JP5595716B2 - Processing method of optical device wafer - Google Patents

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Description

本発明は、基板の表面に光デバイス層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、ストリートに沿って個々の光デバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。   The present invention relates to an optical device wafer in which optical devices are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets formed by laminating optical device layers on the surface of a substrate, and each optical device along the streets. The present invention relates to a method for processing a wafer to be divided.
光デバイス製造工程においては、略円板形状であるサファイア基板や炭化珪素基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体からなる光デバイス層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスを形成して光デバイスウエーハを構成する。そして、光デバイスウエーハをストリートに沿って切断することにより光デバイスが形成された領域を分割して個々の光デバイスを製造している。   In the optical device manufacturing process, an optical device layer made of a gallium nitride compound semiconductor is laminated on the surface of a substantially disc-shaped sapphire substrate or silicon carbide substrate, and is partitioned by a plurality of streets formed in a lattice shape. Optical devices such as light emitting diodes and laser diodes are formed in the region to constitute an optical device wafer. Then, the optical device wafer is cut along the streets to divide the region where the optical device is formed to manufacture individual optical devices.
上述した光デバイスウエーハのストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径3μm程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ20μm程度に形成されている。   The above-mentioned cutting along the street of the optical device wafer is usually performed by a cutting device called a dicer. The cutting apparatus includes a chuck table for holding a workpiece, a cutting means for cutting the workpiece held on the chuck table, and a cutting feed means for relatively moving the chuck table and the cutting means. It has. The cutting means includes a rotary spindle, a cutting blade mounted on the spindle, and a drive mechanism that rotationally drives the rotary spindle. The cutting blade is composed of a disk-shaped base and an annular cutting edge mounted on the outer periphery of the side surface of the base. The cutting edge is fixed to the base by electroforming, for example, diamond abrasive grains having a particle size of about 3 μm. It is formed to a thickness of about 20 μm.
しかるに、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板、炭化珪素基板等はモース硬度が高いため、上記切削ブレードによる切断は必ずしも容易ではない。更に、切削ブレードは20μm程度の厚さを有するため、デバイスを区画するストリートとしては幅が50μm程度必要となる。このため、ストリートの占める面積比率が高くなり、生産性が悪いという問題がある。   However, since the sapphire substrate, the silicon carbide substrate and the like constituting the optical device wafer have high Mohs hardness, cutting with the cutting blade is not always easy. Furthermore, since the cutting blade has a thickness of about 20 μm, the street that partitions the device needs to have a width of about 50 μm. For this reason, the area ratio which a street occupies becomes high, and there exists a problem that productivity is bad.
上述した問題を解消するために、光デバイスウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有するパルスレーザー光線をストリートに沿って照射することにより破断の起点となるレーザー加工溝を形成し、この破断の起点となるレーザー加工溝が形成されたストリートに沿って外力を付与することにより割断する方法が提案されている。(例えば、特許文献1参照。)   In order to solve the above-mentioned problem, as a method of dividing the optical device wafer along the street, a laser processing groove that becomes a starting point of breakage by irradiating the wafer with a pulsed laser beam having absorbency to the wafer is provided. There has been proposed a method of forming and cleaving by applying an external force along a street in which a laser processed groove serving as a starting point of the fracture is formed. (For example, refer to Patent Document 1.)
しかるに、光デバイスウエーハを構成するサファイア基板の表面に形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成すると、発光ダイオード等の光デバイスの外周がアブレーションされて輝度が低下し、光デバイスの品質が低下するという問題がある。   However, when a laser processing groove is formed by irradiating a laser beam along the street formed on the surface of the sapphire substrate that constitutes the optical device wafer, the outer periphery of the optical device such as a light emitting diode is ablated, resulting in a decrease in luminance. There is a problem that the quality of the device is degraded.
このような問題を解消するために、光デバイス層としての発光層(エピ層)が形成されていないサファイア基板の裏面側からサファイア基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を集光点を内部に位置付けてストリートに沿って照射し、サファイア基板の内部にストリートに沿って変質層を形成することにより、サファイア基板を変質層が形成されたストリートに沿って分割するサファイア基板の加工方法が下記特許文献2に開示されている。   In order to solve such a problem, a laser beam having a wavelength that is transmissive to the sapphire substrate from the back side of the sapphire substrate on which the light emitting layer (epi layer) as the optical device layer is not formed is focused inside. The method of processing a sapphire substrate that irradiates along the street and forms an altered layer along the street inside the sapphire substrate to divide the sapphire substrate along the street where the altered layer is formed is as follows. It is disclosed in Document 2.
特開平10−305420号公報JP-A-10-305420 特開2008−6492号公報JP 2008-6492 A
上記特許文献2に開示されたウエーハの分割方法おいては、先ずウエーハを所定の厚み(例えば、100μm以下)にするためにウエーハの裏面を研削した後、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線をウエーハの裏面側から内部に集光点を合わせてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って破断の起点となる変質層を形成するが、変質層が光デバイス層としての発光層(エピ層)に達すると光デバイス層がダメージを受け光デバイスの輝度が低下する。このような問題を解消するためには、光デバイス層に達しない範囲で変質層を形成する必要がある。しかるに、ウエーハの厚みが100μm以下という薄い状態において光デバイス層に達しない範囲で変質層を形成することは非常に難しい。   In the wafer dividing method disclosed in the above-mentioned Patent Document 2, first, after grinding the back surface of the wafer in order to make the wafer a predetermined thickness (for example, 100 μm or less), a wavelength having transparency to the wafer is obtained. A pulse laser beam is irradiated from the back side of the wafer along the street with the converging point inside, and an altered layer is formed inside the wafer that becomes the starting point of breakage along the street. When the light emitting layer (epi layer) is reached, the optical device layer is damaged and the luminance of the optical device is lowered. In order to solve such a problem, it is necessary to form a deteriorated layer within a range not reaching the optical device layer. However, it is very difficult to form a deteriorated layer in a range that does not reach the optical device layer when the wafer thickness is 100 μm or less.
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、変質層を光デバイス層に達しない範囲に容易に形成することができるとともに、光デバイスの厚みを所定の厚みに形成することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above facts, and the main technical problem thereof is that the altered layer can be easily formed in a range not reaching the optical device layer, and the thickness of the optical device is formed to a predetermined thickness. An object of the present invention is to provide a method of processing an optical device wafer that can be performed.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板の表面に光デバイス層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、ストリートに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、
光デバイスウエーハの表面に環状のフレームに装着された保護テープを貼着する保護部材貼着工程と、
光デバイスウエーハの基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を基板の裏面側から基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、基板の内部に光デバイス層より裏面側にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層形成工程が実施された光デバイスウエーハの基板の裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程と、
裏面研削工程が実施された光デバイスウエーハに外力を付与して光デバイスウエーハを変質層が形成されたストリートに沿って破断し、個々の光デバイスに分割するウエーハ破断工程と、を含
該変質層形成工程と該裏面研削工程および該ウエーハ破断工程は、光デバイスウエーハの表面が環状のフレームに装着された保護テープに貼着された状態で実施する、
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。
In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, an optical device in which an optical device is formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets formed by laminating an optical device layer on a surface of a substrate and forming a lattice shape. An optical device wafer processing method for dividing a wafer into individual optical devices along a street,
A protective member attaching step for attaching a protective tape attached to an annular frame on the surface of the optical device wafer;
A laser beam having a wavelength that is transparent to the substrate of the optical device wafer is irradiated from the back side of the substrate to the inside of the substrate along the street, and the street is irradiated to the back side of the optical device layer from the optical device layer. An altered layer forming step of forming an altered layer along
A back surface grinding step of grinding the back surface of the substrate of the optical device wafer on which the altered layer forming step has been performed to form a predetermined thickness;
The optical device wafer is broken along the streets deteriorated layer has been formed by applying an external force to the optical device wafer back grinding process is performed, seen including a wafer dividing step of dividing into individual optical devices, and
The deteriorated layer forming step, the back grinding step and the wafer breaking step are performed in a state where the surface of the optical device wafer is attached to a protective tape attached to an annular frame.
An optical device wafer processing method is provided.
