JP2008311404A - Working method of wafer - Google Patents

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JP2008311404A JP2007157284A JP2007157284A JP2008311404A JP 2008311404 A JP2008311404 A JP 2008311404A JP 2007157284 A JP2007157284 A JP 2007157284A JP 2007157284 A JP2007157284 A JP 2007157284A JP 2008311404 A JP2008311404 A JP 2008311404A
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Kazuma Sekiya
一馬 関家
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Disco Abrasive Systems Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a working method of wafer with which an optical device wafer can be worked without causing warpage on it. <P>SOLUTION: Disclosed is the working method of the wafer 2 where an optical semiconductor layer 21 is laminated on the surface of a sapphire substrate 20 and a plurality of optical devices are formed, with which the plurality of optical devices are divided along streets 23 sectioning them. The working method includes: an optical semiconductor layer separation stage of separating the optical semiconductor layer 21 along the streets 23 by irradiating the optical semiconductor layer 21 with a laser light beam with a wavelength having absorptivity along the streets 23 formed on the surface of the wafer 2; a protective member mounting stage of sticking a protective member on the surface of the wafer 2 after the optical semiconductor layer separation stage is completed; and a reverse surface grinding stage of grinding the reverse surface of the wafer 2 on which the protection member is stuck to a finish thickness of the optical devices. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、サファイヤ基板の表面に窒化物半導体層からなる光半導体層が積層され複数の光デバイスが形成されたウエーハを、該複数のデバイスを区画するストリートに沿って分割するウエーハの加工方法に関する。   The present invention relates to a wafer processing method for dividing a wafer in which a plurality of optical devices are formed by laminating an optical semiconductor layer made of a nitride semiconductor layer on the surface of a sapphire substrate, along a street partitioning the plurality of devices. .

発光ダイオードやレーザーダイオード等の光デバイスを製造する製造工程においては、サファイヤ基板の表面にエピタキシャル法によって窒化物半導体層からなる光半導体層が積層され複数の光デバイスをマトリックス状に形成した光デバイスウエーハが形成される。このように形成された光デバイスウエーハは、光デバイスがストリートと呼ばれる分割予定ラインによって区画されており、このストリートに沿って分割することによって個々の光デバイスを製造している。   In a manufacturing process for manufacturing an optical device such as a light emitting diode or a laser diode, an optical device wafer in which an optical semiconductor layer made of a nitride semiconductor layer is laminated on a surface of a sapphire substrate by an epitaxial method to form a plurality of optical devices in a matrix form. Is formed. In the optical device wafer formed in this way, the optical device is divided by division planned lines called streets, and individual optical devices are manufactured by dividing along the streets.

このような光デバイスウエーハのストリートに沿った切断は、通常、サファイヤ基板の裏面を研削して所定の仕上がり厚さに形成した後、切削ブレードを高速回転して切削する切削装置によって行われている。また、上述した光デバイスウエーハをストリートに沿って分割する方法として、サファイヤ基板の裏面を研削して所定の仕上がり厚さに形成した後、ストリートに沿ってパルスレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝および／または変質層を形成し、このレーザー加工溝および／または変質層に沿って破断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）
特開平１０−３０５４２０号公報 特許第４４９０２号公報 The cutting along the street of such an optical device wafer is usually performed by a cutting apparatus that grinds the back surface of the sapphire substrate to form a predetermined finished thickness, and then performs cutting by rotating the cutting blade at high speed. . Further, as a method of dividing the above-mentioned optical device wafer along the street, after grinding the back surface of the sapphire substrate to form a predetermined finished thickness, laser processing grooves and A method of forming a modified layer and / or breaking along the laser-processed groove and / or the modified layer has been proposed. (For example, see Patent Document 1 and Patent Document 2.)
JP-A-10-305420 Japanese Patent No. 44902

而して、光デバイスウエーハはサファイヤ基板の裏面を研削して厚さを１００μm以下の厚さに形成すると、外周部が表面側に反りあがり湾曲する。この光デバイスウエーハの湾曲は、サファイヤ基板の表面に積層された窒化物半導体層が中心に向けて引っ張る応力を発生しているためであると考えられる。
こように、光デバイスウエーハが湾曲すると、ストリートに沿ってレーザー光線を照射する際に、レーザー光線の集光点を所定の位置に位置付けることが困難となり、所定のレーザー加工を施すことができない。 Thus, when the optical device wafer is ground to the thickness of 100 μm or less by grinding the back surface of the sapphire substrate, the outer peripheral portion warps and curves toward the surface side. This bending of the optical device wafer is considered to be caused by the stress that the nitride semiconductor layer laminated on the surface of the sapphire substrate pulls toward the center.
Thus, when the optical device wafer is curved, it is difficult to position the condensing point of the laser beam at a predetermined position when irradiating the laser beam along the street, and the predetermined laser processing cannot be performed.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、光デバイスウエーハに反りを発生させることなく加工することができるウエーハの加工方法を提供することである。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and a main technical problem thereof is to provide a wafer processing method capable of processing an optical device wafer without causing warpage.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、サファイヤ基板の表面に光半導体層が積層され複数の光デバイスが形成されたウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に形成された該ストリートに沿って該光半導体層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し該ストリートに沿って該光半導体層を分離する光半導体層分離工程と、
該光半導体層分離工程が実施されたウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材装着工程と、
該保護部材が貼着されたウエーハの裏面を研削して光デバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。 In order to solve the main technical problem, according to the present invention, a wafer in which a plurality of optical devices are formed by laminating an optical semiconductor layer on the surface of a sapphire substrate is divided along a street that partitions the plurality of optical devices. A method of processing a wafer,
An optical semiconductor layer separation step of irradiating a laser beam having a wavelength that absorbs the optical semiconductor layer along the street formed on the surface of the wafer to separate the optical semiconductor layer along the street;
A protective member mounting step of attaching a protective member to the surface of the wafer on which the optical semiconductor layer separation step has been performed;
A back grinding step of grinding the back surface of the wafer to which the protective member is adhered to form a finished thickness of the optical device,
A method for processing a wafer is provided.

