JP2011077098A - Die bonder device - Google Patents

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勝 中村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a die bonder device capable of smoothly and securely peeling a semiconductor chip from a film without reference to types of the film and the semiconductor chip. <P>SOLUTION: When the semiconductor chip 2 stuck on the film 5 is peeled from the film 5 by sucking a reverse surface of the film 5 by a suction member 10 and thrusting up the film 5 with a thrust-up pin 13 provided in the suction member 10, the film 5 is cooled by a cooling implement 12 to reduce the adhesiveness of an adhesive surface 5a of the film 5 and in this state, the semiconductor chip 2 can be easily peeled. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、フィルムに貼着されている状態の半導体チップをフィルムから剥離してリードフレームに接合するダイボンダ装置に関する。   The present invention relates to a die bonder device that peels a semiconductor chip attached to a film from the film and joins it to a lead frame.

ＬＳＩ、ＩＣ、トランジスタ等の半導体デバイスの製造工程においては、多数の半導体デバイスが表面に形成された半導体ウェーハに対して裏面研削等の必要な処理を施した後、その半導体ウェーハをフィルムに貼着して各半導体デバイスに分割している。そしてこの後には、ダイボンダ装置により、分割されてチップ状となった各半導体デバイス（半導体チップ）をフィルムから剥離してリードフレームに実装することが行われる（特許文献１，２等参照）。   In the manufacturing process of semiconductor devices such as LSI, IC, transistors, etc., the semiconductor wafer with many semiconductor devices formed on the surface is subjected to necessary processing such as back grinding, and then the semiconductor wafer is attached to the film. Then, it is divided into each semiconductor device. After this, the die bonder device separates each semiconductor device (semiconductor chip) divided into chips and mounts it on the lead frame (see Patent Documents 1 and 2, etc.).

特開平５−１２１４６９号公報JP-A-5-121469 特開平５−０５５２７５号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 5-05275

ところで、フィルムや半導体チップは様々な種類があり、両者の組み合わせによっては半導体チップがフィルムから円滑に剥離しにくい場合があるといった問題があった。   By the way, there are various types of films and semiconductor chips, and depending on the combination of the two, there is a problem that the semiconductor chips may not be easily peeled off from the film.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その主な技術的課題は、フィルムや半導体チップの種類にかかわらず半導体チップをフィルムから円滑、かつ確実に剥離させることができるダイボンダ装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of such circumstances, and the main technical problem thereof is a die bonder device capable of smoothly and reliably peeling a semiconductor chip from a film regardless of the type of the film or semiconductor chip. Is to provide.

本発明は、複数の半導体チップが表面に貼着されたフィルムを裏面側から前記表面側に向かって突き上げることにより半導体チップを前記フィルムから剥離させる突き上げピンと、該突き上げピンの突き上げによって前記フィルムから剥離した半導体チップを着脱可能に保持する保持部材と、該保持部材をリードフレーム上面の所定位置に移動させる保持部材移動手段とを備えるダイボンダ装置において、前記突き上げピンによる突き上げ対象となる半導体チップが粘着している前記フィルムを冷却する冷却手段を有していることを特徴としている。   The present invention provides a push-up pin for peeling a semiconductor chip from the film by pushing up a film having a plurality of semiconductor chips attached to the surface from the back side toward the front side, and peeling from the film by pushing up the push-up pin. In a die bonder device comprising a holding member that removably holds the semiconductor chip and a holding member moving means that moves the holding member to a predetermined position on the upper surface of the lead frame, the semiconductor chip to be pushed up by the push-up pin adheres. And a cooling means for cooling the film.

本発明によれば、冷却手段によってフィルムを冷却するとフィルムに対する半導体チップの貼着強度が低下し、半導体チップはフィルムから剥離し易い状態となる。したがって、その冷却状態で突き上げピンにより半導体チップを突き上げると、半導体チップをフィルムから円滑、かつ確実に剥離させることができる。   According to the present invention, when the film is cooled by the cooling means, the bonding strength of the semiconductor chip to the film is lowered, and the semiconductor chip is easily peeled from the film. Therefore, when the semiconductor chip is pushed up by the push-up pin in the cooled state, the semiconductor chip can be smoothly and reliably peeled from the film.

