as the upper end of the expansion drum 621, as shown in FIGS. As shown in FIG. 7B, the annular frame holding member 611 is selectively moved from the upper end of the expansion drum 621 to the extended position below the predetermined amount in the drawing.

図示の実施形態におけるテープ拡張装置６は以上のように構成されており、このテープ拡張装置６を用いて、上述した環状のフレームFに装着されたダイシングテープTを拡張し、接着フィルム３をデバイスに沿って破断するとともに、接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０を放射状に形成された複数の分割溝３１に沿って分離するテープ拡張工程について、主に図７を参照して説明する。
上記図５に示すように分割溝形成工程が実施された接着フィルム３（半導体ウエーハ２の裏面２ｂに装着されている）が貼着されたダイシングテープTを介して支持した環状のフレームFを図７の（ａ）に示すようにフレーム保持手段６１を構成するフレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に載置し、クランプ６１２によってフレーム保持部材６１１に固定する(フレーム保持工程)。このとき、フレーム保持部材６１１は図７の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。 The tape expansion device 6 in the illustrated embodiment is configured as described above. The tape expansion device 6 is used to expand the dicing tape T mounted on the annular frame F described above, and to attach the adhesive film 3 to the device. 7 is mainly used for the tape expansion process in which the region 30 protruding from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 2 in the outer peripheral portion of the adhesive film 3 is separated along the plurality of radially formed dividing grooves 31. Will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 5, an annular frame F supported through a dicing tape T to which an adhesive film 3 (attached to the back surface 2b of the semiconductor wafer 2) subjected to the dividing groove forming process is attached is illustrated. 7A, it is placed on the placement surface 611a of the frame holding member 611 constituting the frame holding means 61, and is fixed to the frame holding member 611 by the clamp 612 (frame holding step). At this time, the frame holding member 611 is positioned at the reference position shown in FIG.

次に、複数のエアシリンダ６３１を作動して、フレーム保持部材６１１を図７の（b）に示す拡張位置まで下降せしめる。従って、フレーム保持部材６１１の載置面６１１a上に固定されている環状のフレームFも下降するため、図７の（b）に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTは拡張ドラム６２１の上端縁に当接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、ダイシングテープTに貼着されている接着フィルム３には放射状に引張力が作用する。このようにして、ダイシングテープTに貼着されている接着フィルム３に放射状の引張力が作用すると、上記図１に示すように半導体ウエーハ２が個々のデバイス２２に分割されている場合には、デバイス２２間の間隔が広げられる。この結果、接着フィルム３は各デバイス２２の外周縁に沿って破断されるとともに、接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０は、図７の（c）に拡大して示すように分割溝３１が広げられ半導体ウエーハ２の外周縁部で破断されて扇状のフィルム片３００に分離されダイシングテープTに貼着された状態で維持される。 Next, the plurality of air cylinders 631 are operated to lower the frame holding member 611 to the extended position shown in FIG. Therefore, since the annular frame F fixed on the mounting surface 611a of the frame holding member 611 is also lowered, the dicing tape T mounted on the annular frame F is an expansion drum as shown in FIG. It expands in contact with the upper edge of 621 (tape expansion process). As a result, a radial tensile force acts on the adhesive film 3 adhered to the dicing tape T. In this way, when a radial tensile force acts on the adhesive film 3 adhered to the dicing tape T, when the semiconductor wafer 2 is divided into individual devices 22 as shown in FIG. The spacing between the devices 22 is increased. As a result, the adhesive film 3 is broken along the outer peripheral edge of each device 22, and the region 30 protruding from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 2 in the outer peripheral portion of the adhesive film 3 is enlarged to (c) in FIG. 7. As shown, the dividing groove 31 is widened, broken at the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 2, separated into fan-shaped film pieces 300, and maintained in a state of being stuck to the dicing tape T.