上記ウエーハ破断工程を実施した後に、光デバイスウエーハの表面が環状のフレームに装着された保護テープに貼着された状態で光デバイスウエーハの基板の裏面を研削して変質層を除去する変質層除去工程を実施する。
上記変質層形成工程は、光デバイスウエーハの基板の表面から20〜60μmの位置より裏面側に変質層を形成する。
After performing the wafer breaking step, the altered layer is removed by grinding the back surface of the substrate of the optical device wafer while the surface of the optical device wafer is attached to the protective tape attached to the annular frame. Perform the process.
In the altered layer forming step, the altered layer is formed on the back side from the position of 20 to 60 μm from the surface of the substrate of the optical device wafer.
本発明においては、変質層形成工程は光デバイスウエーハを構成する基板の裏面を研削して所定の厚みに形成する前の厚い状態で実施するので、レーザー光線の集光点を所望の位置に容易に位置付けることができ、光デバイス層にダメージを与えることなく変質層を形成することができる。
また、本発明においては、変質層形成工程を実施した後に裏面研削工程を実施して光デバイスウエーハの厚みを所定の厚みに形成し、光デバイスウエーハを変質層が形成されたストリートに沿って破断するので、変質層の厚みを最小限に抑えることができ生産性が向上する。
更に、本発明においては、変質層形成工程と裏面研削工程およびウエーハ破断工程は、光デバイスウエーハの表面が環状のフレームに装着された保護テープに貼着された状態で実施するので、光デバイスウエーハの取り扱いが容易であるとともに各工程間の搬送中に破損させてしまうことが防止できる。
In the present invention, the deteriorated layer forming step is performed in a thick state before the back surface of the substrate constituting the optical device wafer is ground and formed to a predetermined thickness, so that the condensing point of the laser beam can be easily set at a desired position. The altered layer can be formed without damaging the optical device layer.
Further, in the present invention, after performing the deteriorated layer forming step, the back surface grinding step is performed to form the thickness of the optical device wafer to a predetermined thickness, and the optical device wafer is broken along the street where the deteriorated layer is formed. Therefore, the thickness of the deteriorated layer can be minimized and productivity is improved.
Furthermore, in the present invention, the altered layer forming step, the back surface grinding step, and the wafer breaking step are carried out in a state where the surface of the optical device wafer is attached to a protective tape attached to an annular frame. Is easy to handle and can be prevented from being damaged during conveyance between the steps.
ウエーハとしての光デバイスウエーハを示す斜視図および要部拡大断面図。The perspective view and principal part expanded sectional view which show the optical device wafer as a wafer. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における保護部材貼着工程が実施されウエーハの表面を環状のフレームに装着された保護テープに貼着した状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state which the protective member sticking process in the processing method of the optical device wafer by this invention was implemented, and the surface of the wafer was stuck on the protective tape with which the cyclic | annular flame | frame was mounted | worn. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における変質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。The principal part perspective view of the laser processing apparatus for implementing the deteriorated layer formation process in the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における変質層形成工程の説明図。Explanatory drawing of the deteriorated layer formation process in the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における裏面研削工程の説明図。Explanatory drawing of the back surface grinding process in the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における裏面研削工程が実施された光デバイスウエーハの要部を拡大して示す断面図。Sectional drawing which expands and shows the principal part of the optical device wafer in which the back surface grinding process in the processing method of the optical device wafer by this invention was implemented. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるウエーハ破断工程を実施するためのウエーハ破断装置の斜視図。The perspective view of the wafer fracture | rupture apparatus for implementing the wafer fracture | rupture process in the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるウエーハ破断工程の説明図。Explanatory drawing of the wafer fracture | rupture process in the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における変質層除去工程の説明図。Explanatory drawing of the deteriorated layer removal process in the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における変質層除去工程が実施された光デバイスウエーハの要部を拡大して示す断面図。Sectional drawing which expands and shows the principal part of the optical device wafer in which the deteriorated layer removal process in the processing method of the optical device wafer by this invention was implemented. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるウエーハ移し替え工程の説明図。Explanatory drawing of the wafer transfer process in the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるピックアップ工程を実施するためのピックアップ装置の斜視図。The perspective view of the pick-up apparatus for implementing the pick-up process in the processing method of the optical device wafer by this invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法におけるピックアップ工程の説明図。Explanatory drawing of the pick-up process in the processing method of the optical device wafer by this invention.
以下、本発明による光デバイスウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a method for processing an optical device wafer according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1の(a)および(b)には、本発明による光デバイスウエーハの加工方法に従って加工される光デバイスウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図が示されている。図1の(a)および(b)に示す光デバイスウエーハ2は、例えば厚みが430μmのサファイア基板20の表面20aに窒化物半導体からなる光デバイス層としての発光層(エピ層)21が5〜10μmの厚みで積層されている。そして、発光層(エピ層)21が格子状に形成された複数のストリート22によって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイス23が形成されている。以下、この光デバイスウエーハ2をストリート21に沿って個々の光デバイス22に分割する加工方法について説明する。   1A and 1B show a perspective view of an optical device wafer processed in accordance with the optical device wafer processing method according to the present invention and a cross-sectional view showing an enlarged main part. The optical device wafer 2 shown in FIGS. 1A and 1B has, for example, a light emitting layer (epi layer) 21 as an optical device layer made of a nitride semiconductor on the surface 20a of a sapphire substrate 20 having a thickness of 430 μm. They are stacked with a thickness of 10 μm. An optical device 23 such as a light emitting diode or a laser diode is formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of streets 22 in which a light emitting layer (epi layer) 21 is formed in a lattice shape. Hereinafter, a processing method for dividing the optical device wafer 2 into individual optical devices 22 along the streets 21 will be described.
先ず、光デバイスウエーハの表面に形成された光デバイスを保護するために、光デバイスウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。即ち、図2に示すように金属材によって形成された環状のフレーム3に装着された保護部材としての保護テープ30の表面に光デバイスウエーハ2の表面2aを貼着する。なお、上記保護テープ30は、図示の実施形態においては厚さが100μmのポリ塩化ビニル(PVC)からなるシート基材の表面にアクリル樹脂系の糊が厚さ5μm程度塗布されている。この糊は紫外線を照射することによって粘着力が低下する性質を有するものが用いられている。   First, in order to protect the optical device formed on the surface of the optical device wafer, a protective member attaching step of attaching a protective member to the surface of the optical device wafer is performed. That is, as shown in FIG. 2, the surface 2a of the optical device wafer 2 is adhered to the surface of the protective tape 30 as a protective member attached to the annular frame 3 formed of a metal material. In the illustrated embodiment, the protective tape 30 has an acrylic resin-based paste applied to the surface of a sheet base material made of polyvinyl chloride (PVC) having a thickness of 100 μm to a thickness of about 5 μm. This glue has a property of reducing the adhesive strength when irradiated with ultraviolet rays.
上述した保護部材貼着工程を実施することにより光デバイスウエーハ2の表面2aを環状のフレーム3に装着された保護テープ30に貼着したならば、光デバイスウエーハの基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を基板の裏面側から基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、基板の内部に光デバイス層より裏面側にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。この変質層形成工程は、図3に示すレーザー加工装置4を用いて実施する。図3に示すレーザー加工装置4は、被加工物を保持するチャックテーブル41と、該チャックテーブル41上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段42と、チャックテーブル41上に保持された被加工物を撮像する撮像手段43を具備している。チャックテーブル41は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図3において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図3において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。   If the surface 2a of the optical device wafer 2 is attached to the protective tape 30 attached to the annular frame 3 by carrying out the protective member attaching step described above, the optical device wafer 2 is permeable to the substrate. A deteriorated layer forming process in which a laser beam with a wavelength is irradiated from the back side of the substrate to the inside of the substrate along the street, and an altered layer is formed inside the substrate along the street from the optical device layer to the back side. To implement. This deteriorated layer forming step is performed using a laser processing apparatus 4 shown in FIG. A laser processing apparatus 4 shown in FIG. 3 includes a chuck table 41 that holds a workpiece, laser beam irradiation means 42 that irradiates a workpiece held on the chuck table 41 with a laser beam, and a chuck table 41 that holds the workpiece. An image pickup means 43 for picking up an image of the processed workpiece is provided. The chuck table 41 is configured to suck and hold the workpiece. The chuck table 41 is moved in a processing feed direction indicated by an arrow X in FIG. 3 by a processing feed means (not shown) and is also shown in FIG. 3 by an index feed means (not shown). It can be moved in the index feed direction indicated by the arrow Y.
