JP2007305687A - Dicing method and dicing device of wafer - Google Patents

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JP2007305687A
JP2007305687A JP2006130603A JP2006130603A JP2007305687A JP 2007305687 A JP2007305687 A JP 2007305687A JP 2006130603 A JP2006130603 A JP 2006130603A JP 2006130603 A JP2006130603 A JP 2006130603A JP 2007305687 A JP2007305687 A JP 2007305687A
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Masaru Nakamura
Kazuma Sekiya
勝 中村
一馬 関家
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Disco Abrasive Syst Ltd
株式会社ディスコ
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dicing method and a dicing device of wafer in which a wafer can be diced while preventing minute fragments, scattered when the wafer is diced along a scheduled dicing line where a deterioration layer is formed by imparting an external force, from adhering to a device. <P>SOLUTION: In the dicing method of wafer; a wafer having a plurality of scheduled dicing lines formed in the surface with devices being formed in a plurality of regions sectioned by the plurality of scheduled dicing lines and having a deterioration layer formed internally along the plurality of scheduled dicing lines is broken along the plurality of scheduled dicing lines, while sticking the backside to a holding tape applied to an annular frame. The wafer is broken along the plurality of scheduled dicing lines by imparting an external force to the wafer along the scheduled dicing line where the deterioration layer is formed under a state where the annular frame supporting the wafer through the holding tape is held while directing the wafer surface downward. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法に関する。 The present invention is a wafer in which the devices are formed in a plurality of regions partitioned by the plurality of dividing lines with a plurality of dividing lines are formed in a lattice shape on the surface, along the dividing lines each regarding the wafer dividing method for dividing into chips.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等の回路を形成する。 The semiconductor in the device manufacturing process, a plurality of areas are sectioned by dividing lines on the front surface of a substantially disk shape called streets arranged in a lattice pattern, IC of the sectioned areas, circuits such as LSI to form. そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。 Then, it manufactures individual semiconductor chips by dividing a region where circuits are formed by cutting the semiconductor wafer along the dividing lines. また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも所定の分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、CCD等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。 Further, individual light emitting diodes by optical device wafer gallium nitride compound semiconductor or the like is laminated on the surface of the sapphire substrate is also cut along a predetermined dividing line is divided into optical devices such as a CCD, to the electrical device widely available.

上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。 Cutting along the dividing lines of the semiconductor wafer or optical device wafer as described above is generally carried out by a cutting machine called a dicer. この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。 The cutting device, relative a chuck table for holding a workpiece such as a semiconductor wafer or optical device wafer, cutting means for cutting the workpiece held on the chuck table, and a cutting means and the chuck table and a mobile allowed to cutting feed means manner. 切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を含んでいる。 The cutting means comprises a driving mechanism for rotating the rotary spindle and the cutting blade and the rotary spindle is mounted on the spindle. 切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径3μm程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ20μm程度に形成されている。 Cutting blade is composed of the cutting edge of a disc-shaped base and the substrate table ring attached to the wall part of the cutting edge is fixed to the base by electroforming diamond abrasive grains of, for example, about the particle size 3μm It has a thickness of 20μm approximately.

しかるに、サファイヤ基板、炭化珪素基板等はモース硬度が高いため、上記切削ブレードによる切断は必ずしも容易ではない。 Since a sapphire substrate, silicon carbide substrate, etc. have high Mohs hardness, cutting with the cutting blade is not always easy. 更に、切削ブレードは20μm程度の厚さを有するため、デバイスを区画する分割予定ラインとしては幅が50μm程度必要で、ストリートの占める面積比率が高くなり、生産性が悪いという問題がある。 Further, the cutting blade has a thickness of about 20 [mu] m, as the dividing lines for sectioning device width is required about 50 [mu] m, the higher the area ratio occupied by the streets, thereby reducing productivity.

一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。 On the other hand, as a method of dividing a plate-like workpiece such as a semiconductor wafer, the use of a pulsed laser beam capable of passing through the workpiece, the pulsed laser beam inside the combined focal point of the area to be divided laser processing method of irradiating has been attempted. このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する赤外光領域のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部に分割予定ラインに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。 Dividing method using the laser processing method irradiates a pulsed laser beam of infrared light region capable of passing through the workpiece while locating a converging point within the one surface side of the workpiece, the workpiece deteriorated layers formed continuously along the inside the dividing lines of, by applying an external force along the dividing line strength is lowered by this altered layer is formed, dividing the workpiece it is intended to. (例えば、特許文献1参照。) (E.g., see Patent Document 1.)
特許第3408805号公報 Patent No. 3408805 Publication

上述したように分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハの分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを個々のチップに分割する際には、分割されたチップがバラバラにならないようにウエーハは保持テープに貼着される。 The external force applied along the dividing lines of the wafer deteriorated layer along the dividing lines as described above is formed, when dividing the wafer into individual chips, so that divided chip does not fall apart the wafer is bonded to the holding tape. そして、保持テープに貼着されるウエーハは、個々のチップに分割した後のボンディング工程を容易にするために裏面が保持テープに貼着される。 The wafer is stuck to the holding tape, the back surface is adhered to the support tape in order to facilitate the bonding process after the division into individual chips. 従って、ウエーハは表面が露出された状態となる。 Thus, the wafer is in a state of which the surface is exposed.

而して、ウエーハを変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与して分割すると、微細な破片が飛散し、この微細な破片がデバイスに付着してワイヤーボンディングの際に断線を引き起こす原因となる。 And Thus, the wafer of the altered layer is divided by applying an external force along the formed dividing lines, fine debris scattered, disconnection during wire bonding the fine debris adhered to the device cause the cause. また、デバイスが発光ダイオードやCCD等の光デバイスの場合には、微細な破片が付着すると品質が著しく低下するという問題がある。 Further, when the device is an optical device such as a light emitting diode or a CCD, there is a problem that the quality is significantly lowered when the fine debris adheres.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハを変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与して分割する際に飛散する微細な破片がデバイスに付着することなく分割することができるウエーハの分割方法および分割装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above circumstances, the principal object is fine flying debris along the dividing lines of the wafer deteriorated layer is formed when dividing by applying an external force to provide a dividing method and dividing apparatus of the wafer can be divided without adhering to the device.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成され内部に複数の分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハを、環状のフレームに装着された保持テープに裏面が貼着され状態で複数の分割予定ラインに沿って破断するウエーハの分割方法であって、 To solve the above object, according to the present invention, the internal device is formed into a plurality of regions partitioned by a plurality of dividing lines with a plurality of dividing lines are formed in a lattice pattern on the surface a plurality of dividing wafer deteriorated layer is formed along the line, there in the wafer dividing method in which the back surface holding tape mounted on an annular frame broken along a plurality of division lines in a state is pasted Te,
保持テープを介してウエーハを支持した環状のフレームをウエーハの表面を下側にして保持した状態で、ウエーハに変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを分割予定ラインに沿って破断する、 An annular frame supporting the wafer through the holding tape surface of the wafer while holding in the lower, external force was applied along the dividing lines affected layer formed on the wafer, the wafer dividing lines to break along the,
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。 Wafer dividing method, wherein the is provided.