また、上記図２または図３に示すように半導体ウエーハ２のストリート２１に沿って変質層２４またはレーザー加工溝２５が形成されている場合には、上記のようにダイシングテープTに貼着されている接着フィルム３に放射状の引張力が作用すると、半導体ウエーハ２は変質層２４またはレーザー加工溝２５が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２１に沿って個々のデバイス２２に分割される。そして、接着フィルム３は分割された各デバイス２２の外周縁に沿って破断されるとともに、接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０は上記図７の（c）と同様に半導体ウエーハ２の外周縁部で破断されて扇状のフィルム片に分離されダイシングテープTに貼着された状態で維持される。 Further, when the altered layer 24 or the laser processed groove 25 is formed along the street 21 of the semiconductor wafer 2 as shown in FIG. 2 or FIG. 3, it is adhered to the dicing tape T as described above. When a radial tensile force acts on the adhesive film 3, the semiconductor wafer 2 is divided into individual devices 22 along the streets 21 whose strength has been reduced by the formation of the altered layer 24 or the laser-processed grooves 25. . Then, the adhesive film 3 is broken along the outer peripheral edge of each of the divided devices 22, and the region 30 protruding from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 2 in the outer peripheral portion of the adhesive film 3 is the same as (c) of FIG. Similarly, it is broken at the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 2, separated into fan-shaped film pieces, and maintained in a state of being adhered to the dicing tape T.

上述したテープ拡張工程において接着フィルム３を各デバイス２２の外周縁に沿って破断する際には、接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域３０に放射状の複数の分割溝３１が形成されているので、扇状のフィルム片３００に分離されるため、接着フィルム３がランダムに破壊して破片が飛散することはなく、デバイス２２の表面に接着フィルム３の破片が付着することはない。 When the adhesive film 3 is ruptured along the outer peripheral edge of each device 22 in the tape expansion step described above, a plurality of radial dividing grooves are formed in the region 30 protruding from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 2 in the outer peripheral portion of the adhesive film 3. Since 31 is formed, it is separated into fan-shaped film pieces 300, so that the adhesive film 3 is not randomly broken and the fragments are not scattered, and the fragments of the adhesive film 3 are attached to the surface of the device 22. There is no.

上述したようにテープ拡張工程を実施したならば、図８に示すようにピックアップ装置７を作動しピックアップコレット７１によって所定位置に位置付けられたデバイス２２をピックアップ（ピックアップ工程）し、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。 When the tape expansion process is performed as described above, the pickup device 7 is operated to pick up the device 22 positioned at a predetermined position by the pickup collet 71 (pickup process) as shown in FIG. Transport to the bonding process.

次に、本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法の他の実施形態について、図９および図１０を参照して説明する。
図９に示す実施形態においては、外周部に放射状の複数の分割溝が形成された接着フィルムを用いる。即ち、図９の(a)に示すように接着フィルム３は、半導体ウエーハ２の外径より大きい外径を有し、その外周部には放射状の複数の分割溝３１が形成されている。なお、放射状の複数の分割溝３１は、レーザー加工によって形成してもよく、カッター等を用いて形成してもよい。また、放射状の複数の分割溝３１は、中心部まで形成してもよい。このように形成された接着フィルム３を図９の(b)に示すように例えば上述した先ダイシング法によって個々のデバイスに分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂに貼着し、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ半導体ウエーハ２の裏面２ｂに装着する。次に、図９の(c)に示すように環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着する。そして、半導体ウエーハ２の表面に貼着された保護テープ４を剥離する。 Next, another embodiment of the method for breaking the adhesive film mounted on the back surface of the wafer according to the present invention will be described with reference to FIGS.
In the embodiment shown in FIG. 9, an adhesive film having a plurality of radial dividing grooves formed on the outer peripheral portion is used. That is, as shown in FIG. 9A, the adhesive film 3 has an outer diameter larger than the outer diameter of the semiconductor wafer 2, and a plurality of radial division grooves 31 are formed on the outer peripheral portion thereof. The plurality of radial dividing grooves 31 may be formed by laser processing or may be formed using a cutter or the like. Further, the plurality of radial dividing grooves 31 may be formed up to the center. The adhesive film 3 formed in this way is attached to the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 divided into individual devices by the above-mentioned dicing method, for example, as shown in FIG. The semiconductor wafer 2 is mounted on the back surface 2b while being heated at the temperature. Next, it affixes on the dicing tape T with which the cyclic | annular flame | frame F was mounted | worn as shown in (c) of FIG. Then, the protective tape 4 attached to the surface of the semiconductor wafer 2 is peeled off.

