JP2010099733A - Laser beam machining apparatus - Google Patents

Laser beam machining apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2010099733A
JP2010099733A JP2008275933A JP2008275933A JP2010099733A JP 2010099733 A JP2010099733 A JP 2010099733A JP 2008275933 A JP2008275933 A JP 2008275933A JP 2008275933 A JP2008275933 A JP 2008275933A JP 2010099733 A JP2010099733 A JP 2010099733A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frame
pad
wafer
housing
laser processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008275933A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Dejima
健志 出島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2008275933A priority Critical patent/JP2010099733A/en
Publication of JP2010099733A publication Critical patent/JP2010099733A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser beam machining apparatus, in which a liquid resin is spin-coated on the surface of a workpiece combined with an annular frame through an adhesive tape and, subsequently, the frame is attached to a pad by an action of negative pressure and transferred, and then the frame is securely and promptly taken away from the pad at a place to which the frame is transferred. <P>SOLUTION: A pad 54, which is attached to a frame 4 by suction, is firmly fixed to a lower edge of a housing 71 communicated to a negative pressure source 83 and a positive pressure source 84 through a pipe 81 and piping 82. A pusher 73 is arranged so as to advance or retreat in the housing 71, and an upper and lower atmosphere of the pusher 73 in the housing 71 is divided into a high-pressure chamber 75 on the side of the pad 54 and a low-pressure chamber 76 on the side of the pipe 81 with rings 74 prepared in the pusher 73. By sending air into the high-pressure chamber 75 in the housing 71 from the positive pressure source 84 and causing internal pressure in the high-pressure chamber 75 to rise, the pusher 73 is made to descend and the frame 4 is pressed with the pusher 73 to force the frame 4 apart from the pad 54. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば半導体ウェーハ等のワークにレーザ光線を照射して溝加工や切断加工等を施すレーザ加工装置に係り、特に、レーザ加工前にワークの加工面に水溶性樹脂を塗布する機能を有するレーザ加工装置に関する。   The present invention relates to a laser processing apparatus that irradiates a workpiece such as a semiconductor wafer with a laser beam to perform groove processing, cutting processing, and the like, and in particular, has a function of applying a water-soluble resin to a processing surface of a workpiece before laser processing. The present invention relates to a laser processing apparatus.

半導体デバイスの製造工程においては、円板状の半導体ウェーハの表面に、格子状に配列された分割予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、これら矩形領域の表面にICやLSI等の電子回路を形成し、次いで裏面を研削した後に研磨するなど必要な処理をしてから、全ての分割予定ラインを切断する、すなわちダイシングして、多数の半導体チップを得ている。このようにして得られた半導体チップは、樹脂封止によりパッケージングされて、携帯電話やPC(パーソナル・コンピュータ)等の各種電気・電子機器に広く用いられている。   In the manufacturing process of semiconductor devices, a large number of rectangular areas are defined on the surface of a disk-shaped semiconductor wafer by dividing lines arranged in a grid pattern, and electronic circuits such as ICs and LSIs are formed on the surface of these rectangular areas. After forming and then performing necessary processing such as polishing after grinding the back surface, all the division lines are cut, that is, diced to obtain a large number of semiconductor chips. The semiconductor chip thus obtained is packaged by resin sealing and widely used in various electric / electronic devices such as mobile phones and PCs (personal computers).

半導体ウェーハのダイシングは、高速回転させた切削ブレードを切り込ませていく方法が一般的であったが、近年では、レーザ光線を照射してウェーハを溶融しながら切断するレーザダイシングも実用化されてきている。このようなレーザダイシングの場合、レーザ光線照射時にデブリと呼ばれる蒸散成分の飛沫がウェーハの表面に付着し、品質を低下させるという問題が起こっていた。そこで本出願人は、ウェーハの表面に樹脂を被覆した状態で当該表面にレーザ光線を照射すれば、デブリは樹脂に付着して直接ウェーハ表面には付着せず、品質を確保することができる技術を提案した(特許文献1)。   For semiconductor wafer dicing, a method of cutting a cutting blade rotated at a high speed was generally used, but in recent years, laser dicing has been put into practical use in which a laser beam is irradiated to melt the wafer while it is melted. ing. In the case of such laser dicing, there has been a problem that droplets of transpiration components called debris adhere to the surface of the wafer when the laser beam is irradiated, thereby degrading the quality. Therefore, if the present applicant irradiates the surface of the wafer with a laser beam and irradiates the surface with a laser beam, the debris adheres to the resin and does not directly adhere to the wafer surface, thereby ensuring the quality. (Patent Document 1).

特開2004−322168号公報JP 2004-322168 A

上記特許文献には、環状のフレームの内側にダイシングテープ(粘着テープ)を介してウェーハを一体化し、その状態のウェーハをスピンナテーブルに保持して回転させながらウェーハ表面に水溶性を有する液状樹脂を滴下して均一に被覆するといった技術が開示されている。ところが、このようないわゆるスピンコートによってフレームと一体化したウェーハの表面に液状樹脂を滴下すると、該樹脂が遠心力によってウェーハの外周側のフレームの表面まで飛散して付着する場合がある。   In the above-mentioned patent document, a wafer is integrated on the inside of an annular frame via a dicing tape (adhesive tape), and a liquid resin having water solubility is applied to the wafer surface while rotating the wafer while holding the wafer on a spinner table. A technique of dropping and uniformly coating is disclosed. However, when the liquid resin is dropped onto the surface of the wafer integrated with the frame by so-called spin coating, the resin may be scattered and adhered to the surface of the frame on the outer peripheral side of the wafer by centrifugal force.

ウェーハは、樹脂被覆後にはレーザダイシング工程に送られるが、通常、ウェーハの搬送は、フレームに接触させたパッドとフレーム間に形成される閉塞空間を負圧状態としてパッドにフレームを吸着させ、パッドを支持するアームを移動させるといった搬送手段が採られており、目的の場所まで搬送した後には、パッドの吸着部分に空気を送って正圧とすることにより、パッドからフレームが離脱するようになされている。ところが、上記のようにフレームに樹脂が付着していると、パッドに樹脂が部分的に付着し、吸着部分に空気を送っても空気漏れが生じる場合があった。こうなるとフレームを離脱させるまでの圧力を得ることができず、パッドからフレームが離脱しないといったトラブルが生じるため、改善策が求められていた。   The wafer is sent to the laser dicing process after resin coating, but usually the wafer is transported by adsorbing the frame to the pad with the closed space formed between the pad and the frame in contact with the frame under negative pressure. A transport means is used to move the arm that supports the frame, and after transporting to the target location, the frame is detached from the pad by sending air to the suction part of the pad to make positive pressure. ing. However, when the resin adheres to the frame as described above, the resin partially adheres to the pad, and air leakage may occur even if air is sent to the adsorption portion. In this case, pressure until the frame is detached cannot be obtained, and troubles such as the frame not being detached from the pad occur. Therefore, an improvement measure has been demanded.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、環状のフレームに粘着テープを介して一体化されたワークの表面にスピンコートで液状樹脂を被覆した後に、フレームを負圧作用でパッドに吸着して搬送するにあたり、搬送先においてパッドからフレームを確実、かつ、速やかに離脱させることができ、トラブルの発生を防止することができるレーザ加工装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and after coating a liquid resin by spin coating on the surface of a work integrated with an annular frame via an adhesive tape, the frame is applied to a pad by negative pressure action. It is an object of the present invention to provide a laser processing apparatus that can reliably and promptly remove the frame from the pad at the transport destination when sucking and transporting, and can prevent troubles.

本発明のレーザ加工装置は、環状のフレームの内側に粘着テープを介して一体に保持されたワークを保持する保持手段と、該保持手段に保持されたワークにレーザ光線を照射してレーザ加工を施すレーザ加工手段と、ワークを保持して回転するスピンナテーブルと、該スピンナテーブルに保持されたレーザ加工前のワークの加工面に液状の水溶性樹脂を供給する樹脂供給手段と、スピンナテーブルに保持されたワークと一体のフレームを吸着、保持し、該フレームを介してワークを所定の搬送先に搬送する搬送手段とを有するレーザ加工装置であって、搬送手段は、負圧発生手段が作動することによってフレームを吸着して保持するパッドと、該パッドに保持されたフレームを、該パッドから離脱するように押圧する押圧部材と、該押圧部材を押圧方向に駆動させる駆動手段と、パッドをスピンナテーブルから搬送先まで移動させる移動手段とを少なくとも備えることを特徴としている。   The laser processing apparatus of the present invention includes a holding unit that holds a workpiece integrally held via an adhesive tape inside an annular frame, and performs laser processing by irradiating the workpiece held by the holding unit with a laser beam. Laser processing means to be applied, a spinner table that holds and rotates the work, a resin supply means that supplies liquid water-soluble resin to the work surface of the work before laser processing held by the spinner table, and is held by the spinner table A laser processing apparatus having a conveying unit that sucks and holds a frame integral with the workpiece and conveys the workpiece to a predetermined conveying destination via the frame, and the negative pressure generating unit operates as the conveying unit. A pad for adsorbing and holding the frame, a pressing member for pressing the frame held by the pad so as to be detached from the pad, and the pressing member Driving means for driving the pressing direction, and characterized in that it comprises at least a moving means for moving the spinner table to the transport destination pad.