上記レーザー光線照射手段42は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング421を含んでいる。ケーシング421内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング421の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器422が装着されている。なお、レーザー光線照射手段42は、集光器422によって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段(図示せず)を備えている。   The laser beam application means 42 includes a cylindrical casing 421 arranged substantially horizontally. In the casing 421, pulse laser beam oscillation means including a pulse laser beam oscillator and repetition frequency setting means (not shown) are arranged. A condenser 422 for condensing the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillating means is attached to the tip of the casing 421. The laser beam irradiating unit 42 includes a condensing point position adjusting unit (not shown) for adjusting the condensing point position of the pulsed laser beam condensed by the condenser 422.
上記レーザー光線照射手段42を構成するケーシング421の先端部に装着された撮像手段43は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する撮像素子(CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。   In the illustrated embodiment, the image pickup means 43 mounted on the tip of the casing 421 constituting the laser beam irradiation means 42 is constituted by an image pickup device (CCD) that picks up an image with visible light, and captures the picked-up image signal. It sends to the control means which is not illustrated.
上述したレーザー加工装置4を用いて、上記光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20に対して透過性を有する波長のレーザー光線をサファイア基板20の裏面20b側から集光点をサファイア基板20の内部に位置付けてストリート22に沿って照射し、光デバイス層としての発光層(エピ層)21より裏面20b側にストリート22に沿って変質層を形成する変質層形成工程について、図3および図4を参照して説明する。
先ず、上述した図3に示すレーザー加工装置4のチャックテーブル41上に光デバイスウエーハ2が貼着された保護テープ30を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保護テープ30を介して光デバイスウエーハ2をチャックテーブル41上に保持する(ウエーハ保持工程)。従って、チャックテーブル41に保持された光デバイスウエーハ2は、サファイア基板20の裏面20bが上側となる。なお、図3においては、保護テープ30が装着された環状のフレーム3を省いて示しているが、環状のフレーム3はチャックテーブル41に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。このようにして、光デバイスウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル41は、図示しない加工送り手段によって撮像手段43の直下に位置付けられる。
Using the laser processing apparatus 4 described above, a laser beam having a wavelength that is transparent to the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 is focused on the inside of the sapphire substrate 20 from the back surface 20b side of the sapphire substrate 20. Refer to FIGS. 3 and 4 for the altered layer forming step of positioning and irradiating along the street 22 and forming the altered layer along the street 22 on the back surface 20b side from the light emitting layer (epi layer) 21 as an optical device layer. To explain.
First, the protective tape 30 having the optical device wafer 2 attached thereto is placed on the chuck table 41 of the laser processing apparatus 4 shown in FIG. Then, by operating a suction means (not shown), the optical device wafer 2 is held on the chuck table 41 via the protective tape 30 (wafer holding step). Accordingly, in the optical device wafer 2 held on the chuck table 41, the back surface 20b of the sapphire substrate 20 is on the upper side. In FIG. 3, the annular frame 3 to which the protective tape 30 is attached is omitted, but the annular frame 3 is held by an appropriate frame holding means provided on the chuck table 41. In this way, the chuck table 41 that sucks and holds the optical device wafer 2 is positioned directly below the imaging unit 43 by a processing feed unit (not shown).
チャックテーブル41が撮像手段43の直下に位置付けられると、撮像手段43および図示しない制御手段によってウエーハ2のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段43および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ2の所定方向に形成されているストリート22と、該ストリート22に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段42の集光器422との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する(アライメント工程)。また、光デバイスウエーハ2に上記所定方向と直交する方向に形成されたストリート22に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、光デバイスウエーハ2におけるストリート22が形成されている発光層(エピ層)21の表面は下側に位置しているが、光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20は透明体であるため、サファイア基板20の裏面20b側からストリート22を撮像することができる。   When the chuck table 41 is positioned immediately below the image pickup means 43, an alignment operation for detecting a processing region to be laser processed on the wafer 2 is executed by the image pickup means 43 and a control means (not shown). That is, the image pickup means 43 and the control means (not shown) are arranged between the street 22 formed in a predetermined direction of the optical device wafer 2 and the position of the condenser 422 of the laser beam irradiation means 42 that irradiates the laser beam along the street 22. Image processing such as pattern matching for alignment is executed, and alignment of the laser beam irradiation position is performed (alignment process). Similarly, alignment of the laser beam irradiation position is performed on the street 22 formed on the optical device wafer 2 in a direction orthogonal to the predetermined direction. At this time, although the surface of the light emitting layer (epi layer) 21 on which the streets 22 are formed in the optical device wafer 2 is positioned on the lower side, the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 is a transparent body. The street 22 can be imaged from the back surface 20b side of the sapphire substrate 20.
以上のようにしてチャックテーブル41上に保持された光デバイスウエーハ2を構成する発光層(エピ層)21の表面に形成されているストリート22を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図4の(a)で示すようにチャックテーブル41をレーザー光線照射手段42の集光器422が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート22の一端(図4の(a)において左端)をレーザー光線照射手段42の集光器422の直下に位置付ける。そして、集光器422から照射されるパルスレーザー光線の集光点Pを光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の表面20a(下面)から例えば55μm上側の位置に合わせる。この集光器422から照射されるパルスレーザー光線の集光点Pを光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の所定位置に位置付けるためには、例えば特開2009−63446号公報に記載されているチャックテーブルに保持された被加工物の高さ位置検出装置を用いてチャックテーブル41に保持された光デバイスウエーハ2の上面の高さ位置を検出し、検出された光デバイスウエーハ2の上面の高さ位置を基準として図示しない集光点位置調整手段を作動することによりパルスレーザー光線の集光点Pを所定位置に位置付ける。次に、集光器422からサファイア基板20に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル41を図4の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図4の(b)で示すようにレーザー光線照射手段42の集光器422の照射位置がストリート22の他端(図4の(b)において右端)の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル41の移動を停止する。この結果、光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20には、図4の(b)および図4の(c)に示すように内部にストリート22に沿って連続した変質層210が形成される(変質層形成工程)。この変質層210は、サファイア基板20の表面20a(下面)即ち発光層(エピ層)21より裏面20b(上面)側に形成される。上述した変質層形成工程を光デバイスウエーハ2に形成された全てのストリート22に沿って実施する。   If the street 22 formed on the surface of the light emitting layer (epi layer) 21 constituting the optical device wafer 2 held on the chuck table 41 is detected as described above, and the alignment of the laser beam irradiation position is performed. For example, as shown in FIG. 4A, the chuck table 41 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 422 of the laser beam irradiation means 42 is located, and one end of the predetermined street 22 (the left end in FIG. 4A). ) Is positioned immediately below the condenser 422 of the laser beam irradiation means 42. Then, the condensing point P of the pulsed laser beam irradiated from the condenser 422 is adjusted to a position above 55 μm, for example, from the surface 20 a (lower surface) of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2. In order to position the condensing point P of the pulsed laser beam irradiated from the concentrator 422 at a predetermined position of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2, for example, a chuck described in JP 2009-63446 A The height position of the upper surface of the optical device wafer 2 held on the chuck table 41 is detected using a height position detection device for the workpiece held on the table, and the detected height of the upper surface of the optical device wafer 2 is detected. By operating a condensing point position adjusting means (not shown) with the position as a reference, the condensing point P of the pulse laser beam is positioned at a predetermined position. Next, the chuck table 41 is moved at a predetermined processing feed rate in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 4A while irradiating a pulsed laser beam having a wavelength transmissive to the sapphire substrate 20 from the condenser 422. Let me. 4B, when the irradiation position of the condenser 422 of the laser beam irradiation means 42 reaches the position of the other end of the street 22 (the right end in FIG. 4B), the pulse laser beam irradiation is performed. And the movement of the chuck table 41 is stopped. As a result, on the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2, an altered layer 210 continuous along the street 22 is formed inside as shown in FIG. 4B and FIG. Altered layer formation step). The altered layer 210 is formed on the back surface 20b (upper surface) side of the front surface 20a (lower surface) of the sapphire substrate 20, that is, the light emitting layer (epi layer) 21. The above-mentioned deteriorated layer forming step is performed along all the streets 22 formed on the optical device wafer 2.
