JP4793128B2 - Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method - Google Patents
Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP4793128B2 JP4793128B2 JP2006173649A JP2006173649A JP4793128B2 JP 4793128 B2 JP4793128 B2 JP 4793128B2 JP 2006173649 A JP2006173649 A JP 2006173649A JP 2006173649 A JP2006173649 A JP 2006173649A JP 4793128 B2 JP4793128 B2 JP 4793128B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- dicing tape
- jig
- push
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Dicing (AREA)
Description
本発明は、半導体基板をいわゆるレーザダイシングすることにより割断して多数の半導体チップを製造する半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method for manufacturing a large number of semiconductor chips by cleaving a semiconductor substrate by so-called laser dicing.
半導体基板(ウエハ)をレーザダイシングする技術の一例が、特許文献1に記載されている。この特許文献1の構成においては、半導体基板をダイシングテープ(ダイシングシート)に貼り付けた後、半導体基板の表面にレーザ照射して割断用の改質層を形成し、ダイシングテープをその裏側から押し上げてエクスパンドすることにより、半導体基板を割断して多数の半導体チップを製造している。 An example of a technique for laser dicing a semiconductor substrate (wafer) is described in Patent Document 1. In the configuration of Patent Document 1, after a semiconductor substrate is attached to a dicing tape (dicing sheet), the surface of the semiconductor substrate is irradiated with laser to form a modified layer for cleaving, and the dicing tape is pushed up from the back side. In this way, the semiconductor substrate is cleaved to produce a large number of semiconductor chips.
このような構成のレーザダイシングにおいては、半導体基板を割断ずる際に、割断面から破砕微粒子(パーティクル)が発生し、半導体チップの上面に飛散してしまい、半導体チップの歩留まりや品質が低下するという問題点があった。これに対して、上記特許文献1の構成では、破砕微粒子を吸引する吸引装置を設け、上記問題点を解消しようとしている。
しかし、上記特許文献1の構成においては、吸引装置により半導体基板の上面側から破砕微粒子を吸引する構成であるので、割断により発生した破砕微粒子をすべて吸引することは困難であり、吸引できなかった破砕微粒子が半導体基板の上方で舞うことがある。そして、このように舞った破砕微粒子が半導体基板の上面に散らばってしまい、半導体チップの歩留まりや品質が低下するという問題点が発生した。 However, in the configuration of the above-mentioned Patent Document 1, since the crushed fine particles are sucked from the upper surface side of the semiconductor substrate by the suction device, it is difficult to suck all the crushed fine particles generated by cleaving and could not be sucked. The crushed fine particles may fly above the semiconductor substrate. Then, the crushed fine particles that have fluttered in this way are scattered on the upper surface of the semiconductor substrate, resulting in a problem that the yield and quality of the semiconductor chip are lowered.
そこで、本発明の目的は、割断により発生した破砕微粒子を除去することができて、破砕微粒子が半導体基板の上面に散らばることを防止できる半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor device manufacturing apparatus and a semiconductor device manufacturing method capable of removing the crushed fine particles generated by cleaving and preventing the crushed fine particles from being scattered on the upper surface of the semiconductor substrate. It is in.
請求項1の発明は、半導体基板をダイシングテープに貼り付けた後、前記半導体基板にレーザ照射して割断用の改質層を形成し、前記ダイシングテープをエクスパンドすることにより前記半導体基板を割断して多数の半導体チップを製造するものにおいて、前記ダイシングテープをエクスパンドするときに、前記ダイシングテープに対して前記半導体基板が下向きになるようにセットしてエクスパンドするエクスパンド装置を備え、前記エクスパンド装置は、上下動可能に設けられ、前記ダイシングテープにおける前記半導体基板の外側の円環状部分を押し上げてエクスパンドする押し上げ治具を有し、前記押し上げ治具は、円筒状部材で構成され、前記ダイシングテープの前記半導体基板が張り付いている面の近傍から下方へ向かって流れる空気の流れを生成する空気流生成装置を備え、前記空気流生成装置は、前記円筒状部材で構成された押し上げ治具の上端部であって、押し上げ時に前記半導体基板の下面より上方に位置する複数の溝または孔を備えているところに特徴を有する。 According to the first aspect of the present invention , after the semiconductor substrate is attached to the dicing tape, the semiconductor substrate is irradiated with a laser to form a modified layer for cleaving, and the dicing tape is expanded to cleave the semiconductor substrate. In the manufacturing of a large number of semiconductor chips, when the dicing tape is expanded, the expansion device includes an expanding device that sets and expands the semiconductor substrate with respect to the dicing tape , and the expanding device includes: A push-up jig that is provided so as to be movable up and down and pushes up and expands an annular portion of the dicing tape outside the semiconductor substrate; the push-up jig is formed of a cylindrical member; Flows downward from the vicinity of the surface where the semiconductor substrate is attached An air flow generation device that generates an air flow is provided, and the air flow generation device is an upper end portion of a push-up jig constituted by the cylindrical member, and is positioned above the lower surface of the semiconductor substrate when pushed up. It is characterized by having a plurality of grooves or holes .