本発明によるウエーハの加工方法においては、光半導体層分離工程を実施する際には、ウエーハは裏面を研削して光デバイスの仕上がり厚さに形成する前の状態であるので、外周部が反りあがって湾曲することがないため、レーザー光線の集光点を光半導体層の所定位置に確実に位置付けることができる。また、裏面研削工程を実施しウエーハを光デバイスの仕上がり厚さに形成しても上記光半導体層分離工程を実施することにより光半導体層がストリートに沿って分離されているので、ウエーハの外周が反り上がることがない。従って、後工程においてウエーハの外周が反り上がることによる不具合を未然に解消することができる。   In the wafer processing method according to the present invention, when the optical semiconductor layer separation step is performed, the outer peripheral portion is warped because the wafer is in a state before the back surface is ground and formed into the finished thickness of the optical device. Therefore, the condensing point of the laser beam can be surely positioned at a predetermined position of the optical semiconductor layer. Even if the back grinding process is performed and the wafer is formed to the finished thickness of the optical device, the optical semiconductor layer is separated along the street by performing the optical semiconductor layer separation process. There is no warping. Accordingly, it is possible to eliminate problems caused by warping of the outer periphery of the wafer in a subsequent process.

以下、本発明によるウエーハの加工方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。   Hereinafter, a wafer processing method according to the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

図１には、本発明によるウエーハの加工方法によって個々の光デバイスに分割されるウエーハとしての光デバイスウエーハの斜視図が示されており、図２には図１に示す光デバイスウエーハの要部拡大断面図が示されている。図１および図２に示す光デバイスウエーハ２は、サファイヤ基板２０の表面に積層された窒化物半導体層からなる光半導体層２１によって複数の光デバイス２２がマトリックス状に形成されている。そして、各光デバイス２２は、格子状に形成されたストリート２３によって区画されている。なお、サファイヤ基板２０は、例えば厚さが７００μmに形成されている。また、窒化物半導体層からなる光半導体層２１は、サファイヤ基板２０の表面に例えばエピタキシャル法によって形成されている。   FIG. 1 shows a perspective view of an optical device wafer as a wafer that is divided into individual optical devices by the wafer processing method according to the present invention, and FIG. 2 shows a main part of the optical device wafer shown in FIG. An enlarged cross-sectional view is shown. In the optical device wafer 2 shown in FIGS. 1 and 2, a plurality of optical devices 22 are formed in a matrix by an optical semiconductor layer 21 made of a nitride semiconductor layer stacked on the surface of a sapphire substrate 20. Each optical device 22 is partitioned by streets 23 formed in a lattice shape. The sapphire substrate 20 is formed with a thickness of 700 μm, for example. The optical semiconductor layer 21 made of a nitride semiconductor layer is formed on the surface of the sapphire substrate 20 by, for example, an epitaxial method.

上述した光デバイスウエーハ２をストリート２３に沿って分割するには、先ず光デバイスウエーハ２の表面に形成されたストリート２３に沿って光半導体層２１に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射しストリート２３に沿って光半導体層２１を分離する光半導体層分離工程を実施する。この光半導体層分離工程は、図３に示すレーザー加工装置を用いて実施する。図３に示すレーザー加工装置３は、被加工物を保持するチャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２と、チャックテーブル３１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段３３を具備している。チャックテーブル３１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図３において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。   In order to divide the optical device wafer 2 described above along the streets 23, first, the optical semiconductor layer 21 is irradiated with a laser beam having an absorptive wavelength along the streets 23 formed on the surface of the optical device wafer 2. An optical semiconductor layer separation step of separating the optical semiconductor layer 21 along the street 23 is performed. This optical semiconductor layer separation step is performed using the laser processing apparatus shown in FIG. A laser processing apparatus 3 shown in FIG. 3 has a chuck table 31 that holds a workpiece, a laser beam irradiation means 32 that irradiates a workpiece held on the chuck table 31 with a laser beam, and a chuck table 31 that holds the workpiece. An image pickup means 33 for picking up an image of the processed workpiece is provided. The chuck table 31 is configured to suck and hold a workpiece, and can be moved in a machining feed direction indicated by an arrow X and an index feed direction indicated by an arrow Y in FIG. Yes.

上記レーザー光線照射手段３２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング３２１を含んでいる。ケーシング３２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング３２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器３２２が装着されている。   The laser beam irradiation means 32 includes a cylindrical casing 321 arranged substantially horizontally. In the casing 321, a pulse laser beam oscillation means having a pulse laser beam oscillator or a repetition frequency setting means (not shown) composed of a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator is arranged. A condenser 322 for condensing the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillating means is attached to the tip of the casing 321.

上記レーザー光線照射手段３２を構成するケーシング３２１の先端部に装着された撮像手段３３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。   In the illustrated embodiment, the imaging means 33 mounted on the tip of the casing 321 constituting the laser beam irradiation means 32 is configured to emit infrared rays to the workpiece in addition to a normal imaging element (CCD) that captures an image with visible light. Infrared illumination means for irradiating, an optical system for capturing infrared light emitted by the infrared illumination means, an image pickup device (infrared CCD) for outputting an electrical signal corresponding to the infrared light captured by the optical system, and the like Then, the captured image signal is sent to a control means (not shown).

上述したレーザー加工装置３を用いて光半導体層分離工程を実施するには、図３に示すようにレーザー加工装置３のチャックテーブル３１上に光デバイスウエーハ２の裏面２bを載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル３１上に光デバイスウエーハ２を吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル３１上に吸引保持された光デバイスウエーハ２は表面２aが上側となる。   In order to perform the optical semiconductor layer separation process using the laser processing apparatus 3 described above, the back surface 2b of the optical device wafer 2 is placed on the chuck table 31 of the laser processing apparatus 3 as shown in FIG. Then, the optical device wafer 2 is sucked and held on the chuck table 31 by a suction means (not shown) (wafer holding step). Therefore, the surface 2a of the optical device wafer 2 sucked and held on the chuck table 31 is on the upper side.