上記の変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :Ybレーザー:イッテリビウムドープトファイバーレーザー
波長 :1045nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :0.3W
集光スポット径 :φ1〜1.5μm
加工送り速度 :400mm/秒
The processing conditions in the above-mentioned deteriorated layer forming step are set as follows, for example.
Light source: Yb laser: Ytterbium doped fiber laser Wavelength: 1045 nm pulse laser Repetition frequency: 100 kHz
Average output: 0.3W
Condensing spot diameter: φ1 ~ 1.5μm
Processing feed rate: 400 mm / sec
上記加工条件によって上述した変質層形成工程を実施すると、パルスレーザー光線の集光点Pを中心として上下方向に50μm程度の変質層210が形成される。従って、上述した変質層形成工程を実施することにより、サファイア基板20の表面20a(下面)即ち発光層(エピ層)21から30μmの位置より裏面20b(上面)側に50μm程度の変質層210が形成される。なお、サファイア基板20の内部に形成される変質層210は、サファイア基板20の表面20a即ち発光層(エピ層)21から20〜60μmの位置より裏面20b側に形成することが望ましい。このように、変質層形成工程においては、サファイア基板20の内部に発光層(エピ層)21に達しない範囲で変質層210を形成するので、光デバイス層である発光層(エピ層)21がダメージを受けることはない。また、変質層形成工程は、光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20を後述するように裏面を研削して所定の厚みに形成する前の厚い状態(例えば430μm)で実施するので、パルスレーザー光線の集光点Pを所望の位置に容易に位置付けることができ、光デバイス層である発光層(エピ層)21にダメージを与えることなく変質層210を形成することができる。   When the above-described deteriorated layer forming step is performed under the above processing conditions, the deteriorated layer 210 of about 50 μm is formed in the vertical direction around the condensing point P of the pulse laser beam. Therefore, by performing the above-described deteriorated layer forming step, the deteriorated layer 210 of about 50 μm is formed on the back surface 20b (upper surface) side from the position of 30 μm from the front surface 20a (lower surface) of the sapphire substrate 20, that is, the light emitting layer (epi layer) 21. It is formed. The altered layer 210 formed inside the sapphire substrate 20 is preferably formed on the back surface 20b side from the position 20 to 60 μm from the surface 20a of the sapphire substrate 20, that is, the light emitting layer (epi layer) 21. Thus, in the deteriorated layer forming step, the deteriorated layer 210 is formed within the sapphire substrate 20 in a range that does not reach the light emitting layer (epi layer) 21, so that the light emitting layer (epi layer) 21 that is an optical device layer There is no damage. In addition, the deteriorated layer forming step is performed in a thick state (for example, 430 μm) before the back surface is ground and formed into a predetermined thickness as described later, so that the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 is formed. The condensing point P can be easily positioned at a desired position, and the altered layer 210 can be formed without damaging the light emitting layer (epi layer) 21 that is an optical device layer.
上述した変質層形成工程を実施したならば、光デバイスウエーハの裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図5に示す研削装置5を用いて実施する。図5に示す研削装置5は、被加工物を保持するチャックテーブル51と、該チャックテーブル51に保持された被加工物を研削するための研削砥石521を備えた研削工具52を具備している。なお、チャックテーブル51は、被加工物を保持する中央部が高く形成され、外周部が中央部より低く形成されている。このように構成された研削装置5を用いて上記裏面研削工程を実施するには、図5に示すように研削装置5のチャックテーブル51上に上述した変質層形成工程が実施された光デバイスウエーハ2の保護テープ30側を載置するとともに、環状のフレーム3をチャックテーブル51の外周部に載置し、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル51上に光デバイスウエーハ2および環状のフレーム3を吸引保持する。従って、チャックテーブル51上に保持された光デバイスウエーハ2は、サファイア基板20の裏面20bが上側となる。このようにして、チャックテーブル51上に光デバイスウエーハ2を吸引保持したならば、チャックテーブル51を例えば500rpmで回転しつつ、研削工具52を例えば1000rpmで回転せしめて光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに接触するとともに、所定量研削送りする。この結果、サファイア基板20の裏面20bが研削されて、光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20は所定の厚み(例えば80μm)に形成される。この結果、光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bには、図6に示すように変質層210が露出せしめられる。このように、上述した変質層形成工程を実施した後に裏面研削工程を実施してウエーハの厚みを所定の厚みに形成するので、変質層の厚みを最小限に抑えることができ生産性が向上する。   If the above-mentioned deteriorated layer forming step is performed, the back surface grinding step of grinding the back surface of the optical device wafer to form a predetermined thickness is performed. This back grinding process is performed using a grinding apparatus 5 shown in FIG. A grinding apparatus 5 shown in FIG. 5 includes a grinding tool 52 including a chuck table 51 that holds a workpiece and a grinding wheel 521 for grinding the workpiece held on the chuck table 51. . Note that the chuck table 51 is formed such that the central portion for holding the workpiece is high and the outer peripheral portion is lower than the central portion. In order to perform the back surface grinding process using the grinding apparatus 5 configured as described above, an optical device wafer in which the above-mentioned deteriorated layer forming process is performed on the chuck table 51 of the grinding apparatus 5 as shown in FIG. 2 is placed on the protective tape 30 side, the annular frame 3 is placed on the outer periphery of the chuck table 51, and a suction means (not shown) is operated to operate the optical device wafer 2 and the annular frame on the chuck table 51. 3 is sucked and held. Therefore, in the optical device wafer 2 held on the chuck table 51, the back surface 20b of the sapphire substrate 20 is on the upper side. When the optical device wafer 2 is sucked and held on the chuck table 51 in this way, the sapphire constituting the optical device wafer 2 by rotating the grinding tool 52 at 1000 rpm, for example, while rotating the chuck table 51 at 500 rpm, for example. While contacting the back surface 20b of the substrate 20, it is ground and fed by a predetermined amount. As a result, the back surface 20b of the sapphire substrate 20 is ground, and the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 is formed to a predetermined thickness (for example, 80 μm). As a result, the altered layer 210 is exposed on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 as shown in FIG. As described above, after the above-described deteriorated layer forming step is performed, the back surface grinding step is performed to form the wafer with a predetermined thickness, so that the thickness of the deteriorated layer can be minimized and the productivity is improved. .
上述した裏面研削工程を実施したならば、光デバイスウエーハに外力を付与してウエーハを変質層が形成されたストリートに沿って破断し、個々の光デバイスに分割するウエーハ破断工程を実施する。このウエーハ破断工程は、図7に示すウエーハ破断装置6を用いて実施する。図7に示すウエーハ破断装置6は、基台61と、該基台61上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された移動テーブル62を具備している。基台61は矩形状に形成され、その両側部上面には矢印Yで示す方向に2本の案内レール611、612が互いに平行に配設されている。この2本の案内レール611、612上に移動テーブル62が移動可能に配設されている。移動テーブル62は、移動手段63によって矢印Yで示す方向に移動せしめられる。移動テーブル62上には、上記環状のフレーム3を保持するフレーム保持手段64が配設されている。フレーム保持手段64は、円筒状の本体641と、該本体641の上端に設けられた環状のフレーム保持部材642と、該フレーム保持部材642の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ643とからなっている。このように構成されたフレーム保持手段64は、フレーム保持部材642上に載置された環状のフレーム3をクランプ643によって固定する。また、図7に示すウエーハ破断装置6は、上記フレーム保持手段64を回動せしめる回動手段65を具備している。この回動手段65は、上記移動テーブル62に配設されたパルスモータ651と、該パルスモータ651の回転軸に装着されたプーリ652と、該プーリ652と円筒状の本体641に捲回された無端ベルト653とからなっている。このように構成された回動手段65は、パルスモータ651を駆動することにより、プーリ652および無端ベルト653を介してフレーム保持手段64を回動せしめる。   If the back grinding process described above is performed, an external force is applied to the optical device wafer to break the wafer along the street where the altered layer is formed, and the wafer breaking process is performed to divide the wafer into individual optical devices. This wafer breaking step is carried out using a wafer breaking device 6 shown in FIG. A wafer breaking device 6 shown in FIG. 7 includes a base 61 and a moving table 62 arranged on the base 61 so as to be movable in a direction indicated by an arrow Y. The base 61 is formed in a rectangular shape, and two guide rails 611 and 612 are arranged in parallel to each other in the direction indicated by the arrow Y on the upper surface of both side portions. A moving table 62 is movably disposed on the two guide rails 611 and 612. The moving table 62 is moved in the direction indicated by the arrow Y by the moving means 63. Frame holding means 64 for holding the annular frame 3 is disposed on the moving table 62. The frame holding means 64 includes a cylindrical main body 641, an annular frame holding member 642 provided at the upper end of the main body 641, and a plurality of clamps 643 as fixing means disposed on the outer periphery of the frame holding member 642. It is made up of. The frame holding means 64 configured as described above fixes the annular frame 3 placed on the frame holding member 642 by the clamp 643. Further, the wafer breaking device 6 shown in FIG. 7 includes a rotating means 65 for rotating the frame holding means 64. The rotating means 65 is wound around a pulse motor 651 disposed on the moving table 62, a pulley 652 mounted on the rotation shaft of the pulse motor 651, and the pulley 652 and a cylindrical main body 641. It consists of an endless belt 653. The rotation means 65 configured as described above rotates the frame holding means 64 via the pulley 652 and the endless belt 653 by driving the pulse motor 651.