上記構成によれば、エクスパンド装置によってダイシングテープに対して半導体基板が下向きになるようにセットしてエクスパンドするように構成したので、割断により発生した破砕微粒子は、下方へ自然に落下することから、破砕微粒子を除去することができ、破砕微粒子が半導体基板の上面に散らばることを防止できる。 According to the above configuration, since the expand device is configured to expand by setting the semiconductor substrate to face downward with respect to the dicing tape, the crushed fine particles generated by cleaving naturally fall downward, The crushed fine particles can be removed, and the crushed fine particles can be prevented from being scattered on the upper surface of the semiconductor substrate.
請求項2の発明によれば、半導体基板をダイシングテープに貼り付けた後、前記半導体基板にレーザ照射して割断用の改質層を形成し、前記ダイシングテープをエクスパンドすることにより前記半導体基板を割断して多数の半導体チップを製造する半導体装置の製造装置において、前記ダイシングテープをエクスパンドするときに、前記ダイシングテープに対して前記半導体基板が下向きになるようにセットしてエクスパンドするエクスパンド装置を備え、前記エクスパンド装置は、上下動可能に設けられ、前記ダイシングテープのうちの前記半導体基板の外側の円環状部分を押し上げてエクスパンドする押し上げ治具を有し、前記押し上げ治具は、円柱状部材で構成されていると共に、その上端部に凹部が前記半導体基板を囲むように形成され、前記ダイシングテープの前記半導体基板が張り付いている面の近傍から下方へ向かって流れる空気の流れを生成する空気流生成装置を備え、前記空気流生成装置は、前記円柱状の押し上げ治具の凹部の円環状周壁部の上端部であって、押し上げ時に前記半導体基板の下面より上方に位置する複数の溝または孔と、前記凹部の底部に設けられた空気抜き孔とを備えている構成としたので、請求項1の発明とほぼ同じ作用効果が得られる。
According to the invention of
上記各構成の場合、請求項3の発明のように、前記空気流生成装置は、微細な孔が多数形成されたテープまたは多孔質の素材からなるテープで構成された前記ダイシングテープを備えていることが好ましい。
In the case of each of the above configurations, as in the invention of
請求項4の発明によれば、半導体基板をダイシングテープに貼り付けた後、前記半導体基板にレーザ照射して割断用の改質層を形成し、前記ダイシングテープをエクスパンドすることにより前記半導体基板を割断して多数の半導体チップを製造する半導体装置の製造方法において、前記ダイシングテープをエクスパンドするときに、前記ダイシングテープに対して前記半導体基板が下向きになるようにセットしてエクスパンドするエクスパンド装置を備え、前記エクスパンド装置は、上下動可能に設けられ、前記ダイシングテープにおける前記半導体基板の外側の円環状部分を押し上げてエクスパンドする押し上げ治具を有し、前記押し上げ治具は、円筒状部材で構成され、前記ダイシングテープの前記半導体基板が張り付いている面の近傍から下方へ向かって流れる空気の流れを生成する空気流生成装置を備え、前記空気流生成装置は、前記円筒状部材で構成された押し上げ治具の上端部であって、押し上げ時に前記半導体基板の下面より上方に位置する複数の溝または孔を備え、前記ダイシングテープに対して前記半導体基板が下向きになるようにセットしてエクスパンドする際に、外部の空気を前記押し上げ治具の複数の溝または孔を通して前記押し上げ治具内へ導入し、導入した空気が前記ダイシングテープの前記半導体基板が張り付いている面の近傍から下方へ向かって流れるようにしたので、請求項1の発明とほぼ同じ作用効果が得られる。
According to the invention of
請求項5の発明によれば、半導体基板をダイシングテープに貼り付けた後、前記半導体基板にレーザ照射して割断用の改質層を形成し、前記ダイシングテープをエクスパンドすることにより前記半導体基板を割断して多数の半導体チップを製造する半導体装置の製造方法において、前記ダイシングテープをエクスパンドするときに、前記ダイシングテープに対して前記半導体基板が下向きになるようにセットしてエクスパンドするエクスパンド装置を備え、前記エクスパンド装置は、上下動可能に設けられ、前記ダイシングテープにおける前記半導体基板の外側の円環状部分を押し上げてエクスパンドする押し上げ治具を有し、前記押し上げ治具は、円筒状部材で構成されていると共に、その上端部に凹部が前記半導体基板を囲むように形成され、前記ダイシングテープの前記半導体基板が張り付いている面の近傍から下方へ向かって流れる空気の流れを生成する空気流生成装置を備え、
前記空気流生成装置は、前記円筒状部材で構成された押し上げ治具の上端部であって、押し上げ時に前記半導体基板の下面より上方に位置する複数の溝または孔と、前記凹部の底部に設けられた空気抜き孔とを備え、前記ダイシングテープに対して前記半導体基板が下向きになるようにセットしてエクスパンドする際に、外部の空気を前記押し上げ治具の複数の溝または孔を通して前記押し上げ治具内へ導入し、導入した空気が前記ダイシングテープの前記半導体基板が張り付いている面の近傍から下方へ向かって流れるようにしたので、請求項4の発明とほぼ同じ作用効果が得られる。
According to the invention of