上記環状のフレームに装着された保持テープに裏面が貼着されウエーハの表面にイオン化されたエアーを供給し、ウエーハに帯電している静電気を除去することが望ましい。 Supplying air to the rear surface to the holding tape mounted on the annular frame is ionized on the surface of the stuck to the wafer, it is desirable to remove the static electricity on the wafer.
また、上記環状のフレームに装着された保持テープに裏面が貼着されたウエーハに分割予定ラインに沿って付与する外力は、保持テープを拡張することによって付与する。 Further, the external force applied along the dividing lines in wafer back surface is adhered to the support tape mounted on the annular frame is provided by extending the support tape.

また、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成され内部に複数の分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハを、環状のフレームに装着された保持テープに裏面が貼着され状態で複数の分割予定ラインに沿って破断するウエーハの分割装置において、 Further, according to the present invention, along a plurality of division lines plurality of dividing lines inside the device is formed into a plurality of regions partitioned by a plurality of dividing lines with are formed in a lattice pattern on the surface the wafer having deteriorated layer is formed Te, the splitting device wafer is backside holding tape mounted on an annular frame broken along a plurality of division lines in a state being adhered,
該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、 A frame holding means for holding the annular frame,
該フレーム保持手段に保持された環状のフレームに装着された保持テープを拡張するテープ拡張手段と、該フレーム保持手段に保持された環状のフレームに装着された保持テープに貼着されているウエーハの下方からイオン化されたエアーを供給し、ウエーハに帯電している静電気を除去する除電手段と、を具備している、 A tape expanding means for expanding the support tape mounted on the annular frame held by the frame holding means, the wafer is affixed to a support tape mounted on the annular frame held by the frame holding means supplying ionized air from below, and comprising: a charge removing means for removing static electricity from the wafer, and
ことを特徴とするウエーハの分割装置が提供される。 Wafer dividing apparatus according to claim is provided.

本発明によるウエーハの分割方法によれば、保持テープを介してウエーハを支持した環状のフレームをウエーハの表面を下側にして保持した状態で、ウエーハに変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与するので、ウエーハが変質層に沿って破断される際に飛散する微細な破片は自重で落下するため、ウエーハの表面に形成されたデバイスに付着することはない。 According to the wafer dividing method of the present invention, the annular frame supporting the wafer through the holding tape surface of the wafer while holding in the bottom, along the dividing lines affected layer formed on the wafer since imparting external force Te, since the fine flying debris when the wafer is broken along the damaged layer to fall by its own weight and does not adhere to the devices formed on the surface of the wafer. また、ウエーハ破断工程を実施する際に半導体ウエーハの表面にイオン化されたエアーが供給することにより、ウエーハの表面に帯電している静電気が除去されているので、ウエーハが変質層に沿って破断される際に飛散する微細な破片が静電気によってデバイスに付着することもない。 Also, by the air which is ionized is supplied to the surface of the semiconductor wafer in carrying out the wafer dividing step, the static electricity on the surface of the wafer has been removed, the wafer is broken along the deteriorated layers nor does it adhere to the device microscopic debris electrostatic scattered upon that.

以下、本発明によるウエーハの分割方法および分割装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, a preferred embodiment of wafer dividing method and dividing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1には、本発明に従って個々のチップに分離されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。 FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer as a wafer to be separated into individual chips in accordance with the present invention is illustrated. 図1に示す半導体ウエーハ10はシリコンウエーハからなっており、表面10aには複数の分割予定ライン101が格子状に形成されている。 The semiconductor wafer 10 shown in FIG. 1 is a silicon wafer, a plurality of dividing lines 101 are formed in a lattice shape on the surface 10a. そして、半導体ウエーハ10の表面10aには、複数の分割予定ライン101によって区画された複数の領域にデバイス102が形成されている。 On the surface 10a of the semiconductor wafer 10, the device 102 is formed into a plurality of regions partitioned by a plurality of dividing lines 101. 以下、この半導体ウエーハ10を個々の半導体チップに分割する分割方法について説明する。 The following describes the division method for dividing the semiconductor wafer 10 into individual semiconductor chips.

半導体ウエーハ10を個々の半導体チップに分割するには、半導体ウエーハ10に対して透過性を有するパルスレーザー光線を複数の分割予定ライン101に沿って照射し、半導体ウエーハ10の内部に複数の分割予定ライン101に沿って変質層を形成することにより分割予定ラインに沿って強度を低下せしめる変質層形成工程を実施する。 To divide the semiconductor wafer 10 into individual semiconductor chips, a pulse laser beam having a permeability irradiated along a plurality of division lines 101 to the semiconductor wafer 10, a plurality of division lines inside the semiconductor wafer 10 by forming a deteriorated layer along a 101 implementing deteriorated layer forming step allowed to lower the strength along the dividing lines.
この変質層形成工程は、図2に示すレーザー加工装置2を用いて実施する。 The deteriorated layer forming step is carried out by using a laser processing apparatus 2 shown in FIG. 図2に示すレーザー加工装置2は、被加工物を保持するチャックテーブル21と、該チャックテーブル21上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段22と、チャックテーブル21上に保持された被加工物を撮像する撮像手段23を具備している。 The laser processing apparatus 2 shown in FIG. 2, holding a chuck table 21 for holding a workpiece, a laser beam application means 22 for applying a laser beam to the workpiece held on the chuck table 21, on the chuck table 21 and imaging means 23 for imaging the workpiece that is. チャックテーブル21は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図2において矢印Xで示す方向に加工送りされるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図2において矢印Yで示す方向に割り出し送りされるようになっている。 Chuck table 21 is so constituted as to suction a workpiece, an arrow while being processed feed in the direction indicated by the arrow X in FIG. 2 by feeding means, not shown, in FIG. 2 by indexing means (not shown) It is adapted to be indexing feed in the direction shown by Y.

上記レーザー光線照射手段22は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング221の先端に装着された集光器222からパルスレーザー光線を照射する。 The above laser beam application means 22 applies a pulse laser beam from a condenser 222 mounted on the end of the casing 221 arranged substantially horizontally cylindrical shape. また、上記レーザー光線照射手段12を構成するケーシング221の先端部に装着された撮像手段23は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。 The imaging means 23 mounted on the end portion of the casing 221 constituting the above laser beam application means 12, out of the normal imaging device for imaging the visible light in the illustrated embodiment (CCD), the workpiece an infrared illuminating means for irradiating infrared rays, is constituted by the infrared and optical system for capturing infrared radiation applied by the illumination means, the imaging element that outputs an electric signal corresponding to infrared radiation captured by the optical system (CCD) for and sends to the control means to be described later an image signal obtained by imaging.