図7に示すウエーハ破断装置6は、上記環状のフレーム保持部材642に保持された環状のフレーム3に保護テープ30を介して支持されている光デバイスウエーハ2にストリート22と直交する方向に引張力を作用せしめる張力付与手段66を具備している。張力付与手段66は、環状のフレーム保持部材64内に配置されている。この張力付与手段66は、矢印Y方向と直交する方向に長い長方形の保持面を備えた第1の吸引保持部材661と第2の吸引保持部材662を備えている。第1の吸引保持部材661には複数の吸引孔661aが形成されており、第2の吸引保持部材662には複数の吸引孔662aが形成されている。複数の吸引孔661aおよび662aは、図示しない吸引手段に連通されている。また、第1の吸引保持部材661と第2の吸引保持部材662は、図示しない移動手段によって矢印Y方向にそれぞれ移動せしめられるようになっている。   The wafer breaking device 6 shown in FIG. 7 has a tensile force in a direction perpendicular to the street 22 on the optical device wafer 2 supported by the annular frame 3 held by the annular frame holding member 642 via the protective tape 30. There is provided a tension applying means 66 for acting. The tension applying means 66 is disposed in the annular frame holding member 64. The tension applying means 66 includes a first suction holding member 661 and a second suction holding member 662 each having a rectangular holding surface that is long in a direction orthogonal to the arrow Y direction. The first suction holding member 661 has a plurality of suction holes 661a, and the second suction holding member 662 has a plurality of suction holes 662a. The plurality of suction holes 661a and 662a communicate with suction means (not shown). Further, the first suction holding member 661 and the second suction holding member 662 can be moved in the arrow Y direction by a moving means (not shown).
図7に示すウエーハ破断装置6は、上記環状のフレーム保持部材642に保持された環状のフレーム3に保護テープ30を介して支持されている光デバイスウエーハ2のストリート22を検出するための検出手段67を具備している。検出手段67は、基台61に配設されたL字状の支持柱671に取り付けられている。この検出手段67は、光学系および撮像素子(CCD)等で構成されており、上記張力付与手段66の上方位置に配置されている。このように構成された検出手段67は、上記環状のフレーム保持部材642に保持された環状のフレーム3に保護テープ30を介して支持されている光デバイスウエーハ2のストリート22を撮像し、これを電気信号に変換して図示しない制御手段に送る。   The wafer breaking device 6 shown in FIG. 7 is a detecting means for detecting the street 22 of the optical device wafer 2 supported by the annular frame 3 held by the annular frame holding member 642 via the protective tape 30. 67. The detection means 67 is attached to an L-shaped support column 671 disposed on the base 61. The detection means 67 is composed of an optical system, an image pickup device (CCD), and the like, and is disposed above the tension applying means 66. The detection means 67 configured in this manner images the street 22 of the optical device wafer 2 supported by the annular frame 3 held by the annular frame holding member 642 via the protective tape 30, It is converted into an electric signal and sent to a control means (not shown).
上述したウエーハ破断装置6を用いて実施するウエーハ破断について、図8を参照して説明する。
上述した破断起点形成工程としての変質層形成工程が実施された光デバイスウエーハ2を保護テープ30を介して支持する環状のフレーム3を、図8の(a)に示すようにフレーム保持部材642上に載置し、クランプ643によってフレーム保持部材642に固定する。次に、移動手段63を作動して移動テーブル62を矢印Yで示す方向(図7参照)に移動し、図8の(a)に示すように光デバイスウエーハ2に所定方向に形成された1本のストリート22(図示の実施形態においては最左端のストリート)が張力付与手段66を構成する第1の吸引保持部材661の保持面と第2の吸引保持部材662の保持面との間に位置付ける。このとき、検出手段67によってストリート22を撮像し、第1の吸引保持部材661の保持面と第2の吸引保持部材662の保持面との位置合わせを行う。このようにして、1本のストリート22が第1の吸引保持部材661の保持面と第2の吸引保持部材662の保持面との間に位置付けられたならば、図示しない吸引手段を作動し吸引孔661aおよび662bに負圧を作用せしめることにより、第1の吸引保持部材661の保持面と第2の吸引保持部材662の保持面上に保護テープ30を介して光デバイスウエーハ2を吸引保持する(保持工程)。
Wafer breakage performed using the wafer breaker 6 described above will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 8A, the annular frame 3 that supports the optical device wafer 2 on which the deteriorated layer forming step as the fracture starting point forming step is carried out is provided on the frame holding member 642 as shown in FIG. And fixed to the frame holding member 642 by the clamp 643. Next, the moving means 63 is actuated to move the moving table 62 in the direction indicated by the arrow Y (see FIG. 7), and 1 formed on the optical device wafer 2 in a predetermined direction as shown in FIG. The street 22 of the book (the leftmost street in the illustrated embodiment) is positioned between the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662 constituting the tension applying means 66. . At this time, the street 22 is imaged by the detection means 67, and the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662 are aligned. In this way, when one street 22 is positioned between the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662, the suction means (not shown) is operated to perform suction. By applying a negative pressure to the holes 661a and 662b, the optical device wafer 2 is sucked and held via the protective tape 30 on the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662. (Holding process).
上述した保持工程を実施したならば、張力付与手段66を構成する図示しない移動手段を作動し、第1の吸引保持部材661と第2の吸引保持部材662を図8の(b)に示すように互いに離反する方向に移動せしめる。この結果、第1の吸引保持部材661の保持面と第2の吸引保持部材662の保持面との間に位置付けられたストリート22には、ストリート22と直交する方向に引張力が作用し、光デバイスウエーハ2はサファイア基板20に形成された変質層210が破断の起点となってストリート22に沿って破断される(破断工程)。この破断工程を実施することにより、保護テープ30は僅かに伸びる。この破断工程においては、光デバイスウエーハ2はストリート22に沿って変質層210が形成され強度が低下せしめられているので、第1の吸引保持部材661と第2の吸引保持部材662を互いに離反する方向に0.5mm程度移動することにより、光デバイスウエーハ2をサファイア基板20に形成された変質層210が破断の起点となってストリート22に沿って破断することができる。   When the holding step described above is performed, the moving means (not shown) constituting the tension applying means 66 is operated, and the first suction holding member 661 and the second suction holding member 662 are shown in FIG. Move them away from each other. As a result, a tensile force acts on the street 22 positioned between the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662 in a direction perpendicular to the street 22, In the device wafer 2, the altered layer 210 formed on the sapphire substrate 20 is broken along the streets 22 as a starting point of breaking (breaking step). By carrying out this breaking step, the protective tape 30 is slightly extended. In this breaking process, the optical device wafer 2 has the deteriorated layer 210 formed along the streets 22 to reduce the strength, so that the first suction holding member 661 and the second suction holding member 662 are separated from each other. By moving about 0.5 mm in the direction, the altered layer 210 formed on the sapphire substrate 20 of the optical device wafer 2 can be broken along the street 22 as a starting point of breakage.