The air flow generation device is provided at an upper end portion of a push-up jig constituted by the cylindrical member, at a plurality of grooves or holes located above the lower surface of the semiconductor substrate at the time of push-up, and a bottom portion of the recess. And when the expansion is performed with the semiconductor substrate facing downward with respect to the dicing tape, the push-up jig passes through a plurality of grooves or holes of the push-up jig. Since the air introduced therein flows downward from the vicinity of the surface of the dicing tape to which the semiconductor substrate is attached, substantially the same effect as that of the invention of
上記各構成の場合、請求項6の発明のように、微細な孔が多数形成されたテープまたは多孔質の素材からなるテープで構成された前記ダイシングテープを備えていることが好ましい。
In the case of each of the above configurations, it is preferable to provide the dicing tape formed of a tape having a large number of fine holes or a tape made of a porous material, as in the invention of
以下、本発明の第1の実施例について、図1ないし図5を参照しながら説明する。まず、図1及び図2は、本実施例のエクスパンド装置1の全体構成を概略的に示す縦断面図及び分解斜視図である。 The first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. First, FIG.1 and FIG.2 is the longitudinal cross-sectional view and exploded perspective view which show schematically the whole structure of the expand apparatus 1 of a present Example.
エクスパンド装置1は、円筒状のフラットリング固定台2と、円環状のフラットリング固定治具3と、円筒状の押し上げ治具4と、押し上げ治具4の内部の空気を下方へ吸引する空気吸引装置(図示しない)とを備えて構成されている。上記フラットリング固定台2の上端面部には、複数個の溝2aが内外を連通するように設けられている。
The expanding device 1 includes a cylindrical flat
フラットリング固定台2上には、円形のダイシングテープ(ダイシングシート)5の外周縁部に貼り付けたフラットリング6を載置すると共に、その上にフラットリング固定治具3を載置固定することにより、フラットリング固定台2とフラットリング固定治具3との間にダイシングテープ5及びフラットリング6を挟んで固定することが可能なように構成されている。上記ダイシングテープ5の下面には、表面に半導体素子が形成された半導体基板(ウエハ)7が貼り付けられている。
A
押し上げ治具4は、上下動可能に設けられており、ダイシングテープ5の下面における半導体基板7の外側の円環状部分を押し上げてエクスパンド(拡開)することにより、半導体基板7を割断する機能を有している。上記押し上げ治具4の上端部には、複数個の孔4aが周壁部を貫通する(内外を連通する)ように形成されている。
The push-
次に、本実施例により半導体基板7を割断する工程について、図3を参照しながら説明する。まず、図3(a)に示すように、フラットリング6の下面に貼り付けられたダイシングテープ5の上面のほぼ中央部に半導体基板7を貼付ける。この場合、半導体基板7の表面(上面)には半導体素子が形成されており、半導体基板7の裏面(下面)をダイシングテープ5に貼り付けている。
Next, the process of cleaving the
ダイシングテープ5の図3(a)中の上面には、半導体基板7等を貼り付けるための接着剤が塗布されている。但し、ダイシングテープ5の上面における半導体基板7の外側の円環状部分(押し上げ治具4の上端部を当接させる部分周辺)については、塗布された接着剤の接着力を低下させる処理を施している。これにより、押し上げ治具4の上端部にダイシングテープ5が貼りつかないようになっており、押し上げ治具4によるエクスパンドが阻害されない構成となっている。
An adhesive for attaching the
尚、上記接着剤の接着力を低下させる処理を施すに際しては、ダイシングテープ5として例えば紫外線照射剥離型ダイシングテープを使用し、接着力を低下させたい部分にだけ紫外線を照射するように構成すれば良い。また、このような接着力を低下させる処理は、エクスパンドを実行する前であればいつでも良い。
When performing the treatment for reducing the adhesive strength of the adhesive, for example, an ultraviolet irradiation peeling type dicing tape is used as the