上述したように光デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない加工送り手段によって撮像手段３３の直下に移動される。チャックテーブル３１が撮像手段３３の直下に位置付けられると、撮像手段３３および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２３と、ストリート２３に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、光デバイスウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート２３に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。   As described above, the chuck table 31 that sucks and holds the optical device wafer 2 is moved directly below the image pickup means 33 by a processing feed means (not shown). When the chuck table 31 is positioned immediately below the image pickup means 33, an alignment operation for detecting a processing region to be laser processed of the optical device wafer 2 is executed by the image pickup means 33 and a control means (not shown). That is, the image pickup means 33 and the control means (not shown) align the street 23 formed in a predetermined direction of the optical device wafer 2 with the condenser 322 of the laser beam irradiation means 32 that irradiates the laser beam along the street 23. Image processing such as pattern matching is performed to perform the laser beam irradiation position alignment. In addition, the alignment of the laser beam irradiation position is similarly performed on the street 23 formed on the optical device wafer 2 and extending at right angles to the predetermined direction.

以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持された光デバイスウエーハ２に形成されているストリート２３を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図４の（ａ）で示すようにチャックテーブル３１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２３を集光器３２２の直下に位置付ける。このとき、図４の（ａ）で示すように光デバイスウエーハ２は、ストリート２３の一端(図４の（ａ）において左端)が集光器３２２の直下に位置するように位置付けられる。次に、レーザー光線照射手段３２の集光器３２２から光半導体層２１に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３１を図４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる（光半導体層分離工程）。そして、図４の（ｂ）で示すようにストリート２３の他端（図４において右端）が集光器３２２の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３１の移動を停止する。この結果、、図４の（ｂ）および図５に示すように光デバイスウエーハ２の表面に形成された光半導体層２１にはレーザー加工溝２１１が形成され、光半導体層２１はストリート２３に沿って分離される。この光半導体層分離工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを光半導体層２１の上面付近に合わせる。この光半導体層分離工程を実施する際には、光デバイスウエーハ２は厚さが例えば７００μmあるので、外周部が反りあがって湾曲することがないため、パルスレーザー光線の集光点Ｐを光半導体層２１の上面付近に確実に位置付けることができる。   When the streets 23 formed on the optical device wafer 2 held on the chuck table 31 are detected as described above and the laser beam irradiation position is aligned, as shown in FIG. The chuck table 31 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 322 of the laser beam application means 32 for irradiating the laser beam is located, and the predetermined street 23 is positioned immediately below the condenser 322. At this time, as shown in FIG. 4A, the optical device wafer 2 is positioned so that one end of the street 23 (the left end in FIG. 4A) is located directly below the condenser 322. Next, the chuck table 31 is irradiated in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. It is moved at a processing feed rate of (optical semiconductor layer separation step). As shown in FIG. 4B, when the other end of the street 23 (the right end in FIG. 4) reaches a position directly below the condenser 322, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 31 is stopped. To do. As a result, as shown in FIG. 4B and FIG. 5, the laser processing groove 211 is formed in the optical semiconductor layer 21 formed on the surface of the optical device wafer 2, and the optical semiconductor layer 21 extends along the street 23. Separated. In this optical semiconductor layer separation step, the condensing point P of the pulse laser beam is matched with the vicinity of the upper surface of the optical semiconductor layer 21. When this optical semiconductor layer separation step is performed, since the optical device wafer 2 has a thickness of, for example, 700 μm, the outer peripheral portion is not warped and curved, so that the condensing point P of the pulse laser beam is set to the optical semiconductor layer. 21 can be reliably positioned in the vicinity of the upper surface.

なお、上記光半導体層分離工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源 ：YAGレーザー
波長 ：３５５ｎｍ
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
１パルス当たりのエネルギー密度：１５J／cm2
集光スポット径 ：１０μｍ
加工送り速度 ：２００ｍｍ／秒 In addition, the said optical semiconductor layer isolation | separation process is performed on the following process conditions, for example.
Laser light source: YAG laser Wavelength: 355 nm
Repetition frequency: 100 kHz
Energy density per pulse: 15 J / cm 2
Condensing spot diameter: 10 μm
Processing feed rate: 200 mm / sec

このようにして、光デバイスウエーハ２の所定方向に延在する全てのストリート２３に沿って上記光半導体層分離工程を実行したならば、チャックテーブル３１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に延びる各ストリート２３に沿って上記光半導体層分離工程を実行する。   When the optical semiconductor layer separation step is executed along all the streets 23 extending in the predetermined direction of the optical device wafer 2 in this way, the chuck table 31 is rotated by 90 degrees to move in the predetermined direction. The optical semiconductor layer separation step is performed along each street 23 extending at a right angle.

上述した光半導体層分離工程を実施したならば、光デバイスウエーハ２の表面２aに保護部材を貼着する保護部材装着工程を実施する。即ち、図６の(a)および(b)に示すようにストリート２３に沿ってレーザー加工溝２１１が形成された光デバイスウエーハ２の表面２aに保護部材４を貼着する。この保護部材４は、塩化ビニール等の合成樹脂シートが用いられる。保護部材４は表面２１aに紫外線や熱等の外的刺激によって粘着力が低下する粘着材４０が積層されており、図６の(b)に示すように光デバイスウエーハ２の表面２１aに粘着材４０によって貼着される。従って、光デバイスウエーハ２は光デバイス２２が形成されていない裏面２bが露出する状態となる。なお、外的刺激によって粘着力が低下する粘着材４０としては、アクリル系、エステル系、ウレタン系等の樹脂からなる粘着材を用いることができる。   If the above-described optical semiconductor layer separation step is performed, a protective member mounting step for bonding a protective member to the surface 2a of the optical device wafer 2 is performed. That is, as shown in FIGS. 6A and 6B, the protective member 4 is attached to the surface 2 a of the optical device wafer 2 in which the laser processing grooves 211 are formed along the streets 23. The protective member 4 is made of a synthetic resin sheet such as vinyl chloride. The protective member 4 is formed by laminating an adhesive material 40 whose adhesive strength is reduced by an external stimulus such as ultraviolet rays or heat on the surface 21a, and the adhesive material 40 on the surface 21a of the optical device wafer 2 as shown in FIG. 6 (b). 40 is attached. Accordingly, the optical device wafer 2 is in a state where the back surface 2b where the optical device 22 is not formed is exposed. In addition, as the adhesive material 40 whose adhesive force is reduced by an external stimulus, an adhesive material made of an acrylic resin, an ester resin, a urethane resin, or the like can be used.