上述したように所定方向に形成された1本のストリート22に沿って破断する破断工程を実施したならば、上述した第1の吸引保持部材661および第2の吸引保持部材662による光デバイスウエーハ2の吸引保持を解除する。次に、移動手段63を作動して移動テーブル62を矢印Yで示す方向(図7参照)にストリート22の間隔に相当する分だけ移動し、上記破断工程を実施したストリート22の隣のストリート22が張力付与手段66を構成する第1の吸引保持部材661の保持面と第2の吸引保持部材662の保持面との間に位置付ける。そして、上記保持工程および破断工程を実施する。   As described above, if the breaking process of breaking along one street 22 formed in a predetermined direction is performed, the optical device wafer 2 by the first suction holding member 661 and the second suction holding member 662 described above. Release suction hold. Next, the moving means 63 is actuated to move the moving table 62 in the direction indicated by the arrow Y (see FIG. 7) by an amount corresponding to the interval of the streets 22, and the street 22 adjacent to the street 22 on which the above breaking process is performed. Is positioned between the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662 constituting the tension applying means 66. And the said holding process and a fracture | rupture process are implemented.
以上のようにして、所定方向に形成された全てのストリート22に対して上記保持工程および破断工程を実施したならば、回動手段65を作動してフレーム保持手段64を90度回動せしめる。この結果、フレーム保持手段64のフレーム保持部材642に保持された光デバイスウエーハ2も90度回動することになり、所定方向に形成され上記破断工程が実施されたストリート22と直交する方向に形成されたストリート22が第1の吸引保持部材661の保持面と第2の吸引保持部材662の保持面と平行な状態に位置付けられる。次に、上記破断工程が実施されたストリート22と直交する方向に形成された全てのストリート22に対して上述し保持工程および破断工程を実施することにより、光デバイスウエーハ2はストリート22に沿って個々の光デバイス23に分割される。   As described above, when the holding process and the breaking process are performed on all the streets 22 formed in the predetermined direction, the rotating means 65 is operated to rotate the frame holding means 64 by 90 degrees. As a result, the optical device wafer 2 held by the frame holding member 642 of the frame holding means 64 is also rotated 90 degrees, and is formed in a direction perpendicular to the street 22 formed in a predetermined direction and subjected to the breaking process. The street 22 is positioned in a state parallel to the holding surface of the first suction holding member 661 and the holding surface of the second suction holding member 662. Next, the optical device wafer 2 extends along the street 22 by performing the above-described holding step and the breaking step on all the streets 22 formed in the direction orthogonal to the street 22 on which the breaking step is performed. It is divided into individual optical devices 23.
上述したウエーハ破断工程を実施したならば、光デバイスウエーハの裏面を研削して変質層を除去する変質層除去工程を実施する。この変質層除去工程は、上記図5に示す研削装置5を用いて実施する。即ち、図9に示すように研削装置5のチャックテーブル51上に上述したウエーハ破断工程が実施された光デバイスウエーハ2(個々の光デバイス23に分割されている)の保護テープ30側を載置するとともに、環状のフレーム3をチャックテーブル51の外周部に載置し、図示しない吸引手段を作動することによってチャックテーブル51上に光デバイスウエーハ2および環状のフレーム3を吸引保持する。従って、チャックテーブル51上に保持された光デバイスウエーハ2は、サファイア基板20の裏面20bが上側となる。このようにして、チャックテーブル51上に光デバイスウエーハ2を吸引保持したならば、チャックテーブル51を例えば500rpmで回転しつつ、研削工具52を例えば1000rpmで回転せしめて光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに接触するとともに、上記変質層210を除去する位置まで所定量研削送りする。この結果、光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bが研削されて、図10に示すように個々に分割された光デバイス23の側面に残留していた変質層210が除去せしめられる。このように、個々に分割された光デバイス23の側面に残留していた変質層210が除去されることにより、光デバイス23の輝度の向上を図ることができる。   If the wafer breaking step described above is performed, a deteriorated layer removing step is performed in which the deteriorated layer is removed by grinding the back surface of the optical device wafer. This deteriorated layer removing step is performed using the grinding apparatus 5 shown in FIG. That is, as shown in FIG. 9, the protective tape 30 side of the optical device wafer 2 (divided into individual optical devices 23) on which the wafer breaking process described above has been performed is placed on the chuck table 51 of the grinding apparatus 5. At the same time, the annular frame 3 is placed on the outer periphery of the chuck table 51, and the suction device (not shown) is operated to suck and hold the optical device wafer 2 and the annular frame 3 on the chuck table 51. Therefore, in the optical device wafer 2 held on the chuck table 51, the back surface 20b of the sapphire substrate 20 is on the upper side. When the optical device wafer 2 is sucked and held on the chuck table 51 in this way, the sapphire constituting the optical device wafer 2 by rotating the grinding tool 52 at 1000 rpm, for example, while rotating the chuck table 51 at 500 rpm, for example. While contacting the back surface 20b of the substrate 20, a predetermined amount is ground and fed to the position where the altered layer 210 is removed. As a result, the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 is ground, and the altered layer 210 remaining on the side surfaces of the optical devices 23 divided individually as shown in FIG. 10 is removed. In this manner, the altered layer 210 remaining on the side surfaces of the individually divided optical devices 23 is removed, so that the luminance of the optical devices 23 can be improved.
上述した変質層除去工程を実施したならば、個々の光デバイスに分割された光デバイスウエーハの裏面を環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着するとともに、光デバイスウエーハの表面が貼着されている上記保護テープ30を剥離して上記環状のフレーム3を除去するウエーハ移し替え工程を実施する。このウエーハ移し替え工程は、図11の(a)に示すように環状のフレーム3に装着された保護テープ30(個々の光デバイス23に分割された光デバイスウエーハ2が貼着されている)に紫外線照射器300から紫外線を照射する。この結果、保護テープ30の粘着糊が硬化して粘着力が低下せしめられる。次に、図11の(b)に示すように環状のフレーム3に装着された保護テープ30に貼着されている光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20b(図11の(b)において上面)に環状のフレーム3aに装着された保護テープ30aの表面(図11の(b)において下面)を貼着する。なお、環状のフレーム3aおよび保護テープ30aは、上記環状のフレーム3および保護テープ30と実質的に同一の構成でよい。次に、図11の(c)に示すように保護テープ30に表面が貼着されている光デバイスウエーハ2(個々の光デバイス23に分割されている)を保護テープ30から剥離する。このとき、図11の(a)に示すように保護テープ30には紫外線が照射され保護テープ30の粘着糊が硬化して粘着力が低下せしめられているので、光デバイスウエーハ2(個々の光デバイス23に分割されている)を保護テープ30から容易に剥離することができる。そして、保護テープ30を装着した環状のフレーム3を除去することにより、図11の(d)に示すように環状のフレーム3aに装着された保護テープ30aの表面に個々のデバイスに分割された光デバイスウエーハ2が移し替えられたことになる。このようにウエーハ移し替え工程は、環状のフレーム3に装着された保護テープ30にウエーハの表面を貼着した状態で、上記変質層工程と裏面研削工程とウエーハ破断工程および変質層除去工程を実施し、光デバイスウエーハ2を個々のデバイス23に分割した後に実施するので、光デバイスウエーハ2が割れることなく表裏を反転して環状のフレーム3aに装着された保護テープ30aに張り替えることができる。従って、個々の光デバイス23に分割された光デバイスウエーハ2を環状のフレーム3aに装着された保護テープ30aに張り替えた状態で、光デバイス23の導通テストを実施することができる。   If the deteriorated layer removal step described above is performed, the back surface of the optical device wafer divided into individual optical devices is attached to the surface of the protective tape attached to the annular frame, and the surface of the optical device wafer is attached. A wafer transfer process is performed to remove the annular frame 3 by peeling off the attached protective tape 30. In this wafer transfer step, as shown in FIG. 11 (a), the protective tape 30 attached to the annular frame 3 (the optical device wafer 2 divided into individual optical devices 23 is attached). Ultraviolet rays are irradiated from the ultraviolet irradiator 300. As a result, the adhesive paste of the protective tape 30 is cured and the adhesive force is reduced. Next, as shown in FIG. 11B, the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 attached to the protective tape 30 attached to the annular frame 3 (FIG. 11B). In FIG. 11, the surface (the lower surface in FIG. 11B) of the protective tape 30a attached to the annular frame 3a is adhered. The annular frame 3a and the protective tape 30a may have substantially the same configuration as the annular frame 3 and the protective tape 30. Next, as shown in FIG. 11C, the optical device wafer 2 (divided into individual optical devices 23) whose surface is attached to the protective tape 30 is peeled off from the protective tape 30. At this time, as shown in FIG. 11A, the protective tape 30 is irradiated with ultraviolet rays, and the adhesive paste of the protective tape 30 is cured to reduce the adhesive force. Can be easily peeled off from the protective tape 30. Then, by removing the annular frame 3 to which the protective tape 30 is attached, the light divided into individual devices on the surface of the protective tape 30a attached to the annular frame 3a as shown in FIG. 11 (d). The device wafer 2 has been transferred. Thus, in the wafer transfer process, the above-mentioned altered layer process, back grinding process, wafer breaking process, and altered layer removal process are performed in a state where the wafer surface is adhered to the protective tape 30 attached to the annular frame 3. Then, since the optical device wafer 2 is divided into the individual devices 23, the optical device wafer 2 can be reversed and replaced with the protective tape 30a attached to the annular frame 3a without breaking. Accordingly, the continuity test of the optical device 23 can be performed in a state where the optical device wafer 2 divided into the individual optical devices 23 is replaced with the protective tape 30a attached to the annular frame 3a.