次に、図3(b)に示すように、半導体基板7の表面にレーザ9を照射して半導体基板7内部に割断用の改質層(エクスパンド割断に必要な改質層)を必要数形成する。尚、半導体基板7に描かれた破線は、割断する位置(ライン)を示している。
Next, as shown in FIG. 3B, the surface of the
この後、図3(c)に示すように、半導体基板7の表面(ダイシングテープ5に接着している面と反対の面)が下向きになるようにダイシングテープ5及びフラットリング6を、エクスパンド装置1にセットする。具体的には、ダイシングテープ5のうちの半導体基板7を貼り付けた側の面が下面となるようにして、フラットリング6及びダイシングテープ5の外周縁部を、フラットリング固定台2とフラットリング固定治具3との間に挟んで固定する。更に、押し上げ治具4の上端部を、ダイシングテープ5の下面における半導体基板7の外側の円環状部分に当接させておく。
Thereafter, as shown in FIG. 3C, the dicing
そして、空気吸引装置を駆動することにより、押し上げ治具4の内部の空気を下方へ吸引している。これにより、図3(c)において実線の矢印で示すように、外部の空気は、フラットリング固定台2の上端面部の溝2aを通り、さらに、押し上げ治具4の上端部の孔4aを通って、押し上げ治具4内へ入り、そして、半導体基板7の表面近傍から下方へ向かって流れるようになっている。即ち、半導体基板7の表面近傍から下方へ向かって流れる空気の流れが生成される。この場合、フラットリング固定台2の溝2a、押し上げ治具4の孔4a及び空気吸引装置等から、空気流生成装置が構成さている。
And the air inside the raising jig |
次に、図3(d)に示すように、押し上げ治具4を上昇させて、その上端部によりダイシングテープ5の下面における半導体基板7の外側の円環状部分を押し上げる。この結果、ダイシングテープ5がエクスパンドされることにより、半導体基板7が割断され、多数の半導体チップ7aが製造される。
Next, as shown in FIG. 3 (d), the push-up
この場合、半導体基板7が割断されるときには、割断面から破砕微粒子が発生するが、半導体基板7の表面(ダイシングテープ5に接着している面と反対の面)が下方を向いているので、上記発生した破砕微粒子は下方へ自然落下するようになり、半導体基板7の表面に付着することはない。特に、本実施例においては、空気吸引装置を駆動することにより、押し上げ治具4の内部の空気を下方へ吸引して、半導体基板7におけるダイシングテープ5に接着している面と反対の面の近傍から下方へ向かって流れる空気の流れを生成しているので、上記発生した破砕微粒子は上記空気の流れによって下方へ運ばれて排出される。従って、破砕微粒子が半導体基板7の表面に付着することはない。
In this case, when the
この後、割断した半導体チップの状態を保持するために、図4に示すように、外径寸法が押し上げ治具4の外径寸法とほぼ同じ大きさの円環状の第2のフラットリング8を、ダイシングテープ5の上面に接着して貼り付ける。そして、ダイシングテープ5のうちの第2のフラットリング8の外側を切り取る。
Thereafter, in order to maintain the state of the cleaved semiconductor chip, as shown in FIG. 4, an annular second
これにより、図5に示すように、半導体チップ7aの割断状態の構成、即ち、割断された半導体チップ7a及びダイシングテープ5を第2のフラットリング8で固定した構成が得られる。そして、後工程には、上記図5に示す状態の構成が送られる。
Thereby, as shown in FIG. 5, a configuration in which the
このような構成の本実施例においては、半導体基板7をダイシングテープ5に貼り付けた後、半導体基板7にレーザ照射して割断用の改質層を形成し、ダイシングテープ5をエクスパンドすることにより半導体基板7を割断して多数の半導体チップ7aを製造する場合に、ダイシングテープ5をエクスパンドするとき、ダイシングテープ5に対して半導体基板7が下向きになるようにセットしてエクスパンドするように構成した。
In this embodiment having such a configuration, after the
上記構成によれば、割断により発生した破砕微粒子は、下方へ自然に落下することから、破砕微粒子を除去することができ、破砕微粒子が半導体基板7の上面に散らばって付着することを防止できる。このため、半導体チップの歩留まりや品質が低下するという問題点を解消することができる。
According to the above configuration, the crushed fine particles generated by cleaving naturally fall downward, so that the crushed fine particles can be removed, and the crushed fine particles can be prevented from being scattered and attached to the upper surface of the
また、上記実施例では、半導体基板7の割断時に半導体基板7におけるダイシングテープ5に接着している面と反対の面の近傍から下方へ向かって流れる空気の流れを生成するように構成したので、割断により発生した破砕微粒子は上記空気の流れによって強制的に下方へ運ばれて排出される。従って、破砕微粒子が半導体基板7の表面に付着することを確実に防止することができる。
Moreover, in the said Example, since it comprised so that the flow of the air which flowed below may be produced | generated from the vicinity of the surface opposite to the surface adhere | attached on the dicing