上述した保護部材装着工程を実施したならば、保護部材４が貼着された光デバイスウエーハ２の裏面２b（サファイヤ基板２０の裏面）を研削して所定の厚さ（光デバイス２２の仕上がり厚さ）に形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は、図７に示す研削装置５によって実施する。図７に示す研削装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１に保持された被加工物の加工面を研削する研削手段５２を具備している。チャックテーブル５１は、上面に被加工物を吸引保持し図７において矢印５１aで示す方向に回転せしめられる。研削手段５２は、スピンドルハウジング５２１と、該スピンドルハウジング５２１に回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる回転スピンドル５２２と、該回転スピンドル５２２の下端に装着されたマウンター５２３と、該マウンター５２３の下面に取り付けられた研削ホイール５２４とを具備している。この研削ホイール５２４は、円板状の基台５２５と、該基台５２５の下面に環状に装着された研削砥石５２６とからなっており、基台５２５がマウンター５２３の下面に取り付けられている。   If the protective member mounting process described above is performed, the back surface 2b (the back surface of the sapphire substrate 20) of the optical device wafer 2 to which the protective member 4 is adhered is ground to a predetermined thickness (the finished thickness of the optical device 22). ) Is performed. This back grinding process is performed by the grinding device 5 shown in FIG. A grinding apparatus 5 shown in FIG. 7 includes a chuck table 51 that holds a workpiece, and a grinding unit 52 that grinds a machining surface of the workpiece held on the chuck table 51. The chuck table 51 sucks and holds the workpiece on the upper surface and is rotated in the direction indicated by the arrow 51a in FIG. The grinding means 52 includes a spindle housing 521, a rotating spindle 522 that is rotatably supported by the spindle housing 521 and rotated by a rotation driving mechanism (not shown), a mounter 523 attached to the lower end of the rotating spindle 522, and the mounter And a grinding wheel 524 attached to the lower surface of 523. The grinding wheel 524 includes a disk-shaped base 525 and a grinding wheel 526 mounted in an annular shape on the lower surface of the base 525, and the base 525 is attached to the lower surface of the mounter 523.

上述した研削装置５を用いて裏面研削工程を実施するには、チャックテーブル５１の上面（保持面）に上述した光半導体層分離工程が実施され保護部材４が貼着された光デバイスウエーハ２の保護部材４側を載置し、光デバイスウエーハ２を保護部材４を介してチャックテーブ５１上に吸引保持する。従って、チャックテーブル５１上に吸引保持された光デバイスウエーハ２は裏面２ｂが上側となる。このようにチャックテーブル５１上に光デバイスウエーハ２を吸引保持したならば、チャックテーブル５１を矢印５１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５２の研削ホイール５２４を矢印５２４aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転せしめて光デバイスウエーハ２の裏面２b（サファイヤ基板２０の裏面）に接触せしめて研削することにより、光デバイスウエーハ２を光デバイス２２の仕上がり厚さ（例えば、６０μｍ）に形成する。このように裏面研削工程を実施することにより、光デバイスウエーハ２は厚さが例えば６０μｍと薄く形成されるが、上記光半導体層分離工程を実施することにより光半導体層２１がストリート２３に沿って分離されているので、外周が反り上がることがない。   In order to perform the back surface grinding process using the grinding apparatus 5 described above, the optical device wafer 2 in which the above-described optical semiconductor layer separation process is performed on the upper surface (holding surface) of the chuck table 51 and the protective member 4 is adhered is provided. The protective member 4 side is placed, and the optical device wafer 2 is sucked and held on the chuck table 51 via the protective member 4. Accordingly, the back surface 2b of the optical device wafer 2 sucked and held on the chuck table 51 is on the upper side. When the optical device wafer 2 is sucked and held on the chuck table 51 in this way, the grinding wheel 524 of the grinding means 52 is moved in the direction indicated by the arrow 524a while the chuck table 51 is rotated in the direction indicated by the arrow 51a, for example, at 300 rpm. For example, the optical device wafer 2 is formed to have a finished thickness (for example, 60 μm) of the optical device 22 by rotating at 6000 rpm, contacting the back surface 2b of the optical device wafer 2 (the back surface of the sapphire substrate 20), and grinding. By performing the back surface grinding process in this manner, the optical device wafer 2 is formed to be as thin as, for example, 60 μm. However, by performing the above optical semiconductor layer separation process, the optical semiconductor layer 21 is aligned along the street 23. Since it is separated, the outer periphery does not warp.

上述したように裏面研削工程を実施し、光デバイスウエーハ２を光デバイス２２の仕上がり厚さに形成したならば、光デバイスウエーハ２をストリート２３に沿って分割する分割工程に移行するが、光デバイスウエーハ２のストリート２３に沿った分割を容易にするために、図示の実施形態においては光デバイスウエーハ２の裏面側からサファイヤ基板２０に対して透過性を有するレーザー光線をストリート２３に沿って照射し、サファイヤ基板２０の内部にストリート２３に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。この変質層形成工程は、上記図３に示すレーザー加工装置３と実質的に同様のレーザー加工装置を用いパルスレーザー光線の波長を変更して実施することができる。従って、以下に述べる変質層形成工程は、図３に示すレーザー加工装置３の符号と同一符号を用いて説明する。   If the back surface grinding process is performed as described above and the optical device wafer 2 is formed to the finished thickness of the optical device 22, the process proceeds to a dividing process of dividing the optical device wafer 2 along the street 23. In order to facilitate division along the street 23 of the wafer 2, in the illustrated embodiment, a laser beam having transparency to the sapphire substrate 20 is irradiated along the street 23 from the back side of the optical device wafer 2. A deteriorated layer forming step of forming a deteriorated layer along the street 23 inside the sapphire substrate 20 is performed. This deteriorated layer forming step can be performed by changing the wavelength of the pulsed laser beam using a laser processing apparatus substantially similar to the laser processing apparatus 3 shown in FIG. Therefore, the deteriorated layer forming step described below will be described using the same reference numerals as those of the laser processing apparatus 3 shown in FIG.