上述したレーザー加工装置1を用いて実施する変質層形成工程について、図2および図3を参照して説明する。 For deteriorated layer forming step which is carried out by using the laser processing apparatus 1 will be described with reference to FIGS.
この変質層形成行程は、先ず上述した図2に示すレーザー加工装置2のチャックテーブル21上に半導体ウエーハ10を裏面10bを上にして載置し、該チャックテーブル21上に半導体ウエーハ10を吸着保持する。 In this deteriorated layer forming step, first, the semiconductor wafer 10 on the chuck table 21 of the laser processing apparatus 2 shown in FIG. 2 described above with the rear surface 10b to the upper mounted, sucking and holding the semiconductor wafer 10 on the chuck table 21 to. 半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル21は、図示しない加工送り手段によって撮像手段23の直下に位置付けられる。 Chuck table 21 holding the semiconductor wafer 10 is positioned directly below the imaging unit 23 by the feeding means, not shown.

チャックテーブル21が撮像手段23の直下に位置付けられると、撮像手段23および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ10のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。 When the chuck table 21 is positioned directly below the imaging means 23, alignment work for detecting the area to be processed of the semiconductor wafer 10 by the imaging unit 23 and the control means (not shown). 即ち、撮像手段23および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ10の所定方向に形成されている分割予定ライン101と、該分割予定ライン101に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段22の集光器222との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。 That is, the control unit the imaging unit 23 and not shown, the dividing lines 101 formed in a predetermined direction of the semiconductor wafer 10, the condenser 222 of the laser beam application means 22 for applying a laser beam along the dividing lines 101 It executes image processing such as pattern matching for aligning with, thereby performing the alignment of the laser beam irradiation position. また、半導体ウエーハ10に形成されている複数の分割予定ライン101と直交する方向に形成されている複数の分割予定ライン101に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。 Moreover, even for a plurality of dividing lines 101 formed in a direction perpendicular to the plurality of dividing lines 101 formed on the semiconductor wafer 10, similar alignment of the laser beam application position is carried out so. このとき、半導体ウエーハ10の複数の分割予定ライン101が形成されている表面10aは下側に位置しているが、撮像手段23が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、裏面10bから透かして分割予定ライン101を撮像することができる。 In this case, the surface 10a in which a plurality of dividing lines 101 are formed in the semiconductor wafer 10 is positioned on the lower side, the optical system and the infrared ray imaging unit 23 captures an infrared illuminating means and the infrared, as described above since an image pickup means is constituted by an imaging device outputs a corresponding electric signal (infrared CCD) or the like, it is possible to image the dividing lines 101 and watermark from the rear surface 10b.

以上のようにしてチャックテーブル21上に保持された半導体ウエーハ10に形成されてい分割予定ライン101を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図3の(a)で示すようにチャックテーブル21をレーザー光線照射手段22の集光器222が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン101の一端(図3の(a)において左端)をレーザー光線照射手段22の集光器222の直下に位置付ける。 Above manner to detect the optionally dividing lines 101 formed on the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 21, if the alignment of the laser beam application position is carried out, as shown in the FIGS. 3 (a) the chuck table 21 is moved to a laser beam application area where the condenser 222 of the laser beam irradiation means 22 is positioned, the predetermined dividing line 101 one end (in Fig. 3 left end in (a)) of the laser beam application means 22 concentrator 222 positioned immediately below the. そして、集光器222から半導体ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル21を図3の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。 Then, it allowed to move in the direction indicated by the arrow X1 of the chuck table 21 in the FIGS. 3 (a) while applying a pulse laser beam having a transmission wavelength to the semiconductor wafer from the condenser 222 at a predetermined machining feed rate. そして、図3の(b)で示すようにレーザー光線照射手段22の集光器222の照射位置が分割予定ライン101の他端(図3の(b)において右端)の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル21の移動を停止する。 Then, when reaching the position (right end in FIG. 3 (b)) the other end of the irradiation position dividing line 101 of the condenser 222 of the laser beam irradiation means 22 as shown by (b) in FIG. 3, the pulse laser beam the irradiation stopped and the movement of the chuck table 21 is stopped. この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ10の表面10a(下面)付近に合わせる。 In this deteriorated layer forming step, the focal point P of the pulse laser beam to the surface 10a (lower surface) around the semiconductor wafer 10. この結果、半導体ウエーハ10の表面10a(下面)に露出するとともに表面10aから内部に向けて変質層110が形成される。 As a result, deteriorated layer 110 is formed from the surface 10a toward the inside as well as exposed to the surface 10a (lower surface) of the semiconductor wafer 10. この変質層110は、溶融再固化層として形成される。 The deteriorated layer 110 is formed as a molten resolidified layer.

上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。 The processing conditions in the above deteriorated layer forming step are set as follows, for example.
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4スレーザー 波長 :1064nmのパルスレーザー パルス出力 :10μJ Source: LD pumped Q-switched Nd: YVO4 scan laser Wavelength: 1064 nm pulsed laser pulse output: 10 .mu.J
集光スポット径 :φ1μm Focused spot diameter: φ1μm
繰り返し周波数 :100kHz Repetition frequency: 100kHz
加工送り速度 :100mm/秒 Processing-feed rate: 100mm / sec.

上記変質層110は、表面10aおよび裏面10bに露出しないように内部だけに形成してもよく、また、上記集光点Pを段階的に変えて上述したレーザー加工工程を複数回実行することにより、複数の変質層110を形成してもよい。 Above deteriorated layer 110 may be formed only on the inside so as not to be exposed to the surface 10a and the back surface 10b, also, by executing a plurality of times of laser machining process described above by changing the focal point P stepwise it may form a plurality of deteriorated layers 110. そして、上述した変質層形成工程を半導体ウエーハ2に形成された全ての分割予定ライン101に沿って実施する。 Then, it carried along all the dividing lines 101 formed the above-mentioned deteriorated layer forming step in the semiconductor wafer 2.

上述した変質層形成工程によって半導体ウエーハ10の内部に複数の分割予定ライン101に沿って変質層110を形成したならば、分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着された保持テープに貼着するウエーハ支持工程を実施する。 If the formation of the deteriorated layer 110 along a plurality of division lines 101 inside the semiconductor wafer 10 by the above-mentioned deteriorated layer forming step, the backside of the wafer which deteriorated layer is formed along the dividing lines annular frame implementing adhered to wafer supporting step in the mounting retention tape. 即ち、図4に示すように環状のフレーム3の内側開口部を覆うように外周部が装着された保持テープ30の表面に半導体ウエーハ10の裏面10bを貼着する。 That is, adhering the rear surface 10b of the semiconductor wafer 10 on the surface of the holding tape 30 outer peripheral portion is mounted to cover the inner opening of the annular frame 3 as shown in FIG. なお、上記保持テープ30は、図示の実施形態においては厚さが100μmのポリ塩化ビニル(PVC)からなるシート基材の表面にアクリル樹脂系の粘着剤が厚さが5μm程度塗布されている。 Incidentally, the holding tape 30, adhesive thickness of acrylic resin is applied about 5μm on the surface of the sheet substrate made of polyvinyl chloride is 100μm thick (PVC) in the illustrated embodiment.