本発明のダイボンダ装置によれば、冷却手段によってフィルムを冷却して粘度を低下させることにより、フィルムや半導体チップの種類にかかわらず半導体チップをフィルムから円滑、かつ確実に剥離することができるといった効果を奏する。   According to the die bonder device of the present invention, by cooling the film by the cooling means to reduce the viscosity, the effect that the semiconductor chip can be smoothly and reliably peeled from the film regardless of the type of the film or the semiconductor chip. Play.

本発明の一実施形態に係るダイボンダ装置で処理される被処理物であって、フィルムに貼着され、多数の半導体チップに分割された状態の半導体ウェーハを示す斜視図である。It is a to-be-processed object processed with the die bonder apparatus which concerns on one Embodiment of this invention, Comprising: It is a perspective view which shows the semiconductor wafer of the state stuck on the film and divided | segmented into many semiconductor chips. 本発明の一実施形態に係るダイボンダ装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the die bonder apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 一実施形態のダイボンダ装置により、半導体チップをフィルムから剥離する過程を示す側面図である。It is a side view which shows the process in which a semiconductor chip is peeled from a film with the die bonder apparatus of one Embodiment. 一実施形態のダイボンダ装置により、フィルムから剥離させた半導体チップをコレットチャックで保持し、搬送する過程を示す側面図である。It is a side view which shows the process in which the die chipper apparatus of one Embodiment hold | maintains and conveys the semiconductor chip peeled from the film with a collet chuck. 吸着部材の冷却手段が変更されたダイボンダ装置の他の実施形態を示す側面図である。It is a side view which shows other embodiment of the die bonder apparatus by which the cooling means of the adsorption | suction member was changed.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
（１）半導体チップ
図１の符号１は、多数の半導体チップ２に分割された状態の半導体ウェーハを示している。半導体ウェーハ１は、厚さが例えば１００〜３００μｍ程度のシリコンウェーハ等であって、表面に多数の矩形状のデバイス３が形成され、デバイス３間の全ての分割予定ラインが切断されて、表面にデバイス３を有する多数の半導体チップ２に分割されている。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
(1) Semiconductor Chip Reference numeral 1 in FIG. 1 indicates a semiconductor wafer divided into a large number of semiconductor chips 2. The semiconductor wafer 1 is a silicon wafer having a thickness of, for example, about 100 to 300 μm, and a large number of rectangular devices 3 are formed on the surface. It is divided into a large number of semiconductor chips 2 having devices 3.

半導体ウェーハ１は、環状のフレーム４に張られたフィルム５の、表面側の粘着面５ａに貼着された状態で多数の半導体チップ２に分割される。フィルム５は片面が粘着面５ａとされたもので、その粘着面５ａにフレーム４と半導体ウェーハ１が貼り付けられる。フレーム４は、金属等の板材からなる剛性を有するもので、このフレーム４を支持することにより半導体ウェーハ１が搬送される。分割された多数の半導体チップ２はフィルム５に貼着されているためバラバラにはならず、半導体ウェーハ１の形態が保たれている。各半導体チップ２は、図２に示す一実施形態のダイボンダ装置によってフィルム５から剥離されてリードフレーム９の上面に実装される。   The semiconductor wafer 1 is divided into a large number of semiconductor chips 2 in a state where the film 5 stretched on the annular frame 4 is stuck to the adhesive surface 5a on the front surface side. The film 5 has an adhesive surface 5a on one side, and the frame 4 and the semiconductor wafer 1 are attached to the adhesive surface 5a. The frame 4 has rigidity made of a plate material such as metal, and the semiconductor wafer 1 is transported by supporting the frame 4. A large number of divided semiconductor chips 2 are stuck to the film 5, so that they do not fall apart and the form of the semiconductor wafer 1 is maintained. Each semiconductor chip 2 is peeled off from the film 5 by the die bonder device of one embodiment shown in FIG.