上述したようにウエーハ移し替え工程を実施したならば、環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着されている個々に分割された光デバイスを保護テープから剥離してピックアップするピックアップ工程を実施する。このピックアップ工程は、図12に示すピックアップ装置7を用いて実施する。図12に示すピックアップ装置7は、上記環状のフレーム3aを保持するフレーム保持手段71と、該フレーム保持手段71に保持された環状のフレーム3aに装着された保護テープ30aを拡張するテープ拡張手段72と、ピックアップコレット73を具備している。フレーム保持手段71は、環状のフレーム保持部材711と、該フレーム保持部材711の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ712とからなっている。フレーム保持部材711の上面は環状のフレーム3aを載置する載置面711aを形成しており、この載置面711a上に環状のフレーム3aが載置される。そして、載置面711a上に載置された環状のフレーム3aは、クランプ712によってフレーム保持部材711に固定される。このように構成されたフレーム保持手段71は、テープ拡張手段72によって上下方向に進退可能に支持されている。   If the wafer transfer process is carried out as described above, a pick-up process for separating and picking up the individually divided optical devices attached to the surface of the protective tape attached to the annular frame from the protective tape is performed. carry out. This pickup process is performed using the pickup device 7 shown in FIG. The pickup device 7 shown in FIG. 12 includes a frame holding means 71 for holding the annular frame 3a and a tape extending means 72 for extending the protective tape 30a attached to the annular frame 3a held by the frame holding means 71. And a pickup collet 73. The frame holding means 71 includes an annular frame holding member 711 and a plurality of clamps 712 as fixing means provided on the outer periphery of the frame holding member 711. An upper surface of the frame holding member 711 forms a mounting surface 711a on which the annular frame 3a is mounted, and the annular frame 3a is mounted on the mounting surface 711a. The annular frame 3 a placed on the placement surface 711 a is fixed to the frame holding member 711 by a clamp 712. The frame holding means 71 configured as described above is supported by the tape expanding means 72 so as to be able to advance and retreat in the vertical direction.
テープ拡張手段72は、上記環状のフレーム保持部材711の内側に配設される拡張ドラム721を具備している。この拡張ドラム721は、環状のフレーム3aの内径より小さく該環状のフレーム3aに装着された光デバイスウエーハ2(個々の光デバイス23に分割されている)の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム721は、下端に支持フランジ722を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段72は、上記環状のフレーム保持部材711を上下方向に進退可能な支持手段723を具備している。この支持手段723は、上記支持フランジ722上に配設された複数のエアシリンダ723aからなっており、そのピストンロッド723bが上記環状のフレーム保持部材711の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ723aからなる支持手段723は、図13の(a)に示すように環状のフレーム保持部材711を載置面711aが拡張ドラム721の上端と略同一高さとなる基準位置と、図13の(b)に示すように拡張ドラム721の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向で移動せしめる。   The tape expansion means 72 includes an expansion drum 721 disposed inside the annular frame holding member 711. The expansion drum 721 has an inner diameter and an outer diameter that are smaller than the inner diameter of the annular frame 3a and larger than the outer diameter of the optical device wafer 2 (divided into individual optical devices 23) mounted on the annular frame 3a. doing. The expansion drum 721 includes a support flange 722 at the lower end. The tape expansion means 72 in the illustrated embodiment includes support means 723 that can advance and retract the annular frame holding member 711 in the vertical direction. The support means 723 includes a plurality of air cylinders 723 a disposed on the support flange 722, and the piston rod 723 b is connected to the lower surface of the annular frame holding member 711. In this way, the support means 723 including the plurality of air cylinders 723a is configured such that the mounting position 711a is substantially the same height as the upper end of the expansion drum 721, as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 13 (b), it is moved in the vertical direction between the extended positions below the upper end of the expansion drum 721 by a predetermined amount.
以上のように構成されたピックアップ装置7を用いて実施するピックアップ工程について図13を参照して説明する。即ち、光デバイスウエーハ2(個々のデバイスに分割されている)が貼着されている外保護テープ30aが装着された環状のフレーム3aを、図13の(a)に示すようにフレーム保持手段71を構成するフレーム保持部材711の載置面711a上に載置し、クランプ712によってフレーム保持部材711に固定する(フレーム保持工程)。このとき、フレーム保持部材711は図13の(a)に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段72を構成する支持手段723としての複数のエアシリンダ723aを作動して、環状のフレーム保持部材711を図13の(b)に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材711の載置面711a上に固定されている環状のフレーム3aも下降するため、図13の(b)に示すように環状のフレーム3aに装着された保護テープ30aは拡張ドラム721の上端縁に接して拡張せしめられる(テープ拡張工程)。この結果、保護テープ30aに貼着されている光デバイスウエーハ2はストリート21に沿って個々の光デバイス23に分割されているので、個々のデバイス23間が広がり、間隔Sが形成される。この状態で、ピックアップコレット73を作動して光デバイス23の表面(上面)を吸着保持し、保護テープ30aから剥離してピックアップする。このとき、図13の(b)に示すように保護テープ30aの下側から突き上げ針74によってデバイス23を突き上げることにより、光デバイス23を保護テープ30aから容易に剥離することができる。この突き上げ針74は光デバイス23の裏面に作用して突き上げるので、光デバイス23の表面を損傷させることはない。なお、ピックアップ工程においては、上述したように個々の光デバイス23間の隙間Sが広げられているので、隣接する光デバイス23と接触することなく容易にピックアップすることができる。このようにピックアップコレット73によってピックアップされる光デバイス23は表面(上面)が吸着保持されるので、その後光デバイス23の表裏を反転する必要がない。   A pickup process performed using the pickup device 7 configured as described above will be described with reference to FIG. That is, an annular frame 3a on which an outer protective tape 30a to which an optical device wafer 2 (divided into individual devices) is attached is attached to a frame holding means 71 as shown in FIG. Is mounted on the mounting surface 711a of the frame holding member 711, and fixed to the frame holding member 711 by the clamp 712 (frame holding step). At this time, the frame holding member 711 is positioned at the reference position shown in FIG. Next, the plurality of air cylinders 723a as the supporting means 723 constituting the tape extending means 72 are operated to lower the annular frame holding member 711 to the extended position shown in FIG. Accordingly, since the annular frame 3a fixed on the mounting surface 711a of the frame holding member 711 is also lowered, the protective tape 30a attached to the annular frame 3a is an expansion drum as shown in FIG. It is expanded in contact with the upper edge of 721 (tape expansion process). As a result, since the optical device wafer 2 attached to the protective tape 30a is divided into individual optical devices 23 along the street 21, the space between the individual devices 23 is widened, and a space S is formed. In this state, the pick-up collet 73 is operated to suck and hold the surface (upper surface) of the optical device 23, and the pick-up is peeled off from the protective tape 30a. At this time, as shown in FIG. 13B, the optical device 23 can be easily peeled from the protective tape 30a by pushing up the device 23 with the push-up needle 74 from the lower side of the protective tape 30a. Since the push-up needle 74 acts on the back surface of the optical device 23 and pushes it up, the surface of the optical device 23 is not damaged. In the pickup process, since the gap S between the individual optical devices 23 is widened as described above, the pickup can be easily performed without contacting the adjacent optical devices 23. As described above, since the optical device 23 picked up by the pickup collet 73 has the surface (upper surface) held by suction, it is not necessary to reverse the front and back of the optical device 23 thereafter.