上述したレーザー加工装置３を用いて変質層形成工程を実施するには、図８に示すようにレーザー加工装置３のチャックテーブル３１上に光デバイスウエーハ２の保護部材４を載置する。そして、図示しない吸引手段によってチャックテーブル４１上に光デバイスウエーハ２を吸着保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル３１上に吸引保持された光デバイスウエーハ２は裏面２ｂが上側となる。   In order to perform the deteriorated layer forming step using the laser processing apparatus 3 described above, the protection member 4 of the optical device wafer 2 is placed on the chuck table 31 of the laser processing apparatus 3 as shown in FIG. Then, the optical device wafer 2 is sucked and held on the chuck table 41 by a suction means (not shown) (wafer holding step). Accordingly, the back surface 2b of the optical device wafer 2 sucked and held on the chuck table 31 is on the upper side.

上述したようにウエーハ保持工程を実施したならば、光デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル３１は、図示しない移動機構によって撮像手段３３の直下に位置付けられる。そして、撮像手段３３および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段３３および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ２の所定方向に形成されているストリート２３と、このストリート２３に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、光デバイスウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直交して延びるストリート２３に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される（アライメント工程）。このとき、光デバイスウエーハ２のストリート２２が形成されている表面２ａは下側に位置しているが、撮像手段３３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面２ｂから透かしてストリート２３を撮像することができる。   When the wafer holding step is performed as described above, the chuck table 31 that sucks and holds the optical device wafer 2 is positioned directly below the imaging means 33 by a moving mechanism (not shown). Then, an alignment operation for detecting a processing region of the optical device wafer 2 to be laser processed is executed by the imaging unit 33 and a control unit (not shown). That is, the image pickup means 33 and the control means (not shown) are arranged between the street 23 formed in a predetermined direction of the optical device wafer 2 and the position of the condenser 322 of the laser beam irradiation means 32 that irradiates the laser beam along the street 23. Image processing such as pattern matching for matching is performed, and alignment of the laser beam irradiation position is performed. Similarly, the alignment of the laser beam irradiation position is also performed on the street 23 that is formed on the optical device wafer 2 and extends perpendicularly to the predetermined direction (alignment step). At this time, the surface 2a on which the streets 22 of the optical device wafer 2 are formed is located on the lower side. However, as described above, the imaging unit 33 is an infrared illumination unit, an optical system that captures infrared rays, and an electrical system corresponding to infrared rays. Since the image pickup device is configured with an image pickup device (infrared CCD) that outputs a signal, the street 23 can be picked up through the back surface 2b.

以上のようにしてアライメント工程を実施したならば、図９の（ａ）で示すようにチャックテーブル３１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定のストリート２３の一端（図９の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の直下に位置付ける。そして、集光器３２２からサファイヤ基板２０に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３１を図９の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図９の（ｂ）で示すように集光器３２２の照射位置がストリート２３の他端の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３１の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐをサファイヤ基板２０の厚さ方向中央部に合わせる。この結果、サファイヤ基板２０には図９の（ｂ）および図１０に示すように内部にストリート２３に沿って変質層２０１が形成される。なお、上述した変質層形成工程においては、光デバイスウエーハ２は光デバイス２２の仕上がり厚さ（例えば、６０μｍ）に形成されているが、光半導体層２１がストリート２３に沿ってレーザー加工溝２１１によって分離されているので、外周が反り上がることがないため、レーザー光線の集光点をサファイヤ基板２０の内部に容易に位置付けることができる。従って、サファイヤ基板２０の内部にストリート２３に沿って正確に変質層２０１を形成することができる。   When the alignment step is performed as described above, the chuck table 31 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 322 of the laser beam irradiation means 32 for irradiating the laser beam is positioned as shown in FIG. One end of the predetermined street 23 (the left end in FIG. 9A) is positioned directly below the condenser 322 of the laser beam irradiation means 32. Then, the chuck table 31 is moved at a predetermined feed speed in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 9A while irradiating the sapphire substrate 20 with a pulse laser beam having a wavelength that is transmissive from the condenser 322. 9B, when the irradiation position of the condenser 322 reaches the position of the other end of the street 23, the irradiation of the pulse laser beam is stopped and the movement of the chuck table 31 is stopped. In this deteriorated layer forming step, the condensing point P of the pulsed laser beam is matched with the central portion in the thickness direction of the sapphire substrate 20. As a result, the deteriorated layer 201 is formed along the streets 23 in the sapphire substrate 20 as shown in FIG. In the above-described deteriorated layer forming step, the optical device wafer 2 is formed to have a finished thickness (for example, 60 μm) of the optical device 22, but the optical semiconductor layer 21 is formed along the street 23 by the laser processing groove 211. Since the outer periphery is not warped, the condensing point of the laser beam can be easily positioned inside the sapphire substrate 20. Therefore, the altered layer 201 can be accurately formed along the street 23 inside the sapphire substrate 20.

上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４パルスレーザー
波長 ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
１パルス当たりのエネルギー密度：２０J／cm2
集光スポット径 ：φ１μｍ
加工送り速度 ：３００ｍｍ／秒 The processing conditions in the deteriorated layer forming step are set as follows, for example.
Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO 4 pulse laser Wavelength: 1064 nm pulse laser Repetition frequency: 100 kHz
Energy density per pulse: 20 J / cm 2
Condensing spot diameter: φ1μm
Processing feed rate: 300 mm / sec

以上のようにして、光デバイスウエーハ２の所定方向に延在する全てのストリート２３に沿って上記変質層形成工程を実行したならば、チャックテーブル３１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に延びる各ストリート２３に沿って上記変質層形成工程を実行する。   As described above, when the deteriorated layer forming step is executed along all the streets 23 extending in the predetermined direction of the optical device wafer 2, the chuck table 31 is rotated by 90 degrees in the predetermined direction. The altered layer forming step is executed along each street 23 extending at a right angle to the opposite side.