（２）ダイボンダ装置
（２−１）ダイボンダ装置の構成
図２に示すダイボンダ装置は、上記フレーム４を保持して、多数の半導体チップ２が貼着された状態のフィルム５を粘着面５ａが上に向き、かつ下面が露出する浮いた状態で水平に支持する図示せぬステージを有している。そしてダイボンダ装置は、このように支持されたフィルム５の下側に配設された吸着部材１０と、フィルム５の上方に配設されたコレットチャック（保持部材）２０と、撮像手段３０とを備えている。なお、図２では、フィルム５上の多数の半導体チップ２のうち、剥離対象の１つの半導体チップ２のみを示しており、他の半導体チップ２は図示を省略している。 (2) Die Bonder Device (2-1) Configuration of Die Bonder Device The die bonder device shown in FIG. 2 holds the frame 4 and the film 5 on which a large number of semiconductor chips 2 are adhered has an adhesive surface 5a on the top. And a stage (not shown) that is horizontally supported in a floating state with the lower surface exposed. The die bonder device includes an adsorption member 10 disposed on the lower side of the film 5 thus supported, a collet chuck (holding member) 20 disposed on the upper side of the film 5, and an imaging unit 30. ing. In FIG. 2, only one semiconductor chip 2 to be peeled is shown among many semiconductor chips 2 on the film 5, and the other semiconductor chips 2 are not shown.

撮像手段３０は、半導体ウェーハ１の上方において水平方向に移動可能に支持されており、各半導体チップ２の位置がこの撮像手段３０によって把握されるようになっている。   The imaging means 30 is supported above the semiconductor wafer 1 so as to be movable in the horizontal direction, and the position of each semiconductor chip 2 is grasped by the imaging means 30.

吸着部材１０は、軸線が鉛直方向と平行に配設された円筒状のハウジング１１を有している。そしてこのハウジング１１内の上端部に、冷却手段１２が固定されている。冷却手段１２に何を用いるかは限定されないが、例えば一般周知のペルチェ素子が好適に用いられる。またこの他には、圧縮した冷媒のヘリウムガスを膨張させる際に冷却が生じる原理を利用したガス圧縮式の冷却手段等を適用することができる。   The adsorbing member 10 has a cylindrical housing 11 in which an axis is disposed in parallel with the vertical direction. The cooling means 12 is fixed to the upper end of the housing 11. Although what is used for the cooling means 12 is not limited, for example, a generally known Peltier element is preferably used. In addition to this, a gas compression type cooling means utilizing the principle that cooling occurs when expanding the helium gas of the compressed refrigerant can be applied.

ハウジング１１の上端開口を塞いでいる冷却手段１２の中央には、上下方向に移動可能に突き上げピン１３が貫通されている。この突き上げピン１３は、図示せぬ上下動機構により、先端が冷却手段１２から上方に突出しない待機位置（図３（ａ）に示す）と、冷却手段１２の上方に突出した突き上げ位置（図３（ｃ）に示す）との間を上下動する。   In the center of the cooling means 12 closing the upper end opening of the housing 11, a push-up pin 13 is penetrated so as to be movable in the vertical direction. The push-up pin 13 is moved to a standby position (shown in FIG. 3A) where the tip does not protrude upward from the cooling means 12 by a vertical movement mechanism (not shown), and a push-up position (FIG. 3) protruding above the cooling means 12. (Shown in (c)).