なお、ウエーハ支持工程は上記変質層形成工程の前に実施してもよく、この場合、環状のフレーム3に装着された保持テープ30の表面に半導体ウエーハ10の裏面10bを貼着した状態で上述した変質層形成工程を実施する。 Incidentally, wafer supporting step may be carried out before the above deteriorated layer forming step, in this case, above while adhering the rear surface 10b of the semiconductor wafer 10 on the surface of the holding tape 30 mounted on an annular frame 3 implementing the deteriorated layer forming step. 即ち、図5の(a)および(b)に示すように上記レーザー加工装置2のチャックテーブル21上に半導体ウエーハ10の保持テープ30側を載置する。 That is, placing the holding tape 30 side of the semiconductor wafer 10 on the chuck table 21 of the laser processing apparatus 2 as shown in (a) and (b) of FIG. そして、図示しない吸引手段を作動することにより、保持テープ30を介して半導体ウエーハ10をチャックテーブル21上に保持する。 By activating the suction means (not shown), the semiconductor wafer 10 through the holding tape 30 held on the chuck table 21. なお、図5の(a)および(b)においては保持テープ30が装着された環状のフレーム3を省いて示しているが、環状のフレーム3はチャックテーブル21に配設された適宜のフレーム保持手段に保持される。 Although shown omitted frame 3 annular retaining tape 30 is attached in the FIGS. 5 (a) and (b), a suitable frame holding annular frame 3 is provided on the chuck table 21 It is held in the unit. そして、上述したレーザー光線照射位置のアライメント作業が実施される。 The alignment work of the laser beam irradiation position described above is performed. 次に、図5の(a)に示すようにチャックテーブル21をレーザー光線照射手段22の集光器222が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン101の一端(図5の(a)において左端)をレーザー光線照射手段22の集光器222の直下に位置付ける。 Then, the chuck table 21 as shown in FIG. 5 (a) moves to a laser beam application area where the condenser 222 is positioned in the laser beam irradiation means 22, one end of the predetermined dividing line 101 (FIG. 5 (a positioning the left end) right below the condenser 222 of the laser beam application means 22 in). そして、集光器222から半導体ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル21を図5の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。 Then, it allowed to move in the direction indicated by the arrow X1 of the chuck table 21 in FIG. 5 (a) In while irradiating a pulse laser beam having a transmission wavelength to the semiconductor wafer from the condenser 222 at a predetermined machining feed rate. そして、図5の(b)で示すようにレーザー光線照射手段22の集光器222の照射位置が分割予定ライン101の他端(図3の(b)において右端)の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル21の移動を停止する。 Then, when reaching the position (right end in FIG. 3 (b)) the other end of the irradiation position dividing line 101 of the condenser 222 of the laser beam irradiation means 22 as shown in FIG. 5 (b), the pulsed laser beam the irradiation stopped and the movement of the chuck table 21 is stopped. この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ10の裏面10b(下面)付近に合わせる。 In this deteriorated layer forming step, the focal point P of the pulse laser beam on the back surface 10b (lower surface) around the semiconductor wafer 10. この結果、半導体ウエーハ10の裏面10b(下面)に露出するとともに裏面10bから内部に向けて変質層110が形成される。 As a result, deteriorated layer 110 is formed toward the rear surface 10b to the inside as well as exposed to the back surface 10b of the semiconductor wafer 10 (lower surface).

上述した変質層形成工程およびウエーハ支持工程を実施したならば、保持テープを介してウエーハを支持した環状のフレームをウエーハを下側にして保持した状態で、ウエーハに変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを分割予定ラインに沿って破断するウエーハ破断工程を実施する。 After performing the above deteriorated layer forming step and the wafer supporting step, in a state where wafer to the annular frame supporting the wafer via the holding tape was held by the lower, dividing the altered layer is formed on the wafer the external force applied along the line, performing the wafer dividing step of breaking along a wafer dividing lines. このウエーハ破断工程は、図6および図7に示すウエーハの分割装置を用いて実施する。 The wafer dividing step is carried out by using a dividing apparatus of the wafer shown in FIGS. 図6には本発明に従って構成された分割装置の一実施形態の斜視図が示されており、図7には図6に示す分割装置の分解斜視図が示されている。 The Figure 6 there is shown a perspective view of one embodiment of the constructed dividing apparatus according to the present invention, exploded perspective view of a dividing device shown in FIG. 6 is shown in FIG. 図6および図7に示すウエーハの分割装置4は、固定基台40と、該固定基台40の中央部上面に配設され上記環状のフレーム3を保持するフレーム保持手段5と、該フレーム保持手段5に保持された上記環状のフレーム3に装着された上記保持テープ30を挟持する複数(図示の実施形態においては4個)のテープ挟持手段6と、該複数のテープ挟持手段6をそれぞれ径方向に移動せしめる複数(図示の実施形態においては4個)のテープ拡張手段7とを具備している。 Dividing apparatus 4 of the wafer shown in FIGS. 6 and 7, the fixed base 40, the frame holding means 5 for holding the frame 3 of the annular centrally disposed upper surface of the solid Sadamoto base 40, the frame holding a tape clamping means 6 of a plurality (four in the illustrated embodiment) for clamping the holding tape 30 attached to the annular frame 3 held in the unit 5, respectively the diameter of the tape clamping means 6 of said plurality of It has and a tape expanding means 7 (four in the illustrated embodiment) a plurality for moving in a direction.

上記固定基台40は円盤状に形成され、その上面には中心部を通って直角に交差する案内溝41、41が形成されている。 The fixed base 40 is formed in a disk shape, the guide grooves 41 and 41 intersecting at right angles through the center portion is formed on the upper surface thereof. また、固定基台40の上記案内溝41、41が形成された外周部は、外方に突出して形成されている。 The outer peripheral portion of the guide groove 41 is formed in the fixed base 40 is formed to protrude outward.