上述したように変質層形成工程を実施したならば、光デバイスウエーハ２の裏面２bを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図１１の（ａ）および（ｂ）に示すように、環状のフレーム６の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ７の表面に光デバイスウエーハ２の裏面２bを装着する。   If the deteriorated layer forming step is performed as described above, a wafer supporting step is performed in which the back surface 2b of the optical device wafer 2 is adhered to the surface of the dicing tape mounted on the annular frame. That is, as shown in FIGS. 11A and 11B, the back surface 2b of the optical device wafer 2 is mounted on the surface of the dicing tape 7 having the outer periphery mounted so as to cover the inner opening of the annular frame 6. To do.

上述したウエーハ支持工程を実施ならば、ダイシングテープ６の表面に貼着された光デバイスウエーハ２を保護部材４に貼着している粘着材４０に外的刺激を付与し、粘着材４０の貼着力を低下せしめる粘着力低下工程を実施する。即ち、図１２に示す実施形態においては、紫外線照射器８によって半導体ウエーハ２の表面２ａが貼着されている保護部材４側から紫外線を照射する。紫外線照射器８から照射された紫外線は、保護部材４を透過して粘着材４０に照射される。この結果、粘着材４０は上述したように紫外線等の外的刺激が付与されると粘着力が低下する粘着剤によって形成されているので、粘着力が低下せしめられる。   If the wafer support process described above is carried out, external stimulus is applied to the adhesive 40 that is attaching the optical device wafer 2 attached to the surface of the dicing tape 6 to the protective member 4, and the adhesive 40 is attached. An adhesive strength reduction process for reducing the adhesion is performed. That is, in the embodiment shown in FIG. 12, ultraviolet rays are irradiated from the protective member 4 side to which the surface 2 a of the semiconductor wafer 2 is adhered by the ultraviolet irradiator 8. The ultraviolet light irradiated from the ultraviolet irradiator 8 passes through the protective member 4 and is irradiated to the adhesive material 40. As a result, since the adhesive material 40 is formed of an adhesive whose adhesive strength is reduced when an external stimulus such as ultraviolet rays is applied as described above, the adhesive strength is reduced.

上述した粘着力低下工程を実施したならば、光デバイスウエーハ２の表面２ａから保護部材４を剥離する保護部材剥離工程を実施する。即ち、上記粘着材低下工程を実施することにより粘着材４０の粘着力が低下せしめられているので、図１３に示すように保護部材４を光デバイスウエーハ２の表面２ａから容易に剥離することができる。   If the adhesive strength reduction process mentioned above is implemented, the protection member peeling process which peels the protection member 4 from the surface 2a of the optical device wafer 2 will be implemented. That is, since the adhesive force of the adhesive material 40 is reduced by performing the adhesive material lowering step, the protective member 4 can be easily peeled from the surface 2a of the optical device wafer 2 as shown in FIG. it can.

上述した保護部材剥離工程を実施したならば、環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ７に貼着されている光デバイスウエーハ２に外力を付与し、光デバイスウエーハ２をレーザー加工溝２１１および変質層２０１が形成されているストリート２３に沿って破断するウエーハ破断工程を実施する。このウエーハ破断工程は、図示の実施形態においては図１４に示すテープ拡張装置９を用いて実施する。図１４に示すテープ拡張装置９は、上記環状のフレーム６を保持するフレーム保持手段９１と、該フレーム保持手段９１に保持された環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ７を拡張するテープ拡張手段９２を具備している。フレーム保持手段９１は、環状のフレーム保持部材９１１と、該フレーム保持部材９１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ９１２とからなっている。フレーム保持部材９１１の上面は環状のフレーム６を載置する載置面９１１ａを形成しており、この載置面９１１ａ上に環状のフレーム６が載置される。そして、載置面９１１ａ上に載置された環状のフレーム６は、クランプ９１２によってフレーム保持部材９１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段９１は、テープ拡張手段９２によって上下方向に進退可能に支持されている。   When the protective member peeling step described above is performed, an external force is applied to the optical device wafer 2 attached to the dicing tape 7 attached to the annular frame 6, and the optical device wafer 2 is subjected to laser processing grooves 211 and alteration. A wafer breaking step of breaking along the street 23 where the layer 201 is formed is performed. In the illustrated embodiment, the wafer breaking step is performed using a tape expansion device 9 shown in FIG. 14 includes a frame holding means 91 for holding the annular frame 6 and a tape extending means for extending the dicing tape 7 attached to the annular frame 6 held by the frame holding means 91. 92. The frame holding means 91 includes an annular frame holding member 911 and a plurality of clamps 912 as fixing means provided on the outer periphery of the frame holding member 911. An upper surface of the frame holding member 911 forms a mounting surface 911a on which the annular frame 6 is mounted, and the annular frame 6 is mounted on the mounting surface 911a. Then, the annular frame 6 placed on the placement surface 911 a is fixed to the frame holding member 911 by the clamp 912. The frame holding means 91 configured as described above is supported by the tape expanding means 92 so as to be movable back and forth in the vertical direction.

テープ拡張手段９２は、上記環状のフレーム保持部材９１１の内側に配設される拡張ドラム９２１を具備している。この拡張ドラム９２１は、環状のフレーム６の内径より小さく該環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ７に貼着される半導体ウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム９２１は、下端に支持フランジ９２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段９２は、上記環状のフレーム保持部材９１１を上下方向に進退可能な支持手段９３を具備している。この支持手段９３は、上記支持フランジ９２２上に配設された複数のエアシリンダ９３１からなっており、そのピストンロッド９３２が上記環状のフレーム保持部材９１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ９３１からなる支持手段９３は、環状のフレーム保持部材９１１を載置面９１１ａが拡張ドラム９２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム９２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ９３１からなる支持手段９３は、拡張ドラム９２１とフレーム保持部材９１１とを上下方向に相対移動する拡張移動手段として機能する。   The tape expansion means 92 includes an expansion drum 921 disposed inside the annular frame holding member 911. The expansion drum 921 has an inner diameter and an outer diameter that are smaller than the inner diameter of the annular frame 6 and larger than the outer diameter of the semiconductor wafer 2 attached to the dicing tape 7 attached to the annular frame 6. The expansion drum 921 includes a support flange 922 at the lower end. The tape expansion means 92 in the illustrated embodiment includes support means 93 that can advance and retract the annular frame holding member 911 in the vertical direction. The support means 93 includes a plurality of air cylinders 931 disposed on the support flange 922, and the piston rod 932 is connected to the lower surface of the annular frame holding member 911. As described above, the support means 93 including the plurality of air cylinders 931 includes the annular frame holding member 911 having a predetermined amount from the reference position where the mounting surface 911a is substantially flush with the upper end of the expansion drum 921 and the upper end of the expansion drum 921. Move up and down between the lower extended positions. Therefore, the support means 93 composed of a plurality of air cylinders 931 functions as expansion movement means for relatively moving the expansion drum 921 and the frame holding member 911 in the vertical direction.