図１０に示す実施形態は、ダイシングテープの表面に予め接着フィルムが貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを用いる。即ち、図１０の(a)に示すように環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着されている接着フィルム３の外周部には、上記図９に示す接着フィルム３と同様に予め放射状の複数の分割溝３１が形成されている。このようにダイシングテープＴに貼着されている接着フィルム３に図１０の(b)に示すように例えば上述した先ダイシングによって個々のデバイスに分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂを貼着し、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ半導体ウエーハ２の裏面２ｂを装着する。そして、半導体ウエーハ２の表面に貼着された保護テープ４を剥離する。 The embodiment shown in FIG. 10 uses a dicing tape with an adhesive film in which an adhesive film is bonded in advance to the surface of the dicing tape. That is, in the same manner as the adhesive film 3 shown in FIG. 9, the outer peripheral portion of the adhesive film 3 attached to the dicing tape T attached to the annular frame F as shown in FIG. A plurality of radial dividing grooves 31 are formed. Thus, the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 divided into individual devices by, for example, the above-mentioned dicing as shown in FIG. 10 (b) is adhered to the adhesive film 3 adhered to the dicing tape T, The back surface 2b of the semiconductor wafer 2 is mounted while heating at a temperature of 80 to 200 ° C. Then, the protective tape 4 attached to the surface of the semiconductor wafer 2 is peeled off.

以上のようにして、環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴに半導体ウエーハ２の裏面２bを接着フィルム３（外周部に放射状の複数の分割溝３１が形成されている）を介して貼着したならば、上記テープ拡張装置６を用いて上述したテープ拡張工程を実施する。この結果、上述した図１乃至図７に示す実施形態を同様に接着フィルム３は各デバイス２２の外周縁に沿って破断されるとともに、接着フィルム３の外周部における半導体ウエーハ２の外周縁からはみ出した領域が扇状のフィルム片となって分離されダイシングテープTに貼着された状態で維持される。従って、上記図１乃至図７に示す実施形態と同様の作用効果を奏する。 As described above, the back surface 2b of the semiconductor wafer 2 is bonded to the dicing tape T mounted on the annular frame F via the adhesive film 3 (a plurality of radial dividing grooves 31 are formed on the outer periphery). Then, the tape expansion process described above is performed using the tape expansion device 6. As a result, the adhesive film 3 is similarly broken along the outer peripheral edge of each device 22 and protrudes from the outer peripheral edge of the semiconductor wafer 2 in the outer peripheral portion of the adhesive film 3 in the embodiment shown in FIGS. This area is separated into fan-shaped film pieces and is maintained in a state of being attached to the dicing tape T. Accordingly, the same operational effects as those of the embodiment shown in FIGS.

裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着された半導体ウエーハが環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着された状態を示す第１の実施形態の斜視図。The perspective view of 1st Embodiment which shows the state affixed on the dicing tape with which the semiconductor wafer with which the adhesive film for die bonding was mounted | worn on the back surface was mounted | worn with the cyclic | annular flame | frame. 裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着された半導体ウエーハが環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着された状態を示す第２の実施形態の斜視図。The perspective view of 2nd Embodiment which shows the state by which the semiconductor wafer with which the adhesive film for die bonding was mounted | worn on the back surface was affixed on the dicing tape with which the cyclic | annular flame | frame was mounted | worn. 裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着された半導体ウエーハが環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着された状態を示す第３の実施形態の斜視図。The perspective view of 3rd Embodiment which shows the state affixed on the dicing tape with which the semiconductor wafer with which the adhesive film for die bonding was mounted | worn on the back surface was mounted | worn with the cyclic | annular flame | frame. 本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法における分割溝形成工程の説明図。Explanatory drawing of the division | segmentation groove | channel formation process in the fracture | rupture method of the adhesive film with which the back surface of the wafer by this invention was mounted | worn. 図４に示す分割溝形成工程が実施された接着テープがダイシングテープを介して環状のフレームに支持されている状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state by which the adhesive tape in which the division | segmentation groove | channel formation process shown in FIG. 4 was implemented is supported by the cyclic | annular flame | frame via the dicing tape. 本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法におけるテープ拡張工程を実施するテープ拡張装置の斜視図。The perspective view of the tape expansion apparatus which implements the tape expansion process in the fracture | rupture method of the adhesive film with which the back surface of the wafer by this invention was mounted | worn. 本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法におけるテープ拡張工程の説明図。Explanatory drawing of the tape expansion process in the fracture | rupture method of the adhesive film with which the back surface of the wafer by this invention was mounted | worn. 本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法におけるピックアップ工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the pick-up process in the fracture | rupture method of the adhesive film with which the back surface of the wafer by this invention was mounted | worn. 本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法に用いる接着フィルムおよび接着フィルムを半導体ウエーハの裏面に装着するとともに環状のフレームに装着されたダイシングテープに貼着工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows a sticking process to the dicing tape with which the adhesive film and adhesive film used for the breaking method of the adhesive film with which the back surface of the wafer by this invention was mounted | worn was mounted | worn with the back surface of a semiconductor wafer, and was mounted | worn to the cyclic | annular flame | frame. 本発明によるウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法に用いる接着フィルムの他の実施形態および接着フィルムに半導体ウエーハの裏面を装着する工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the process of mounting | wearing the back surface of a semiconductor wafer to other embodiment of the adhesive film used for the fracture | rupture method of the adhesive film mounted on the back surface of the wafer by this invention, and an adhesive film.

Explanation of symbols

２：半導体ウエーハ
２１：ストリート
２２：デバイス
３：接着フィルム
３１：分割溝
４：保護テープ
５：レーザー加工装置
５１：チャックテーブル
５２：集光器
６：テープ拡張装置
６１：フレーム保持手段
６１１：フレーム保持部材
６２：テープ拡張手段
６２１：拡張ドラム
６３：支持手段
６３１：エアシリンダ
F：環状のフレーム
T：ダイシングテープ 2: Semiconductor wafer 21: Street 22: Device 3: Adhesive film 31: Dividing groove 4: Protection tape 5: Laser processing device 51: Chuck table 52: Light collector 6: Tape expansion device 61: Frame holding means 611: Frame holding Member 62: Tape expansion means 621: Expansion drum 63: Support means 631: Air cylinder
F: Ring frame
T: Dicing tape

Claims

An adhesive film having a larger outer diameter than the outer diameter of a wafer mounted on the back surface of a wafer in which a plurality of streets are formed in a lattice shape on the surface and a device is formed in a plurality of regions partitioned by the plurality of streets A method for breaking an adhesive film attached to the back surface of a wafer that breaks along a device in a state of being attached to the surface of a dicing tape attached to an annular frame,
After forming a plurality of radial dividing grooves in a region protruding from the outer peripheral edge of the wafer in the outer peripheral portion of the adhesive film, the dicing tape is expanded to break the adhesive film along the device, and the outer periphery of the adhesive film Separating a region protruding from the outer peripheral edge of the wafer in the portion along the plurality of radial dividing grooves,
A method for breaking an adhesive film mounted on the back surface of a wafer.