また、冷却手段１２における突き上げピン１３の周囲には上下方向に貫通する複数の吸引孔１２ａが形成されている。吸着部材１０の上端面を構成する冷却手段１２の上面とハウジング１１の上端縁は互いに面一で、かつ水平に設定されている。吸着部材１０には、ハウジング１１の内部の空気を吸引する図示せぬ吸引源が接続されており、該吸引源が作動する負圧運転がなされると、吸引孔１２ａから上方の空気が吸引され、これにより、フィルム５の裏面（下面）が吸着部材１０の上端面に吸着されるようになっている。なお、フィルム５を吸着する吸着部材１０の上端面は、図３（ｂ）に示すように、複数の半導体チップ２に対応した大きさを有している。   A plurality of suction holes 12 a penetrating in the vertical direction are formed around the push-up pin 13 in the cooling means 12. The upper surface of the cooling means 12 constituting the upper end surface of the adsorption member 10 and the upper end edge of the housing 11 are set to be flush with each other and horizontally. The suction member 10 is connected to a suction source (not shown) that sucks air inside the housing 11. When a negative pressure operation is performed to operate the suction source, the upper air is sucked from the suction hole 12 a. Thereby, the back surface (lower surface) of the film 5 is attracted to the upper end surface of the adsorption member 10. In addition, the upper end surface of the adsorbing member 10 that adsorbs the film 5 has a size corresponding to the plurality of semiconductor chips 2 as shown in FIG.

コレットチャック２０は、軸線が鉛直方向と平行に配設された円筒状部材であり、下端部が先細りの円錐状に形成されている。そして、この円錐部２１の先端縁部には、上方の内部に向かうにしたがって狭くなるテーパ状に形成されたチップ保持部２１ａが形成されている。コレットチャック２０には、コレットチャック２０の内部の空気を吸引する図示せぬ吸引源が接続されており、該吸引源が作動する負圧運転がなされると、コレットチャック２０の下端開口２０ａから下方の空気が吸引され、これにより、フィルム５から剥離した１つの半導体チップ２が、チップ保持部２１ａに吸着して水平に保持されるようになっている。   The collet chuck 20 is a cylindrical member whose axis is arranged in parallel with the vertical direction, and the lower end portion is formed in a tapered cone shape. A tip holding portion 21 a formed in a tapered shape that becomes narrower toward the upper inside is formed at the tip edge portion of the conical portion 21. A suction source (not shown) that sucks air inside the collet chuck 20 is connected to the collet chuck 20. When a negative pressure operation is performed to operate the suction source, the collet chuck 20 is moved downward from the lower end opening 20 a of the collet chuck 20. Thus, one semiconductor chip 2 peeled from the film 5 is attracted to the chip holding portion 21a and held horizontally.

上記吸着部材１０は、図示せぬ移動手段により、フィルム５の裏面に沿って該フィルム５と相対的に水平方向に移動して剥離対象の全ての半導体チップ２の裏面側に位置付けられることが可能となっており、かつ上下動してフィルム５の裏面に対し相対的に離接することも可能となっている。このようにフィルム５に対して吸着部材１０を相対的に移動させる該移動手段は、吸着部材１０か、もしくはフレーム４を保持する上記ステージのいずれか一方、もしくは双方を移動させるものとされる。   The adsorption member 10 can be positioned on the back side of all the semiconductor chips 2 to be peeled by moving in the horizontal direction relative to the film 5 along the back side of the film 5 by a moving means (not shown). It is also possible to move up and down and to move away from the back surface of the film 5 relatively. The moving means for moving the suction member 10 relative to the film 5 in this way moves either the suction member 10 or the stage holding the frame 4 or both.

また、上記コレットチャック２０は、図示せぬ移動手段（保持部材移動手段）によって、半導体ウェーハ１の表面に沿って水平方向に移動して全ての半導体チップ２の上方に位置付けられることが可能となっており、かつ上下動して半導体ウェーハ１の表面に対し離接することも可能となっている。また、コレットチャック２０は、該移動手段により、所定位置に設置されているリードフレーム９の上面の実装位置まで搬送されるようになっている。   Further, the collet chuck 20 can be moved horizontally along the surface of the semiconductor wafer 1 and positioned above all the semiconductor chips 2 by a moving means (holding member moving means) (not shown). In addition, it is possible to move up and down and come in contact with the surface of the semiconductor wafer 1. The collet chuck 20 is transported to the mounting position on the upper surface of the lead frame 9 installed at a predetermined position by the moving means.