以上のように構成されたテープ拡張装置９を用いて実施するウエーハ破断工程について図１５を参照して説明する。即ち、光デバイスウエーハ２（ストリート２３に沿ってレーザー加工溝２１１および変質層２０１が形成されている）の裏面２ｂが貼着されているダイシングテープ７が装着された環状のフレーム６を、図１５の（ａ）に示すようにフレーム保持手段９１を構成するフレーム保持部材９１１の載置面９１１ａ上に載置し、クランプ９１２によってフレーム保持部材９１１に固定する。このとき、フレーム保持部材９１１は図１５の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段９２を構成する支持手段９３としての複数のエアシリンダ９３１を作動して、環状のフレーム保持部材９１１を図１５の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材９１１の載置面９１１ａ上に固定されている環状のフレーム６も下降するため、図１５の（ｂ）に示すように環状のフレーム６に装着されたダイシングテープ７は拡張ドラム９２１の上端縁に接して拡張せしめられる。この結果、ダイシングテープ７に貼着されている光デバイウエーハ２には放射状に引張力が作用するため、光デバイウエーハ２はサファイヤ基板２０に変質層２０１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２３に沿って破断され個々の光デバイス２２に分割される。   A wafer breaking process performed using the tape expansion device 9 configured as described above will be described with reference to FIG. That is, the annular frame 6 to which the dicing tape 7 to which the back surface 2b of the optical device wafer 2 (the laser processing groove 211 and the altered layer 201 are formed along the street 23) is attached is attached to FIG. As shown in FIG. 5A, the frame is held on the mounting surface 911a of the frame holding member 911 constituting the frame holding means 91 and fixed to the frame holding member 911 by the clamp 912. At this time, the frame holding member 911 is positioned at the reference position shown in FIG. Next, the plurality of air cylinders 931 as the support means 93 constituting the tape expansion means 92 are operated, and the annular frame holding member 911 is lowered to the expansion position shown in FIG. Accordingly, the annular frame 6 fixed on the mounting surface 911a of the frame holding member 911 is also lowered, so that the dicing tape 7 attached to the annular frame 6 is an expansion drum as shown in FIG. The upper end edge of 921 is expanded. As a result, since a tensile force acts radially on the optical device wafer 2 adhered to the dicing tape 7, the strength of the optical device wafer 2 is reduced by forming the altered layer 201 on the sapphire substrate 20. It is broken along the streets 23 and divided into individual optical devices 22.

なお、上述した光半導体層分離工程において光半導体層２１に形成するレーザー加工溝２２１をサファイヤ基板２０にも深く形成すれば、上記裏面研削工程を実施した後に変質層形成工程を実施することなく、上記ウエーハ支持工程、粘着力低下工程、保護部材剥離工程、ウエーハ破断工程を実施することにより、光デバイウエーハ２をストリート２３に沿って個々の光デバイス２２に分割することができる。
また、上述した光半導体層分離工程および裏面研削工程を実施したならば、変質層形成工程を実施することなく、上記ウエーハ支持工程、粘着力低下工程、保護部材剥離工程を実施し、その後従来一般に用いられている切削装置の切削ブレードによって光半導体層２１に形成されたレーザー加工溝２２１に沿ってサファイヤ基板２０を切断してもよい。このとき、光デバイスウエーハ２は光デバイス２２の仕上がり厚さ（例えば、６０μｍ）に形成されているが、光半導体層２１がストリート２３に沿ってレーザー加工溝２１１によって分離されているので、外周が反り上がることがないため、切削ブレードによって光デバイスウエーハ２を正確に切断することができる。 In addition, if the laser processing groove 221 formed in the optical semiconductor layer 21 in the optical semiconductor layer separation step is also formed deeply in the sapphire substrate 20, the modified layer forming step is not performed after the back grinding step is performed. The optical device wafer 2 can be divided into individual optical devices 22 along the streets 23 by performing the wafer support step, the adhesive strength reduction step, the protective member peeling step, and the wafer breaking step.
Moreover, if the optical semiconductor layer separation process and the back surface grinding process described above are performed, the wafer support process, the adhesive strength reduction process, and the protective member peeling process are performed without performing the deteriorated layer forming process. You may cut | disconnect the sapphire board | substrate 20 along the laser processing groove | channel 221 formed in the optical semiconductor layer 21 with the cutting blade of the used cutting device. At this time, the optical device wafer 2 is formed to have a finished thickness of the optical device 22 (for example, 60 μm). However, since the optical semiconductor layer 21 is separated along the street 23 by the laser processing groove 211, the outer periphery is formed. Since it does not warp, the optical device wafer 2 can be accurately cut by the cutting blade.