上記フレーム保持手段3は、固定基台40の上面に配設された4本の支持柱51と、該4本の支持柱51の上端に取り付けられた環状のフレーム保持部材52とからなっている。 Said frame holding means 3 is composed of fixed and four support pillars 51 which are disposed on the upper surface of the base 40, the four attached annular frame holding member 52 to the upper end of the support pillar 51 . 4本の支持柱51は、固定基台40に形成された案内溝41と41の間にそれぞれ配設されている。 Four support pillars 51 are disposed respectively between the fixed base 40 and the guide groove 41 formed in the 41. 環状のフレーム保持部材42は、上記環状のフレーム3と略対応する大きさに形成されており、上面が環状のフレーム3を載置するための載置面521となっている。 Frame holding member 42 is formed in the frame 3 and approximately corresponding size of said annular, and has a mounting surface 521 for upper surface for placing the annular frame 3. このフレーム保持部材52は、図7に示すように断面形状が逆L字状に形成されており、上記載置面521と平行な被支持面522と、外周側で垂下する規制部523を備えている。 The frame holding member 52, the cross-sectional shape as shown in FIG. 7 is formed in an inverted L-shape, provided with the mounting surface 521 and parallel to the supported surface 522, a regulating portion 523 for hanging the outer peripheral side ing. また、フレーム保持部材52には、外周には4個のクランプ53が周方向に互いに等角度をもって配設されている。 Further, the frame holding member 52 is disposed with an equal angles to each other to the four clamp 53 in the circumferential direction on the outer circumference. このように構成されたフレーム保持部材52は、上記4本の支持柱51の上端面上に被支持面522を載置し、図示しない固定手段によって固定される。 The frame holding member 52 configured in this way, by placing the supported surface 522 on the upper end surface of the four supporting pillars 51, is fixed by fixing means (not shown).

上記4個のテープ挟持手段6は、上記固定基台40に形成された案内溝41、41上に配設されている。 The four tape clamping means 6 is disposed on the guide grooves 41, 41 formed in the fixed base 40. 即ち、4個のテープ挟持手段6は、周方向に互いに等角度をもって配設されている。 That is, the four tape clamping means 6 in the circumferential direction are disposed with an equal angle to each other. このように配設されたテープ挟持手段6は、それぞれL字状に形成された可動基台61と、該可動基台61に上下方向に移動可能に装着された第1の挟持機構62および第2の挟持機構63と、該第1の挟持機構62および第2の挟持機構63をそれぞれ上下方向に移動せしめる第1の移動機構64および第2の移動機構65とを具備している。 Thus arranged tape clamping mechanism 6 includes a movable base 61 which is formed in an L-shape, respectively, the first holding mechanism 62 and the movably mounted in the vertical direction movable Domotodai 61 and 2 clamping mechanism 63, and a first moving mechanism 64 and the second moving mechanism for moving the first clamping mechanism 62 and the second holding mechanism 63 in the upper and lower direction 65. 可動基台61は、移動部611と、該移動部611の上面から立設して形成された支持部612とからなっている。 Movable base 61 includes a mobile unit 611 consists of a support portion 612 which is formed by upright from the upper surface of the mobile unit 611. 移動部611の下面には上記案内溝41に嵌合する被案内レール611aが設けられており、この被案内レール611aを案内溝41に嵌合することにより、可動基台61は円盤状の固定基盤40に案内溝41に沿って径方向に移動可能に構成される。 The lower surface of the moving portion 611 is guided 611a rail is provided which fits into the guide groove 41, by fitting the 611a-be-guided rails in the guide groove 41, the movable base 61 is disk-shaped fixed movable in a radial direction along the guide groove 41 in base 40. また、移動部611には、雌ネジ611bが貫通して形成されている。 Further, the moving unit 611, a female screw 611b is formed through. 上記支持部612の内側の面(互いに対向する側の面)には上下方向に延びる案内レール612aが設けられており、外側の面には上下方向に延びる長溝612bが形成されている。 The surface (the surface of the opposite sides) inside of the supporting portion 612 is provided with guide rails 612a extending in the vertical direction, the outer surface is formed with a long groove 612b extending in the vertical direction. また、案内レール612aには、内側の面から上記長溝612bに達し上下方向に延びる長穴612cが形成されている。 Further, the guide rails 612a, the long hole 612c are formed to extend in the vertical direction extends from the inner surface to the long groove 612b.

上記第1の挟持機構62は、上記可動基台61の支持部612に設けられた案内レール612aに沿って移動可能に配設された支持アーム621と、該支持アーム621に取り付けられた挟持部材622とからなっている。 The first clamping mechanism 62 includes a support arm 621 which is arranged to be movable along the guide rails 612a provided on the support portion 612 of the movable base 61, clamping member mounted to the support arms 621 It is made from 622 Metropolitan. 支持アーム621の基端には上記案内レール612aと嵌合する被案内溝621aが設けられており、この被案内溝621aを案内レール612aに嵌合することにより、支持アーム621は可動基台61の支持部612に案内レール612aに沿って上下方向に移動可能に構成される。 The proximal end of the support arm 621 is guided grooves 621a is provided for mating with the guide rails 612a, by the slidable engagement of the guided grooves 621a in the guide rail 612a, the support arm 621 is movable base 61 movable in the vertical direction along the supporting portion 612 to the guide rail 612a. また、支持アーム621の基部には雌ネジ631bを備えた雌ネジブロック631cが設けられており、この雌ネジブロック621cが上記長穴612cを挿通して配設される。 Moreover, the base of the support arm 621 is provided with a female screw block 631c having a female screw 631b, the female screw block 621c is disposed by inserting the long hole 612c. 上記挟持部材622は、上記半導体ウエーハ10の半径より僅かに大きい曲率半径を持って形成されており、その上端面(後述する第2の挟持機構63の挟持部材と対向する面)にはゴム等の摩擦係数の大きい摩擦部材623が装着されている。 The clamping member 622 is formed with a slightly larger radius of curvature than the radius of the semiconductor wafer 10, such as rubber on its upper surface (clamping member which faces the second holding mechanism 63 to be described later) greater friction member 623 of the friction coefficient is attached. このように構成された挟持部材622の背面には取り付け部材624が固着されており、この取り付け部材624が支持アーム631の先端にネジ625によって着脱可能に取り付けられる。 Thus is secured a mounting member 624 on the back of the configured clamping member 622, the attachment member 624 is detachably attached by screws 625 to the distal end of the support arm 631.

上記第2の挟持機構63は、上記可動基台61の支持部612に設けられた案内レール612aに沿って移動可能に配設された支持アーム631と、該支持アーム631に取り付けられた挟持部材632とからなっている。 The second clamping mechanism 63 includes a support arm 631 which is arranged to be movable along the guide rails 612a provided on the support portion 612 of the movable base 61, clamping member mounted to the support arms 631 It is made from 632. 支持アーム631の基端には上記案内レール612aと嵌合する被案内溝631aが設けられており、この被案内溝631aを案内レール612aに嵌合することにより、支持アーム631は可動基台61の支持部612に案内レール612aに沿って上下方向に移動可能に構成される。 The proximal end of the support arm 631 is guided grooves 631a is provided for mating with the guide rails 612a, by the slidable engagement of the guided grooves 631a in the guide rail 612a, the support arm 631 is movable base 61 movable in the vertical direction along the supporting portion 612 to the guide rail 612a. また、支持アーム631の基部には雌ネジ631bを備えた雌ネジブロック631cが設けられており、この雌ネジブロック631cが上記長穴612cを挿通して配設される。 Moreover, the base of the support arm 631 is provided with a female screw block 631c having a female screw 631b, the female screw block 631c is disposed by inserting the long hole 612c. 上記挟持部材632は、上記半導体ウエーハ10の半径より僅かに大きい曲率半径を持って形成されており、その下端面(上記第1の挟持機構62の挟持部材622と対向する面)には保持テープ30の表面に塗布された糊の付着を防止するためポリテトラフルオロエチレン等のブラスチック部材633が装着されている。 The clamping member 632, the semiconductor wafer 10 and from being formed with a slightly larger radius of curvature radius, holding tape on its lower end surface (clamping member 622 and the opposing surfaces of the first clamping mechanism 62) Brass tic member 633 such as polytetrafluoroethylene is mounted for preventing the adhesion of glue applied to the 30 surfaces. このように構成された挟持部材632の背面には取り付け部材634が固着されており、この取り付け部材634が支持アーム631の先端にネジ635によって着脱可能に取り付けられる。 Thus is secured a mounting member 634 on the back of the configured clamping member 632, the attachment member 634 is detachably attached by screws 635 to the distal end of the support arm 631.

