JP5132695B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。なお、前出した図と対応する部分には、前出した図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する(第3の実施形態以降も同様)。
図8は、本発明の第3の実施形態に係るMOSトランジスタの製造工程を示す断面図である。
図9は、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
一方、図11から、リップル幅/平均光強度は、照射距離L=30mm前後および69mm前後において、十分に低い値となる。しかし、照射距離L=69mm前後では、光強度面内均一性σの値は、図10に示すように、大きくなってしまう。
本実施形態の半導体装置の製造方法が、従来のそれと異なる点は、フラッシュランプ光源5の1/2パルス幅が所定値(1m秒)以下に設定されることにある。
Claims (5)
- 単結晶Si領域を含むSiウェハであって、前記単結晶Si領域上に長手方向を有するラインパターンを含むパターンが設けられた前記Siウェハの上方に、光源としてフラッシュランプ光源またはレーザーを配置する工程と、
前記光源から放射された光により前記Siウェハを加熱する工程であって、前記光により前記Siウェハ上に形成される光強度分布が、前記単結晶Si領域の結晶方位及び前記ラインパターンの長手方向とは異なる方向において強度が最大値となる分布が形成されるように、前記Siウェハを加熱する工程と
を有し、前記単結晶Si領域の前記結晶方位が、前記単結晶Si領域の劈開面の面方位であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記Siウェハを加熱する工程は、ウェハ裏面側から予備加熱された状態で、前記光源から放射された光により前記Siウェハ表面側から加熱されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Siウェハを加熱する工程は第1の加熱処理及び第2の加熱処理を含み、前記第1の加熱処理と前記第2の加熱処理とでは、前記光により前記Siウェハ上に形成される光強度分布が、異なる方向において強度が最大値となる分布が形成されるように、前記Siウェハを加熱することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フラッシュランプ光源は複数のフラッシュランプを含み、かつ、前記複数のフラッシュランプの配列方向が、前記単結晶Si領域の結晶方位及び前記ラインパターンの長手方向と異なる方向になるように、前記フラッシュ光源を前記Siウェハの上方に配置することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フラッシュランプ光源は複数のフラッシュランプを含み、かつ、前記複数のフラッシュランプの配列方向が、前記単結晶Si領域の結晶方位及び前記ラインパターンの長手方向と異なる方向になるように、前記フラッシュ光源を前記Siウェハの上方に配置することを特徴とし、
前記複数のフラッシュランプまたは前記Siウェハを回転させることにより、前記第1の加熱処理時における前記複数のフラッシュランプの配列方向と前記第2の加熱処理時における前記複数のフラッシュランプの配列方向とを異ならせることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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