本発明のレーザ加工装置では、ワークが保持されたスピンナテーブルを回転させ、自転するワークに樹脂が供給されてワークに樹脂がスピンコートされる。表面に樹脂が被覆されたワークは、搬送手段によって所定の搬送先に搬送される。搬送先が保持手段であった場合、ワークは保持手段に保持され、レーザ加工手段によりレーザ光線が照射されてレーザ加工される。レーザ加工時に上記デブリが発生しても、デブリは被覆樹脂に付着してワークの加工面には直接付着せず、ワークの品質が確保される。   In the laser processing apparatus of the present invention, the spinner table holding the workpiece is rotated, resin is supplied to the rotating workpiece, and the resin is spin-coated on the workpiece. The workpiece whose surface is coated with resin is transported to a predetermined transport destination by the transport means. When the transport destination is the holding means, the workpiece is held by the holding means, and laser processing is performed by laser beam irradiation by the laser processing means. Even if the above-mentioned debris is generated during laser processing, the debris adheres to the coating resin and does not directly adhere to the work surface of the work, so that the work quality is ensured.

本発明の搬送手段では、負圧発生手段が作動することによってパッドがフレームを吸着、保持し、移動手段でパッドが移動させられてワークがフレームごと搬送先に搬送される。そして、搬送先において、押圧部材を駆動手段によって作動させると、押圧部材がフレームを押圧し、パッドからフレームが強制的に離脱させられる。   In the conveying means of the present invention, the negative pressure generating means operates to cause the pad to attract and hold the frame, and the pad is moved by the moving means, so that the work is conveyed to the conveying destination together with the frame. When the pressing member is actuated by the driving means at the transport destination, the pressing member presses the frame, and the frame is forcibly detached from the pad.

ここで、スピンコート時に樹脂が飛散してフレームに付着し、パッドがフレームを吸着する時に樹脂を吸着した状態となっていた場合、従来のように空気圧でパッドからフレームを離脱させる手段では、パッドに樹脂が部分的に付着していると空気漏れが生じて離脱しないといったトラブルが生じていた。ところが本発明では、空気圧でフレームを押圧するのではなく、押圧部材でフレームを押圧するため、従来のように不十分な作用は起こらず、フレームを確実、かつ、速やかにパッドから離脱させることができる。   Here, when the resin scatters and adheres to the frame at the time of spin coating, and the pad is in the state of adsorbing the resin when adsorbing the frame, the means for separating the frame from the pad by air pressure as in the past is When the resin is partially attached to the surface, there is a problem that air leaks and does not come off. However, in the present invention, the frame is not pressed by the air pressure, but is pressed by the pressing member, so that the insufficient action does not occur as in the prior art, and the frame can be reliably and quickly detached from the pad. it can.

以下、本発明の具体的形態を挙げる。
上記駆動手段は、押圧部材を空気の正圧作用で押圧する正圧発生手段であることを特徴とする。この構成においては、パッドに対する負圧発生手段と正圧発生手段の空気流通経路が同一である形態とすると、構成が簡素となって好ましい。
Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be given.
The driving means is a positive pressure generating means for pressing the pressing member by the positive pressure action of air. In this configuration, it is preferable that the negative pressure generating unit and the positive pressure generating unit have the same air flow path with respect to the pad because the configuration is simple.

また、上記空気流動通路には、負圧発生手段と正圧発生手段の作動状態に応じて該空気流通経路を流れる空気の流通方向を一方向に規制する弁部材が設けられていることを特徴とする。   Further, the air flow passage is provided with a valve member for restricting the flow direction of the air flowing through the air flow path in one direction according to the operating state of the negative pressure generating means and the positive pressure generating means. And

また、より具体的な形態としては、上記同一の空気流通経路の末端が筒状のハウジングで構成され、該ハウジングの先端に上記パッドが設けられ、上記押圧部材は、該ハウジング内に、該ハウジングの軸方向に沿って進退自在に設けられているとともに、上記正圧発生手段による正圧発生時に正圧を受ける受圧部と、正圧発生時に上記フレームに接触して該フレームを押圧する押圧部と、該受圧部と該押圧部とを連結する連結部とを有しており、該ハウジング内には、該押圧部材をフレームから退避する方向に付勢する付勢部材が設けられており、該ハウジングの内壁と該押圧部材の該受圧部との間に、上記弁部材が配設されていることを特徴とする。   Further, as a more specific form, the end of the same air flow path is constituted by a cylindrical housing, the pad is provided at the front end of the housing, and the pressing member is provided in the housing. And a pressure receiving portion that receives positive pressure when positive pressure is generated by the positive pressure generating means, and a pressing portion that contacts the frame and presses the frame when positive pressure is generated And a connecting portion that connects the pressure receiving portion and the pressing portion, and a biasing member that biases the pressing member in a direction to retract from the frame is provided in the housing. The valve member is disposed between the inner wall of the housing and the pressure receiving portion of the pressing member.

また、上記弁部材は、押圧部材の受圧部の周囲に固着された弾性を有する断面V字状のリングであって、正圧発生時には開いて上記ハウジングの内壁に圧接し、負圧発生時には閉じて該受圧部と該ハウジングの内壁との間に空間を形成することを特徴とする。   The valve member is an elastic V-shaped ring fixed around the pressure receiving portion of the pressing member, and is opened when positive pressure is generated and pressed against the inner wall of the housing, and closed when negative pressure is generated. Thus, a space is formed between the pressure receiving portion and the inner wall of the housing.

なお、本発明で言うワークは特に限定はされないが、例えば、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハや、チップ実装用としてウェーハの裏面に設けられるDAF(Die Attach Film)等の粘着部材、あるいは半導体製品のパッケージ、セラミック、ガラス、サファイア、シリコン系の基板、各種電子部品、液晶表示装置を制御駆動するLCDドライバ等の各種ドライバ、さらには、ミクロンオーダーの精度が要求される各種加工材料等が挙げられる。   The workpiece in the present invention is not particularly limited. For example, a semiconductor wafer such as a silicon wafer, an adhesive member such as DAF (Die Attach Film) provided on the back surface of the wafer for chip mounting, or a package of a semiconductor product. Ceramic, glass, sapphire, silicon-based substrates, various electronic components, various drivers such as LCD drivers for controlling and driving liquid crystal display devices, and various processing materials that require micron-order accuracy.

本発明によれば、ワークと一体のフレームを搬送手段のパッドで負圧作用により吸着、保持して搬送先に搬送した後、フレームを押圧部材で強制的に押圧してパッドから離脱させるので、パッドからフレームを確実、かつ、速やかに離脱させることができ、搬送時のトラブルを未然に防止することができるといった効果を奏する。   According to the present invention, the frame integrated with the workpiece is sucked and held by the negative pressure action with the pad of the transport means and transported to the transport destination, and then the frame is forcibly pressed by the pressing member and separated from the pad. There is an effect that the frame can be reliably and promptly detached from the pad, and troubles during transportation can be prevented.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
図1は一実施形態のレーザ加工装置10の全体を示しており、図2は背面側を示している。該装置10は、図3に示す半導体ウェーハ(以下、ウェーハと略称)1をワークとするものであって、ウェーハ1を自動制御でダイシングするレーザダイシング装置である。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows the entire laser processing apparatus 10 of one embodiment, and FIG. 2 shows the back side. The apparatus 10 uses a semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as wafer) 1 shown in FIG. 3 as a workpiece, and is a laser dicing apparatus for dicing the wafer 1 by automatic control.

(1)ウェーハ
図3により先にウェーハ1を説明すると、このウェーハ1はシリコン等の単結晶材料からなる円板状のもので、外周部の一部には、結晶方位を示すマークとしてオリエンテーションフラット1aが形成されている。ウェーハ1の表面(加工面)には、格子状に形成された分割予定ライン2により多数の矩形状のチップ3が区画されている。各チップ3の表面には、図示せぬICやLSI等の電子回路が形成されている。ウェーハ1は、レーザ加工装置10により全ての分割予定ライン2がレーザ加工されて個々のチップ3にダイシングされる。なお、この場合のダイシングは、厚さ方向に完全に貫通して切断するフルカットの他に、厚さの途中まで所定深さの溝を形成する溝加工を含む。溝加工した場合のウェーハは、後工程でさらに溝の残り厚さ部分をフルカットするか、あるいは応力を付与して割断することにより、多数のチップ3にダイシングされる。
(1) Wafer The wafer 1 will be described first with reference to FIG. 3. This wafer 1 is a disk-shaped material made of a single crystal material such as silicon, and an orientation flat as a crystal orientation mark is formed on a part of the outer peripheral portion. 1a is formed. A large number of rectangular chips 3 are partitioned on the surface (processed surface) of the wafer 1 by division lines 2 formed in a lattice pattern. On the surface of each chip 3, electronic circuits such as IC and LSI (not shown) are formed. The wafer 1 is diced into individual chips 3 by laser processing of all the division lines 2 by the laser processing apparatus 10. In addition, the dicing in this case includes groove processing for forming a groove having a predetermined depth to the middle of the thickness in addition to a full cut that penetrates and cuts completely in the thickness direction. The wafer in the case where the groove is processed is diced into a large number of chips 3 by further cutting the remaining thickness of the groove in a later process or by applying stress to cleave it.

ウェーハ1がレーザ加工装置10に供給される際には、図3に示すように環状のフレーム4の内側に粘着テープ5を介して支持された状態とされる。フレーム4は、金属等の板材からなる剛性を有するものである。粘着テープ5は片面が粘着面とされたもので、その粘着面にフレーム4とウェーハ1が貼着される。粘着テープ5を介してウェーハ1を支持したフレーム4(以下、ウェーハ付きフレーム6と称する)は、図1に示すウェーハ収納用のカセット9内に、ウェーハ1を上側にした状態で収納される。カセット9には、多数のウェーハ付きフレーム6が水平、かつ上下方向に積層されて収納される。   When the wafer 1 is supplied to the laser processing apparatus 10, the wafer 1 is supported inside the annular frame 4 via the adhesive tape 5 as shown in FIG. 3. The frame 4 has rigidity made of a plate material such as metal. The adhesive tape 5 has an adhesive surface on one side, and the frame 4 and the wafer 1 are attached to the adhesive surface. A frame 4 (hereinafter referred to as a frame 6 with a wafer) that supports a wafer 1 via an adhesive tape 5 is stored in a wafer storage cassette 9 shown in FIG. 1 with the wafer 1 facing upward. In the cassette 9, a large number of frames 6 with wafers are stacked horizontally and vertically and stored.

(2)レーザ加工装置
(2−1)全体の構成
図1および図2の符号11はキャビネットである。このキャビネット11の内部には、レーザ加工手段19が配設されている。レーザ加工手段19としては、YAGレーザ発振器やYVO4レーザ発振器等のレーザ発振器で発振したレーザをレンズで集光して照射する構成を有するもの等が用いられる。なお、図1および図2にはレーザ加工手段19の一部であってレーザ光線を下方に照射する照射部を図示している。
(2) Laser processing apparatus (2-1) Overall configuration Reference numeral 11 in FIGS. 1 and 2 denotes a cabinet. Laser processing means 19 is disposed inside the cabinet 11. As the laser processing means 19, one having a configuration in which a laser oscillated by a laser oscillator such as a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator is condensed by a lens and irradiated is used. 1 and 2 show an irradiation unit that is a part of the laser processing means 19 and irradiates a laser beam downward.

キャビネット11のY方向一端側(図1で手前側)には、タッチパネル式の操作表示盤12が設けられており、レーザ加工の自動運転に係わる各種設定などは、この操作表示盤12を利用して行われる。また、操作表示盤12には、内部の運転状況を表示する機能なども付加されている。操作表示盤12の上方の、キャビネット11の天板には、運転状態を表示したり警告を発したりする表示灯13が取り付けられている。   A touch panel type operation display panel 12 is provided on one end side of the cabinet 11 in the Y direction (front side in FIG. 1), and this operation display panel 12 is used for various settings related to automatic operation of laser processing. Done. The operation display panel 12 is also provided with a function for displaying the internal operation status. On the top plate of the cabinet 11 above the operation display panel 12, an indicator lamp 13 for displaying an operation state or issuing a warning is attached.

キャビネット11の側面11a側には、基台14が併設されている。この基台14上の中央が、円板状のチャックテーブル(保持手段)20に対してウェーハ1を着脱するウェーハ着脱位置に設定されている。チャックテーブル20は、基台14上のウェーハ着脱位置と、キャビネット11内のレーザ加工手段19による加工位置との間をX方向に往復移動させられる。図2で示すチャックテーブル20は、加工位置に位置付けられている。ウェーハ着脱位置の、図1においてY方向手前側にはカセット台15が配設され、反対側のY方向奥側にはスピンナ装置60が配設されている。   A base 14 is provided on the side surface 11 a side of the cabinet 11. The center on the base 14 is set to a wafer attachment / detachment position where the wafer 1 is attached to and detached from the disk-shaped chuck table (holding means) 20. The chuck table 20 is reciprocated in the X direction between a wafer attachment / detachment position on the base 14 and a processing position by the laser processing means 19 in the cabinet 11. The chuck table 20 shown in FIG. 2 is positioned at the machining position. A cassette base 15 is disposed on the front side in the Y direction in FIG. 1 at the wafer attaching / detaching position, and a spinner device 60 is disposed on the far side in the Y direction on the opposite side.

多数のウェーハ付きフレーム6が収納された上記カセット9は、カセット台15にセットされる。カセット台15は昇降可能なエレベータ式であり、昇降することによってカセット内の1つのウェーハ付きフレーム6が、一定高さの引き出し位置に位置付けられるようになっている。   The cassette 9 containing a large number of frames 6 with wafers is set on a cassette table 15. The cassette base 15 is an elevator type that can be raised and lowered, and by moving up and down, the frame 6 with one wafer in the cassette is positioned at a drawing position with a certain height.

カセット台15にセットされたカセット9内のウェーハ付きフレーム6は、上記引き出し位置からチャックテーブル20に移されて保持される。チャックテーブル20は一般周知の真空チャック式のもので、矩形状のベーステーブル21に、Z方向(上下方向)を回転軸として回転自在に支持されており、ベーステーブル21内に配設された図示せぬ回転駆動機構によって一方向または両方向に回転させられる。   The wafer-attached frame 6 in the cassette 9 set on the cassette table 15 is moved from the drawing position to the chuck table 20 and held. The chuck table 20 is of a generally known vacuum chuck type, and is supported on a rectangular base table 21 so as to be rotatable about the Z direction (vertical direction) as a rotation axis. It is rotated in one direction or both directions by a rotational drive mechanism (not shown).

基台14上のウェーハ着脱位置から、キャビネット11内のレーザ加工手段19による加工位置にわたっては、X方向に延びる矩形状の凹所16がベーステーブル21の移動スペースとして設けられている。ベーステーブル21は、凹所16の底面に設けられた図示せぬ往復移動手段によってX方向に往復移動させられるようになっており、したがってチャックテーブル20はベーステーブル21とともにX方向に往復移動させられる。ベーステーブル21のX方向の両端部には、蛇腹状のカバー17がそれぞれ取り付けられている。これらカバー17は、凹所16内に塵埃等が落下することを防ぐもので、ベーステーブル21の移動に追従して伸縮する。   A rectangular recess 16 extending in the X direction is provided as a moving space for the base table 21 from the wafer attachment / detachment position on the base 14 to the processing position by the laser processing means 19 in the cabinet 11. The base table 21 is reciprocated in the X direction by a reciprocating means (not shown) provided on the bottom surface of the recess 16, so that the chuck table 20 is reciprocated in the X direction together with the base table 21. . Bellows-like covers 17 are attached to both ends of the base table 21 in the X direction. These covers 17 prevent dust and the like from falling into the recesses 16 and expand and contract following the movement of the base table 21.

チャックテーブル20が真空運転されると、上方の空気が吸引されることにより生じる負圧作用で、ウェーハ1がチャックテーブル20の上面に吸着、保持されるようになっている。チャックテーブル20の外径はウェーハ1とほぼ同等であり、ウェーハ1の全体がチャックテーブル20の上面に密着して同心状に保持される。また、ウェーハ1の周囲のフレーム4は、チャックテーブル20の外周面に取り付けられた複数のクランプ22で把持され、保持される。   When the chuck table 20 is operated in a vacuum, the wafer 1 is attracted and held on the upper surface of the chuck table 20 by a negative pressure effect caused by suction of the upper air. The outer diameter of the chuck table 20 is substantially the same as that of the wafer 1, and the entire wafer 1 is held in a concentric manner in close contact with the upper surface of the chuck table 20. The frame 4 around the wafer 1 is held and held by a plurality of clamps 22 attached to the outer peripheral surface of the chuck table 20.

上記スピンナ装置60は、ウェーハ付きフレーム6が保持されるスピンナテーブル61を有している。スピンナテーブル61は、上記チャックテーブル20と同様の真空チャック式のもので、負圧作用によってウェーハ付きフレーム6を上面に吸着して保持する。スピンナテーブル61の外周面には、フレーム4を把持して保持する複数のクランプ62が取り付けられている。スピンナテーブル61は、図示せぬ回転駆動機構によって回転させられ、また、図示せぬ昇降機構によって基台14の上面と高さ位置がほぼ同じウェーハ受け渡し位置と、下方の基台14内部に設定される加工位置との間を昇降させられる。   The spinner device 60 has a spinner table 61 on which the frame 6 with a wafer is held. The spinner table 61 is a vacuum chuck type similar to the chuck table 20 described above, and adsorbs and holds the frame 6 with a wafer on the upper surface by a negative pressure action. A plurality of clamps 62 that hold and hold the frame 4 are attached to the outer peripheral surface of the spinner table 61. The spinner table 61 is rotated by a rotation drive mechanism (not shown), and is set in a wafer delivery position where the upper surface of the base 14 and the height position are substantially the same by the lifting mechanism (not shown) and inside the base 14 below. It can be moved up and down between the processing positions.

スピンナ装置60では、レーザ加工前に、ウェーハ1の加工面である表面に水溶性樹脂を塗布する樹脂塗布工程と、レーザ加工後のウェーハ1を洗浄する洗浄工程が行われる。スピンナ装置60には、スピンナテーブル61に保持されたウェーハ1の表面の中心に液状の水溶性樹脂を滴下する樹脂供給ノズルと、ウェーハ1に塗布された樹脂に洗浄水を供給する洗浄水ノズルと、ウェーハ1に空気を噴出して乾燥させる空気噴出ノズルが備えられている(いずれも図示略)。   In the spinner apparatus 60, before the laser processing, a resin coating process for applying a water-soluble resin to the processing surface of the wafer 1 and a cleaning process for cleaning the wafer 1 after the laser processing are performed. The spinner device 60 includes a resin supply nozzle that drops liquid water-soluble resin onto the center of the surface of the wafer 1 held by the spinner table 61, and a cleaning water nozzle that supplies cleaning water to the resin applied to the wafer 1. In addition, an air ejection nozzle that ejects air onto the wafer 1 to dry the wafer 1 is provided (not shown).

次に、図1によりウェーハ付きフレーム6を搬送する搬送系を説明する。
上記カセット9内に収納され、カセット台15の昇降動作によって上記引き出し位置に位置付けられた1枚のウェーハ付きフレーム6は、把持機構30によってY方向奥側に水平に引き出され、ウェーハ着脱位置の上方に配設された一対のY方向に延びる位置決めバー35で受けられる。把持機構30は、キャビネット11の側面11aに設けられたリニアガイド31によってY方向に往復移動させられるアーム32の先端に、フレーム4を把持するクランプ部33が設けられたものである。一対の位置決めバー35はX方向に同期して互いに近付いたり離れたりするように作動し、両者の中間位置が常にチャックテーブル20の中心に一致するようになされている。
Next, a conveyance system for conveying the frame 6 with a wafer will be described with reference to FIG.
The single wafer-attached frame 6 housed in the cassette 9 and positioned at the pull-out position by the raising / lowering operation of the cassette table 15 is pulled out horizontally by the gripping mechanism 30 in the Y direction, and above the wafer attachment / detachment position. Are received by a pair of positioning bars 35 extending in the Y direction. The gripping mechanism 30 is provided with a clamp portion 33 that grips the frame 4 at the tip of an arm 32 that is reciprocated in the Y direction by a linear guide 31 provided on the side surface 11 a of the cabinet 11. The pair of positioning bars 35 operate so as to approach and separate from each other in synchronism with the X direction, and the intermediate position between them is always aligned with the center of the chuck table 20.

ウェーハ付きフレーム6は、把持機構30のクランプ部33によって把持され、アーム32の移動によって2つの位置決めバー35に架け渡される状態に載置される。そして位置決めバー35が互いに近付いてフレーム4の外周縁に接触することによりウェーハ付きフレーム6のX方向の位置決めがなされる。なお、Y方向の位置決めはアーム32の移動によってなされる。これによりウェーハ1は、チャックテーブル20と同心状にセンタリング(X・Y方向の位置決め)される。   The wafer-attached frame 6 is gripped by the clamp portion 33 of the gripping mechanism 30 and placed in a state of being spanned between the two positioning bars 35 by the movement of the arm 32. Then, the positioning bars 35 come close to each other and come into contact with the outer peripheral edge of the frame 4 to thereby position the frame 6 with a wafer in the X direction. The positioning in the Y direction is performed by moving the arm 32. As a result, the wafer 1 is centered (positioned in the X and Y directions) concentrically with the chuck table 20.

次に、位置決めバー35で支持されているフレーム4が、上方の第1搬送機構40によって保持され、この後、位置決めバー35が離間し、ウェーハ付きフレーム6は第1搬送機構40のみで保持される。第1搬送機構40は、キャビネット11の側面11aに設けられたリニアガイド41に沿ってY方向に往復移動させられる伸縮アーム42の先端にH状のブラケット43が固定され、このブラケット43の4つの端部に、パッド44が設けられたもので、フレーム4は、各パッド44の下面に水平な状態で保持される。パッド44は、空気吸引による負圧作用でパッド44に接触するフレーム4を吸着、保持し、また、パッド44から空気を噴出する正圧作用でフレーム4を下方に離脱させる。   Next, the frame 4 supported by the positioning bar 35 is held by the upper first transfer mechanism 40. Thereafter, the positioning bar 35 is separated, and the frame 6 with a wafer is held only by the first transfer mechanism 40. The The first transport mechanism 40 has an H-shaped bracket 43 fixed to the tip of an extendable arm 42 that is reciprocated in the Y direction along a linear guide 41 provided on the side surface 11 a of the cabinet 11. A pad 44 is provided at the end, and the frame 4 is held horizontally on the lower surface of each pad 44. The pad 44 adsorbs and holds the frame 4 in contact with the pad 44 by a negative pressure action by air suction, and separates the frame 4 downward by a positive pressure action of ejecting air from the pad 44.

第1搬送機構40で保持されたウェーハ付きフレーム6は、伸縮アーム42が上方に縮小してからY方向奥側に移動し、次いで伸縮アーム42が下方に伸びてから、フレーム4がパッド44から離脱され、これによってウェーハ付きフレーム6はスピンナ装置60のスピンナテーブル61に同心状に載置される。   The frame 6 with a wafer held by the first transport mechanism 40 moves to the back side in the Y direction after the telescopic arm 42 is contracted upward, and then the frame 4 is detached from the pad 44 after the telescopic arm 42 extends downward. As a result, the wafer-mounted frame 6 is placed concentrically on the spinner table 61 of the spinner apparatus 60.

スピンナテーブル61上に保持されたウェーハ付きフレーム6は、第2搬送機構(搬送手段)50によって上記位置決めバー35、あるいはチャックテーブル20に搬送される。第2搬送機構50は第1搬送機構40と同様の構成であって、キャビネット11の側面11aのリニアガイド41の下側に設けられたリニアガイド51に沿ってY方向に往復移動させられる伸縮アーム(移動手段)52の先端にH状のブラケット53が固定され、このブラケット53の4つの端部にパッド54が設けられたもので、フレーム4は、各パッド54の下面に水平な状態で保持される。パッド54は、空気吸引による負圧作用でフレーム4を吸着、保持する。また、パッド54からのフレーム4の離脱は、後述するプッシャ(押圧部材)73によってなされる。第2搬送機構50のパッド54ならびにパッド54によるフレーム4の保持・離脱に係る機構については本発明に係るものであり、後で詳述する。   The wafer-attached frame 6 held on the spinner table 61 is transferred to the positioning bar 35 or the chuck table 20 by the second transfer mechanism (transfer means) 50. The second transport mechanism 50 has the same configuration as the first transport mechanism 40, and is an extendable arm that is reciprocated in the Y direction along a linear guide 51 provided below the linear guide 41 on the side surface 11a of the cabinet 11. (Moving means) An H-shaped bracket 53 is fixed to the tip of 52, and pads 54 are provided at four ends of the bracket 53. The frame 4 is held horizontally on the lower surface of each pad 54. Is done. The pad 54 sucks and holds the frame 4 by a negative pressure action by air suction. The frame 4 is detached from the pad 54 by a pusher (pressing member) 73 described later. The pad 54 of the second transport mechanism 50 and the mechanism related to the holding / removal of the frame 4 by the pad 54 are according to the present invention and will be described in detail later.

第2搬送機構50によると、伸縮アーム52が伸びてパッド54によりウェーハ付きフレーム6のフレーム4が吸着、保持され、次いで伸縮アーム52が縮小してからY方向手前側に移動し、伸縮アーム52が伸びてパッド54からフレーム4が離脱されることにより、ウェーハ付きフレーム6は位置決めバー35、あるいはチャックテーブル20に載置される。また、上記把持機構30は、位置決めバー35に載置されたウェーハ付きフレーム6のフレーム4を把持してアーム32がY方向手前側に移動することにより、ウェーハ付きフレーム6をカセット9内に収納する。   According to the second transport mechanism 50, the telescopic arm 52 extends and the frame 4 of the frame 6 with the wafer is attracted and held by the pad 54, and then the telescopic arm 52 contracts and then moves forward in the Y direction. When the frame 4 is detached from the pad 54, the frame 6 with a wafer is placed on the positioning bar 35 or the chuck table 20. The gripping mechanism 30 holds the frame 6 with the wafer in the cassette 9 by gripping the frame 4 of the frame 6 with the wafer placed on the positioning bar 35 and moving the arm 32 to the front side in the Y direction. To do.

なお、図2に示すように、上記搬送系や、ウェーハ着脱位置およびスピンナ装置60の上方空間は、カバー部材11b,11cにより覆われている。図1では、カバー部材11b,11cの内部を示すためにこれらカバー部材11b,11cを示していない。   As shown in FIG. 2, the transfer system, the wafer attachment / detachment position, and the space above the spinner device 60 are covered with cover members 11b and 11c. In FIG. 1, these cover members 11b and 11c are not shown in order to show the inside of the cover members 11b and 11c.

(2−2)レーザ加工装置の動作
次に、上記レーザ加工装置10によってウェーハ1の分割予定ライン2にレーザ加工を施す動作を説明する。なお、図5は該動作の過程を示している。図5中、C/Tはチャックテーブル20のことである。
(2-2) Operation of Laser Processing Apparatus Next, an operation of performing laser processing on the division line 2 of the wafer 1 by the laser processing apparatus 10 will be described. FIG. 5 shows the process of the operation. In FIG. 5, C / T is the chuck table 20.

(2−2−1)樹脂塗布工程
カセット9内に収納され、カセット台15の昇降動作によって引き出し位置に位置付けられた1枚のウェーハ付きフレーム6が把持機構30によって引き出され、位置決めバー35に載置されてX・Y方向の位置決めがなされてから、第1搬送機構40によって、予め負圧運転され、かつ、ウェーハ受け渡し位置に上昇して待機しているスピンナ装置60のスピンナテーブル61に同心状に載置される。ウェーハ付きフレーム6はスピンナテーブル61に吸着、保持され、また、これと同時にクランプ62によってフレーム4が保持される。
(2-2-1) Resin Application Process One frame 6 with a wafer, which is stored in the cassette 9 and positioned at the pull-out position by the raising / lowering operation of the cassette table 15, is pulled out by the gripping mechanism 30 and mounted on the positioning bar 35. After being positioned and positioned in the X and Y directions, the first transfer mechanism 40 is concentric with the spinner table 61 of the spinner device 60 that has been previously operated under a negative pressure and that is lifted to the wafer transfer position and waiting. Placed on. The frame 6 with a wafer is attracted and held by a spinner table 61, and at the same time, the frame 4 is held by a clamp 62.

次に、スピンナテーブル61が処理位置に下降し、処理位置においてスピンナテーブル61が回転してウェーハ1が自転し、ウェーハ1の表面の中心に、上記樹脂供給ノズルから液状の水溶性樹脂が滴下される。滴下された樹脂は遠心力の作用で外周側に広がり、ウェーハ1の表面全面に行き渡ってスピンコートされ、樹脂による保護膜が形成される。なお、スピンコート時のスピンナテーブル61の回転速度と回転速度は、樹脂がウェーハ1の表面を十分に被覆する程度に設定され、例えば、回転速度は500〜3000rpm程度、回転時間は30〜120秒程度とされる。また、樹脂の膜厚は、例えば0.1〜10μm程度とされる。   Next, the spinner table 61 is lowered to the processing position, the spinner table 61 is rotated at the processing position, and the wafer 1 rotates. A liquid water-soluble resin is dropped from the resin supply nozzle onto the center of the surface of the wafer 1. The The dropped resin spreads to the outer peripheral side by the action of centrifugal force, spreads over the entire surface of the wafer 1, and is spin-coated to form a protective film made of resin. Note that the rotation speed and rotation speed of the spinner table 61 at the time of spin coating are set such that the resin sufficiently covers the surface of the wafer 1. For example, the rotation speed is about 500 to 3000 rpm, and the rotation time is 30 to 120 seconds. It is said to be about. Moreover, the film thickness of resin is made into about 0.1-10 micrometers, for example.

次に、スピンナテーブル61が、回転停止するとともにウェーハ受け渡し位置に上昇し、さらに負圧運転が停止される。次いでウェーハ付きフレーム6が第2搬送機構50によりチャックテーブル20まで搬送され、チャックテーブル20に保持される。   Next, the spinner table 61 stops rotating and rises to the wafer delivery position, and the negative pressure operation is stopped. Next, the frame 6 with the wafer is transported to the chuck table 20 by the second transport mechanism 50 and held on the chuck table 20.

(2−2−2)レーザ加工工程
次いで、ウェーハ付きフレーム6を保持したチャックテーブル20が、ベーステーブル21が移動することによりキャビネット11内の加工位置に移動させられる。そしてこの加工位置で、レーザ加工手段19によりウェーハ1の分割予定ライン2にレーザ光線が照射されてレーザ加工が施され、ウェーハ1がダイシングされる。
(2-2-2) Laser Processing Step Next, the chuck table 20 holding the frame 6 with the wafer is moved to a processing position in the cabinet 11 by moving the base table 21. At this processing position, the laser processing unit 19 irradiates the division line 2 of the wafer 1 with a laser beam to perform laser processing, and the wafer 1 is diced.

ここで、ウェーハ1にレーザ光線が照射されると前述したデブリが発生する場合があるが、デブリは塗布された樹脂からなる保護膜の表面に付着してウェーハ1の表面には直接付着せず、これによってチップ3の品質が確保される。   Here, when the wafer 1 is irradiated with a laser beam, the above-mentioned debris may occur. However, the debris adheres to the surface of the protective film made of the applied resin and does not directly adhere to the surface of the wafer 1. This ensures the quality of the chip 3.

ダイシングは、例えば、チャックテーブル20をX方向に加工送りしながらレーザ光線を分割予定ライン2に照射することと、レーザ加工手段19をY方向に移動させてレーザ光線照射位置を分割予定ライン2に合わせる割り出し送りとを交互に繰り返すといった動作によって遂行される。レーザ加工でウェーハ1をフルカットする場合、ウェーハ1は多数のチップ3に分割されるが、チップ3は粘着テープ5に貼り付いたままの状態でありウェーハ1としての形態は保たれる。全ての分割予定ライン2にレーザ加工が施されてウェーハ1のダイシングが完了したら、チャックテーブル20がウェーハ着脱位置に戻り、次いで、ウェーハ付きフレーム6は洗浄工程に送られる。   In the dicing, for example, the laser beam is irradiated onto the division line 2 while the chuck table 20 is processed and fed in the X direction, and the laser beam irradiation position is moved to the division line 2 by moving the laser processing means 19 in the Y direction. This is performed by an operation of alternately repeating the indexing and feeding. When the wafer 1 is fully cut by laser processing, the wafer 1 is divided into a large number of chips 3, but the chips 3 remain attached to the adhesive tape 5 and the form of the wafer 1 is maintained. When the laser processing is performed on all the division lines 2 and the dicing of the wafer 1 is completed, the chuck table 20 returns to the wafer attaching / detaching position, and the frame 6 with the wafer is sent to the cleaning process.

(2−2−3)洗浄工程
ウェーハ1がダイシングされたウェーハ付きフレーム6は、ウェーハ着脱位置にあるチャックテーブル20から、第1搬送機構40によって再びスピンナ装置60まで搬送され、ウェーハ受け渡し位置で待機しているスピンナテーブル61に吸着、保持される。
(2-2-3) Cleaning Step The wafer-attached frame 6 on which the wafer 1 has been diced is transferred again from the chuck table 20 at the wafer attachment / detachment position to the spinner device 60 by the first transfer mechanism 40 and waits at the wafer delivery position. It is adsorbed and held on the spinner table 61.

続いて、スピンナテーブル61は処理位置に下降し、回転が開始されるとともに、上記洗浄水ノズルから樹脂(保護膜)に洗浄水が供給される。洗浄水が供給されると水溶性の樹脂は融解し、ウェーハ1の表面から樹脂による保護膜が洗い流されて除去される。樹脂が除去されたらスピンナテーブル61の回転を続行させ、上記空気噴出ノズルからウェーハ1の表面に空気を噴出させてウェーハ1を乾燥させる。ウェーハ1が乾燥したら洗浄は終了となり、スピンナテーブル61がウェーハ受け渡し位置に上昇させられる。   Subsequently, the spinner table 61 is lowered to the processing position, starts rotating, and cleaning water is supplied from the cleaning water nozzle to the resin (protective film). When the cleaning water is supplied, the water-soluble resin melts, and the protective film made of the resin is washed away from the surface of the wafer 1 and removed. When the resin is removed, the rotation of the spinner table 61 is continued, and air is ejected from the air ejection nozzle onto the surface of the wafer 1 to dry the wafer 1. When the wafer 1 is dried, the cleaning is completed, and the spinner table 61 is raised to the wafer delivery position.

(2−2−4)カセットへの格納
以上のようにしてウェーハ1の表面への樹脂塗布による保護膜の形成、レーザ加工によるウェーハ1のダイシング、保護膜を除去するウェーハ1の洗浄といった各工程を経たウェーハ付きフレーム6は、第2搬送機構50によってスピンナテーブル61から位置決めバー35に移され、次いで把持機構30によってカセット9に戻される。
(2-2-4) Storage in cassette Each process of forming a protective film by resin coating on the surface of the wafer 1, dicing the wafer 1 by laser processing, and cleaning the wafer 1 to remove the protective film as described above. The wafer-attached frame 6 that has passed through is transferred from the spinner table 61 to the positioning bar 35 by the second transport mechanism 50, and then returned to the cassette 9 by the gripping mechanism 30.

以上の一連の動作が、カセット9内の全てのウェーハ1に対して遂行される。そして、カセット9内のウェーハ1が全てダイシング済みのものになったら、カセット9が次のチップピックアップ工程に搬送され、粘着テープ5から各チップ3がピックアップされて個々のチップ3を得る。   The above series of operations is performed on all the wafers 1 in the cassette 9. When all the wafers 1 in the cassette 9 have been diced, the cassette 9 is transported to the next chip pick-up process, and each chip 3 is picked up from the adhesive tape 5 to obtain individual chips 3.

(3)第2搬送機構
(3−1)構成
以上が、本実施形態のレーザ加工装置10の全体構成と動作の概要であり、次いで、本発明に係る上記第2搬送機構50のパッド54ならびにパッド54によるフレーム4の保持・離脱に係る機構について説明する。
(3) Second transport mechanism (3-1) Configuration The above is the outline of the overall configuration and operation of the laser processing apparatus 10 of the present embodiment. Next, the pad 54 of the second transport mechanism 50 according to the present invention and A mechanism related to the holding / removal of the frame 4 by the pad 54 will be described.

図4は、上記ブラケット53の端部に設けられた各パッド54に、ウェーハ付きフレーム6のフレーム4が吸着、保持されている状態を示している。パッド54は、軸方向が鉛直方向に沿った状態に配設される横断面六角形の筒状ハウジング(空気流通経路)71の下端面に固着されている。ハウジング71の上端には、図6に示すようにパイプ(空気流通経路)81が同軸的に固定されており、ハウジング71はパイプ81を介してブラケット53の端部の下面に固定されている。   FIG. 4 shows a state in which the frame 4 of the frame 6 with a wafer is attracted and held by each pad 54 provided at the end of the bracket 53. The pad 54 is fixed to the lower end surface of a cylindrical housing (air flow path) 71 having a hexagonal cross section disposed in a state where the axial direction is along the vertical direction. As shown in FIG. 6, a pipe (air flow path) 81 is coaxially fixed to the upper end of the housing 71, and the housing 71 is fixed to the lower surface of the end portion of the bracket 53 via the pipe 81.

パイプ81とハウジング71の内部は連通しており、また、ハウジング71とパッド54の内部も連通可能とされている。図6に示すように、パイプ81には空気の配管(空気流通経路)82が接続されている。配管82は、図1に示すように各パッド54ごとに設けられている。これら配管82は1つに集合されてから、図6に示すように、負圧源(負圧発生手段)83と正圧源(駆動手段、正圧発生手段)84とに分岐されて接続されている。負圧源83は真空ポンプ等であり、正圧源84はコンプレッサ等である。   The pipe 81 and the inside of the housing 71 are in communication, and the housing 71 and the inside of the pad 54 are also in communication. As shown in FIG. 6, an air pipe (air flow path) 82 is connected to the pipe 81. The piping 82 is provided for each pad 54 as shown in FIG. These pipes 82 are gathered into one and then branched and connected to a negative pressure source (negative pressure generating means) 83 and a positive pressure source (driving means, positive pressure generating means) 84 as shown in FIG. ing. The negative pressure source 83 is a vacuum pump or the like, and the positive pressure source 84 is a compressor or the like.

図7に示すように、パッド54は円筒状で軸方向の中央部分が座屈した形状を有するものであって、弾性を有するゴム等でできており、座屈することにより上下方向に弾性変形可能なものである。パッド54はハウジング71と同軸的に配設され、上端面がハウジング71の下端面の外周部に固着されている。ハウジング71の下端部の中心には、ハウジング71の内部とパッド54とを連通する孔71aが形成されている。ハウジング71の内部の底部には、コイルばね(付勢部材)72が同軸的に配設されている。このコイルばね72は底面がハウジング71の底部に固着されている。そしてこのコイルばね72には、外形が漏斗状に形成されたプッシャ73が挿入されている。   As shown in FIG. 7, the pad 54 is cylindrical and has a shape in which the central portion in the axial direction is buckled. The pad 54 is made of elastic rubber or the like, and can be elastically deformed in the vertical direction by buckling. It is a thing. The pad 54 is disposed coaxially with the housing 71, and the upper end surface is fixed to the outer peripheral portion of the lower end surface of the housing 71. In the center of the lower end portion of the housing 71, a hole 71a that connects the interior of the housing 71 and the pad 54 is formed. A coil spring (biasing member) 72 is coaxially disposed on the bottom inside the housing 71. The bottom surface of the coil spring 72 is fixed to the bottom of the housing 71. A pusher 73 whose outer shape is formed in a funnel shape is inserted into the coil spring 72.

プッシャ73は、上端部の円板部(受圧部)73aの下端に、下方に向かうにつれて小径となる円錐部(連結部)73bが形成されており、円錐部73bの下端に、外径が一定のストレートなピン部(押圧部)73cが形成されたもので、円板部73aの下端がコイルばね72の上端に係合され、かつ、固着されている。したがってプッシャ73は、コイルばね72の上下方向の弾性変形と一体的に上下方向に動くようになされている。   In the pusher 73, a conical portion (connecting portion) 73b having a smaller diameter as it goes downward is formed at the lower end of the disc portion (pressure receiving portion) 73a at the upper end, and the outer diameter is constant at the lower end of the conical portion 73b. A straight pin portion (pressing portion) 73c is formed, and the lower end of the disc portion 73a is engaged with and fixedly attached to the upper end of the coil spring 72. Therefore, the pusher 73 moves in the vertical direction integrally with the elastic deformation of the coil spring 72 in the vertical direction.

プッシャ73は、コイルばね72が自由状態の時には図7(a)に示すように円錐部73bはコイルばね72の内部にあり、さらにピン部73cが孔71aを通ってその下端がパッド54の下端よりも上方に位置している。また、図7(c)に示すように、プッシャ73がコイルばね72の弾発力に抗して下降すると、ピン部73cの下端部はパッド54の下端から下方に突出するようになっている。   When the coil spring 72 is in a free state, the pusher 73 has a conical portion 73b inside the coil spring 72 as shown in FIG. 7A, and a pin portion 73c passes through the hole 71a and its lower end is the lower end of the pad 54. It is located above. 7C, when the pusher 73 descends against the elastic force of the coil spring 72, the lower end portion of the pin portion 73c protrudes downward from the lower end of the pad 54. .

プッシャ73の円板部73aの周囲には、断面V字状のリング(弁部材)74の、内周側部分が固着されている。このリング74は弾性を有するゴム等でできたシール材であり、通常は、図7(a)に示すように開いた状態で、外周側の縁部がハウジング71の内壁に接触している。ハウジング71内は、リング74が開いてハウジング71の内壁に接触している時、リング74およびプッシャ73の円板部73aの上方と下方に仕切られる。ここで該上方の内部空間を高圧室75、該下方の内部空間を低圧室76と称する。   An inner peripheral side portion of a ring (valve member) 74 having a V-shaped cross section is fixed around the disc portion 73 a of the pusher 73. The ring 74 is a sealing material made of elastic rubber or the like. Normally, the edge on the outer peripheral side is in contact with the inner wall of the housing 71 in an open state as shown in FIG. The inside of the housing 71 is partitioned above and below the ring 74 and the disk portion 73 a of the pusher 73 when the ring 74 is opened and is in contact with the inner wall of the housing 71. Here, the upper internal space is referred to as a high pressure chamber 75, and the lower internal space is referred to as a low pressure chamber 76.

リング74は、負圧源83を作動させた場合には、ハウジング71内の高圧室75の空気が吸引されることにより、図7(b)に示すように外周側の縁部が内周側に撓んで内周側の縁部に密着し、閉じた状態となる。すると、リング74とハウジング71の内壁との間に空間ができるため、高圧室75は、低圧室76、孔71aを経てパッド54内に連通し、パッド54内の空気が吸引されて負圧の状態となる。   When the negative pressure source 83 is operated, the ring 74 sucks the air in the high pressure chamber 75 in the housing 71 so that the outer peripheral edge is on the inner peripheral side as shown in FIG. To be in close contact with the inner peripheral edge and closed. Then, since a space is created between the ring 74 and the inner wall of the housing 71, the high pressure chamber 75 communicates with the pad 54 via the low pressure chamber 76 and the hole 71a, and the air in the pad 54 is sucked and negative pressure is generated. It becomes a state.

一方、正圧源84を作動させた場合には、ハウジング71内の高圧室75は内圧が高まって正圧となるため、その圧力を受けた外周側の縁部が外周側に撓んで開き、ハウジング71の内壁に接触する。このように開いた状態で高圧室75の内圧がさらに高まると、その圧力をプッシャ73の円板部73aとリング74自体が受け、プッシャ73が下方に下降して後述するようにフレーム4を押圧する際の推進力が発生する。   On the other hand, when the positive pressure source 84 is operated, the high pressure chamber 75 in the housing 71 is increased in internal pressure to become positive pressure, so that the outer peripheral edge receiving the pressure bends and opens to the outer peripheral side, It contacts the inner wall of the housing 71. When the internal pressure of the high pressure chamber 75 is further increased in this open state, the pressure is received by the disk portion 73a of the pusher 73 and the ring 74 itself, and the pusher 73 descends downward to press the frame 4 as described later. Propulsive force is generated.

なお、プッシャ73はハウジング71内の高圧室75の圧力状態に応じて上下動し、これに伴ってリング74はハウジング71の内壁を摺動する。したがってリング74は摺動性の高い材質からなるものが好ましい。   The pusher 73 moves up and down according to the pressure state of the high pressure chamber 75 in the housing 71, and the ring 74 slides on the inner wall of the housing 71 along with this. Therefore, the ring 74 is preferably made of a material having high slidability.

(3−2)作用
以下、上記構成からなる第2搬送機構50のパッド54により、上記ウェーハ付きフレーム6のフレーム4を吸着したり離脱したりする作用を説明する。フレーム4を吸着する際には、負圧源83を作動させ、図7(b)に示すように、パッド54の下端をフレーム4に接触させる。すると、まず、ハウジング71内の高圧室75の空気が吸引されてリング74が閉じ、リング74とハウジング71の内壁との間に空間ができる。これにより高圧室75と低圧室76とが連通し、パッド54内の空気が吸引され、パッド54内が負圧になってパッド54にフレーム4が吸着する。
(3-2) Operation Hereinafter, an operation of adsorbing and detaching the frame 4 of the frame 6 with a wafer by the pad 54 of the second transport mechanism 50 having the above configuration will be described. When adsorbing the frame 4, the negative pressure source 83 is operated to bring the lower end of the pad 54 into contact with the frame 4 as shown in FIG. Then, first, the air in the high pressure chamber 75 in the housing 71 is sucked to close the ring 74, and a space is created between the ring 74 and the inner wall of the housing 71. As a result, the high pressure chamber 75 and the low pressure chamber 76 communicate with each other, the air in the pad 54 is sucked, the inside of the pad 54 becomes negative pressure, and the frame 4 is adsorbed to the pad 54.

次に、フレーム4をパッド54から離脱させるには、負圧源83の作動を停止させ、正圧源84を作動させる。すると、空気が配管82からパイプ81を通ってハウジング71内に高圧室75に流入し、高圧室75が正圧となり、リング74が開いてハウジング71の内壁に接触する。さらに空気が流入することにより高圧室75の内圧が高まり、プッシャ73の円板部73aが高圧を受けることによりプッシャ73がコイルばね72の弾発力に抗して下降する。   Next, in order to detach the frame 4 from the pad 54, the operation of the negative pressure source 83 is stopped and the positive pressure source 84 is operated. Then, air flows from the pipe 82 through the pipe 81 and flows into the housing 71 into the high pressure chamber 75, the high pressure chamber 75 becomes positive pressure, and the ring 74 opens to contact the inner wall of the housing 71. Furthermore, when the air flows in, the internal pressure of the high pressure chamber 75 increases, and the pusher 73 descends against the elastic force of the coil spring 72 when the disc portion 73a of the pusher 73 receives a high pressure.

これによりプッシャ73のピン部73cの下端面がフレーム4を押圧し、パッド54がフレーム4から離脱させられる。このようにパッド54からフレーム4を離脱させる時には、上記伸縮アーム52をプッシャ73の下降に同期させて上昇させながら行うと、フレーム4が円滑に離脱する。パッド54からフレーム4が離脱した後は、正圧源84からの空気導入を停止する。空気の導入が停止するとプッシャ73がコイルばね72の弾発力で上昇し、図7(a)に示す元の状態に復帰する。   As a result, the lower end surface of the pin portion 73 c of the pusher 73 presses the frame 4, and the pad 54 is detached from the frame 4. When the frame 4 is detached from the pad 54 as described above, the frame 4 is smoothly detached when the telescopic arm 52 is raised while being synchronized with the pusher 73 being lowered. After the frame 4 is detached from the pad 54, the introduction of air from the positive pressure source 84 is stopped. When the introduction of air is stopped, the pusher 73 is raised by the elastic force of the coil spring 72 and returns to the original state shown in FIG.

(3−3)効果
本実施形態では、負圧を発生させてパッド54に吸着、保持したフレーム4を離脱させる際には、空気圧によってフレーム4方向に突出させたプッシャ73によってフレーム4を押圧することにより、パッド54からフレーム4が強制的に離脱させられる。第2搬送機構50は、ウェーハ1に樹脂をスピンコートした直後のウェーハ付きフレーム6をパッド54に保持するが、スピンコート時に樹脂が飛散してフレーム4の表面に付着することにより、パッド54とフレーム4との間に樹脂が挟まり、パッド54に対して樹脂が部分的に接触する場合がある。
(3-3) Effect In this embodiment, when the frame 4 that is attracted and held by the pad 54 is generated by generating a negative pressure, the frame 4 is pressed by the pusher 73 that protrudes in the direction of the frame 4 by air pressure. As a result, the frame 4 is forcibly detached from the pad 54. The second transport mechanism 50 holds the wafer-attached frame 6 immediately after the resin is spin-coated on the wafer 1 on the pad 54, but the resin scatters and adheres to the surface of the frame 4 during the spin-coating, Resin may be sandwiched between the frame 4 and the resin may partially contact the pad 54.

こうなると、従来のように空気圧だけでパッド54からフレーム4を離脱させる手段では、空気漏れが生じて離脱しないといったトラブルが生じていたのであるが、本実施形態では、プッシャ73をフレーム4に直接当接させ、なおかつフレーム4を機械的に押圧してパッド54からフレーム4を強制的に剥離させるため、フレーム4を確実、かつ、速やかにパッド54から離脱させることができる。   In this case, the conventional means for detaching the frame 4 from the pad 54 only by air pressure has caused a problem that air leaks and does not detach, but in this embodiment, the pusher 73 is directly attached to the frame 4. In addition, the frame 4 is mechanically pressed and the frame 4 is forcibly separated from the pad 54, so that the frame 4 can be reliably and promptly detached from the pad 54.

なお、上記実施形態では第2搬送機構50のパッド54に本発明を適用しているが、その理由としては、第2搬送機構50は、ウェーハ1に樹脂を塗布した直後のウェーハ付きフレーム6を搬送するものであり、樹脂の硬化が十分ではなく粘性が残っていてパッド54に樹脂が付着しやすく、パッド54からフレーム4を離脱させにくい場合が多いからである。一方、第1搬送機構40では、レーザ加工後に、ウェーハ1に樹脂が塗布されたウェーハ付きフレーム6をスピンナテーブル61に搬送するが、この時には樹脂は十分に硬化しており、パッド54が樹脂に接触しても付着しにくく、フレーム4はパッド54から円滑に離脱可能である。   In the above-described embodiment, the present invention is applied to the pad 54 of the second transport mechanism 50. The reason is that the second transport mechanism 50 is configured to remove the frame 6 with a wafer immediately after the resin is applied to the wafer 1. This is because the resin is not sufficiently cured and the viscosity remains, the resin is likely to adhere to the pad 54, and it is often difficult to separate the frame 4 from the pad 54. On the other hand, in the first transport mechanism 40, after the laser processing, the wafer-attached frame 6 in which the resin is applied to the wafer 1 is transported to the spinner table 61. At this time, the resin is sufficiently cured, and the pad 54 becomes the resin. It is difficult to adhere even if it comes into contact, and the frame 4 can be smoothly detached from the pad 54.

しかしながら、ウェーハ1に樹脂が塗布されているウェーハ付きフレーム6を搬送する時があることから、第1搬送機構40のパッド44を上記実施形態と同様に構成し、プッシャ73でパッド44からフレーム4を離脱させる構成としても勿論よい。あるいは、ウェーハ1に樹脂が塗布されているウェーハ付きフレーム6を搬送する場合には、プッシャ73付きのパッド54を備えた第2搬送機構50で搬送し、樹脂塗布前にはプッシャ73を備えない第1搬送機構40でウェーハ付きフレーム6を搬送するといった搬送形態を採ってもよい。   However, since there are times when the wafer-attached frame 6 on which the resin is applied to the wafer 1 is transported, the pad 44 of the first transport mechanism 40 is configured in the same manner as in the above-described embodiment, and the pusher 73 causes the frame 4 to be Of course, it is also possible to adopt a configuration in which the Alternatively, when the wafer-mounted frame 6 on which the resin is applied to the wafer 1 is transferred, the wafer 1 is transferred by the second transfer mechanism 50 including the pad 54 with the pusher 73, and the pusher 73 is not provided before the resin application. A conveyance form in which the frame 6 with a wafer is conveyed by the first conveyance mechanism 40 may be adopted.

本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置の全体斜視図である。1 is an overall perspective view of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention. 同レーザ加工装置の背面側の全体斜視図である。It is a whole perspective view of the back side of the laser processing apparatus. 一実施形態でレーザ加工が施される半導体ウェーハが粘着テープを介してフレームに保持されている状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state by which the semiconductor wafer to which laser processing is given by one Embodiment is hold | maintained at the flame | frame via the adhesive tape. パッドにウェーハ付きフレームのフレームが吸着、保持された状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state by which the flame | frame of the frame with a wafer was adsorb | sucked and hold | maintained at the pad. レーザ加工装置によるレーザ加工の動作過程を示すチャート図である。It is a chart figure which shows the operation process of the laser processing by a laser processing apparatus. パッドの支持構造の斜視図および空気流通経路を示す図である。It is a figure which shows the perspective view of the support structure of a pad, and an air flow path. パッドによるフレームの吸着・離脱の作用を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the effect | action of adsorption | suction of the flame | frame by a pad, and detachment | leave.

符号の説明Explanation of symbols

1…ウェーハ(ワーク)
4…フレーム
5…粘着テープ
10…レーザ加工装置
19…レーザ加工手段
20…チャックテーブル(保持手段)
50…第2搬送機構(搬送手段)
52…伸縮アーム(移動手段)
54…パッド
60…スピンナ装置
61…スピンナテーブル
71…ハウジング(空気流通経路)
72…コイルばね(付勢部材)
73…プッシャ(押圧部材)
73a…円板部(受圧部)
73b…円錐部(連結部)
73c…ピン部(押圧部)
74…リング(弁部材)
75…高圧室
76…低圧室
81…パイプ(空気流通経路)
82…配管(空気流通経路)
83…負圧源(負圧発生手段)
84…正圧源(駆動手段、正圧発生手段)
1 ... wafer (work)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 4 ... Frame 5 ... Adhesive tape 10 ... Laser processing apparatus 19 ... Laser processing means 20 ... Chuck table (holding means)
50. Second transport mechanism (transport means)
52 ... telescopic arm (moving means)
54 ... Pad 60 ... Spinner device 61 ... Spinner table 71 ... Housing (air flow path)
72 ... Coil spring (biasing member)
73 ... pusher (pressing member)
73a ... disc part (pressure receiving part)
73b ... Conical part (connecting part)
73c ... Pin part (pressing part)
74 ... Ring (valve member)
75 ... High pressure chamber 76 ... Low pressure chamber 81 ... Pipe (air flow path)
82 ... Piping (air flow path)
83 ... Negative pressure source (negative pressure generating means)
84 ... Positive pressure source (driving means, positive pressure generating means)

Claims (6)

環状のフレームの内側に粘着テープを介して一体に保持されたワークを保持する保持手段と、
該保持手段に保持された前記ワークにレーザ光線を照射してレーザ加工を施すレーザ加工手段と、
前記ワークを保持して回転するスピンナテーブルと、
該スピンナテーブルに保持されたレーザ加工前の前記ワークの加工面に液状の水溶性樹脂を供給する樹脂供給手段と、
前記スピンナテーブルに保持された前記ワークと一体の前記フレームを吸着、保持し、該フレームを介して前記ワークを所定の搬送先に搬送する搬送手段と、
を有するレーザ加工装置であって、
前記搬送手段は、負圧発生手段が作動することによって前記フレームを吸着して保持するパッドと、
該パッドに保持された前記フレームを、該パッドから離脱するように押圧する押圧部材と、
該押圧部材を押圧方向に駆動させる駆動手段と、
前記パッドを前記スピンナテーブルから前記搬送先まで移動させる移動手段と、
を少なくとも備えることを特徴とするレーザ加工装置。
Holding means for holding the work integrally held via an adhesive tape inside the annular frame;
Laser processing means for performing laser processing by irradiating the workpiece held by the holding means with a laser beam;
A spinner table that rotates while holding the workpiece;
Resin supply means for supplying a liquid water-soluble resin to the processed surface of the workpiece before laser processing held by the spinner table;
Conveying means for adsorbing and holding the frame integrated with the work held by the spinner table, and conveying the work to a predetermined conveyance destination via the frame;
A laser processing apparatus comprising:
The conveying means includes a pad for adsorbing and holding the frame by operating a negative pressure generating means;
A pressing member for pressing the frame held by the pad so as to be detached from the pad;
Driving means for driving the pressing member in the pressing direction;
Moving means for moving the pad from the spinner table to the transport destination;
A laser processing apparatus comprising at least:
前記駆動手段は、前記押圧部材を空気の正圧作用で押圧する正圧発生手段であることを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。   The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the driving unit is a positive pressure generating unit that presses the pressing member by a positive pressure action of air. 前記パッドに対する前記負圧発生手段と前記正圧発生手段の空気流通経路が同一であることを特徴とする請求項2に記載のレーザ加工装置。   The laser processing apparatus according to claim 2, wherein an air flow path of the negative pressure generating unit and the positive pressure generating unit with respect to the pad is the same. 前記空気流通経路には、前記負圧発生手段と前記正圧発生手段の作動状態に応じて該空気流通経路を流れる空気の流通方向を一方向に規制する弁部材が設けられていることを特徴とする請求項3に記載のレーザ加工装置。   The air flow path is provided with a valve member that restricts the flow direction of the air flowing through the air flow path in one direction according to the operating state of the negative pressure generation means and the positive pressure generation means. The laser processing apparatus according to claim 3. 前記同一の空気流通経路の末端が筒状のハウジングで構成され、該ハウジングの先端に前記パッドが設けられ、
前記押圧部材は、該ハウジング内に、該ハウジングの軸方向に沿って進退自在に設けられているとともに、前記正圧発生手段による正圧発生時に正圧を受ける受圧部と、正圧発生時に前記フレームに接触して該フレームを押圧する押圧部と、該受圧部と該押圧部とを連結する連結部とを有しており、
該ハウジング内には、該押圧部材を前記フレームから退避する方向に付勢する付勢部材が設けられており、
該ハウジングの内壁と該押圧部材の該受圧部との間に、前記弁部材が配設されていることを特徴とする請求項4に記載のレーザ加工装置。
The end of the same air flow path is constituted by a cylindrical housing, and the pad is provided at the tip of the housing,
The pressing member is provided in the housing so as to be capable of moving forward and backward along the axial direction of the housing, and a pressure receiving portion that receives a positive pressure when the positive pressure is generated by the positive pressure generating means, and when the positive pressure is generated, A pressing portion that contacts the frame and presses the frame; and a connecting portion that connects the pressure receiving portion and the pressing portion;
A biasing member that biases the pressing member in a direction to retract from the frame is provided in the housing.
The laser processing apparatus according to claim 4, wherein the valve member is disposed between an inner wall of the housing and the pressure receiving portion of the pressing member.
前記弁部材は、前記押圧部材の前記受圧部の周囲に固着された弾性を有する断面V字状のリングであって、正圧発生時には開いて前記ハウジングの内壁に圧接し、負圧発生時には閉じて該受圧部と該ハウジングの内壁との間に空間を形成することを特徴とする請求項5に記載のレーザ加工装置。   The valve member is an elastic V-shaped ring fixed around the pressure receiving portion of the pressing member, and is opened when positive pressure is generated and is pressed against the inner wall of the housing, and is closed when negative pressure is generated. The laser processing apparatus according to claim 5, wherein a space is formed between the pressure receiving portion and the inner wall of the housing.
JP2008275933A 2008-10-27 2008-10-27 Laser beam machining apparatus Pending JP2010099733A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008275933A JP2010099733A (en) 2008-10-27 2008-10-27 Laser beam machining apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008275933A JP2010099733A (en) 2008-10-27 2008-10-27 Laser beam machining apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010099733A true JP2010099733A (en) 2010-05-06

Family

ID=42290842

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008275933A Pending JP2010099733A (en) 2008-10-27 2008-10-27 Laser beam machining apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010099733A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015531994A (en) * 2012-07-10 2015-11-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Uniform masking for wafer dicing using laser and plasma etching
WO2016056115A1 (en) * 2014-10-10 2016-04-14 富士機械製造株式会社 Adsorption nozzle
CN106166692A (en) * 2015-05-20 2016-11-30 株式会社迪思科 Topping machanism
JP2019136813A (en) * 2018-02-09 2019-08-22 日本電産サンキョー株式会社 Gelatinous member treatment device
JP2020123665A (en) * 2019-01-30 2020-08-13 株式会社東京精密 Positioning apparatus and positioning method for transported object

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313883A (en) * 2001-04-18 2002-10-25 Anritsu Corp Electronic device transport device
JP2008126302A (en) * 2006-11-24 2008-06-05 Disco Abrasive Syst Ltd Laser machining apparatus and protective film application device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313883A (en) * 2001-04-18 2002-10-25 Anritsu Corp Electronic device transport device
JP2008126302A (en) * 2006-11-24 2008-06-05 Disco Abrasive Syst Ltd Laser machining apparatus and protective film application device

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015531994A (en) * 2012-07-10 2015-11-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated Uniform masking for wafer dicing using laser and plasma etching
WO2016056115A1 (en) * 2014-10-10 2016-04-14 富士機械製造株式会社 Adsorption nozzle
CN106794582A (en) * 2014-10-10 2017-05-31 富士机械制造株式会社 Suction nozzle
JPWO2016056115A1 (en) * 2014-10-10 2017-07-20 富士機械製造株式会社 Suction nozzle
US10040205B2 (en) 2014-10-10 2018-08-07 Fuji Machine Mfg. Co., Ltd. Suction nozzle
CN106794582B (en) * 2014-10-10 2020-01-31 株式会社富士 Suction nozzle
CN106166692A (en) * 2015-05-20 2016-11-30 株式会社迪思科 Topping machanism
JP2019136813A (en) * 2018-02-09 2019-08-22 日本電産サンキョー株式会社 Gelatinous member treatment device
JP7020950B2 (en) 2018-02-09 2022-02-16 日本電産サンキョー株式会社 Gel-like member handling device
JP2020123665A (en) * 2019-01-30 2020-08-13 株式会社東京精密 Positioning apparatus and positioning method for transported object

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI512877B (en) Workpiece transport method and workpiece transport device
JP5324180B2 (en) Laser processing method and laser processing apparatus
US20070238264A1 (en) Method and apparatus for supporting wafer
JP5273791B2 (en) Equipment for applying adhesive tape to substrates
JP2000068293A (en) Wafer transfer apparatus
JP4846411B2 (en) Semiconductor package jig
US20030088959A1 (en) Wafer transfer apparatus
JP2005175384A (en) Sticking method and peeling method of masking tape
JP2011135026A (en) Holding method and holding mechanism for work unit
KR20040067896A (en) Adhesive tape applying method and apparatus
JP5580066B2 (en) Cutting equipment
TW201911449A (en) Semiconductor manufacturing device and method of manufacturing semiconductor device
JP2010099733A (en) Laser beam machining apparatus
JP6473359B2 (en) Sheet peeling device
JP5941701B2 (en) Die bonder
JP2012216606A (en) Substrate transfer method and substrate transfer device
JP2011224642A (en) Protective material and ablation processing method
JP2007149860A (en) Method for splitting substrate and splitting apparatus
JP4324788B2 (en) Wafer mounter
CN110828362B (en) Carrier plate removing method
JP4238669B2 (en) Expanding method and expanding apparatus
JP5858837B2 (en) Workpiece removal method of suction holding means
CN109986461B (en) Cutting device
JP2009170761A (en) Pasting apparatus of substrate body, and treating method of substrate body
JP5192999B2 (en) Ionized air supply program

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110913

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130122

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130130

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130529