上記第1の挟持機構62を上下方向に移動せしめる第1の移動機構64は、上記可動基台61の支持部612に形成された長溝612b内に案内レール612aと平行に配設され上記支持アーム621の基部に設けられた雌ネジブロック621cの雌ネジ621bと螺合する雄ネジロッド641と、可動基台61の支持部612に配設され雄ネジロッド641の一端部を回転可能に支持する軸受642と、雄ネジロッド641の他端に連結され雄ネジロッド641を回転駆動するためのパルスモータ643とからなっている。 The first moving mechanism 64 to the first holding mechanism 62 allowed to move in the vertical direction, the support arms disposed parallel to the guide rail 612a in a long groove 612b formed in the support portion 612 of the movable base 61 a female screw block 621c of the female screw 621b screwed to the male screw rod 641 provided on the base of 621, bearing 642 is disposed on the support portion 612 of the movable base 61 for rotatably supporting one end portion of the male screw rod 641 If consists of a pulse motor 643 Metropolitan for rotationally driving the male screw rod 641 is connected to the other end of the male screw rod 641. このように構成された第1の移動機構64は、パルスモータ643を駆動して雄ネジロッド641を回動することにより、第1の挟持機構62を案内レール612aに沿って上下方向に移動せしめる。 The first moving mechanism 64 configured as described above, by rotating the male screw rod 641 by driving the pulse motor 643, along the first clamping mechanism 62 to the guide rail 612a allowed to move in the vertical direction.

上記第2の挟持機構63を上下方向に移動せしめる第2の移動機構65は、上記第1の移動機構64と同様の構成で第1の移動機構64の上側に配設されている。 Second moving mechanism 65 for moving the second clamping mechanism 63 in the vertical direction is disposed on the upper side of the first moving mechanism 64 in the same structure as the first moving mechanism 64. 即ち、第2の移動機構65は、上記可動基台41の支持部612に形成された長溝612b内に案内レール612aと平行に配設され上記支持アーム631の基部に設けられた雌ネジブロック631cの雌ネジ631bと螺合する雄ネジロッド651と、可動基台61の支持部612に配設され雄ネジロッド651の一端部を回転可能に支持する軸受652と、雄ネジロッド651の他端に連結され雄ネジロッド651を回転駆動するためのパルスモータ653とからなっている。 That is, the second moving mechanism 65, the movable base 41 of the disposed parallel to the guide rail 612a in which is formed a long groove 612b of the supporting portion 612 the female screw block mounted on the base of the support arm 631 631c a male screw rod 651 to the female screw 631b is screwed, a bearing 652 for rotatably supporting one end portion of the disposed supporting portion 612 of the movable base 61 male screw rod 651 is connected to the other end of the externally threaded rod 651 It has a pulse motor 653 for rotating the male screw rod 651. このように構成された第2の移動機構65は、パルスモータ653を駆動して雄ネジロッド651を回動することにより、第2の挟持機構63を案内レール612aに沿って上下方向に移動せしめる。 The second moving mechanism 65 configured as described above, by rotating the male screw rod 651 by driving the pulse motor 653, along the second clamping mechanism 63 in the guide rail 612a allowed to move in the vertical direction.

上記4個のテープ挟持手段6をそれぞれ径方向に移動せしめる4個のテープ拡張手段7は、上記固定基台40の案内溝41、41に沿って配設されている。 The four tape nipping means 4 for moving 6 in the radial direction each tape expanding means 7 is arranged along the guide grooves 41 and 41 of the fixed base 40. このテープ拡張手段7は、案内溝41と平行に配設され上記可動基台61の移動部611に形成された雌ネジ611bと螺合する雄ネジロッド71と、固定基台40に配設され雄ネジロッド71の一端部を回転可能に支持する軸受72と、雄ネジロッド71の他端と連結され雄ネジロッド71を回転駆動するためのパルスモータ73とからなっている。 The tape extension means 7, a male screw rod 71 to the female screw 611b screwed formed on the moving part 611 of the disposed parallel to the guide groove 41 above the movable base 61 is disposed on the fixed base 40 male a bearing 72 for rotatably supporting one end of the threaded rod 71, which is a pulse motor 73 for rotationally driving the male screw rod 71 is connected to the other end of the male screw rod 71. このように構成されたテープ拡張手段は、パルスモータ73を駆動して雄ネジロッド71を回動することにより、テープ挟持手段6をそれぞれ径方向に移動せしめる。 The tape expanding means configured as described above, by rotating the male screw rod 71 by driving the pulse motor 73 and allowed to move the tape clamping means 6 in the radial direction, respectively.

図示の実施形態におけるウエーハの分割装置4は、フレーム保持手段5に保持された環状のフレーム3に装着された保持テープ30に貼着されているウエーハの下方からイオン化されたエアーを供給してウエーハに帯電している静電気を除去する除電手段8を具備している。 Wafer dividing apparatus 4 in the illustrated embodiment, by supplying the ionized air from below the wafer is affixed to the support tape 30 mounted on an annular frame 3 held by the frame holding means 5 wafer are provided with a discharging means 8 for removing the static electricity on. 除電手段8は、イオン化したエアーを送出するイオン化エアー供給器81と、該イオン化エアー供給器81から送出されたイオン化したエアーを上記フレーム保持手段5に保持された環状のフレーム3に装着された保持テープ30に貼着されているウエーハに向けて噴出するイオン化エアー噴出管82とからなっている。 Discharging means 8 comprises a ionized air feeder 81 for delivering the air ionized, holding the air ionized sent from said ionization air feeder 81 mounted on the frame 3 of the annular held in the frame holding means 5 consists ionized air injection tube 82 which ejected toward the wafer is stuck to the tape 30.