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述した実施形態においてはウエーハ破断工程として破断の起点となる変質層が形成されたストリートと直交する方向に引張力が作用し、ウエーハを変質層が形成されたストリートに沿って破断する例を示したが、ウエーハ破断工程としては例えば特開2006−107273号公報や特開2006−128211号公報に開示されているようにストリートに沿って強度が低下せしめられたウエーハにストリートに沿って曲げ応力を作用せしめてウエーハをストリートに沿って破断する方法等、他の破断方法を用いてもよい。   Although the present invention has been described based on the illustrated embodiment, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications are possible within the scope of the gist of the present invention. For example, in the embodiment described above, an example in which a tensile force acts in a direction perpendicular to the street where the altered layer that is the starting point of the fracture is formed as the wafer breaking step, and the wafer is broken along the street where the altered layer is formed. However, as a wafer breaking process, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-107273 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-128211, bending along the street is performed on the wafer whose strength is reduced along the street. Other breaking methods such as a method of breaking the wafer along the street by applying a stress may be used.
2:光デバイスウエーハ
20:サファイア基板
21:光デバイス層としての発光層(エピ層)
3:環状のフレーム
30:保護テープ
4:レーザー加工装置
41:レーザー加工装置のチャックテーブル
42:レーザー光線照射手段
422:集光器
5:研削装置
51:研削装置のチャックテーブル
52:研削工具
6:ウエーハ破断装置
66:張力付与手段
7:ピックアップ装置
82:テープ拡張手段
73:ピックアップコレット
2: Optical device wafer 20: Sapphire substrate 21: Light emitting layer (epi layer) as an optical device layer
3: annular frame 30: protective tape 4: laser processing device 41: chuck table of laser processing device 42: laser beam irradiation means 422: condenser 5: grinding device 51: chuck table of grinding device 52: grinding tool 6: wafer Breaking device 66: Tension applying means 7: Pickup device 82: Tape expansion means 73: Pickup collet

Claims (3)

  1. 基板の表面に光デバイス層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域に光デバイスが形成された光デバイスウエーハを、ストリートに沿って個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、
    光デバイスウエーハの表面に環状のフレームに装着された保護テープを貼着する保護部材貼着工程と、
    光デバイスウエーハの基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を基板の裏面側から基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射し、基板の内部に光デバイス層より裏面側にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
    該変質層形成工程が実施された光デバイスウエーハの基板の裏面を研削して所定の厚みに形成する裏面研削工程と、
    裏面研削工程が実施された光デバイスウエーハに外力を付与して光デバイスウエーハを変質層が形成されたストリートに沿って破断し、個々の光デバイスに分割するウエーハ破断工程と、を含
    該変質層形成工程と該裏面研削工程および該ウエーハ破断工程は、光デバイスウエーハの表面が環状のフレームに装着された保護テープに貼着された状態で実施する、
    ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。
    Light that divides an optical device wafer in which optical devices are formed in multiple areas partitioned by multiple streets that are formed in a lattice pattern by laminating optical device layers on the surface of the substrate, into individual optical devices along the streets A device wafer processing method,
    A protective member attaching step for attaching a protective tape attached to an annular frame on the surface of the optical device wafer;
    A laser beam having a wavelength that is transparent to the substrate of the optical device wafer is irradiated from the back side of the substrate to the inside of the substrate along the street, and the street is irradiated to the back side of the optical device layer from the optical device layer. An altered layer forming step of forming an altered layer along
    A back surface grinding step of grinding the back surface of the substrate of the optical device wafer on which the altered layer forming step has been performed to form a predetermined thickness;
    The optical device wafer is broken along the streets deteriorated layer has been formed by applying an external force to the optical device wafer back grinding process is performed, seen including a wafer dividing step of dividing into individual optical devices, and
    The deteriorated layer forming step, the back grinding step and the wafer breaking step are performed in a state where the surface of the optical device wafer is attached to a protective tape attached to an annular frame.
    An optical device wafer processing method characterized by the above.
  2. 該ウエーハ破断工程を実施した後に、光デバイスウエーハの表面が環状のフレームに装着された保護テープに貼着された状態で光デバイスウエーハの基板の裏面を研削して変質層を除去する変質層除去工程を実施する、請求項記載の光デバイスウエーハの加工方法。 After the wafer breaking step, the altered layer removal is performed by removing the altered layer by grinding the back surface of the substrate of the optical device wafer with the surface of the optical device wafer attached to a protective tape attached to an annular frame. performing step, the optical device wafer processing method according to claim 1, wherein.
  3. 該変質層形成工程は、光デバイスウエーハの基板の表面から20〜60μmの位置より裏面側に変質層を形成する、請求項1又は2記載の光デバイスウエーハの加工方法。 The modified electrolyte layer formation step, the altered layer from the surface of the substrate of the optical device wafer on the back side than the position of 20 to 60 [mu] m, the optical device wafer processing method according to claim 1 or 2, wherein.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5939769B2 (en) * 2011-11-11 2016-06-22 株式会社ディスコ Processing method of plate
JP5520974B2 (en) * 2012-01-25 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 Method for treating substrate to be treated
JP2013157455A (en) * 2012-01-30 2013-08-15 Hamamatsu Photonics Kk Method for manufacturing semiconductor device
JP2013157449A (en) * 2012-01-30 2013-08-15 Hamamatsu Photonics Kk Method for manufacturing semiconductor device
JP5969214B2 (en) * 2012-01-30 2016-08-17 浜松ホトニクス株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
JP6012185B2 (en) * 2012-01-30 2016-10-25 浜松ホトニクス株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
JP6001931B2 (en) * 2012-06-14 2016-10-05 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP6087565B2 (en) * 2012-10-03 2017-03-01 株式会社ディスコ Grinding apparatus and grinding method
JP6059059B2 (en) * 2013-03-28 2017-01-11 浜松ホトニクス株式会社 Laser processing method
JP6257979B2 (en) * 2013-09-24 2018-01-10 株式会社ディスコ Wafer dividing method
JP6230422B2 (en) * 2014-01-15 2017-11-15 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2016119370A (en) * 2014-12-19 2016-06-30 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP6545601B2 (en) * 2015-10-23 2019-07-17 アキレス株式会社 Separator
JP2018133593A (en) * 2018-05-22 2018-08-23 株式会社東京精密 Wafer processing method and wafer processing system
JP2019096910A (en) * 2019-03-13 2019-06-20 株式会社東京精密 Laser processing system
JP2019096911A (en) * 2019-03-13 2019-06-20 株式会社東京精密 Laser processing system

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10305420A (en) 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd Method for fabricating matrix made up of oxide single crystal and method for manufacturing functional device
AT534142T (en) * 2002-03-12 2011-12-15 Hamamatsu Photonics Kk PROCESS FOR DISCONNECTING A SUBSTRATE
JP4398686B2 (en) * 2003-09-11 2010-01-13 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2007235069A (en) * 2006-03-03 2007-09-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer machining method
JP4909657B2 (en) 2006-06-30 2012-04-04 株式会社ディスコ Processing method of sapphire substrate
JP2009206162A (en) * 2008-02-26 2009-09-10 Disco Abrasive Syst Ltd Method of dividing wafer

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