（２−２）ダイボンダ装置の動作
続いて、以上の構成を有するダイボンダ装置によって、半導体チップ２をフィルム５から剥離してリードフレーム９に配設する動作を説明する。まず、図３（ａ）に示すように、撮像手段３０によって把握された剥離する１つの半導体チップ２の位置に吸着部材１０が移動して位置付けられる。同図に示すように、吸着部材１０は目的の半導体チップ２の下方に、突き上げピン１３が半導体チップ２の中心に対応し、フィルム５からやや離れた下方に位置付けられる。この段階では、突き上げピン１３は待機位置に位置付けられている。 (2-2) Operation of Die Bonder Device Next, an operation of peeling the semiconductor chip 2 from the film 5 and disposing it on the lead frame 9 by the die bonder device having the above configuration will be described. First, as illustrated in FIG. 3A, the suction member 10 is moved and positioned at the position of the one semiconductor chip 2 to be peeled, grasped by the imaging unit 30. As shown in the figure, the adsorbing member 10 is positioned below the target semiconductor chip 2, the push-up pin 13 corresponds to the center of the semiconductor chip 2, and is positioned slightly below the film 5. At this stage, the push-up pin 13 is positioned at the standby position.

次いで、吸着部材１０の負圧運転が開始されるとともに吸着部材１０が上昇し、これによって図３（ｂ）に示すように吸着部材１０の上端面にフィルム５が吸着される。また、これと同時に冷却手段１２を作動させる。作動した冷却手段１２により、フィルム５の冷却手段１２が接触している部分が冷却される。   Next, the negative pressure operation of the adsorption member 10 is started and the adsorption member 10 is raised, whereby the film 5 is adsorbed on the upper end surface of the adsorption member 10 as shown in FIG. At the same time, the cooling means 12 is operated. The portion of the film 5 in contact with the cooling means 12 is cooled by the activated cooling means 12.

次に、図３（ｃ）に示すように、突き上げピン１３を突き上げ位置に上昇させる（同図で上向き矢印は突き上げピン１３の動く方向を示している）。これによりフィルム５が突き上げピン１３によって裏面側から表面側に向かって突き上げられる。すると、目的の半導体チップ２が同時に突き上げられ、フィルム５から剥離する。この時、半導体チップ２が貼着されているフィルム５は冷却手段１２によって冷却されており、このためフィルム５の粘着面５ａの粘度、すなわちフィルム５に対する半導体チップ２の貼着強度が低下している。したがって、半導体チップ２はフィルム５から容易に剥離する。   Next, as shown in FIG. 3C, the push-up pin 13 is raised to the push-up position (in the same figure, the upward arrow indicates the direction in which the push-up pin 13 moves). Thereby, the film 5 is pushed up from the back surface side to the front surface side by the push-up pins 13. Then, the target semiconductor chip 2 is pushed up simultaneously and peeled off from the film 5. At this time, the film 5 to which the semiconductor chip 2 is adhered is cooled by the cooling means 12, so that the viscosity of the adhesive surface 5 a of the film 5, that is, the adhesion strength of the semiconductor chip 2 to the film 5 decreases. Yes. Therefore, the semiconductor chip 2 is easily peeled off from the film 5.