図6および図7に示す実施形態におけるウエーハの分割装置4は以上のように構成されており、以下このウエーハの分割装置4を用いて実施するウエーハ破断工程について、図8および図9も参照して説明する。 6 and is constructed as described above wafer dividing apparatus 4 in the embodiment shown in FIG. 7, below the wafer wafer dividing step which is carried out by using the split device 4, also see FIGS. 8 and 9 It described Te.
上記図1、図4に示すように分割予定ライン101に沿って変質層110が形成された半導体ウエーハ10を保持テープ30を介して支持した環状のフレーム3を、図8の(a)に示すように半導体ウエーハ10を下側にして上記フレーム保持手段5を構成する環状のフレーム保持部材52の載置面521上に載置し、クランプ53によってフレーム保持部材52に固定する(ウエーハ支持工程)。 FIG 1, the annular frame 3 which is supported via a holding tape 30 of the semiconductor wafer 10 deteriorated layer 110 is formed along the dividing line 101 as shown in FIG. 4, shown in FIG. 8 (a) as the semiconductor wafer 10 and the lower side is placed on the placement surface 521 of the annular frame holding member 52 constituting the frame holding means 5 is fixed to the frame holding member 52 by the clamps 53 (wafer supporting step) . このとき、テープ挟持手段6を構成する第1の挟持機構62および第2の挟持機構63は、図8の(a)に示す待機位置に位置付けられている。 At this time, the first holding mechanism 62 and the second holding mechanism 63 constituting the tape clamping means 6 is positioned to the standby position shown in FIG. 8 (a).

半導体ウエーハ10を保持テープ30を介して支持した環状のフレーム3をフレーム保持部材52に保持したならば、テープ挟持手段6を構成する第1の挟持機構62および第2の挟持機構63を上下方向に移動する第1に移動機構64および第2の移動機構65を作動して、第1の挟持機構62を上方に作動するとともに第2の挟持機構63を下方に移動せしめる。 If holding the annular frame 3 which is supported via a holding tape 30 of the semiconductor wafer 10 to the frame holding member 52, the vertical direction the first holding mechanism 62 and the second holding mechanism 63 constituting the tape clamping means 6 by operating the moving mechanism 64 and the second moving mechanism 65 to the first to move to and allowed moving the second clamping mechanism 63 downward as well as actuating the first clamping mechanism 62 upward. この結果、図8の(b)に示すように互いに対向して配設された第1の挟持機構62を構成する挟持部材622に取り付けられた摩擦部材623と、第2の挟持機構63を構成する挟持部材632に取り付けられた摩擦部材633によって、保持テープ30における環状のフレーム3の内周と半導体ウエーハ10との間の領域を挟持する。 Configuration result, the first friction member 623 attached to the clamping member 622 which constitute the clamping mechanism 62 disposed to face each other as shown in FIG. 8 (b), the second clamping mechanism 63 by the friction member 633 attached to the clamping member 632, sandwiching the region between the inner and the semiconductor wafer 10 of the annular frame 3 in the holding tape 30. そして、上記除電手段8のイオン化エアー供給器81を作動して、イオン化エアー噴出管82からイオン化されたエアーを半導体ウエーハ10の表面a(下面)に供給し、半導体ウエーハ10の表面aに帯電されている静電気を除去する。 Then, by operating the ionized air feeder 81 of the discharging means 8 supplies the ionized air from the ionizing air injection tube 82 to the surface a (lower surface) of the semiconductor wafer 10, is charged to a surface a of the semiconductor wafer 10 the static electricity is removed.

以上のようにして、4個のテープ挟持手段6によって保持テープ30を挟持したならば、上記テープ拡張手段7を作動して4個のテープ挟持手段6をそれぞれ径方向外方に移動する。 As described above, if the clamp the support tape 30 by the four tape clamping means 6, moved by operating the tape expanding means 7 four tape clamping means 6 to the respective radially outward. 従って、環状のフレーム3に装着された保持テープ30は、図9に示すように4個のテープ挟持手段6によって放射状に拡張される。 Thus, support tape 30 mounted on an annular frame 3 is extended radially by four tape clamping mechanism 6, as shown in FIG. このとき、図示の実施形態においては、保持テープ30は挟持部材622と632に取り付けられた摩擦部材623と633によって挟持されているので、テープ挟持手段6に作用する力を確実に保持テープ30に伝えることができる。 At this time, in the illustrated embodiment, the holding tape 30 is sandwiched by the friction member 623 and 633 attached to the clamping member 622 and 632, to securely hold the tape 30 a force acting on the tape clamping mechanism 6 it is possible to tell. この結果、保持テープ30に貼着されている半導体ウエーハ10には、放射状に引張力が作用する。 As a result, the semiconductor wafer 10 is stuck to the support tape 30 a tensile force is applied radially. このように半導体ウエーハ10に放射状に引張力が作用すると、各分割予定ライン101に沿って形成された変質層110は強度が低下せしめられているので、半導体ウエーハ10は変質層110に沿って破断され個々の半導体チップ100に分割される。 With such tensile force to the semiconductor wafer 10 radially acts, since the deteriorated layer 110 formed along each dividing line 101 intensity is caused to decrease, the semiconductor wafer 10 along the deteriorated layers 110 break It is divided into individual semiconductor chips 100. なお、本発明者等の実験によると保持テープ30を5mm程度を引き伸ばしたときに半導体ウエーハ10を変質層110に沿って破断することができた。 Incidentally, it was possible to break in the semiconductor wafer 10 when the a holding tape 30 by experiments of the present inventors has been stretched about 5mm along the deteriorated layer 110. このように引き伸ばし量が少なくても分割することができるので、保持テープ30のたるみを低減できる。 Since it is possible to divide even with a small amount of extension can be reduced sagging of the holding tape 30. この後に、図示しないピックアップ手段のピックアップコレットによって半導体チップ100をピックアップし、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。 Thereafter, it picks up the semiconductor chip 100 by a pickup collet pickup means (not shown) to be conveyed to a tray or die bonding process (not shown).

上述したウエーハ破断工程においては、半導体ウエーハ10の表面10aを下側にして実施するので、半導体ウエーハ10が変質層110に沿って破断される際に飛散する微細な破片は自重で落下するため、半導体ウエーハ10の表面10aに形成されたデバイス102に付着することはない。 Since in the above-described wafer-dividing step, the carrying out surface 10a of the semiconductor wafer 10 and the lower, fine debris semiconductor wafer 10 from scattering when it is broken along the deteriorated layer 110 to fall under its own weight, It does not adhere to the device 102 formed on the surface 10a of the semiconductor wafer 10. また、上記実施形態においては、半導体ウエーハ10の表面10aにイオン化されたエアーが供給され半導体ウエーハ10の表面10aに帯電している静電気が除去されているので、半導体ウエーハ10が変質層110に沿って破断される際に飛散する微細な破片が静電気によってデバイス102に付着することもない。 In the above embodiment, since the static electricity air ionized on the surface 10a of the semiconductor wafer 10 is charged on the surface 10a of the semiconductor wafer 10 is supplied is removed, the semiconductor wafer 10 along the deteriorated layer 110 nor does it adhere to the device 102 by fine debris electrostatic scattered when it is broken Te.

