JP6029347B2 - Wafer processing method - Google Patents
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Description
本発明は、ウエーハの加工方法に関し、特に裏面に接着シートが貼着されたチップを形成するウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method, and more particularly to a wafer processing method for forming a chip having an adhesive sheet attached to the back surface.
半導体デバイス製造プロセスにおいては、複数のICやLSI等の半導体デバイスが表面に形成された半導体ウエーハを個々のチップへと分割することで半導体デバイスが形成される。 In a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor device is formed by dividing a semiconductor wafer on which a plurality of semiconductor devices such as ICs and LSIs are formed into individual chips.
分割された半導体デバイスは、金属製基板(リードフレーム)やテープ基板等にダイボンディングされ、これらの金属製基板やテープ基板が分割されることで個々の半導体チップが製造される。こうして製造された半導体チップは、携帯電話やパソコン等の各種電気機器に広く使用されている。 The divided semiconductor devices are die-bonded to a metal substrate (lead frame), a tape substrate, or the like, and individual semiconductor chips are manufactured by dividing the metal substrate or the tape substrate. The semiconductor chip thus manufactured is widely used in various electric devices such as mobile phones and personal computers.
半導体デバイスを基板上にダイボンディングするには、基板上の半導体デバイス搭載位置に半田やAu‐Si共晶、樹脂ペースト等の接着剤を供給してその上に半導体デバイスを載置して接着する方法が用いられている。 In order to die-bond a semiconductor device on a substrate, an adhesive such as solder, Au-Si eutectic, resin paste or the like is supplied to the semiconductor device mounting position on the substrate, and the semiconductor device is mounted thereon and bonded. The method is used.
近年では、例えば特開2000−182995号公報に開示されているように、予め半導体ウエーハの裏面にDAF(ダイアタッチフィルム)と称される接着シートを接着しておく方法が広く採用されている。 In recent years, as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-182959, a method of adhering an adhesive sheet called DAF (die attach film) to the back surface of a semiconductor wafer in advance has been widely adopted.
即ち、DAFが接着された半導体ウエーハを個々のチップへと分割することで、接着シートが裏面に装着された半導体チップを形成する。その後、半導体チップ裏面のDAFを介して基板上にダイボンディングすることで、使用する接着剤を最小限とし、また半導体チップの搭載エリアを最小にできるというメリットがある。 That is, the semiconductor wafer with the adhesive sheet attached to the back surface is formed by dividing the semiconductor wafer to which the DAF is bonded into individual chips. Thereafter, die bonding is performed on the substrate via the DAF on the back surface of the semiconductor chip, thereby minimizing the adhesive used and minimizing the mounting area of the semiconductor chip.
近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄いデバイスが要求されている。ウエーハをより薄いデバイスに分割する技術として、所謂先ダイシング法と称する分割技術が開発され、実用化されている(例えば、特開平11−40520号公報参照)。 In recent years, electric devices such as mobile phones and personal computers are required to be lighter and smaller, and thinner devices are required. As a technique for dividing a wafer into thinner devices, a dividing technique called a so-called first dicing method has been developed and put into practical use (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-40520).
この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面から分割予定ラインに沿って所定深さ(デバイスの仕上がり厚さに相当する深さ)の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して裏面に分割溝を表出させて個々のデバイスチップに分割する技術であり、デバイスチップの厚さを50μm以下に加工することが可能である。 In this tip dicing method, a divided groove having a predetermined depth (a depth corresponding to the finished thickness of the device) is formed along the line to be divided from the surface of the semiconductor wafer, and then the semiconductor wafer in which the divided grooves are formed on the surface. This is a technique of grinding the back surface of the substrate and exposing a dividing groove on the back surface to divide the device chip into individual device chips. The thickness of the device chip can be reduced to 50 μm or less.
しかし、先ダイシング法で一度デバイスチップに分割されたウエーハにDAF(接着シート)を貼着すると、デバイスチップ同士が動いてしまう所謂ダイシフトが発生する。ダイシフトが発生すると、隣接するデバイスチップの間隔で形成されるレーザービームを照射すべきラインが真っ直ぐではなく曲がってしまったり、時にはデバイスチップ間の隙間がなくなってしまう。 However, when a DAF (adhesive sheet) is attached to a wafer once divided into device chips by the previous dicing method, so-called die shift occurs in which the device chips move. When die shift occurs, a line to be irradiated with a laser beam formed at an interval between adjacent device chips is not straight but bent, and sometimes there is no gap between device chips.