本発明によるウエーハの加工方法によって分割されるウエーハとしての光デバイスウエーハを示す斜視図。The perspective view which shows the optical device wafer as a wafer divided | segmented by the processing method of the wafer by this invention. 図１に示す光デバイスウエーハの断面拡大図。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the optical device wafer shown in FIG. 1. 本発明によるウエーハの加工方法における光半導体層分離工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。The principal part perspective view of the laser processing apparatus for implementing the optical-semiconductor layer isolation | separation process in the processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの加工方法における光半導体層分離工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the optical-semiconductor layer isolation | separation process in the processing method of the wafer by this invention. 図５に示す光半導体層分離工程が実施された光デバイスウエーハの断面拡大図。FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of an optical device wafer in which the optical semiconductor layer separation step shown in FIG. 5 is performed. 本発明によるウエーハの加工方法における保護部材装着工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the protection member mounting process in the processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの加工方法における裏面研削工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the back surface grinding process in the processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの加工方法における変質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。The principal part perspective view of the laser processing apparatus for implementing the deteriorated layer formation process in the processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの加工方法における変質層形成工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the deteriorated layer formation process in the processing method of the wafer by this invention. 図９に示す変質層形成工程が実施された光デバイスウエーハの断面拡大図。FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view of the optical device wafer in which the deteriorated layer forming step shown in FIG. 9 has been performed. 本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ支持工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the wafer support process in the processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの加工方法における粘着力低下工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the adhesive force fall process in the processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの加工方法における保護部材剥離工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the protection member peeling process in the processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ破断工程を実施するためのテープ拡張装置の斜視図。The perspective view of the tape expansion apparatus for implementing the wafer fracture | rupture process in the processing method of the wafer by this invention. 本発明によるウエーハの加工方法におけるウエーハ破断工程を示す説明図。Explanatory drawing which shows the wafer fracture | rupture process in the processing method of the wafer by this invention.

符号の説明Explanation of symbols

２：光デバイスウエーハ
２０：サファイヤ基板
２１：光半導体層
２２：光デバイス２２
２３：ストリート
３：レーザー加工装置
３１：レーザー加工装置のチャックテーブル
３２：レーザー光線照射手段
３２２：集光器
４：保護部材
５：研削装置
５１：研削装置のチャックテーブル
５２：研削手段
５２４：研削ホイール
６：環状のフレーム
７：ダイシングテープ
９：テープ拡張装置
９１：フレーム保持手段
９２：テープ拡張手段 2: Optical device wafer 20: Sapphire substrate 21: Optical semiconductor layer 22: Optical device 22
23: Street 3: Laser processing device 31: Chuck table of laser processing device 32: Laser beam irradiation means 322: Concentrator 4: Protection member 5: Grinding device 51: Chuck table of grinding device 52: Grinding means 524: Grinding wheel 6 : Annular frame 7: dicing tape 9: tape expansion device 91: frame holding means 92: tape expansion means

Claims (1)

サファイヤ基板の表面に光半導体層が積層され複数の光デバイスが形成されたウエーハを、該複数の光デバイスを区画するストリートに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に形成された該ストリートに沿って該光半導体層に対して吸収性を有する波長のレーザー光線を照射し該ストリートに沿って該光半導体層を分離する光半導体層分離工程と、
該光半導体層分離工程が実施されたウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材装着工程と、
該保護部材が貼着されたウエーハの裏面を研削して光デバイスの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 A wafer processing method for dividing a wafer in which a plurality of optical devices are formed by laminating an optical semiconductor layer on a surface of a sapphire substrate, along a street that partitions the plurality of optical devices,
An optical semiconductor layer separation step of irradiating a laser beam having a wavelength that absorbs the optical semiconductor layer along the street formed on the surface of the wafer to separate the optical semiconductor layer along the street;
A protective member mounting step of attaching a protective member to the surface of the wafer on which the optical semiconductor layer separation step has been performed;
A back grinding step of grinding the back surface of the wafer to which the protective member is adhered to form a finished thickness of the optical device,
A method for processing a wafer.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010177430A (en) * 2009-01-29 2010-08-12 Disco Abrasive Syst Ltd Method of processing wafer
JP2012134420A (en) * 2010-12-24 2012-07-12 Disco Abrasive Syst Ltd Optical device wafer processing method
JP2013012559A (en) * 2011-06-29 2013-01-17 Nichia Chem Ind Ltd Manufacturing method of light emitting element
JP2014079791A (en) * 2012-10-17 2014-05-08 Disco Abrasive Syst Ltd Laser processing method
DE102014215302A1 (en) 2013-08-05 2015-02-05 Disco Corporation Laser processing device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5992731B2 (en) * 2012-06-07 2016-09-14 株式会社ディスコ Wafer processing method

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003338652A (en) * 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk Manufacturing method for semiconductor laser element and semiconductor laser element
JP2005086074A (en) * 2003-09-10 2005-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd Method for transferring semiconductor wafer
JP2005109432A (en) * 2003-09-09 2005-04-21 Toyoda Gosei Co Ltd Manufacturing method of group iii nitride-based compound semiconductor device
JP2005228794A (en) * 2004-02-10 2005-08-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method of manufacturing chip
JP2005332901A (en) * 2004-05-19 2005-12-02 Mitsui Chemicals Inc Protecting method of semiconductor wafer
JP2006135309A (en) * 2004-10-07 2006-05-25 Showa Denko Kk Manufacturing method of semiconductor device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003338652A (en) * 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk Manufacturing method for semiconductor laser element and semiconductor laser element
JP2005109432A (en) * 2003-09-09 2005-04-21 Toyoda Gosei Co Ltd Manufacturing method of group iii nitride-based compound semiconductor device
JP2005086074A (en) * 2003-09-10 2005-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd Method for transferring semiconductor wafer
JP2005228794A (en) * 2004-02-10 2005-08-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd Method of manufacturing chip
JP2005332901A (en) * 2004-05-19 2005-12-02 Mitsui Chemicals Inc Protecting method of semiconductor wafer
JP2006135309A (en) * 2004-10-07 2006-05-25 Showa Denko Kk Manufacturing method of semiconductor device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010177430A (en) * 2009-01-29 2010-08-12 Disco Abrasive Syst Ltd Method of processing wafer
JP2012134420A (en) * 2010-12-24 2012-07-12 Disco Abrasive Syst Ltd Optical device wafer processing method
JP2013012559A (en) * 2011-06-29 2013-01-17 Nichia Chem Ind Ltd Manufacturing method of light emitting element
JP2014079791A (en) * 2012-10-17 2014-05-08 Disco Abrasive Syst Ltd Laser processing method
DE102014215302A1 (en) 2013-08-05 2015-02-05 Disco Corporation Laser processing device
US9981343B2 (en) 2013-08-05 2018-05-29 Disco Corporation Laser processing apparatus

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