本発明によるウエーハの分割方法によって個々のチップに分割される半導体ウエーハの斜視図。 Perspective view of a semiconductor wafer to be divided into individual chips by the wafer dividing method according to the present invention. 本発明によるウエーハの分割方法における変質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。 Main part perspective view of a laser processing apparatus for carrying out the deteriorated layer forming step in the wafer dividing method according to the present invention. 本発明によるウエーハの分割方法における変質層形成行程の一実施形態を示す説明図。 Explanatory view showing an embodiment of the deteriorated layer forming step in the wafer dividing method according to the present invention. 本発明によるウエーハの分割方法におけるウエーハ支持工程を実施したウエーハの斜視図。 Perspective view of a wafer embodying the wafer supporting step in the wafer dividing method according to the present invention. 本発明によるウエーハの分割方法における変質層形成行程の他の実施形態を示す説明図。 Explanatory view showing another embodiment of the deteriorated layer forming step in the wafer dividing method according to the present invention. 本発明に従って構成されたウエーハの分割装置の一実施形態を示す斜視図。 Perspective view showing an embodiment of a wafer dividing apparatus constructed in accordance with the present invention. 図6に示すウエーハの分割装置の構成部材を分解して示す斜視図。 It exploded perspective view showing the components of the wafer dividing apparatus shown in FIG. 図6に示すウエーハの分割装置を構成するフレーム保持部材に環状のフレームを保持した状態と、フレーム保持部材に保持された環状のフレームに装着された保持テープをテープ挟持手段によって挟持した状態を示す説明図。 Shows the state of holding the annular frame to the frame holding member constituting the dividing apparatus of the wafer shown in FIG. 6, a state in which the sandwiching by the tape clamping means holding tape mounted on an annular frame held by the frame holding member illustration. 図6に示すウエーハの分割装置を構成する拡張手段を作動し保持テープを拡張している状態を示す説明図。 Illustration actuating the expansion means constituting showing a state in which extends the support tape a segmenting device wafer shown in FIG.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

2:レーザー加工装置 21:レーザー加工装置のチャックテーブル 22:レーザー光線照射手段 23:撮像手段 3:環状のフレーム 30:保持テープ 4:テープ拡張装置 40:固定基台 5:フレーム保持手段 51:支持柱 52:環状のフレーム保持部材 53:クランプ 6:テープ保持手段 61:可動基台 62:第1の挟持機構 621:支持アーム 622:挟持部材 623:摩擦部材 63:第2の挟持機構 631:支持アーム 632:挟持部材 633:摩擦部材 64:第1の移動機構 641:雄ネジロッド 643:パルスモータ 65:第2の移動機構 651:雄ネジロッド 653:パルスモータ 7:テープ拡張手段 71:雄ネジロッド 73:パルスモータ 8:除電手段 81:イオン化エアー供給器 82:イオン化エアー 2: laser processing apparatus 21: a chuck table 22 of the laser processing device: laser beam irradiation means 23: image pickup means 3: the annular frame 30: support tape 4: tape expanding device 40: fixing base 5: the frame holding means 51: support column 52: annular frame holding member 53: clamp 6: tape holding means 61: the movable base 62: first holding mechanism 621: support arms 622: clamping member 623: friction member 63: second holding mechanism 631: support arms 632: clamping member 633: friction member 64: first moving mechanism 641: the male screw rod 643: pulse motor 65: second moving mechanism 651: the male screw rod 653: the pulse motor 7: tape expanding means 71: male screw rod 73: pulse motor 8: discharging device 81: ionization air supply 82: ionized air 出管 10:半導体ウエーハ 100:半導体チップ 101:分割予定ライン 102:デバイス 110:変質層 Extraction pipe 10: semiconductor wafer 100: a semiconductor chip 101: dividing lines 102: Device 110: altered layer

Claims (4)

  1. 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成され内部に複数の分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハを、環状のフレームに装着された保持テープに裏面が貼着され状態で複数の分割予定ラインに沿って破断するウエーハの分割方法であって、 Wafer in which a plurality of dividing lines is deteriorated layer along a plurality of division lines inside the device is formed into a plurality of areas are sectioned by a plurality of dividing lines formed with formed in a lattice pattern on the surface and a wafer dividing method in which the back surface holding tape mounted on an annular frame broken along a plurality of division lines in a state being adhered,
    保持テープを介してウエーハを支持した環状のフレームをウエーハの表面を下側にして保持した状態で、ウエーハに変質層が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを分割予定ラインに沿って破断する、 An annular frame supporting the wafer through the holding tape surface of the wafer while holding in the lower, external force was applied along the dividing lines affected layer formed on the wafer, the wafer dividing lines to break along the,
    ことを特徴とするウエーハの分割方法。 Wafer dividing method, characterized in that.
  2. 環状のフレームに装着された保持テープに裏面が貼着されたウエーハの表面にイオン化されたエアーを供給し、ウエーハに帯電している静電気を除去する、請求項1記載のウエーハの分割方法。 Supplying air to the rear surface to support tape mounted on the annular frame is ionized adhered surface of the wafer, removing the static electricity on the wafer, the wafer dividing method according to claim 1, wherein.
  3. 環状のフレームに装着された保持テープに裏面が貼着されたウエーハに分割予定ラインに沿って付与する外力は、保持テープを拡張することによって付与する、請求項1又は2記載のウエーハの分割方法。 External force is back surface holding the tape mounted on the annular frame applied along the bonded been wafer dividing lines is provided by extending the holding tape, the method of division according to claim 1 or 2, wherein the wafer .
  4. 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成され内部に複数の分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハを、環状のフレームに装着された保持テープに裏面が貼着され状態で複数の分割予定ラインに沿って破断するウエーハの分割装置において、 Wafer in which a plurality of dividing lines is deteriorated layer along a plurality of division lines inside the device is formed into a plurality of areas are sectioned by a plurality of dividing lines formed with formed in a lattice pattern on the surface the, in the dividing device wafer is backside holding tape mounted on an annular frame broken along a plurality of division lines in a state being adhered,
    該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、 A frame holding means for holding the annular frame,
    該フレーム保持手段に保持された環状のフレームに装着された保持テープを拡張するテープ拡張手段と、該フレーム保持手段に保持された環状のフレームに装着された保持テープに貼着されているウエーハの下方からイオン化されたエアーを供給し、ウエーハに帯電している静電気を除去する除電手段と、を具備している、 A tape expanding means for expanding the support tape mounted on the annular frame held by the frame holding means, the wafer is affixed to a support tape mounted on the annular frame held by the frame holding means supplying ionized air from below, and comprising: a charge removing means for removing static electricity from the wafer, and
    ことを特徴とするウエーハの分割装置。 Wafer dividing device, characterized in that.
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