更に、上記実施例のエクスパンド装置1においては、ダイシングテープ5のうちの半導体基板7の外側の円環状部分を押し上げてエクスパンドする押し上げ治具4を上下動可能に設けると共に、この押し上げ治具4を円筒状部材で構成したので、半導体基板7におけるダイシングテープ5に接着している面と反対の面の近傍から下方へ向かって流れる空気の流れを生成する構成を、簡単な構成にて容易に実現することができる。
Further, in the expanding apparatus 1 of the above-described embodiment, a push-up
そして、上記実施例の場合、円筒状の押し上げ治具4の上端部に複数の孔4aを設けたので、押し上げ治具4の外部の空気を押し上げ治具4の内部へ導入し易い。尚、押し上げ治具4の上端部に複数の孔4aを設ける代わりに、複数の溝を設けるように構成しても良い。
And in the case of the said Example, since the
また、上記実施例においては、フラットリング固定台2の上端部に複数の溝2aを設けたので、フラットリング固定台2の外部の空気をフラットリング固定台2の内部へ導入し易くなる。
In the above embodiment, since the plurality of
図6は、本発明の第2の実施例を示すものである。第1の実施例と同一構成には、同一符号を付している。この第2の実施例では、押し上げ治具9を円柱状部材で構成すると共に、その上端部に凹部10を形成し、この凹部10により半導体基板7全体を囲むことが可能なように構成している。上記凹部10の周壁部11には、複数個の孔11aが周壁部11を貫通する(内外を連通する)ように形成されている。そして、凹部10の底部の中心部には、空気抜き孔12が押し上げ治具9の軸心に沿って形成されている。
FIG. 6 shows a second embodiment of the present invention. The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In the second embodiment, the push-up
上記構成の場合、空気吸引装置を駆動すると、図6において実線の矢印で示すように、押し上げ治具9の外部の空気が、押し上げ治具9の上端部の孔11aを通って、押し上げ治具9の凹部10内へ入り、半導体基板7の表面近傍から凹部10の底面の中心部の空気抜き孔12を通り、下方へ向かって流れる。
In the case of the above configuration, when the air suction device is driven, the air outside the push-up
また、上述した以外の第2の実施例の構成は、第1の実施例の構成と同じ構成となっている。従って、第2の実施例においても、第1の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。 The configuration of the second embodiment other than that described above is the same as that of the first embodiment. Therefore, in the second embodiment, substantially the same operational effects as in the first embodiment can be obtained.
図7、図8、図9は、本発明の第3の実施例を示すものである。第1の実施例と同一構成には、同一符号を付している。この第3の実施例では、円環状の2重枠13で半導体チップ7aの割断状態を固定するように構成している。2重枠13は、内側リング14と外側リング15とから構成されている。
7, 8 and 9 show a third embodiment of the present invention. The same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals. In the third embodiment, the cleaved state of the
上記構成の場合、エクスパンドを実行する前に、2重枠13のうちの内側リング14を押し上げ治具4の上端部に着脱可能に取り付けておく。そして、図7に示すように、押し上げ治具4を上昇させてダイシングテープ5のうちの半導体基板7の外側の円環状部分を押し上げてエクスパンドして半導体基板7を割断する。この後、図8に示すように、外側リング15を上方から内側リング14に嵌めることにより、両リング14、15間にダイシングテープ5を挟んで固定する。
In the case of the above configuration, the
そして、ダイシングテープ5のうちの外側リング15の外側を切り取ると共に、内側リング14を押し上げ治具4から取り外す。これにより、図9に示すように、半導体チップ7aの割断状態の構成、即ち、割断された半導体チップ及びダイシングテープ5を2重枠13で固定した構成が得られる。
Then, the outside of the
尚、上述した以外の第3の実施例の構成は、第1の実施例の構成と同じ構成となっている。従って、第3の実施例においても、第1の実施例とほぼ同じ作用効果を得ることができる。 The configuration of the third embodiment other than that described above is the same as that of the first embodiment. Accordingly, in the third embodiment, substantially the same operational effects as in the first embodiment can be obtained.