次に、図４（ａ）に示すように、剥離された半導体チップ２の上方からコレットチャック２０が下向き矢印方向に下降してきてチップ保持部２１ａ内に半導体チップ２が入り込んだ状態となり、これと同時にコレットチャック２０の負圧運転がなされる。すると半導体チップ２はチップ保持部２１ａに保持される。この後、図４（ｂ）に示すようにコレットチャック２０が上向き矢印で示す方向に上昇してから、図２に示したリードフレーム９の上面に移動し、所定の実装位置に半導体チップ２を位置付けてから、負圧運転を停止する。これによって半導体チップ２はリードフレーム９に配設される。   Next, as shown in FIG. 4A, the collet chuck 20 descends in the downward arrow direction from above the peeled semiconductor chip 2, and the semiconductor chip 2 enters the chip holding portion 21a. At the same time, the negative pressure operation of the collet chuck 20 is performed. Then, the semiconductor chip 2 is held by the chip holding part 21a. After that, as shown in FIG. 4B, the collet chuck 20 moves upward in the direction indicated by the upward arrow, and then moves to the upper surface of the lead frame 9 shown in FIG. 2 to place the semiconductor chip 2 at a predetermined mounting position. After positioning, stop the negative pressure operation. As a result, the semiconductor chip 2 is disposed on the lead frame 9.

以上の、冷却手段１２によりフィルム５を冷却しながら突き上げピン１３でフィルム５を突き上げることにより半導体チップ２をフィルム５から剥離させ、次いで、フィルム５から剥離した半導体チップ２をリードフレーム９に配設するといった動作を、全ての半導体チップ２に対し順次繰り返し行って、全ての半導体チップ２をリードフレーム９に配設する。   The semiconductor chip 2 is peeled off from the film 5 by pushing up the film 5 with the push-up pins 13 while cooling the film 5 with the cooling means 12, and then the semiconductor chip 2 peeled off from the film 5 is disposed on the lead frame 9. Such an operation is sequentially repeated for all the semiconductor chips 2 to arrange all the semiconductor chips 2 on the lead frame 9.

（２−３）ダイボンダ装置の作用効果
上記一実施形態のダイボンダ装置によれば、半導体チップ２をフィルム５から剥離する時には、上記のようにフィルム５が冷却手段１２によって冷却されていることにより粘着面５ａの粘度が低下しているため、半導体チップ２はフィルム５から剥離し易い状態となる。したがって、半導体チップ２に対するフィルム５の粘着力が強力であったとしても、半導体チップ２をフィルム５から円滑、かつ確実に剥離させることができる。 (2-3) Effects of the die bonder device According to the die bonder device of the above-described embodiment, when the semiconductor chip 2 is peeled from the film 5, the film 5 is cooled by the cooling means 12 as described above. Since the viscosity of the surface 5a is reduced, the semiconductor chip 2 is easily peeled off from the film 5. Therefore, even if the adhesive force of the film 5 to the semiconductor chip 2 is strong, the semiconductor chip 2 can be smoothly and reliably peeled from the film 5.

（３）他の実施形態
図５は、上記吸着部材１０に備えられる本発明に係る冷却手段の形態を変更した他の実施形態を示している。この場合の吸着部材１０のハウジング１１の上端部には上板部１４が固定され、この上板部１４の中心に突き上げピン１３が上下動可能に貫通している。また、上板部１４の突き上げピン１３の周囲には、複数の吸引孔１４ａが形成されている。 (3) Other Embodiments FIG. 5 shows another embodiment in which the form of the cooling means according to the present invention provided in the adsorption member 10 is changed. In this case, an upper plate portion 14 is fixed to the upper end portion of the housing 11 of the suction member 10, and a push-up pin 13 penetrates through the center of the upper plate portion 14 so as to be movable up and down. A plurality of suction holes 14 a are formed around the push-up pin 13 of the upper plate portion 14.

