JP7030469B2 - Tape expansion device and tape expansion method - Google Patents
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Description
本発明は、接着フィルム(DAF:Die Attach Film)が貼着された半導体ウェーハ等の板状の被加工物を多数の半導体チップ等に分割する際に用いるテープ拡張装置及びテープ拡張方法に関する。 The present invention relates to a tape expansion device and a tape expansion method used when a plate-shaped workpiece such as a semiconductor wafer to which an adhesive film (DAF: Die Attach Film) is attached is divided into a large number of semiconductor chips and the like.
半導体デバイス製造工程においては、半導体ウェーハ等の板状の被加工物を分割する分割装置が用いられる。この種の分割装置として、被加工物の内部に分割予定ラインに沿う改質層をレーザー加工によって連続的に形成し、外力を加えることによって、強度が低下している改質層を起点として被加工物を分割するものが知られている(例えば、特許文献1参照)。 In the semiconductor device manufacturing process, a dividing device for dividing a plate-shaped workpiece such as a semiconductor wafer is used. As this type of dividing device, a modified layer along the planned division line is continuously formed inside the workpiece by laser processing, and the modified layer whose strength is reduced by applying an external force is used as a starting point. Those that divide a work piece are known (see, for example, Patent Document 1).
被加工物の分割の際に外力を加える手段として、被加工物の裏面に貼着したエキスパンドテープを拡張させるテープ拡張装置が知られている。エキスパンドテープの拡張によって被加工物に対して拡張方向の力が加わり、被加工物が分割予定ラインに沿って破断される。この種の拡張装置で、エキスパンドテープの粘着剤を冷却硬化させた状態でエキスパンドテープの拡張と被加工物の分割を行い、次いで、加熱手段へ搬送して、拡張により弛んだエキスパンドテープを加熱して収縮させるものが知られている(例えば、特許文献2参照)。特に、ダイボンディング用の接着フィルムであるDAFが貼着されている被加工物では、冷却によりDAFを硬化させることで、エキスパンドテープ拡張時の分割効率が著しく向上する。 As a means for applying an external force when dividing a work piece, a tape expansion device for expanding an expanded tape attached to the back surface of the work piece is known. The expansion of the expanded tape applies a force in the expansion direction to the work piece, and the work piece is broken along the planned division line. In this type of expansion device, the expansion tape is expanded and the work piece is divided while the adhesive of the expand tape is cooled and cured, and then the work piece is transferred to a heating means to heat the expanded tape loosened by the expansion. (See, for example, Patent Document 2). In particular, in the workpiece to which the DAF, which is an adhesive film for die bonding, is attached, the DAF is cured by cooling, so that the division efficiency at the time of expanding the expanded tape is remarkably improved.
上記のようなエキスパンドテープの拡張装置や拡張方法では、被加工物の分割後にエキスパンドテープが弛んだ状態で加熱手段まで搬送するので、分離された状態のデバイス(半導体チップ等)が搬送時に動いて相互干渉し、エッジチッピングが発生してしまうおそれがあった。 In the expand tape expansion device and expansion method as described above, the expanded tape is transported to the heating means in a loosened state after the workpiece is divided, so that the separated device (semiconductor chip, etc.) moves during transport. There was a risk of mutual interference and edge chipping.
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、エキスパンドテープを拡張してウェーハの分割を行うテープ拡張装置及びテープ拡張方法で、エッジチッピング等を抑制した良好な分割を実現することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a problem, and it is possible to realize good division in which edge chipping and the like are suppressed by a tape expansion device and a tape expansion method for expanding an expanded tape to divide a wafer. The purpose.
本発明は、複数の分割予定ラインによって区画された領域に複数のデバイスが形成されたウェーハが貼着されるとともに外周部が環状フレームに装着されたエキスパンドテープを拡張するためのテープ拡張装置であって、エキスパンドテープに貼着されたウェーハが鉛直下向きに向いた状態で、環状フレームをテープ拡張装置に搬入する搬入出機構と、エキスパンドテープに貼着されたウェーハが鉛直下向きに向いた状態で環状フレームを上面に保持するフレーム保持手段と、フレーム保持手段とウェーハの外周縁との間でエキスパンドテープを上方から環状に押圧して拡張し、分割起点に沿ってウェーハを分割する押圧手段と、環状の押圧手段の内周側に昇降可能に配設され、エキスパンドテープを介してウェーハ全面にわたって当接する当接面に吸引孔を有する冷却テーブルと、フレーム保持手段とウェーハの外周縁との間で伸長したエキスパンドテープを加熱して収縮させる加熱手段と、を備えることを特徴とする。 The present invention is a tape expansion device for expanding an expanded tape having a wafer having a plurality of devices formed on a region partitioned by a plurality of planned division lines and having an outer peripheral portion mounted on an annular frame. Then, the loading / unloading mechanism for loading the annular frame into the tape expansion device with the wafer attached to the expanding tape facing vertically downward, and the annular state with the wafer attached to the expanding tape facing vertically downward. A frame holding means for holding the frame on the upper surface, a pressing means for expanding the expanding tape by pressing the expand tape from above between the frame holding means and the outer peripheral edge of the wafer in an annular shape, and a pressing means for dividing the wafer along a split starting point, and an annular shape. A cooling table that is vertically movable on the inner peripheral side of the pressing means and has a suction hole on the contact surface that abuts over the entire surface of the wafer via the expand tape, and extends between the frame holding means and the outer peripheral edge of the wafer. It is characterized by comprising a heating means for heating and shrinking the expanded tape.
本発明はまた、上記のテープ拡張装置を用いるテープ拡張方法であって、ウェーハが鉛直下向きに向いた状態で、冷却テーブルの当接面の下方にエキスパンドテープの裏面が位置するように環状フレームを保持する保持ステップと、保持ステップを実施した後に、冷却テーブルの当接面にエキスパンドテープの裏面を当接させ、吸引孔に吸引力を作用させエキスパンドテープを冷却するエキスパンドテープ冷却ステップと、フレーム保持手段と押圧手段とを相対移動させてエキスパンドテープを拡張するエキスパンドテープ拡張ステップと、冷却テーブルの当接面をエキスパンドテープ裏面に当接させて吸引孔に吸引力を作用させた状態で、フレーム保持手段とウェーハの外周縁との間で伸長したエキスパンドテープを加熱手段により加熱して収縮させる加熱ステップと、を有することを特徴とする。 The present invention is also a tape expansion method using the above-mentioned tape expansion device, in which an annular frame is provided so that the back surface of the expanded tape is located below the contact surface of the cooling table with the wafer facing vertically downward. A holding step for holding, an expanded tape cooling step in which the back surface of the expanding tape is brought into contact with the contact surface of the cooling table after the holding step is performed, and a suction force is applied to the suction holes to cool the expanded tape, and a frame holding. The frame is held in a state where the expanding tape expansion step for expanding the expanded tape by relatively moving the means and the pressing means and the contact surface of the cooling table are brought into contact with the back surface of the expanding tape to apply suction force to the suction holes. It is characterized by having a heating step of heating and shrinking the expanded tape extended between the means and the outer peripheral edge of the wafer by the heating means.
以上のテープ拡張装置及びテープ拡張方法によれば、冷却テーブルによってエキスパンドテープを冷却させてウェーハを分割する工程から、エキスパンドテープの弛みを加熱収縮で減少させる工程までを、冷却テーブルやフレーム保持手段を備える共通のステージで行う。そのため、エキスパンドテープが弛んだ状態でのウェーハの搬送を行わずに済み、エッジチッピング等の原因となるデバイスの動きを極力抑えることができる。また、エキスパンドテープに対する冷却分割用と加熱収縮用のステージを共通にすることで装置のフットプリントを小さくでき、スペース効率の向上を図ることができる。 According to the above tape expansion device and tape expansion method, the cooling table and the frame holding means can be used from the process of cooling the expanded tape with the cooling table to divide the wafer to the process of reducing the slack of the expanded tape by heating shrinkage. Prepare on a common stage. Therefore, it is not necessary to transfer the wafer in a loosened state of the expanded tape, and the movement of the device that causes edge chipping or the like can be suppressed as much as possible. Further, by sharing the stage for cooling division and the stage for heat shrinking with respect to the expanded tape, the footprint of the device can be reduced and the space efficiency can be improved.
以上のように、本発明のテープ拡張装置及びテープ拡張方法によれば、ウェーハに対して、エッジチッピング等を抑制した良好な分割を実現することができる。 As described above, according to the tape expansion device and the tape expansion method of the present invention, it is possible to realize good division of the wafer while suppressing edge chipping and the like.
以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係るテープ拡張装置及びテープ拡張方法について説明する。図1から図5はテープ拡張装置における各工程を順番に示したものであり、図6はテープ拡張装置の一部の構成要素を上面視したものである。以下の説明では、鉛直上向きの方向を上方、鉛直下向きの方向を下方とする。なお、テープ拡張装置はこの構成に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内で適宜変更することが可能である。 Hereinafter, the tape expansion device and the tape expansion method according to the present embodiment will be described with reference to the accompanying drawings. 1 to 5 show each process in the tape expansion device in order, and FIG. 6 shows a top view of a part of the components of the tape expansion device. In the following description, the vertically upward direction is referred to as upward, and the vertically downward direction is referred to as downward. The tape expansion device is not limited to this configuration, and can be appropriately changed within the scope of the gist of the invention.
本実施の形態のテープ拡張装置20は、ウェーハユニット10を構成する環状フレーム11を保持し、環状フレーム11が支持するエキスパンドテープ12を拡張させることによって、エキスパンドテープ12に貼着されたDAF(Die Attach Film)17及びウェーハ13を分割させるものである。DAF17は粘着性を有する接着フィルムであり、ウェーハ13の裏面側に積層されている。ウェーハ13はDAF17を介してエキスパンドテープ12に貼着される。エキスパンドテープ12のうちウェーハ13及びDAF17が支持される側を表面、その反対側を裏面とする。
The
環状フレーム11は金属で形成された環状体であり、環状フレーム11の中央には、弾性変形可能なエキスパンドテープ12によって覆われる円形状の開口14が形成されている。エキスパンドテープ12の外周部分が環状フレーム11の裏面側に固定されており、環状フレーム11と重ならない開口14の内側領域で、エキスパンドテープ12がウェーハ13の裏面側のDAF17に貼着されている。ウェーハ13の外周縁と環状フレーム11の内周縁(開口14の縁部)との間に径方向の隙間がある。
The
ウェーハ13は半導体デバイスウェーハ等である。ウェーハ13の表面には格子状に交差する複数の分割予定ライン(図示略)が設けられており、分割予定ラインによって区画された各領域に半導体チップ等のデバイスが形成されている。また、ウェーハ13の内部には、分割予定ラインに沿って分割起点となる改質層15(図1から図3参照)が形成されている。改質層15は、レーザーの照射によってウェーハ13の内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下した領域である。なお、本実施の形態では分割起点として改質層15を例示するが、分割起点はウェーハ13の強度を低下させて分割時の起点になればよく、例えば、レーザー加工溝、切削溝、スクライブラインでもよい。
The
図1から図5に示すように、テープ拡張装置20は、基台21と、フレーム保持手段22と、押圧手段23と、冷却テーブル24と、仮置きステージ25と、フレーム把持爪26と、加熱手段27と、を備えている。基台21はテープ拡張装置20の各部分を支持する非可動部分であり、図1から図5に示す上方基台部21Aと下方基台部21Bは基台21全体の一部を構成するものである。
As shown in FIGS. 1 to 5, the
フレーム保持手段22は、ウェーハユニット10の環状フレーム11を下方から保持可能な上面30と、環状フレーム11の開口14に対応する大きさの開口31と、を備えた環状の形状を有している。フレーム保持手段22は、昇降駆動機構32を介して上下方向に昇降可能に支持されている。昇降駆動機構32は下方基台部21Bに支持されており、上方に向けて延出された支持ロッド33の先端にフレーム保持手段22を支持している。昇降駆動機構32に内蔵したモータやアクチュエータの駆動によって支持ロッド33の突出量を変化させて、フレーム保持手段22を昇降させることができる。
The
押圧手段23は、ウェーハ13よりも大径で且つ環状フレーム11の開口14の内周縁よりも小径である環状の形状を有し、先端を下方に向けて上方基台部21Aに支持されている。押圧手段23は上方基台部21Aに対して固定されており、上下方向への移動を行わない。押圧手段23の下面(先端)には、複数のローラー35が全周にわたって転動可能に設けられている。
The pressing
冷却テーブル24は環状の押圧手段23の内周側に位置しており、上側に位置する上部支持体36と、下側に位置する下部支持体37とを重ねて構成されている。図1中に冷却テーブル24の一部を拡大して示した。上部支持体36の下面には、下方に向けて突出する円環状の突出部である環状突出部36aが形成されている。環状突出部36aの内周側には円形状の凹部36bが形成されている。上部支持体36と下部支持体37は、環状突出部36aを下部支持体37の上面に当接させた状態で組み合わされる。凹部36bが存在する径方向の中央部分では、上部支持体36と下部支持体37が互いに離間して隙間が形成される。
The cooling table 24 is located on the inner peripheral side of the
冷却テーブル24における下部支持体37の下面側には板状メッシュ材38が設けられる。板状メッシュ材38の直径はウェーハ13の直径と略同じであり、板状メッシュ材38の全体に複数の微細な吸引孔38a(図1における冷却テーブル24の拡大部分を参照)が形成されている。また、下部支持体37の下面には、板状メッシュ材38の外周側の領域に、環状の吸引溝39が形成されている。
A plate-shaped
冷却テーブル24を構成する上部支持体36と下部支持体37と板状メッシュ材38はそれぞれ熱伝導性に優れた金属によって形成される。本実施の形態における上部支持体36と下部支持体37はアルミニウムで形成され、板状メッシュ材38はステンレス鋼材で形成されている。なお、冷却テーブル24を構成する各部の材質はこれに限られるものでない。
The
冷却テーブル24の下面(当接面)側に吸引力を作用させる吸引手段40と吸引手段41を備える。吸引手段40は、吸引源40aから板状メッシュ材38まで続く吸引路を有し、該吸引路の途中に制御弁40bを備えている。吸引源40aを駆動させて制御弁40bを連通状態にさせると、板状メッシュ材38の複数の吸引孔38aに吸引力が働く。制御弁40bを非連通状態にすると、板状メッシュ材38の吸引孔38aには吸引力が作用しなくなる。吸引手段41は、吸引源41aから吸引溝39まで続く吸引路を有し、該吸引路の途中に制御弁41bを備えている。吸引源41aを駆動させて制御弁41bを連通状態にさせると、吸引溝39に吸引力が働く。制御弁41bを非連通状態にすると、吸引溝39には吸引力が作用しなくなる。すなわち、冷却テーブル24では板状メッシュ材38と吸引溝39に対して個別に吸引力のオンオフを行うことができる。
A suction means 40 and a suction means 41 for applying a suction force are provided on the lower surface (contact surface) side of the cooling table 24. The suction means 40 has a suction path extending from the
冷却テーブル24は冷却手段42によって冷却される。冷却手段42は、上部支持体36の上面中央に接続する冷却伝達部43を有し、冷却源(図示略)によって冷却伝達部43を冷却(低温)状態にさせることができる。冷却手段42における冷却源はどのようなものでもよい。例えば、冷却方式として、コンプレッサーを用いるタイプやペルチェ素子を用いるタイプ等を適宜選択可能である。また、冷却源を設ける位置は、冷却伝達部43の上部であってもよいし、冷却伝達部43から離れた位置であってもよい。冷却伝達部43から離れた位置に冷却源を配置する場合は、冷却源から冷却伝達部43まで管路を通じて冷気を導くことができる。
The cooling table 24 is cooled by the cooling means 42. The cooling means 42 has a
冷却手段42において冷却伝達部43が冷却されると、冷却伝達部43が接続する上部支持体36の中央付近から上部支持体36の外周方向へ向けて放射状に冷却状態が伝播し、上部支持体36の外周近くに位置する環状突出部36aを通じて下部支持体37に冷却状態が伝播する。下部支持体37では上部支持体36と逆に、環状突出部36aに接触している外周側から中央に向けて冷却状態が伝播する。従って、冷却テーブル24では径方向の略全体を均等に冷却させることができる。下部支持体37の冷却に伴って、下部支持体37の下面に設けた板状メッシュ材38も冷却される。上部支持体36と下部支持体37と板状メッシュ材38はそれぞれ熱伝導性に優れた金属で形成されているため、迅速且つ効率的に冷却することができる。
When the
冷却テーブル24は、昇降駆動機構50を介して上下方向に昇降可能に支持されている。昇降駆動機構50は上方基台部21Aの下面側に支持されており、下方に向けて延出された支持ロッド51の先端に冷却テーブル24を支持している。昇降駆動機構50に内蔵したモータやアクチュエータの駆動によって支持ロッド51の突出量を変化させて、冷却テーブル24を昇降させることができる。冷却テーブル24を上方に移動させると、図4に示すように、環状である押圧手段23の内側に冷却テーブル24が引き込まれて、板状メッシュ材38の下面をローラー35の先端(下端)よりも上方に位置させることができる。冷却手段42の冷却伝達部43は、冷却テーブル24と共に昇降する。
The cooling table 24 is supported so as to be able to move up and down in the vertical direction via the lifting
上下方向における上方基台部21Aと下方基台部21Bの間の位置に一対の仮置きステージ25が設けられている。図6に示すように、各仮置きステージ25は、水平方向に延びる細長形状を有しており、互いに略平行に配置されている。一対の仮置きステージ25はそれぞれ、ステージ駆動機構55によって、水平方向と上下方向に移動させることができる。図面ではステージ駆動機構55を模式的に示しているが、ステージ駆動機構55は水平方向駆動用のアクチュエータと上下方向駆動用のアクチュエータ等を備えている。水平方向の移動によって一対の仮置きステージ25の間隔が変更され、図1及び図6に示す接近位置にある一対の仮置きステージ25上に、ウェーハユニット10の環状フレーム11を支持することができる。各仮置きステージ25は環状フレーム11の外縁部を支持可能な上下2段の支持段部を有している。各支持段部は環状フレーム11を下方から支持する支持面25a、25bを有しており、支持面25a、25bの側方に上下方向へ延びる壁部25cが形成されている。一対の仮置きステージ25の壁部25cの間に環状フレーム11を挟持することによって、ウェーハユニット10の水平方向の位置を定めることができる。図6に示すように、フレーム保持手段22は、接近位置にある一対の仮置きステージ25に対して干渉せずに昇降可能な形状を有している。
A pair of temporary placement stages 25 are provided at positions between the
図示を省略する搬入出機構を用いて、テープ拡張装置20へのウェーハユニット10の搬入とテープ拡張装置20からのウェーハユニット10の搬出とを行う。搬入及び搬出の際には、搬入出機構と仮置きステージ25との間でウェーハユニット10の受け渡しが行われる。
The
フレーム把持爪26は周方向に位置を異ならせて複数設けられている。個々のフレーム把持爪26は基台21に対して回動可能に支持されており、回動によって把持解除位置(図1、図2、図4、図5、図6の一点鎖線)と把持位置(図3、図6の実線)とに動作することができる。フレーム把持爪26は、把持解除位置ではウェーハユニット10の保持に関与せず、把持位置では環状フレーム11の外縁付近を下方から保持可能になる。図6に示すように、周方向のうちフレーム把持爪26が存在している領域では、環状をなすフレーム保持手段22が部分的に切り欠かれた形状になっており、フレーム保持手段22はフレーム把持爪26と干渉せずに昇降可能である。
A plurality of
加熱手段27は、上端部分から高温の温風を噴出することによってエキスパンドテープ12に対する熱供給を行う温風ヒーターである。周方向に位置を異ならせて複数の加熱手段27が配置されている。各加熱手段27は、径方向において、フレーム保持手段22よりも内径側且つ冷却テーブル24よりも外径側に位置しており、上下方向には押圧手段23や冷却テーブル24よりも下方に位置している。各加熱手段27は、昇降駆動機構56を介して上下方向に昇降可能に支持されている。昇降駆動機構56は下方基台部21Bに支持されており、上方に向けて延出された支持ロッド57の先端に加熱手段27を支持している。昇降駆動機構56に内蔵したモータやアクチュエータの駆動によって支持ロッド57の突出量を変化させて、加熱手段27を昇降させることができる。
The heating means 27 is a hot air heater that supplies heat to the expanding
以上の構成を備えたテープ拡張装置20によってウェーハ13の分割を行う工程を説明する。まず、分割起点となる改質層15を予めレーザー加工等によってウェーハ13に形成した上で、図示を省略する搬入出機構を用いてウェーハユニット10をテープ拡張装置20に搬送する。このとき、図1に示すように、ウェーハユニット10は、DAF17を介してエキスパンドテープ12に貼着されたウェーハ13を鉛直下向きにした状態で、接近位置にある一対の仮置きステージ25の下側の支持段部(支持面25a)に環状フレーム11が支持される。一対の仮置きステージ25の壁部25cによって環状フレーム11の外縁部が挟まれてウェーハユニット10の位置が定まる。より詳しくは、図1に示すように、環状フレーム11の開口14とウェーハ13の外縁部との間の環状の領域(エキスパンドテープ12が環状フレーム11とウェーハ13及びDAF17のいずれにも貼着されていない領域)が、環状の押圧手段23の下方に位置する。また、環状フレーム11の下方にフレーム保持手段22の上面30が位置し、環状フレーム11とウェーハ13の間のエキスパンドテープ12の露出部分の下方に加熱手段27が位置する。フレーム保持手段22と加熱手段27はそれぞれ、ウェーハユニット10に対して下方に離間した待機状態の位置に保持されている。冷却テーブル24は、板状メッシュ材38の下面がローラー35の先端と略同じ上下方向位置になるように位置設定される。
The process of dividing the
続いて、保持ステップを実施する。図2に示すように、保持ステップでは、昇降駆動機構32を駆動して、フレーム保持手段22を図1に示す下方の待機位置から上方に移動させる。フレーム保持手段22は接近位置にある一対の仮置きステージ25とは重ならない形状を有しているため(図6参照)、仮置きステージ25に妨げられずにフレーム保持手段22が上昇することができる。そして、フレーム保持手段22の上面30が環状フレーム11の下面に当接して、フレーム保持手段22がウェーハユニット10を上方に押し上げる。フレーム保持手段22による環状フレーム11の押し上げが行われる段階で、ステージ駆動機構55を駆動して一対の仮置きステージ25を水平方向に離間させる(図2参照)。フレーム保持手段22は、エキスパンドテープ12の裏面が冷却テーブル24の下面に当接する位置まで上昇される。フレーム保持手段22が当該位置まで上昇したら、フレーム把持爪26を把持解除位置から把持位置に回動させる。これにより、フレーム把持爪26が環状フレーム11を下方から保持した状態になる(図3参照)。環状フレーム11の保持をフレーム把持爪26に受け渡したら、昇降駆動機構32を駆動してフレーム保持手段22を下方に所定量移動させる(図3参照)。
Subsequently, a holding step is carried out. As shown in FIG. 2, in the holding step, the elevating
エキスパンドテープ12の裏面が冷却テーブル24の下面に当接する状態(図2、図3)でエキスパンドテープ冷却ステップを実施する。エキスパンドテープ冷却ステップでは、吸引手段40と吸引手段41をそれぞれ吸引状態にしながら、冷却手段42によって冷却テーブル24を冷却する。具体的には、吸引源40a、41aを駆動させて制御弁40b、41bを連通状態にすることによって、吸引手段40による吸引力が板状メッシュ材38の吸引孔38aに作用し、吸引手段41による吸引力が吸引溝39に作用する。冷却テーブル24の下面を構成する板状メッシュ材38はウェーハ13と略同径であり、板状メッシュ材38の下面全体が、エキスパンドテープ12のうちウェーハ13及びDAF17への貼着領域の裏面側に当接する。別言すれば、板状メッシュ材38の下面が、エキスパンドテープ12を介してウェーハ13及びDAF17の全面にわたって当接する。吸引溝39は、ウェーハ13及びDAF17の周縁領域でエキスパンドテープ12の裏面に対向する。そして、板状メッシュ材38の吸引孔38aと吸引溝39のそれぞれに作用する吸引手段40と吸引手段41の吸引力によって、エキスパンドテープ12の裏面が冷却テーブル24の下面に吸着保持される。
The expanding tape cooling step is carried out in a state where the back surface of the expanding
ウェーハユニット10のエキスパンドテープ12、ウェーハ13及びDAF17は、冷却状態にある冷却テーブル24の下面に吸着保持されることによって冷却される。先に述べたように、冷却テーブル24は径方向の略全体に亘って均等に冷却される構成を有している。また、冷却テーブル24の下面に設けた板状メッシュ材38の吸引孔38aと吸引溝39とに対して吸引力を及ぼすことにより、冷却テーブル24の下面の略全体にわたってエキスパンドテープ12が密着する。これにより、エキスパンドテープ12とウェーハ13とDAF17を偏り無く効率的に冷却することができる。冷却によって、分割対象であるウェーハ13とDAF17の伸縮性等の物性が変化し、且つエキスパンドテープ12の粘着剤とDAF17が硬化され、後述する分割工程(エキスパンドテープ12の拡張ステップ)でウェーハ13とDAF17を分割させやすくなる。冷却テーブル24の冷却状態(温度)は、エキスパンドテープ12やウェーハ13やDAF17材質や種類に応じた最適な分割効率が得られるように予め設定されている。
The expanding
図2や図3に示すように、エキスパンドテープ冷却ステップでは、冷却テーブル24の下面と押圧手段23に設けた複数のローラー35の下端とが略同じ高さ位置にあり、各ローラー35は、エキスパンドテープ12の裏面(環状フレーム11の開口14の内縁部とウェーハ13の外縁部との間の領域)に対して軽く接触した状態にある。また、フレーム把持爪26は、ウェーハ13と同じ高さ位置に環状フレーム11を保持している。従って、エキスパンドテープ12は、ウェーハ13に貼着される中央部分から環状フレーム11に貼着される外周部までの全体が平坦に保たれ、エキスパンドテープ12を拡張させる外力は作用しない。
As shown in FIGS. 2 and 3, in the expanding tape cooling step, the lower surface of the cooling table 24 and the lower ends of the plurality of
エキスパンドテープ12とウェーハ13とDAF17が十分に冷却されたら、エキスパンドテープ拡張ステップ(図4)を実施する。図4に示すように、エキスパンドテープ拡張ステップでは、制御弁40bと制御弁41bをそれぞれ非連通状態にして吸引手段40と吸引手段41による吸引を解除する。また、昇降駆動機構50を駆動して、冷却テーブル24を上方に移動させてエキスパンドテープ12の裏面から離間させる。これにより、冷却テーブル24への吸着が解除された状態で、エキスパンドテープ12を確実に拡張させることができる。
After the expanding
別の形態として、吸引手段40と吸引手段41をそれぞれ、吸引に加えて空気の噴出が可能な構成とした上で、図4のように冷却テーブル24を上方に移動させずに、吸引孔38aと吸引溝39から空気を噴出させながらエキスパンドテープ拡張ステップを実施することも可能である。空気の噴出によって冷却テーブル24へのエキスパンドテープ12の密着を防ぐことができる。
As another form, the suction means 40 and the suction means 41 are configured to be capable of ejecting air in addition to suction, respectively, and the
そして、昇降駆動機構32を駆動して、フレーム保持手段22を図3に示す位置から上方に高速で移動させる。フレーム保持手段22が所定量上昇すると、環状フレーム11に対して下方から上面30が当接して、フレーム保持手段22から環状フレーム11へ力が伝わる状態になる。フレーム把持爪26で保持されている環状フレーム11に対して下方に離間した位置(図3)からフレーム保持手段22の上昇を開始させることによって、環状フレーム11に対するフレーム保持手段22からの押し上げを高速で勢い良く行わせることができる。先に述べたように、フレーム保持手段22はフレーム把持爪26とは干渉しない形状になっているため、図3のようにフレーム把持爪26で環状フレーム11を保持したままの状態で、フレーム保持手段22の上面30を環状フレーム11に当接させることができる。フレーム保持手段22によって環状フレーム11が押し上げられる状態になると、フレーム把持爪26が把持位置から把持解除位置に回動される。
Then, the elevating
図4に示すように、環状フレーム11に上面30を当接させた状態のフレーム保持手段22がさらに上方に移動すると、環状フレーム11が押し上げられるのに対して、エキスパンドテープ12のうち環状フレーム11の内側に位置している領域は、環状の押圧手段23のローラー35に押し付けられて上方への移動が制限される(押圧手段23から環状に押圧力を受ける)。このフレーム保持手段22と押圧手段23の相対移動によって、エキスパンドテープ12におけるDAF17及びウェーハ13の貼着領域が引っ張られて径方向に拡張(伸長)される。すると、ウェーハ13とDAF17に対して拡径方向への外力が働き、ウェーハ13内に形成した改質層15(図1から図3)を起点として、ウェーハ13とDAF17の厚さ方向にクラックが生じる。クラックがウェーハ13の表面からDAF17の裏面(エキスパンドテープ12に貼着される面)を貫くまで外力を付与することで、分割予定ラインに沿う個々のチップ16及びDAF17に分割される(図4参照)。上述のように、冷却によってウェーハ13とDAF17の分割効率が向上しており、分割予定ラインに沿う確実な分割を行うことができる。特に、常温では分割させにくいDAF17を冷却により硬化させることが、分割効率の向上に極めて有効である。
As shown in FIG. 4, when the frame holding means 22 with the
ウェーハ13の分割を行うと、分割予定ラインに沿って破断された部分から分割屑が発生する。ウェーハ13とDAF17が鉛直下向きに設置されているため、分割屑は下方に自然落下し、分割後のチップ16(図4)の表面やエキスパンドテープ12への分割屑の付着を防ぐことができる。落下した分割屑は、図示を省略する回収手段によって回収される。
When the
ウェーハ13とDAF17の分割が完了したら、先のエキスパンドテープ拡張ステップ(図4参照)で上方に引き上げられていた冷却テーブル24を、冷却テーブル24の下面が押圧手段23の複数のローラー35の下端位置と概ね一致する高さ位置まで下降させる。すると、下部支持体37と板状メッシュ材38の下面がエキスパンドテープ12の裏面に当接する。この状態で、制御弁40bと制御弁41bを連通状態に切り替えて吸引手段40と吸引手段41によって吸引孔38aと吸引溝39に吸引力を作用させ、下部支持体37と板状メッシュ材38の下面にエキスパンドテープ12を密着させる。エキスパンドテープ12が冷却テーブル24側に密着されることによって、分割された各チップ16及びDAF17が離間した状態が維持される。なお、この段階では冷却手段42による冷却テーブル24の冷却は行わず、冷却テーブル24はエキスパンドテープ12の吸着のためにのみ用いる。
When the division of the
続いて昇降駆動機構32を駆動してフレーム保持手段22を下降させ、エキスパンドテープ12に対する拡張方向の外力付与を解除する。図5に示すように、エキスパンドテープ拡張ステップで伸長した後のエキスパンドテープ12には弛みが生じる。このエキスパンドテープ12の弛みは、吸引孔38aと吸引溝39からの吸引力で冷却テーブル24に密着している領域の外側、すなわち分割後のチップ16及びDAF17よりも外縁側の領域で、環状フレーム11に対して自重で下方に向けて垂れ下がる形状として出現する。
Subsequently, the elevating
続いて、エキスパンドテープ拡張ステップで伸長したエキスパンドテープ12を加熱収縮させる加熱ステップ(図5参照)を実施する。加熱手段27はエキスパンドテープ12の弛み部分の下方に位置しており、加熱に際して昇降駆動機構56を駆動して加熱手段27を上昇させてエキスパンドテープ12に近づける。そして、図5のようにエキスパンドテープ12との距離を適切にした状態で、加熱手段27から高温(一例として100℃以上)の温風をエキスパンドテープ12の弛み部分に向けて噴出させる。この温風で加熱されたエキスパンドテープ12が熱収縮して弛みが減少する。
Subsequently, a heating step (see FIG. 5) is performed in which the expanded
このとき、冷却テーブル24の下面の略全体にわたって吸引力が作用しているため、少なくとも吸引溝39が設けられている部分よりも内径側の領域では、エキスパンドテープ12は下方に向けて垂れ下がらずに冷却テーブル24側に密着されている。従って、熱収縮の対象となるエキスパンドテープ12の垂れ下がりを、加熱手段27によって効率的に加熱できる領域(ウェーハ13よりも外径側の領域)に確実に位置させることができる。また、分割後のチップ16及びDAF17が貼着されているエキスパンドテープ12の中央部分は、冷却テーブル24に密着されていて加熱による熱収縮の影響を受けにくいので、加熱時におけるチップ16同士の不規則な干渉等を防ぐことができる。
At this time, since the suction force acts on substantially the entire lower surface of the cooling table 24, the expand
なお、エキスパンドテープ12の弛みが大きい場合には、エキスパンドテープ12に対する吸引エリアを変化させながら段階的に加熱を行ってもよい。具体的には、まず吸引孔38aと吸引溝39の両方に吸引力を作用させた状態で、加熱手段27による第1段階の加熱を行う。続いて、吸引手段41による吸引溝39への吸引を解除すると、冷却テーブル24によるエキスパンドテープ12の吸着領域の減少に伴って、第1段階の加熱では除去し切れなかったエキスパンドテープ12の弛みの残余部分が下方への垂れ下がりとして現れる。エキスパンドテープ12の当該部分に対して、加熱手段27による第2段階の加熱を行う。このように段階的にエキスパンドテープ12を加熱すると、エキスパンドテープ12の弛みが大きい場合でも、エキスパンドテープ12を効率的且つ確実に熱収縮させることができる。
If the expanding
加熱手段27には、上方へ向けて吹き出される温風の範囲が拡散されるようなノズルを設けてもよい。また、温風の吹き出し方向を変化させることが可能な可変方向ノズルを加熱手段27に備えてもよい。これらの構成によって、加熱手段27による最適な加熱範囲を適宜設定することができる。 The heating means 27 may be provided with a nozzle that diffuses the range of the warm air blown upward. Further, the heating means 27 may be provided with a variable direction nozzle capable of changing the blowing direction of warm air. With these configurations, the optimum heating range by the heating means 27 can be appropriately set.
また、本実施の形態では、周方向に位置を異ならせて複数の加熱手段27を設けることによって、エキスパンドテープ12に対して周方向の広い範囲での加熱を実現している。変形例として、基台21に対して、昇降移動だけでなく周方向にも移動可能なように加熱手段27を支持させてもよい。これにより、環状の押圧手段23に対応する環状の領域全体でエキスパンドテープ12を加熱しやすくなる。
Further, in the present embodiment, the expanded
加熱ステップが完了した後、テープ拡張装置20から外部へウェーハユニット10を搬出する。搬出の際は、冷却テーブル24の吸引孔38aと吸引溝39からエキスパンドテープ12への吸引を解除する。そして、一対の仮置きステージ25を接近位置(図1、図6)にして、昇降駆動機構32を駆動してフレーム保持手段22を図5の位置から下降させる。すると、加工済のウェーハユニット10がフレーム保持手段22に伴って下降し、環状フレーム11が一対の仮置きステージ25の上側の支持段部(支持面25b)に支持される。続いて、図示を省略する搬入出機構によって、仮置きステージ25上からテープ拡張装置20の外部へ加工済のウェーハユニット10が搬出される。先に実施した加熱ステップでエキスパンドテープ12の弛みが減少されているため、テープ拡張装置20からの搬出時にウェーハユニット10上の複数のチップ16が相互に動きにくく、分割加工後のエッジチッピング等を防止できる。
After the heating step is completed, the
加工済のウェーハユニット10を一対の仮置きステージ25の上側の支持段部(支持面25b)から外部に搬出する際に、一対の仮置きステージ25の下側の支持段部(支持面25a)に、テープ拡張装置20による加工前の(次に加工する)ウェーハユニット10を搬入することができる。外部へのウェーハユニット10の搬出と外部からのウェーハユニット10の搬入を一度に行うので、装置のダウンタイムを極力減らすことができる。各ウェーハユニット10の搬入と搬出が完了すると図1に示す状態になり、以上で説明した一連のステップを繰り返して実行することができる。
When the processed
以上のように、本実施の形態のテープ拡張装置20では、ウェーハ13とDAF17の分割前に実施するエキスパンドテープ12の冷却から、ウェーハ13とDAF17の分割後に実施するエキスパンドテープ12の加熱までを、フレーム保持手段22や冷却テーブル24を備えた共通のステージ上で行っている。すなわち、エキスパンドテープ12の弛みが生じた状態でウェーハユニット10を別設の加熱装置まで搬送する必要がなく、チップ16の相互移動に起因するエッジチッピング等を防止して良好な分割を実現できる。また、ウェーハユニット10を別設の加熱装置まで搬送するための時間を省略して、ウェーハ分割加工全体におけるスループット向上にも寄与する。また、エキスパンドテープ12に対する冷却と加熱とを共通のステージで実施することにより、装置全体のフットプリントを小さくして、設置スペースの効率化を図ることができる。
As described above, in the
本実施の形態のテープ拡張装置20は、エキスパンドテープ拡張ステップ(図4)において、押圧手段23を移動させずにフレーム保持手段22を上昇させているが、押圧手段23を下降させてエキスパンドテープ12を拡張させる構成を採用することも可能である。すなわち、押圧手段とフレーム保持手段の相対移動によってテープ拡張を行わせる構成であればよい。
In the expanding tape expanding step (FIG. 4), the
本実施の形態では、エキスパンドテープ12に対して高温の温風を吹き付ける加熱手段27を用いているが、加熱手段の構成はこれに限定されない。例えば、エキスパンドテープに対して直接的に接触可能な当接部分を備え、該当接部分を加熱するタイプの加熱手段を備えてもよい。
In the present embodiment, the heating means 27 for blowing high-temperature warm air onto the expanding
本発明を適用して分割されるウェーハ(被加工物)の材質やウェーハ上に形成されるデバイスの種類等は限定されない。例えば、被加工物として、半導体デバイスウェーハ以外に、光デバイスウェーハ、パッケージ基板、半導体基板、無機材料基板、酸化物ウェーハ、生セラミックス基板、圧電基板等の各種ワークが用いられてもよい。半導体デバイスウェーハとしては、デバイス形成後のシリコンウェーハや化合物半導体ウェーハが用いられてもよい。光デバイスウェーハとしては、デバイス形成後のサファイアウェーハやシリコンカーバイドウェーハが用いられてもよい。また、パッケージ基板としてはCSP(Chip Size Package)基板、半導体基板としてはシリコンやガリウム砒素等、無機材料基板としてはサファイア、セラミックス、ガラス等が用いられてもよい。さらに、酸化物ウェーハとしては、デバイス形成後又はデバイス形成前のリチウムタンタレート、リチウムナイオベートが用いられてもよい。 The material of the wafer (workpiece) to be divided by applying the present invention, the type of device formed on the wafer, and the like are not limited. For example, as the workpiece, in addition to the semiconductor device wafer, various workpieces such as an optical device wafer, a package substrate, a semiconductor substrate, an inorganic material substrate, an oxide wafer, a raw ceramic substrate, and a piezoelectric substrate may be used. As the semiconductor device wafer, a silicon wafer after device formation or a compound semiconductor wafer may be used. As the optical device wafer, a sapphire wafer or a silicon carbide wafer after device formation may be used. Further, a CSP (Chip Size Package) substrate may be used as the package substrate, silicon, gallium arsenide or the like may be used as the semiconductor substrate, and sapphire, ceramics, glass or the like may be used as the inorganic material substrate. Further, as the oxide wafer, lithium tantalate or lithium niobate after device formation or before device formation may be used.
また、本発明の各実施の形態を説明したが、本発明の他の実施の形態として、上記実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。 Moreover, although each embodiment of the present invention has been described, as another embodiment of the present invention, the above-described embodiments and modifications may be combined in whole or in part.
また、本発明の実施の形態は上記の実施の形態及び変形例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。従って、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施形態をカバーしている。 Further, the embodiment of the present invention is not limited to the above-described embodiment and modification, and may be variously modified, replaced, or modified without departing from the spirit of the technical idea of the present invention. Further, if the technical idea of the present invention can be realized in another way by the advancement of the technology or another technology derived from the technology, it may be carried out by the method. Therefore, the scope of claims covers all embodiments that may be included within the scope of the technical idea of the present invention.
以上説明したように、本発明のテープ拡張装置及びテープ拡張方法によれば、ウェーハ分割後のエッジチッピング等を防いで、デバイスの製造エラー低減及び生産性向上に寄与することができる。 As described above, according to the tape expansion device and the tape expansion method of the present invention, it is possible to prevent edge chipping and the like after wafer division, and to contribute to the reduction of manufacturing errors and the improvement of productivity of the device.
10 :ウェーハユニット
11 :環状フレーム
12 :エキスパンドテープ
13 :ウェーハ
15 :改質層
16 :チップ
17 :DAF
20 :テープ拡張装置
21 :基台
22 :フレーム保持手段
23 :押圧手段
24 :冷却テーブル
25 :仮置きステージ
26 :フレーム把持爪
27 :加熱手段
35 :ローラー
36 :上部支持体
37 :下部支持体
38 :板状メッシュ材
38a :吸引孔
39 :吸引溝
40 :吸引手段
41 :吸引手段
42 :冷却手段
43 :冷却伝達部
10: Wafer unit 11: Circular frame 12: Expanded tape 13: Wafer 15: Modified layer 16: Chip 17: DAF
20: Tape expansion device 21: Base 22: Frame holding means 23: Pressing means 24: Cooling table 25: Temporary placement stage 26: Frame gripping claw 27: Heating means 35: Roller 36: Upper support 37: Lower support 38 : Plate-shaped
Claims (4)
該エキスパンドテープに貼着された該ウェーハが鉛直下向きに向いた状態で、該環状フレームを該テープ拡張装置に搬入する搬入出機構と、
該エキスパンドテープに貼着された該ウェーハが鉛直下向きに向いた状態で該環状フレームを上面に保持するフレーム保持手段と、
該フレーム保持手段と該ウェーハの外周縁との間で該エキスパンドテープを上方から環状に押圧して拡張し、分割起点に沿って該ウェーハを分割する押圧手段と、
環状の該押圧手段の内周側に昇降可能に配設され、該エキスパンドテープを介して該ウェーハ全面にわたって当接する当接面に吸引孔を有する冷却テーブルと、
該フレーム保持手段と該ウェーハの外周縁との間で伸長した該エキスパンドテープを加熱して収縮させる加熱手段と、を備えることを特徴とするテープ拡張装置。 A tape expansion device for expanding an expanded tape having a wafer having a plurality of devices formed on a region partitioned by a plurality of scheduled division lines and having an outer peripheral portion mounted on an annular frame.
A loading / unloading mechanism for loading the annular frame into the tape expansion device with the wafer attached to the expanding tape facing vertically downward.
A frame holding means for holding the annular frame on the upper surface in a state where the wafer attached to the expanding tape faces vertically downward, and
An expanding tape is annularly pressed from above between the frame holding means and the outer peripheral edge of the wafer to expand, and a pressing means for dividing the wafer along a split starting point.
A cooling table which is arranged so as to be able to move up and down on the inner peripheral side of the annular pressing means and has a suction hole on the contact surface which abuts over the entire surface of the wafer via the expand tape.
A tape expansion device comprising: a heating means for heating and shrinking the expanded tape extended between the frame holding means and the outer peripheral edge of the wafer.
該ウェーハが鉛直下向きに向いた状態で、該冷却テーブルの該当接面の下方に該エキスパンドテープの裏面が位置するように該環状フレームを保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後に、該冷却テーブルの該当接面に該エキスパンドテープの裏面を当接させ、該吸引孔に吸引力を作用させ該エキスパンドテープを冷却するエキスパンドテープ冷却ステップと、
該フレーム保持手段と該押圧手段とを相対移動させて該エキスパンドテープを拡張するエキスパンドテープ拡張ステップと、
該冷却テーブルの該当接面を該エキスパンドテープ裏面に当接させて該吸引孔に吸引力を作用させた状態で、該フレーム保持手段と該ウェーハの外周縁との間で伸長した該エキスパンドテープを該加熱手段により加熱して収縮させる加熱ステップと、を有することを特徴とするテープ拡張方法。 In the tape expansion method using the tape expansion device according to claim 1,
A holding step of holding the annular frame so that the back surface of the expanded tape is located below the relevant contact surface of the cooling table with the wafer facing vertically downward.
After performing the holding step, an expanded tape cooling step in which the back surface of the expanded tape is brought into contact with the corresponding contact surface of the cooling table and a suction force is applied to the suction holes to cool the expanded tape.
An expanded tape expansion step for expanding the expanded tape by relatively moving the frame holding means and the pressing means, and
The expanded tape extended between the frame holding means and the outer peripheral edge of the wafer in a state where the corresponding contact surface of the cooling table is brought into contact with the back surface of the expanding tape and a suction force is applied to the suction holes. A tape expanding method comprising: a heating step of heating and shrinking by the heating means.
該冷却テーブルを該エキスパンドテープに向けて移動させ、該冷却テーブルの該当接面を該エキスパンドテープ裏面に当接させて、該加熱ステップを行うことを特徴とする、請求項2に記載のテープ拡張方法。The tape expansion according to claim 2, wherein the cooling table is moved toward the expanding tape, and the corresponding contact surface of the cooling table is brought into contact with the back surface of the expanding tape to perform the heating step. Method.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102576912B1 (en) * | 2022-10-05 | 2023-09-11 | 제너셈(주) | Detaching structure and detaching apparatus having the same |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7325258B2 (en) * | 2019-08-14 | 2023-08-14 | 株式会社ディスコ | Expanding device |
CN110729186A (en) * | 2019-10-24 | 2020-01-24 | 东莞记忆存储科技有限公司 | Processing method for wafer cutting and separating |
CN111267017B (en) * | 2020-03-17 | 2022-05-13 | 华天慧创科技(西安)有限公司 | Support tool for avoiding middle deformation during wafer film coating and working method |
JPWO2023042263A1 (en) * | 2021-09-14 | 2023-03-23 | ||
KR20240112907A (en) * | 2022-04-27 | 2024-07-19 | 야마하하쓰도키 가부시키가이샤 | Expand device, method of manufacturing semiconductor chip, and semiconductor chip |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007305687A (en) | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | Dicing method and dicing device of wafer |
US20120009763A1 (en) | 2010-05-12 | 2012-01-12 | Stmicroelectronics (Tours) Sas | Semiconductor chip manufacturing method |
JP2012164844A (en) | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Toyota Motor Corp | Expanding method, expander, and adhesive sheet |
JP2013041967A (en) | 2011-08-15 | 2013-02-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | Division device |
JP2013051368A (en) | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Workpiece dividing device and workpiece dividing method |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3408805B2 (en) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | Cutting origin region forming method and workpiece cutting method |
JP4793128B2 (en) | 2006-06-23 | 2011-10-12 | 株式会社デンソー | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
JP5791866B2 (en) | 2009-03-06 | 2015-10-07 | 株式会社ディスコ | Work dividing device |
JP2011077482A (en) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | Tape expanding device |
JP2015015359A (en) * | 2013-07-04 | 2015-01-22 | 株式会社ディスコ | Method for processing wafer |
-
2017
- 2017-10-02 JP JP2017192601A patent/JP7030469B2/en active Active
-
2018
- 2018-09-05 TW TW107131065A patent/TWI760558B/en active
- 2018-09-25 CN CN201811112958.4A patent/CN109599352B/en active Active
- 2018-09-28 KR KR1020180115964A patent/KR102597940B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007305687A (en) | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | Dicing method and dicing device of wafer |
US20120009763A1 (en) | 2010-05-12 | 2012-01-12 | Stmicroelectronics (Tours) Sas | Semiconductor chip manufacturing method |
JP2012164844A (en) | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Toyota Motor Corp | Expanding method, expander, and adhesive sheet |
JP2013041967A (en) | 2011-08-15 | 2013-02-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | Division device |
JP2013051368A (en) | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Workpiece dividing device and workpiece dividing method |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102576912B1 (en) * | 2022-10-05 | 2023-09-11 | 제너셈(주) | Detaching structure and detaching apparatus having the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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CN109599352B (en) | 2024-03-19 |
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CN109599352A (en) | 2019-04-09 |
KR102597940B1 (en) | 2023-11-02 |
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