また、上記各実施例においては、フラットリング固定台2の上端面部や押し上げ治具4の上端面部に溝2a、4aを形成したが、これら溝2a、4aは絶対に形成しなければならないものではなく、必要に応じて適宜設ければ良い。
Moreover, in each said Example, although the groove |
例えば、ダイシングテープ5として、微細な孔がテープ全面に多数形成されているダイシングテープや、多孔質の素材から構成されたダイシングテープを使用するように構成すれば、上記溝2a、4aを省略しても良い。
For example, if the dicing
図面中、1はエクスパンド装置、2はフラットリング固定台、2aは溝、3はフラットリング固定治具、4は押し上げ治具、4aは孔、5はダイシングテープ、6はフラットリング、7は半導体基板、8は第2のフラットリング、9は押し上げ治具、10は凹部、11は周壁部、12は空気抜き孔、13は2重枠、14は内側リング、15は外側リングを示す。 In the drawings, 1 is an expanding device, 2 is a flat ring fixing base, 2a is a groove, 3 is a flat ring fixing jig, 4 is a lifting jig, 4a is a hole, 5 is a dicing tape, 6 is a flat ring, and 7 is a semiconductor. Substrate, 8 is a second flat ring, 9 is a lifting jig, 10 is a recess, 11 is a peripheral wall portion, 12 is an air vent hole, 13 is a double frame, 14 is an inner ring, and 15 is an outer ring.
Claims (6)
前記ダイシングテープをエクスパンドするときに、前記ダイシングテープに対して前記半導体基板が下向きになるようにセットしてエクスパンドするエクスパンド装置を備え、
前記エクスパンド装置は、上下動可能に設けられ、前記ダイシングテープにおける前記半導体基板の外側の円環状部分を押し上げてエクスパンドする押し上げ治具を有し、
前記押し上げ治具は、円筒状部材で構成され、
前記ダイシングテープの前記半導体基板が張り付いている面の近傍から下方へ向かって流れる空気の流れを生成する空気流生成装置を備え、
前記空気流生成装置は、前記円筒状部材で構成された押し上げ治具の上端部であって、押し上げ時に前記半導体基板の下面より上方に位置する複数の溝または孔を備えていることを特徴とする半導体装置の製造装置。 After attaching the semiconductor substrate to the dicing tape, the semiconductor substrate is irradiated with laser to form a modified layer for cleaving, and the dicing tape is expanded to cleave the semiconductor substrate to produce a large number of semiconductor chips. In a semiconductor device manufacturing apparatus,
When expanding the dicing tape, comprising an expand device that expands by setting the semiconductor substrate to face downward with respect to the dicing tape ,
The expanding device is provided so as to be movable up and down, and has a push-up jig that pushes and expands an annular portion outside the semiconductor substrate in the dicing tape,
The lifting jig is composed of a cylindrical member,
An air flow generating device that generates a flow of air that flows downward from the vicinity of the surface of the dicing tape to which the semiconductor substrate is attached;
The air flow generation device includes a plurality of grooves or holes which are upper ends of a lifting jig configured by the cylindrical member and are located above the lower surface of the semiconductor substrate when being pushed up. Semiconductor device manufacturing equipment.
前記ダイシングテープをエクスパンドするときに、前記ダイシングテープに対して前記半導体基板が下向きになるようにセットしてエクスパンドするエクスパンド装置を備え、
前記エクスパンド装置は、上下動可能に設けられ、前記ダイシングテープのうちの前記半導体基板の外側の円環状部分を押し上げてエクスパンドする押し上げ治具を有し、
前記押し上げ治具は、円柱状部材で構成されていると共に、その上端部に凹部が前記半導体基板を囲むように形成され、
前記ダイシングテープの前記半導体基板が張り付いている面の近傍から下方へ向かって流れる空気の流れを生成する空気流生成装置を備え、
前記空気流生成装置は、前記円柱状の押し上げ治具の凹部の円環状周壁部の上端部であって、押し上げ時に前記半導体基板の下面より上方に位置する複数の溝または孔と、前記凹部の底部に設けられた空気抜き孔とを備えていることを特徴する半導体装置の製造装置。 After attaching the semiconductor substrate to the dicing tape, the semiconductor substrate is irradiated with laser to form a modified layer for cleaving, and the dicing tape is expanded to cleave the semiconductor substrate to produce a large number of semiconductor chips. In a semiconductor device manufacturing apparatus,
When expanding the dicing tape, comprising an expand device that expands by setting the semiconductor substrate to face downward with respect to the dicing tape,
The expanding device is provided so as to be movable up and down, and has a push-up jig that pushes up and expands an annular portion outside the semiconductor substrate of the dicing tape,
The push-up jig is composed of a cylindrical member, and a recess is formed at the upper end of the jig so as to surround the semiconductor substrate.