そして、ハウジング１１の周囲に、この実施形態における冷却手段として、複数の冷却ノズル１５が配設されている。これら冷却ノズル１５は、上下方向に延びる管状のもので、上端部が内側（ハウジング１１側）に向けて斜め上方に屈曲している。各冷却ノズル１５には冷却されたエア等の冷却流体が供給され、上方の開口１５ａから冷却流体が噴出するようになっている。各冷却ノズル１５は、上端がハウジング１１の上端よりも上方に突出しない状態とされ、例えば図示せぬブラケットを介してハウジング１１に固定されるといった形態で、ハウジング１１と一体的に上下動可能に設けられている。   A plurality of cooling nozzles 15 are disposed around the housing 11 as cooling means in this embodiment. These cooling nozzles 15 are tubular ones extending in the vertical direction, and their upper ends are bent obliquely upward toward the inner side (housing 11 side). Each cooling nozzle 15 is supplied with a cooling fluid such as cooled air, and the cooling fluid is ejected from the upper opening 15a. Each cooling nozzle 15 is configured such that its upper end does not protrude above the upper end of the housing 11 and can be moved up and down integrally with the housing 11 in a form such as being fixed to the housing 11 via a bracket (not shown). Is provided.

この実施形態では、負圧運転された吸着部材１０によってフィルム５を吸着部材１０の上板部１４に吸着した時に、各冷却ノズル１５の開口１５ａから、冷却ノズル１５内の矢印で示すように冷却流体がフィルム５に向けて噴出される。これにより吸着部材１０の上方部分のフィルム５が冷却されて粘着面５ａの粘度が低下し、剥離対象である突き上げピン１３の直上の半導体チップ２を容易に剥離することができるようになっている。   In this embodiment, when the film 5 is adsorbed to the upper plate portion 14 of the adsorbing member 10 by the adsorbing member 10 operated under negative pressure, cooling is performed from the openings 15a of the respective cooling nozzles 15 as indicated by arrows in the cooling nozzle 15. A fluid is ejected toward the film 5. As a result, the film 5 in the upper part of the adsorbing member 10 is cooled, the viscosity of the adhesive surface 5a is lowered, and the semiconductor chip 2 immediately above the push-up pin 13 to be peeled can be easily peeled off. .

なお、上記実施形態でフィルム５から剥離される半導体チップ２は、フィルム５に直接貼着されているが、本発明では、裏面にＤＡＦ（Die Attach Film）等の粘着層が形成された半導体チップを対象とすることもできる。その場合には、そのＤＡＦ等の粘着層を介してフィルムに半導体チップが貼着され、したがって場合によってはフィルムは粘着面を有さないものが用いられる。   In addition, although the semiconductor chip 2 peeled from the film 5 in the said embodiment is directly affixed on the film 5, in this invention, the semiconductor chip by which adhesion layers, such as DAF (Die Attach Film), were formed in the back surface Can also be targeted. In that case, a semiconductor chip is stuck to the film through an adhesive layer such as DAF, and accordingly, in some cases, the film does not have an adhesive surface.

２…半導体チップ
５…フィルム
９…リードフレーム
１３…突き上げピン
２０…コレットチャック（保持部材）
１２…冷却手段
１５…冷却ノズル（冷却手段） 2 ... Semiconductor chip 5 ... Film 9 ... Lead frame 13 ... Push-up pin 20 ... Collet chuck (holding member)
12 ... Cooling means 15 ... Cooling nozzle (cooling means)

Claims (1)

複数の半導体チップが表面に貼着されたフィルムを裏面側から前記表面側に向かって突き上げることにより半導体チップを前記フィルムから剥離させる突き上げピンと、該突き上げピンの突き上げによって前記フィルムから剥離した半導体チップを着脱可能に保持する保持部材と、該保持部材をリードフレーム上面の所定位置に移動させる保持部材移動手段とを備えるダイボンダ装置において、
前記突き上げピンによる突き上げ対象となる半導体チップが粘着している前記フィルムを冷却する冷却手段を有していることを特徴とするダイボンダ装置。 A push-up pin for peeling a semiconductor chip from the film by pushing up a film having a plurality of semiconductor chips attached to the surface from the back side toward the front side, and a semiconductor chip peeled from the film by pushing up the push-up pin In a die bonder apparatus comprising: a holding member that is detachably held; and a holding member moving unit that moves the holding member to a predetermined position on the upper surface of the lead frame.
A die bonder device comprising a cooling means for cooling the film to which a semiconductor chip to be pushed up by the push-up pin is adhered.
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