レーザービームを照射すべきラインが曲がると、その曲がりに追従させてレーザービームを照射する必要があり、レーザービーム照射の制御が非常に難しくなる上、デバイスチップ間の隙間がなくなってしまうと、レーザービームの照射ができなくなってしまうという問題が生じる。 If the line to be irradiated with the laser beam is bent, it is necessary to irradiate the laser beam following the bending, and it becomes very difficult to control the laser beam irradiation, and if there is no gap between the device chips, the laser There arises a problem that the beam cannot be irradiated.
一方、接着シートをレーザービームによって破断するのではなく、分割装置で引きちぎる手法も特開2005−223283号公報で開示されている。しかしこの方法では、例えばチップサイズが1mm角以下と小さい場合には、接着シートが破断されない領域が発生する恐れがある。 On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-223283 discloses a technique in which an adhesive sheet is not broken by a laser beam but is torn off by a dividing device. However, in this method, for example, when the chip size is as small as 1 mm square or less, there is a possibility that a region where the adhesive sheet is not broken is generated.
また、近年、1ウエーハ当たりのチップ取り数を向上させるために更なる分割予定ラインの細線化(ストリートリダクション)が切望されており、先ダイシング法で使用される切削ブレードの厚みをより薄くして除去領域を低減することが切望されている。しかし、より薄い切削ブレードによる切削では、蛇行が生じる恐れや加工速度を上げられないという問題がある。 In recent years, further reduction of the line to be divided (street reduction) has been desired in order to improve the number of chips taken per wafer, and the thickness of the cutting blade used in the tip dicing method is made thinner. There is a desire to reduce the removal area. However, when cutting with a thinner cutting blade, there are problems that meandering may occur and the processing speed cannot be increased.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、上述した問題を解決するウエーハの加工方法を提供することである。 The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a wafer processing method that solves the above-described problems.
本発明によると、交差する複数の分割予定ラインを有するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハ内部に位置付けるとともに該レーザービームを該分割予定ラインに沿って照射して、ウエーハ内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施する前又は後に、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、該改質層形成ステップと該保護部材配設ステップを実施した後、ウエーハの裏面を研削砥石を含む研削手段で押圧して研削し、ウエーハを所定厚みへと薄化するとともに該改質層を分割起点に個々のチップへとウエーハを分割する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、ウエーハの裏面に紫外線の照射によって硬化する接着シートを貼着しウエーハの裏面を該接着シートで被覆するとともに該接着シート上に粘着シートを貼着し、ウエーハの表面に配設された該保護部材をウエーハ上から除去するシート貼着ステップと、該シート貼着ステップを実施した後、LEDからなる紫外線照射ランプを使用してウエーハの表面から紫外線を照射して、加熱による該接着シートの変質を防ぎつつ隣接するチップ間の該接着シートを硬化させて収縮させることで該チップに沿って該接着シートを破断させる紫外線照射ステップと、該紫外線照射ステップを実施した後、裏面に接着シートが貼着された個々のチップを該粘着シート上からピックアップするピックアップステップと、を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。 According to the present invention, there is provided a method for processing a wafer having a plurality of intersecting scheduled lines, wherein a condensing point of a laser beam having a wavelength transparent to the wafer is positioned inside the wafer and the laser beam is divided. Irradiation along the planned line to form a modified layer along the planned division line inside the wafer, and the surface of the wafer is protected before or after the modified layer forming step is performed. After performing the protective member disposing step for disposing the member, the reforming layer forming step, and the protective member disposing step, the back surface of the wafer is pressed by a grinding means including a grinding wheel to grind the wafer. A grinding step for dividing the wafer into individual chips using the modified layer as a starting point for dividing the modified layer, and after performing the grinding step, on the back surface of the wafer An adhesive sheet that is cured by irradiation with external lines is attached, the back surface of the wafer is covered with the adhesive sheet, and an adhesive sheet is attached on the adhesive sheet, and the protective member disposed on the surface of the wafer is removed from the wafer. After performing the sheet sticking step to be removed and the sheet sticking step, the ultraviolet ray irradiation lamp made of LED is used to irradiate the surface of the wafer with ultraviolet rays to prevent the adhesive sheet from being deteriorated by heating. An ultraviolet irradiation step for breaking the adhesive sheet along the chip by curing and shrinking the adhesive sheet between the chips, and after performing the ultraviolet irradiation step, each of the adhesive sheets adhered to the back surface A wafer processing method comprising: a pickup step for picking up a chip from the adhesive sheet.
好ましくは、ウエーハの加工方法は、紫外線照射ステップを実施する前に、粘着シートを拡張して隣接するチップ間の間隔を拡張する拡張ステップを更に備えている。 Preferably, the wafer processing method further includes an expansion step of expanding an adhesive sheet to expand an interval between adjacent chips before performing the ultraviolet irradiation step.
好ましくは、保護部材は拡張可能な粘着シートから構成され、ウエーハの加工方法は、研削ステップを実施した後、シート貼着ステップを実施する前に、保護部材を拡張して隣接するチップ間の間隔を拡張する拡張ステップを更に備えている。 Preferably, the protective member is composed of an expandable adhesive sheet, and the wafer processing method is such that after the grinding step is performed, the protective member is expanded and the interval between adjacent chips is performed before the sheet adhering step is performed. The method further includes an expansion step of expanding
本発明の加工方法によると、ウエーハに形成した改質層を起点にウエーハを個々のデバイスチップへと分割するため、チップ間の除去領域をほぼなくすことができ、ストリートリダクションが可能となる。 According to the processing method of the present invention, since the wafer is divided into individual device chips starting from the modified layer formed on the wafer, the removal region between the chips can be substantially eliminated, and street reduction is possible.
また、研削でウエーハを薄化するとともに研削時の押圧によってウエーハを個々のデバイスチップへと分割するため、別途分割ステップを実施する必要がなく、工程の簡略化が可能である。 In addition, since the wafer is thinned by grinding and the wafer is divided into individual device chips by pressing during grinding, it is not necessary to perform a separate division step, and the process can be simplified.
紫外線照射によって硬化する接着シートを用いるため、ウエーハの表面から紫外線を照射するとチップ間の接着シートが硬化して収縮することで接着シートはチップに沿って破断されるため、接着シートが破断されない領域が発生する恐れを低減できる。 Since an adhesive sheet that cures when exposed to ultraviolet rays is used, an area where the adhesive sheet is not broken because the adhesive sheet breaks along the chip when the adhesive sheet between the chips is cured and shrinks when irradiated from the surface of the wafer. Can reduce the risk of occurrence.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明の加工方法の加工対象となる半導体ウエーハ11の表面側斜視図が示されている。半導体ウエーハ(以下ウエーハと略称することがある)11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハから成っており、表面11aに複数の分割予定ライン(ストリート)13が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン13によって区画された各領域にそれぞれIC、LSI等のデバイス15が形成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Referring to FIG. 1, a front side perspective view of a
このように構成されたウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19をその表面11aに備えている。また、ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。
The
本発明のウエーハの加工方法では、半導体ウエーハ11の表面11aに形成されたデバイス15を保護するために、図1に示すように、ウエーハ11の表面11aに表面保護テープ23が貼着される。表面保護テープ23に替えて、ガラス又はシリコンウエーハ等からなる保護部材をウエーハ11の表面11aに配設するようにしてもよい。
In the wafer processing method of the present invention, in order to protect the
尚、この表面保護部材配設ステップは、ウエーハ11の裏面11bを研削する前に実施すればよく、後で説明する改質層形成ステップを実施してからウエーハ11の表面11aに表面保護テープ23を貼着するようにしてもよい。図2はウエーハ11の表面11aに表面保護テープ23が貼着された状態のウエーハ11の断面図を示している。
The surface protection member disposing step may be performed before the
本発明第1実施形態のウエーハの加工方法では、まず、レーザー加工装置によりウエーハ11に対して透過性を有する波長のレーザービームを分割予定ライン13に沿って照射して、ウエーハ11内部に分割予定ライン13に沿った改質層を形成する改質層形成ステップを実施する。
In the wafer processing method of the first embodiment of the present invention, first, a laser beam having a wavelength that is transmissive to the
図3を参照すると、レーザー加工装置のレーザービーム照射ユニット12のブロック図が示されている。レーザービーム照射ユニット12は、レーザービーム発生ユニット14と、加工ヘッドとなる集光器16とから構成される。
Referring to FIG. 3, a block diagram of the laser
レーザービーム発生ユニット14は、YAGレーザー又はYVO4レーザーを発振するレーザー発振器18と、繰り返し周波数設定手段20と、パルス幅調整手段22と、パワー調整手段24とを含んでいる。
The laser
レーザービーム発生ユニット14のパワー調整手段24により所定パワーに調整されたパルスレーザービームは、集光器16のミラー26で反射され、更に集光用対物レンズ28により集光されてレーザー加工装置のチャックテーブル30に保持されている半導体ウエーハ11に照射される。本実施形態の改質層形成ステップでは、好ましくは、図4に示すように、ウエーハ11の裏面11b側からパルスレーザービームが照射される。
The pulse laser beam adjusted to a predetermined power by the power adjusting means 24 of the laser
この改質層形成ステップを実施する前に、集光器16とウエーハ11の分割予定ライン13とを整列させるアライメントステップを実施するが、アライメントステップはよく知られたステップであるので本明細書ではその説明を省略する。
Before performing this modified layer forming step, an alignment step for aligning the
図4では、ウエーハ11を保持するチャックテーブル30が省略されている。改質層形成ステップでは、集光器16からウエーハ11に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームをウエーハ11の内部に集光点Pを合わせて照射して、チャックテーブル30を加工送りすることによりウエーハ11の内部に分割予定ライン13に沿った改質層25を形成する。
In FIG. 4, the chuck table 30 that holds the
本実施形態では、この改質層25の形成は、研削仕上げ厚みt1よりウエーハ11の裏面11b側に形成する。改質層形成ステップを実施すると、改質層25からウエーハ11の表面11a側に多くの場合クラックが発生する。
In the present embodiment, the modified
チャックテーブル30を割り出し送りしながら、第1の方向に伸長する分割予定ライン13に沿って次々と改質層25を形成する。次いで、チャックテーブル30を90度回転してから、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する分割予定ライン13に沿っても同様な改質層25を形成する。この改質層25は、溶融再硬化層として形成される。改質層25は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。
While indexing and feeding the chuck table 30, the modified
この改質層形成ステップにおける加工条件は、例えば次のように設定されている。 The processing conditions in this modified layer forming step are set as follows, for example.
光源 :LD励起Qスイッチ Nd:YVO4パルスレーザー
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :100kHz
パルス出力 :10μJ
加工送り速度 :100mm/秒
Light source: LD excitation Q switch Nd: YVO 4 pulse laser Wavelength: 1064 nm
Repetition frequency: 100 kHz
Pulse output: 10μJ
Processing feed rate: 100 mm / sec
改質層形成ステップ及びウエーハ11の表面11aに保護部材を配設する保護部材配設ステップを実施した後、ウエーハ11の裏面11bを研削する研削ステップを実施する。この研削ステップでは、図5に示すように、研削装置のチャックテーブル32でウエーハ11の表面11aに貼着された表面保護テープ23側を吸引保持し、ウエーハ11の裏面11bを露出させる。
After performing the modified layer forming step and the protective member disposing step of disposing a protective member on the
図5において、研削ユニット34は、回転駆動されるスピンドル36と、スピンドル36の先端に固定されたホイールマウント38と、ホイールマウント38に複数のねじ42により着脱可能に装着された研削ホイール40とを含んでいる。研削ホイール40は、環状基台44の自由端部に複数の研削砥石46が固着されて構成されている。
In FIG. 5, the grinding
この研削ステップでは、チャックテーブル32を矢印a方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール40をチャックテーブル32と同一方向に、即ち矢印b方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削砥石46をウエーハ11の裏面11bに圧接させる。
In this grinding step, while rotating the chuck table 32 in the direction of arrow a at 300 rpm, for example, the grinding
そして、切削ホイール40を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ウエーハ11の裏面11bの研削を実施してウエーハ11を仕上げ厚みt1に仕上げる。この研削時には、ウエーハ11に研削送りによる所定の押圧力がかかるため、ウエーハ11は内部に形成された改質層25及び改質層25からウエーハ11の表面側に伸長するクラックを分割起点に、図6に示すように、個々のデバイスチップ27に分割される。
Then, the
研削ステップを実施した後、ウエーハ11の裏面11bにDAF(ダイアタッチフィルム)と称される接着シートを貼着し、更にその上に粘着シートを貼着するシート貼着ステップを実施する。
After carrying out the grinding step, an adhesive sheet called DAF (die attach film) is stuck on the
即ち、図7に示すように、ウエーハ11の裏面11bに紫外線の照射によって硬化するDAF29を貼着し、更にその上に粘着シートTを貼着する。そして、粘着シートTの外周部を環状フレームFに貼着する。
That is, as shown in FIG. 7, a
粘着シートTは紫外線の照射によって硬化しない糊層を有する粘着シートが好ましいとともに、エキスパンド性を有している粘着シートが好ましい。更に、このシート貼着ステップでは、ウエーハ11の表面11aから表面保護テープ23を剥離する。
The pressure-sensitive adhesive sheet T is preferably a pressure-sensitive adhesive sheet having an adhesive layer that is not cured by irradiation with ultraviolet rays, and is preferably a pressure-sensitive adhesive sheet having expandability. Furthermore, in this sheet sticking step, the
シート貼着ステップを実施した後、図8に示すように、紫外線ランプ48からウエーハ11の表面11aに紫外線を照射して、隣接するデバイスチップ27間の割れ目31を通して紫外線をDAF29に導き紫外線硬化型DAF29を硬化させる。このようにDAF29が紫外線の照射により硬化すると、DAF29はデバイスチップ27に沿って破断される。
After performing the sheet sticking step, as shown in FIG. 8, the
紫外線照射ステップを実施した後、図9に示すように、裏面にDAF29が貼着されたデバイスチップ27をピックアップコレット50により粘着シートT上からピックアップするピックアップステップを実施する。
After performing the ultraviolet irradiation step, as shown in FIG. 9, the pickup step of picking up the
本実施形態のウエーハの加工方法によると、研削時の押圧力によってウエーハに形成した改質層25を分割起点にウエーハ11を個々のデバイスチップ27に分割するため、別途分割ステップを実施する必要がなく、工程の簡略化が可能となる。更に、チップ間の除去領域をほぼ無くすことができ、ストリートリダクションが可能となる。
According to the wafer processing method of the present embodiment, since the
更に、DAF29として、紫外線照射によって硬化するDAFを用いているため、ウエーハ11の表面11a側から紫外線を照射することで、チップ27間のDAF29が硬化し収縮することでチップ27に沿ってDAFが破断するため、DAF29が破断されない領域が発生する恐れを低減できる。
Furthermore, since DAF which is cured by ultraviolet irradiation is used as the
次に、本発明第2実施形態のウエーハの加工方法について説明する。この第2実施形態のウエーハの加工方法では、図1及び図2を参照して説明した保護部材配設ステップ、図3及び図4を参照して説明した改質層形成ステップ、図5及び図6を参照して説明した研削ステップ、及び図7を参照して説明したシート貼着ステップは上述した第1実施形態と同様である。 Next, a wafer processing method according to the second embodiment of the present invention will be described. In the wafer processing method of the second embodiment, the protective member disposing step described with reference to FIGS. 1 and 2, the modified layer forming step described with reference to FIGS. 3 and 4, and FIGS. The grinding step described with reference to 6 and the sheet sticking step described with reference to FIG. 7 are the same as those in the first embodiment described above.
本実施形態では、紫外線照射ステップを実施する前に、粘着シートTを半径方向に拡張する拡張ステップを実施する。この拡張ステップでは、例えば図10に示すようなエキスパンド装置52を使用する。
In the present embodiment, an expansion step for expanding the adhesive sheet T in the radial direction is performed before the ultraviolet irradiation step. In this expansion step, for example, an expanding
エキスパンド装置52は、環状フレームFを保持するフレーム保持ユニット54と、フレーム保持ユニット54に保持された環状フレームFに装着された粘着シートTを拡張する拡張ドラム60を具備している。
The expanding
フレーム保持ユニット54は、環状のフレーム保持部材56と、フレーム保持部材56の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ58とから構成される。フレーム保持部材56の上面は環状フレームFを載置する載置面56aを形成しており、この載置面56a上に環状フレームFが載置される。
The
そして、載置面56a上に載置された環状フレームFは、クランプ58によってフレーム保持部材56に固定される。このように構成されたフレーム保持ユニット54は駆動ユニット62により上下方向に移動される。駆動ユニット62は複数のエアシリンダ64を備えており、エアシリンダ64のピストンロッド66はフレーム保持部材56の下面に連結されている。
The annular frame F placed on the
複数のエアシリンダ64から構成される駆動ユニット62は、環状のフレーム保持部材56を、その載置面56aが拡張ドラム60の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム60の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動する。
The
この拡張ステップでは、図10(A)に示すように、ウエーハ11を粘着シートTを介して支持した環状フレームFを、フレーム保持部材56の載置面56a上に載置し、クランプ58によってフレーム保持部材56を固定する。このとき、フレーム保持部材56はその載置面56aが拡張ドラム60の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。
In this expansion step, as shown in FIG. 10A, the annular frame F that supports the
次いで、エアシリンダ64を駆動してフレーム保持部材56を下方に約15mm程度移動して、図10(B)に示す拡張位置に下降させる。これにより、フレーム保持部材56の載置面56a上に固定されている環状フレームFも下降するため、環状フレームFに貼着された粘着シートTは拡張ドラム60の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。
Next, the
その結果、粘着シートTに貼着されているウエーハ11及びDAF29には放射状に引張力が作用し、デバイスチップ27間の間隔が拡大され、DAF(ダイアタッチフィルム)29は引き伸ばされる。本実施形態では、拡張ステップを常温(5〜35℃程度)で実施することで拡張によりDAF29が破断されてしまうことを防止できる。
As a result, a radial tensile force acts on the
拡張ステップ実施後、図11に示すように、紫外線ランプ48からウエーハ11の表面11aに紫外線を照射する紫外線照射ステップを実施する。紫外線照射ランプ48はLEDから構成されるのが好ましい。LEDは発熱が少ないため、加熱によるDAF29の変質を防ぐことができる。
After performing the expansion step, as shown in FIG. 11, an ultraviolet irradiation step of irradiating the
この紫外線照射ステップを実施すると、デバイスチップ27間の間隔が広がっているのでこの広がった間隔を通して紫外線が紫外線硬化型DAF29に照射され、照射された部分33が硬化して収縮することでDAF29がデバイスチップ27に沿って破断される。
When this ultraviolet irradiation step is performed, the space between the device chips 27 is widened, so ultraviolet light is irradiated to the ultraviolet
本実施形態では、拡張ステップを実施した後、紫外線照射ステップを実施しているので、デバイスチップ27間のDAF29を確実に硬化して収縮させ、デバイスチップ27に沿って破断することができる。
In this embodiment, since the ultraviolet irradiation step is performed after the expansion step is performed, the
紫外線照射ステップを実施した後、図12に示すように、裏面にDAF29が貼着されたデバイスチップ27をピックアップコレット50により粘着シートT上からピックアップするピックアップステップを実施する。
After performing the ultraviolet irradiation step, as shown in FIG. 12, the pickup step of picking up the
次に、図13乃至図17を参照して、本発明第3実施形態のウエーハの加工方法について説明する。本実施形態では、まず図13に示すように、ウエーハ11の表面11aに表面保護テープ23を貼着し、表面保護テープ23の外周部を環状フレームFに貼着する保護部材配設ステップを実施する。本実施形態の表面保護テープ23は、拡張性を有する表面保護テープである必要がある。
Next, a wafer processing method according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, first, as shown in FIG. 13, a protective member disposing step is performed in which the surface
次いで、図3及び図4を参照して説明した第1実施形態の改質層形成ステップと同様に、図14に示すように、ウエーハ11の内部に分割予定ライン13に沿った改質層25を形成する。第1実施形態と同様に、改質層25は研削仕上げ厚みt1よりウエーハ11の裏面11b側に形成する。
Next, similarly to the modified layer forming step of the first embodiment described with reference to FIGS. 3 and 4, as shown in FIG. 14, the modified
改質層形成ステップ実施後、図5を参照して説明した第1実施形態の研削ステップと同様に、ウエーハ11の裏面11bを研削ホイール40で研削することにより、図15に示すように、ウエーハ11を研削仕上げ厚みt1へと薄化するとともに研削時の押圧力でウエーハ11を改質層25を分割起点に個々のデバイスチップ27へと分割する。
After the modified layer forming step, the
研削ステップ実施後、図10に示すようなエキスパンド装置52を使用して、図16に示すように、表面保護テープ23を矢印A方向に拡張する拡張ステップを実施する。この拡張ステップを実施すると、表面保護テープ23が半径方向に拡張されるため、デバイスチップ27間の間隔が拡張される。
After performing the grinding step, an expanding step for expanding the
拡張ステップ実施後、図17に示すように、ウエーハ11の裏面11bに紫外線の照射によって硬化するDAF29を貼着し、更にDAF29上に粘着シートTを貼着し、粘着シートTの外周部を環状フレームFに貼着する。そして、ウエーハ11の表面11a及び環状フレームFから表面保護テープ23を剥離して、図17に示したような状態にする。
After carrying out the expansion step, as shown in FIG. 17,
シート貼着ステップ実施後、図11に示した第2実施形態の紫外線照射ステップと同様に、紫外線ランプ48からウエーハ11の表面11aに紫外線を照射して、デバイスチップ27間のDAF29を硬化して収縮させ、デバイスチップ27に沿って破断する紫外線照射ステップを実施する。
After the sheet sticking step, the
紫外線照射ステップ実施後、図12に示した第2実施形態のピックアップステップと同様に、裏面にDAF29の貼着されたデバイスチップ27を粘着シートTからピックアップするピックアップステップを実施する。
After the ultraviolet irradiation step, the pickup step of picking up the
11 半導体ウエーハ
11a 表面
11b 裏面
12 レーザービーム照射ユニット
13 分割予定ライン
14 レーザービーム発生ユニット
15 デバイス
16 集光器
23 表面保護テープ
25 改質層
27 デバイスチップ
29 DAF(接着シート)
34 研削ユニット
40 研削ホイール
46 研削砥石
48 紫外線ランプ
50 ピックアップコレット
52 エキスパンド装置
DESCRIPTION OF
34 grinding
Claims (3)
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームの集光点をウエーハ内部に位置付けるとともに該レーザービームを該分割予定ラインに沿って照射して、ウエーハ内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップを実施する前又は後に、ウエーハの表面に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
該改質層形成ステップと該保護部材配設ステップを実施した後、ウエーハの裏面を研削砥石を含む研削手段で押圧して研削し、ウエーハを所定厚みへと薄化するとともに該改質層を分割起点に個々のチップへとウエーハを分割する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後、ウエーハの裏面に紫外線の照射によって硬化する接着シートを貼着しウエーハの裏面を該接着シートで被覆するとともに該接着シート上に粘着シートを貼着し、ウエーハの表面に配設された該保護部材をウエーハ上から除去するシート貼着ステップと、
該シート貼着ステップを実施した後、LEDからなる紫外線照射ランプを使用してウエーハの表面から紫外線を照射して、加熱による該接着シートの変質を防ぎつつ隣接するチップ間の該接着シートを硬化させて収縮させることで該チップに沿って該接着シートを破断させる紫外線照射ステップと、
該紫外線照射ステップを実施した後、裏面に接着シートが貼着された個々のチップを該粘着シート上からピックアップするピックアップステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法。 A method for processing a wafer having a plurality of intersecting scheduled lines,
A condensing point of a laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer is positioned inside the wafer, and the laser beam is irradiated along the planned division line, so that a modified layer is formed along the planned division line inside the wafer. A modified layer forming step for forming
Before or after performing the modified layer forming step, a protective member disposing step of disposing a protective member on the surface of the wafer;
After performing the modified layer forming step and the protective member disposing step, the back surface of the wafer is pressed and ground by a grinding means including a grinding wheel to thin the wafer to a predetermined thickness and A grinding step for dividing the wafer into individual chips at the division starting point;
After carrying out the grinding step, an adhesive sheet that is cured by irradiation of ultraviolet rays is attached to the back surface of the wafer, the back surface of the wafer is covered with the adhesive sheet, and an adhesive sheet is attached to the adhesive sheet, and the surface of the wafer A sheet sticking step for removing the protective member disposed on the wafer from the wafer;
After carrying out the sheet adhering step, ultraviolet rays are irradiated from the surface of the wafer using an ultraviolet irradiation lamp made of LED, and the adhesive sheet between adjacent chips is cured while preventing deterioration of the adhesive sheet due to heating. An ultraviolet irradiation step for breaking the adhesive sheet along the chip by shrinking , and
After performing the ultraviolet irradiation step, a pickup step of picking up individual chips having an adhesive sheet attached to the back surface from the adhesive sheet;
A wafer processing method characterized by comprising:
前記研削ステップを実施した後、前記シート貼着ステップを実施する前に、該保護部材を拡張して隣接する前記チップ間の間隔を拡張する拡張ステップを更に備えた、請求項1記載のウエーハの加工方法。 The protective member is composed of an expandable adhesive sheet,
2. The wafer according to claim 1, further comprising an expanding step of expanding the protective member to expand a distance between adjacent chips after performing the grinding step and before performing the sheet adhering step. Processing method.
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