An air flow generating device that generates a flow of air that flows downward from the vicinity of the surface of the dicing tape to which the semiconductor substrate is attached;
The air flow generating device is an upper end portion of an annular peripheral wall portion of a concave portion of the cylindrical push-up jig, and a plurality of grooves or holes positioned above the lower surface of the semiconductor substrate when pushed up, apparatus for manufacturing a semi-conductor device you characterized in that it comprises a vent hole provided in the bottom.
前記ダイシングテープをエクスパンドするときに、前記ダイシングテープに対して前記半導体基板が下向きになるようにセットしてエクスパンドするエクスパンド装置を備え、
前記エクスパンド装置は、上下動可能に設けられ、前記ダイシングテープにおける前記半導体基板の外側の円環状部分を押し上げてエクスパンドする押し上げ治具を有し、
前記押し上げ治具は、円筒状部材で構成され、
前記ダイシングテープの前記半導体基板が張り付いている面の近傍から下方へ向かって流れる空気の流れを生成する空気流生成装置を備え、
前記空気流生成装置は、前記円筒状部材で構成された押し上げ治具の上端部であって、押し上げ時に前記半導体基板の下面より上方に位置する複数の溝または孔を備え、
前記ダイシングテープに対して前記半導体基板が下向きになるようにセットしてエクスパンドする際に、外部の空気を前記押し上げ治具の複数の溝または孔を通して前記押し上げ治具内へ導入し、導入した空気が前記ダイシングテープの前記半導体基板が張り付いている面の近傍から下方へ向かって流れるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 After attaching the semiconductor substrate to the dicing tape, the semiconductor substrate is irradiated with laser to form a modified layer for cleaving, and the dicing tape is expanded to cleave the semiconductor substrate to produce a large number of semiconductor chips. In a method for manufacturing a semiconductor device,
When expanding the dicing tape, comprising an expand device that expands by setting the semiconductor substrate to face downward with respect to the dicing tape,
The expanding device is provided so as to be movable up and down, and has a push-up jig that pushes and expands an annular portion outside the semiconductor substrate in the dicing tape,
The lifting jig is composed of a cylindrical member,
An air flow generating device that generates a flow of air that flows downward from the vicinity of the surface of the dicing tape to which the semiconductor substrate is attached;
The airflow generation device is an upper end portion of a lifting jig configured by the cylindrical member, and includes a plurality of grooves or holes positioned above the lower surface of the semiconductor substrate when being pushed up,
When expanding the semiconductor substrate with the dicing tape so that the semiconductor substrate faces downward, external air is introduced into the push-up jig through a plurality of grooves or holes of the push-up jig, and the introduced air method of manufacturing but you characterized in that to flow downward from the vicinity of the surface on which the semiconductor substrate is stuck in the dicing tape semiconductors devices.
前記ダイシングテープをエクスパンドするときに、前記ダイシングテープに対して前記半導体基板が下向きになるようにセットしてエクスパンドするエクスパンド装置を備え、
前記エクスパンド装置は、上下動可能に設けられ、前記ダイシングテープにおける前記半導体基板の外側の円環状部分を押し上げてエクスパンドする押し上げ治具を有し、
前記押し上げ治具は、円筒状部材で構成されていると共に、その上端部に凹部が前記半導体基板を囲むように形成され、
前記ダイシングテープの前記半導体基板が張り付いている面の近傍から下方へ向かって流れる空気の流れを生成する空気流生成装置を備え、
前記空気流生成装置は、前記円筒状部材で構成された押し上げ治具の上端部であって、押し上げ時に前記半導体基板の下面より上方に位置する複数の溝または孔と、前記凹部の底部に設けられた空気抜き孔とを備え、
前記ダイシングテープに対して前記半導体基板が下向きになるようにセットしてエクスパンドする際に、外部の空気を前記押し上げ治具の複数の溝または孔を通して前記押し上げ治具内へ導入し、導入した空気が前記ダイシングテープの前記半導体基板が張り付いている面の近傍から下方へ向かって流れるようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 After attaching the semiconductor substrate to the dicing tape, the semiconductor substrate is irradiated with laser to form a modified layer for cleaving, and the dicing tape is expanded to cleave the semiconductor substrate to produce a large number of semiconductor chips. In a method for manufacturing a semiconductor device,
When expanding the dicing tape, comprising an expand device that expands by setting the semiconductor substrate to face downward with respect to the dicing tape,
The expanding device is provided so as to be movable up and down, and has a push-up jig that pushes and expands an annular portion outside the semiconductor substrate in the dicing tape,
The push-up jig is formed of a cylindrical member, and a recess is formed at the upper end of the jig so as to surround the semiconductor substrate.
An air flow generating device that generates a flow of air that flows downward from the vicinity of the surface of the dicing tape to which the semiconductor substrate is attached;
The air flow generation device is provided at an upper end portion of a push-up jig constituted by the cylindrical member, at a plurality of grooves or holes located above the lower surface of the semiconductor substrate at the time of push-up, and a bottom portion of the recess. Air vent holes,
When expanding the semiconductor substrate with the dicing tape so that the semiconductor substrate faces downward, external air is introduced into the push-up jig through a plurality of grooves or holes of the push-up jig, and the introduced air method of manufacturing but you characterized in that to flow downward from the vicinity of the surface on which the semiconductor substrate is stuck in the dicing tape semiconductors devices.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006173649A JP4793128B2 (en) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
US11/598,654 US7838331B2 (en) | 2005-11-16 | 2006-11-14 | Method for dicing semiconductor substrate |
DE102006054073A DE102006054073B4 (en) | 2005-11-16 | 2006-11-16 | Separation device and method for separating a semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006173649A JP4793128B2 (en) | 2006-06-23 | 2006-06-23 | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008004804A JP2008004804A (en) | 2008-01-10 |
JP4793128B2 true JP4793128B2 (en) | 2011-10-12 |
Family
ID=39008937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006173649A Expired - Fee Related JP4793128B2 (en) | 2005-11-16 | 2006-06-23 | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4793128B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107030404A (en) * | 2015-11-05 | 2017-08-11 | 株式会社迪思科 | The processing method of chip |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7030469B2 (en) * | 2017-10-02 | 2022-03-07 | 株式会社ディスコ | Tape expansion device and tape expansion method |
JP7437963B2 (en) * | 2020-02-18 | 2024-02-26 | 株式会社ディスコ | Expanding device |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57207351A (en) * | 1981-06-16 | 1982-12-20 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor element |
JP3663670B2 (en) * | 1995-05-31 | 2005-06-22 | 株式会社デンソー | Semiconductor wafer splitting device |
JP2004128115A (en) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Decompression fixing film, wafer protection film, dicing film, and manufacturing method of semiconductor device |
JP2005252126A (en) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | Method of working wafer |
-
2006
- 2006-06-23 JP JP2006173649A patent/JP4793128B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107030404A (en) * | 2015-11-05 | 2017-08-11 | 株式会社迪思科 | The processing method of chip |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008004804A (en) | 2008-01-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5378780B2 (en) | Tape expansion method and tape expansion device | |
TWI625778B (en) | Wafer processing method | |
JP2002076096A (en) | Method for picking up semiconductor element | |
JP2007165371A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JP4793128B2 (en) | Semiconductor device manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
JP5651361B2 (en) | Expanding apparatus and expanding method | |
JP2010092992A (en) | Tape extending device | |
JP6171316B2 (en) | Peeling apparatus and peeling method | |
JP2007141996A (en) | Dicing sheet and laser dicing method | |
JP4772559B2 (en) | Chip interval maintaining method and chip interval maintaining apparatus | |
JP2004193241A (en) | Dividing method of semiconductor wafer | |
JP4408900B2 (en) | Multiple semiconductor wafer support system and method | |
JP4238669B2 (en) | Expanding method and expanding apparatus | |
JP2014204089A (en) | Wafer transfer mechanism and wafer processing method | |
JP6298699B2 (en) | Wafer processing method | |
JP5433095B1 (en) | Wafer dividing method and dividing apparatus | |
JP4385705B2 (en) | Expanding method | |
JP4306359B2 (en) | Expanding method | |
JP2010147316A (en) | Method and apparatus for expanding tape | |
JP2005302932A (en) | Chip separation apparatus | |
JP4306337B2 (en) | Expanding method | |
JP2011077098A (en) | Die bonder device | |
CN111128840A (en) | Wafer expanding method and wafer expanding device | |
JP4247670B2 (en) | Expanding method and expanding apparatus | |
JP2019091861A (en) | Method for manufacturing semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080708 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110628 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110711 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4793128 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140805 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |