JP5127460B2 - 化学的方法 - Google Patents
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Description
その方法は、式II
の化合物と式III
Aは下記の基(i)〜(vii)
P3は水素又はヒドロキシ保護基であり;
P4及びP5は水素及びヒドロキシ保護基から独立して選択され、又はP4はP5と一緒になって1,3−ジヒドロキシ保護基を形成し、及びP6及びP7は独立してヒドロキシ保護基であり;又はP5はP6と一緒になって1,3−ジヒドロキシ保護基を形成し、及びP4は水素又はヒドロキシ保護基であり、及びP7はヒドロキシ保護基であり;
P8は水素又はヒドロキシ保護基であり;
P9は水素又はヒドロキシ保護基であり;
P10及びP11は水素及びヒドロキシ保護基から独立して選択され、又はP10はP11と一緒になって又はP11はR4と一緒になって1,3−ジヒドロキシ保護基を形成し;
及び特に記載しない限り、R1、R2、R3及びR4は独立してカルボキシ保護基である)
から選択される]
の化合物との、触媒有効量のパラジウム触媒の存在下及び塩基の存在下での反応;
続いて
(a)Xが基Yである場合、基Yを基Zへ変換すること;
続いて
(b)Aが基(i)である場合、(1)P1がヒドロキシ保護基である場合、保護基P1の除去;(2)P2がヒドロキシ保護基である場合、保護基P2の除去;及び(3)保護基R1の除去;の工程を任意の順序で実施すること;
(c)Aが基(ii)である場合、(1)炭素−炭素二重結合に隣接するカルボニル基の不斉還元;(2)P3がヒドロキシ保護基である場合、保護基P3の除去;及び(3)保護基R2の除去;の工程を任意の順序で実施すること;
(d)Aが基(iii)である場合、(1)P4がヒドロキシ保護基である場合、保護基P4の除去;(2)P5がヒドロキシ保護基である場合、保護基P5の除去;(3)保護基P6の除去;及び(4)保護基P7の除去;の工程を任意の順序で実施すること;
(e)Aが基(iv)である場合、(1)P8がヒドロキシ保護基である場合、保護基P8の除去;(2)エステル基COOR3に隣接する炭素−炭素二重結合の不斉水素化;及び(3)保護基R3の除去;の工程を任意の順序で実施すること;
(f)Aが基(v)である場合、(1)P9がヒドロキシ保護基である場合、保護基P9の除去;及び(2)塩基性条件下での加水分解;の工程を任意の順序で実施すること;
(g)Aが基(vi)である場合、(1)環炭素−炭素二重結合の不斉水素化;及び(2)塩基性条件下での加水分解;の工程を任意の順序で実施すること;及び
(h)Aが基(vii)である場合、(1)基COOR4に隣接する炭素−炭素二重結合の不斉還元;(2)P10がヒドロキシ保護基ある場合、保護基P10の除去;(3)P11がヒドロキシ保護基である場合、保護基P11の除去;及び(4)保護基R4の除去;の工程を任意の順序で実施すること;
その後、生成物が遊離酸形態で得られた場合、場合により、式Iの化合物の薬学的に許容できる塩を形成することができること、又は、生成物が塩として得られた場合、場合により、生成物を異なった薬学的に許容できる塩に変換することができること;
を含んでなる。
ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(0)、水、N,N−ジシクロヘキシルメチルアミン;
ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(0)、水、N,N−ジシクロヘキシルメチルアミン、塩化テトラブチルアンモニウム;
ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(0)、水、N,N−ジシクロヘキシルメチルアミン、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム;
ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(0)、トルエン、N,N−ジシクロヘキシルメチルアミン、塩化テトラブチルアンモニウム;
ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(0)、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジシクロヘキシルメチルアミン、塩化テトラブチルアンモニウム;
ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(0)、水/DMF(1:1)、N,N−ジシクロヘキシルメチルアミン、
ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(0)、水/DMF(1:1)、N,N−ジシクロヘキシルメチルアミン、塩化テトラブチルアンモニウム;及び
ビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(0)、水/DMF(1:1)、アンモニア。
(1)式III中、Aは基(i)であり、P1及びP2は一緒になってアセトニド保護基を形成する;
(2)式III中、Aは基(i)であり、P1及びP2は両方とも水素である;
(3)式III中、Aは基(ii)であり、P3はヒドロキシ保護基である;
(4)式III中、Aは基(ii)であり、P3は水素である;
(5)式III中、Aは基(iii)であり、P4〜P7は総てヒドロキシ保護基である;
(6)式III中、Aは基(iii)であり、P4及びP5は両方とも水素であり、及びP6及びP7は同一の又は異なったヒドロキシ保護基である(例えば、メチル又はエチルのような(1〜4C)アルキル基);
(7)式III中、Aは基(iv)であり、P8はヒドロキシ保護基である(例えば、トリメチルシリル(TMS)、トリエチルシリル(TES)、tert−ブチルジフェニルシリル(TBDPS)又はtert−ブチルジメチルシリル(TBDMS));
(8)式III中、Aは基(iv)であり、P8は水素である;
(9)式III中、Aは基(v)であり、P9はヒドロキシ保護基である;
(10)式III中、Aは基(v)であり、P9は水素である;
(11)式III中、Aは基(vi)である;
(12)式III中、Aは基(vii)であり、P10は水素であり、及びP11はR4と一緒になって1,3−ジヒドロキシ保護基である(例えば、P11はR4と一緒になってアセトニド保護基である)。
EtOH=エタノール;NBS=N−ブロモスクシンイミド;DMF=N,N−ジメチルホルムアミド;TEA=トリエチルアミン;MeCN=アセトニトリル;MsCl=塩化メシル;TsCl=塩化トシル;OTs=トシロキシ;THF=テトラヒドロフラン;IPA=イソプロパノール;DCM=ジクロロメタン。
の化合物の製造のための方法を含んでなり、その方法は、式IIの化合物(式中、Xは前に定義した基Zであり、及びLは脱離基である)と式IIIの化合物[式中、Aは本明細書で前に示した基(i)であり、P1及びP2は独立してヒドロキシ保護基であり、又はP1はP2と一緒になって1,3−ジヒドロキシ保護基を形成し(特に式中、P1及びP2は一緒になって1,3−ジヒドロキシ保護基を形成し、及び特にP1及びP2はRy及びRzが両方ともメチルであり(即ち、アセトニド保護基)、本明細書で定義した基(a)を完成させる)、及びR1はカルボキシ保護基((1〜4C)アルキルのような、及び特にはtert−ブチル)である]の、触媒的に有効量のパラジウム触媒の存在下、及び上記の塩基の存在下での反応を含んでなる。この方法のさらなる態様は、式IIの出発物質は上記のように得られることである。
(i)Xはヒドロキシであり;
(ii)Xはクロロであり;
(iii)Xはアミノであり;
(iv)Xはメチルアミノであり;
(v)メタンスルホニルアミノ;及び
(vi)XはRxSO2O−[式中、Rxは(1〜6C)アルキル(メチル、エチル又はプロピルのような)、アリール(フェニルのような)又は置換アリール(トリルのような)である]である;
の化合物を使用する式IVの化合物の製造を含んでなる。式IVの化合物は、本明細書に記載したように、保護基P1、P2及びR1の除去により式Iの化合物へ変換することができる。特別の態様において、R1の前にP1及びP2が除去される。
(1)Xがヒドロキシであり、P1及びP2が一緒になってアセトニド(−C(CH3)2−)保護基を形成し、及びR1が(1〜4C)アルキル、特にtert−ブチルであるもの;
(2)Xがクロロであり、P1及びP2が一緒になってアセトニド(−C(CH3)2−)保護基を形成し、及びR1が(1〜4C)アルキル、特にtert−ブチルであるもの;
(3)Xがアミノであり、P1及びP2が一緒になってアセトニド(−C(CH3)2−)保護基を形成し、及びR1が(1〜4C)アルキル、特にtert−ブチルであるもの;
(4)Xがメチルアミノであり、P1及びP2が一緒になってアセトニド(−C(CH3)2−)保護基を形成し、及びR1が(1〜4C)アルキル、特にtert−ブチルであるもの;及び
(5)Xはトシロキシであり、P1及びP2が一緒になってアセトニド(−C(CH3)2−)保護基を形成し、及びR1が(1〜4C)アルキル、特にtert−ブチルであるもの。
の化合物の製造を含んでなり、その製造は、式IIの化合物(式中、Xは基Zであり、及びLは脱離基である)と式IIIの化合物(式中、Aは本明細書で前に示した基(ii)であり、P3は水素又はヒドロキシ保護基であり、及びR2はカルボキシ保護基である)の、触媒的に有効量のパラジウム触媒の存在下、及び上記の塩基の存在下での反応を含んでなる。
(i)Xはヒドロキシであり;
(ii)Xはクロロであり;
(iii)Xはアミノであり;
(iv)Xはメチルアミノであり;
(v)メタンスルホニルアミノ;及び
(vi)XはRxSO2O−[式中、Rxは(1〜6C)アルキル(メチル、エチル又はプロピルのような)、アリール(フェニルのような)又は置換アリール(トリルのような)である]である;
の化合物を使用する式Vの化合物の製造を含んでなる。式Vの化合物は、前に記載したように、基Yを基Zに変換し、続いて(1)炭素−炭素二重結合に隣接するカルボニル基の不斉還元;(2)P3の除去;及びカルボキシ保護基R2の除去の工程を任意の順序で実施することにより式Iの化合物に変換することができる。特別の態様において、保護基の除去の前に不斉還元が実施される。
の化合物の製造を含んでなり、その製造は、前に定義した式IIの化合物(式中、Xは前に定義した基Zであり、及びLは脱離基である)と式IIIの化合物(式中、Aは本明細書で前に示した基(iii)であり、P4、P5、P6及びP7は独立してヒドロキシ保護基であり、又はP4はP5と一緒になって、又はP5はP6と一緒になって1,3−ジヒドロキシ保護基を形成する)の、上記の触媒的に有効量のパラジウム触媒の存在下、及び塩基の存在下での反応を含んでなる。
の化合物の製造を含んでなり、その製造は、式IIの化合物(式中、Xは前に定義した基Yであり、及びLは脱離基である)と式IIIの化合物(式中、Aは本明細書で前に示した基(iii)であり、P4、P5、P6及びP7は独立してヒドロキシ保護基であり、又はP4はP5と一緒になって、又はP5はP6と一緒になって1,3−ジヒドロキシ保護基を形成する)の、上記の触媒的に有効量のパラジウム触媒の存在下、及び塩基の存在下での反応を含んでなる。この方法のさらなる別の独立した態様は、式II、式中:
(i)Xはヒドロキシであり;
(ii)Xはクロロであり;
(iii)Xはアミノであり;
(iv)Xはメチルアミノであり;
(v)メタンスルホニルアミノ;及び
(vi)XはRxSO2O−[式中、Rxは(1〜6C)アルキル(メチル、エチル又はプロピルのような)、アリール(フェニルのような)又は置換アリール(トリルのような)である]である;
の化合物を使用する式VIの化合物の製造を含んでなる。式VIの化合物は、本明細書で記載したように、基Yを基Zに変換し、続いてP4、P5、P6及びP7の除去を任意の順序で実施することにより式Iの化合物に変換することができる。
の化合物の製造を含んでなり、その製造は、式IIの化合物(式中、Xは基Zであり、及びLは脱離基である)と式IIIの化合物(式中、Aは本明細書で前に示した基(iv)であり、P8はヒドロキシ保護基であり、及びR3はカルボキシ保護基である)の、上記の触媒的に有効量のパラジウム触媒の存在下、及び塩基の存在下での反応を含んでなる。
の化合物の製造を含んでなり、その製造は、式IIの化合物(式中、Xは前に定義した基Yであり、及びLは脱離基である)と式IIIの化合物(式中、Aは本明細書で前に示した基(iv)であり、P8はヒドロキシ保護基であり、及びR3はカルボキシ保護基である)の、触媒的に有効量のパラジウム触媒の存在下、及び塩基の存在下での反応を含んでなる。この方法のさらなる別の独立した態様は、式II、式中:
(i)Xはヒドロキシであり;
(ii)Xはクロロであり;
(iii)Xはアミノであり;
(iv)Xはメチルアミノであり;
(v)メタンスルホニルアミノ;及び
(vi)XはRxSO2O−[式中、Rxは(1〜6C)アルキル(メチル、エチル又はプロピルのような)、アリール(フェニルのような)又は置換アリール(トリルのような)である]である;
の化合物を使用する式VIIの化合物の製造を含んでなる。式VIIの化合物は、本明細書で記載したように、基Yを基Zに変換し、続いて(1)P8の除去;(2)エステル基COOR3に隣接する炭素−炭素二重結合の不斉水素化;及び(3)R3の除去の工程を任意の順序で実施することにより式Iの化合物に変換することができる。特別の態様において、P8及びR3が除去される前に不斉水素化が実施される。
の化合物の製造を含んでなり、その製造は、式IIの化合物(式中、Xは基Zであり、及びLは脱離基である)と式IIIの化合物(式中、Aは本明細書で前に示した基(v)であり、P9はヒドロキシ保護基である)の、上記の触媒的に有効量のパラジウム触媒の存在下、及び塩基の存在下での反応を含んでなる。
(i)Xはヒドロキシであり;
(ii)Xはクロロであり;
(iii)Xはアミノであり;
(iv)Xはメチルアミノであり;
(v)メタンスルホニルアミノ;及び
(vi)XはRxSO2O−[式中、Rxは(1〜6C)アルキル(メチル、エチル又はプロピルのような)、アリール(フェニルのような)又は置換アリール(トリルのような)である]である;
の化合物を使用する式VIIIの化合物の製造を含んでなる。式VIIIの化合物は、本明細書で記載したように、基Yの基Zへの変換、続いて(1)もし存在するならば保護基P9の除去、及び(2)塩基性条件下での加水分解による環の開環、の工程を任意の順序で実施することにより、式Iの化合物に変換することができる。特別の態様において、P9はヒドロキシ保護基である。
の化合物の製造を含んでなり、その製造は、式IIの化合物(式中、Xは基Zであり、及びLは脱離基である)と式IIIの化合物(式中、Aは本明細書で前に示した基(vi)である)の、上記の触媒的に有効量のパラジウム触媒の存在下、及び塩基の存在下での反応を含んでなる。
(i)Xはヒドロキシであり;
(ii)Xはクロロであり;
(iii)Xはアミノであり;
(iv)Xはメチルアミノであり;
(v)メタンスルホニルアミノ;及び
(vi)XはRxSO2O−[式中、Rxは(1〜6C)アルキル(メチル、エチル又はプロピルのような)、アリール(フェニルのような)又は置換アリール(トリルのような)である]である;
の化合物を使用する式IXの化合物の製造を含んでなる。式IXの化合物は、本明細書で記載したように、基Yの基Zへの変換、続いて(1)環炭素−炭素二重結合の不斉水素化、及び(2)塩基性条件下での加水分解の工程を任意の順序で実施することにより式Iの化合物に変換することができる。特別の態様において、不斉水素化を加水分解に先立って実施する。
の化合物の製造を含んでなり、その製造は、前に定義した式IIの化合物(式中、Xは本明細書で前に定義した基Zであり、及びLは脱離基である)と式IIIの化合物(式中、Aは本明細書で前に示した基(vii)であり、P10及びP11は水素及びヒドロキシ保護基から独立して選択され、又はP10はP11と一緒になって1,3−ジヒドロキシ保護基を形成する)の、上記の触媒的に有効量のパラジウム触媒の存在下、及び塩基の存在下での反応を含んでなる。
(i)Xはヒドロキシであり;
(ii)Xはクロロであり;
(iii)Xはアミノであり;
(iv)Xはメチルアミノであり;
(v)メタンスルホニルアミノ;及び
(vi)XはRxSO2O−[式中、Rxは(1〜6C)アルキル(メチル、エチル又はプロピルのような)、アリール(フェニルのような)又は置換アリール(トリルのような)である]である;
の化合物を使用する式Xの化合物の製造を含んでなる。式Xの化合物は、本明細書で記載したように、基Yの基Zへの変換、続いて(1)基COOR4に隣接する炭素−炭素の不斉還元;(2)保護基の除去、の工程を任意の順序で実施することにより式Iの化合物に変換することができる。特別の態様において、P11は水素である。
5−ブロモ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−(N−メチル−N−メチルスルホニルアミノ)ピリミジン;
5−ヨード−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−(N−メチル−N−メチルスルホニルアミノ)ピリミジン;
5−クロロ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−(N−メチル−N−メチルスルホニルアミノ)ピリミジン;
5−トリフルオロメチルスルホニルオキシ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−(N−メチル−N−メチルスルホニルアミノ)ピリミジン;
5−ブロモ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−ヒドロキシピリミジン;
5−ヨード−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−ヒドロキシピリミジン;
5−クロロ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−ヒドロキシピリミジン;
5−トリフルオロメチルスルホニルオキシ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−ヒドロキシピリミジン;
5−ブロモ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−クロロピリミジン;
5−ヨード−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−クロロピリミジン;
5−クロロ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−クロロピリミジン;
5−トリフルオロメチルスルホニルオキシ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−クロロピリミジン;
5−ブロモ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−トシロキシピリミジン;
5−ヨード−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−トシロキシピリミジン;
5−クロロ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−トシロキシピリミジン;
5−トリフルオロメチルスルホニルオキシ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−トシロキシピリミジン;
5−ブロモ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−メチルアミノピリミジン;
5−ヨード−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−メチルアミノピリミジン;
5−クロロ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−メチルアミノピリミジン;
5−トリフルオロメチルスルホニルオキシ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−メチルアミノピリミジン;
5−ブロモ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−メタンスルホニルアミノピリミジン;
5−ヨード−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−メタンスルホニルアミノピリミジン;
5−クロロ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−メタンスルホニルアミノピリミジン;
5−トリフルオロメチルスルホニルオキシ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−メタンスルホニルアミノピリミジン;
5−ブロモ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−アミノピリミジン;
5−ヨード−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−アミノピリミジン;
5−クロロ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−アミノピリミジン;及び
5−トリフルオロメチルスルホニルオキシ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−アミノピリミジン;及びそれらの塩。
a)トルエン中のエチル−4−フルオロベンゾエートと3−メチル2−ブタノンの反応で1−(4−フルオロフェニル)−4−メチルペンタン−1,3−ジオンをトルエン溶液として得ること;及び
b)前記トルエン溶液と、尿素及び塩化水素のイソプロパノール中の反応;
を含んでなる。
実施例1
N−(5−ブロモ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピルピリミジン−2−イル)−N−メチルメタンスルホンアミド(1.00g、2.50mmol)、ビス−トリ−tert−ブチルホスフィンパラジウム(0)(131mg、0.250mmol)、tert−ブチル 2−((4R,6S)−2,2−ジメチル6−ビニル−1,3−ジオキサン−4−イル)アセテート(640mg、2.50mmol)、水(5mL)、N,N−ジシクロヘキシルメチルアミン(0.530mL、2.50mmol)及びN,N−ジメチルホルムアミド(5mL)の混合物を加熱し、窒素下、50℃で4日間撹拌した。次に混合物を酢酸エチル(11mL)、水(10mL)及び酢酸(0.2mL)で希釈した。有機相を分離し、水相を酢酸エチル(5mL)で抽出した。合わせた有機相を水(10mL)、次に食塩水(10mL)で洗浄し、真空下で濃縮すると、いくらかの固形物を含有する黄色油状物を得た。この物質を酢酸エチルへの溶解を介してシリカゲル上に吸着させ、フラッシュクロマトグラフィー(5%酢酸エチル含有イソヘキサンから20%酢酸エチル含有ヘキサンへ徐々に増加させた、シリカカラム直径25mm及び高さ250mm)により精製すると、式
1 H NMR δ: 1.21 (d+d, 6H) 1.32 (dt, 1H) 1.51 (dt, 1H) 2.00 (dd, 1H) 2.14 (dd, 1H) 3.42 (spt, 1H)* 3.45 (s, 3H) 3.54 (s, 3H) 3.77 (m, 1H) 4.21 (q, 1H) 5.53 (dd, 1H) 6.51 (dd, 1H) 7.27 (t, 2H) 7.71 (dd, 2H) [1H NMRは、d6 DMSO中、3% w/v 溶液として実施した (ここで d5 DMSO=2.51δ)]。*部分的に不明瞭。
1H NMR (400MHz; CDCl3) δ: 1.39 (6H, d), 3.57 (1H, m), 7.16 (2H, dd), 7.66 (2H, dd) 。Mp: 199℃で分解。HRMS:C13H12N2OFBrとした計算値:310.0117 、実測値:310.0116:さらに精製することなく続いての反応で使用した。
Claims (9)
- 式I
式II
の化合物と式III
Aは下記の基(i)
P1及びP2は水素及びヒドロキシ保護基から独立して選択され、又はP1はP2と一緒になって1,3−ジヒドロキシ保護基を形成し;
及び特に記載しない限り、R1 はカルボキシ保護基である]
の化合物との、触媒有効量のパラジウム触媒の存在下及び塩基の存在下での反応;
続いて、
(b)Aが基(i)である場合、(1)P1がヒドロキシ保護基である場合、保護基P1の除去;(2)P2がヒドロキシ保護基である場合、保護基P2の除去;及び(3)保護基R1の除去;の工程を任意の順序で実施すること;
その後、生成物が遊離酸形態で得られた場合、場合により、式Iの化合物の薬学的に許容できる塩を形成することができること、又は、生成物が塩として得られた場合、場合により、その生成物を異なった薬学的に許容できる塩に変換することができること;
を含んでなる方法。 - 式IV
の化合物の製造のための方法であって、
請求項1に定義した式IIの化合物[式中、Xは請求項1に定義した基Zであり、及びLは脱離基である]と請求項1に定義した式IIIの化合物[式中、Aは請求項1に定義した基(i)であり、P1及びP2は独立してヒドロキシ保護基であり、又はP1はP2と一緒になって1,3−ジヒドロキシ保護基を形成し、及びR1はカルボキシ保護基である]の、触媒的に有効量のパラジウム触媒の存在下、及び塩基の存在下での反応を含んでなる、前記方法。 - パラジウム触媒がビス(トリ−tert−ブチルホスフィン)パラジウム(0)である、請求項1又は2に記載の方法。
- 塩基がアンモニア又はかさ高い第三アミンである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 反応が、水、水及びN,N−ジメチルホルムアミド、及び、水及びN,N−ジメチルアセトアミド、から選択される溶媒中で実施される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 式IIの化合物であって、
5−ブロモ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−(N−メチル−N−メチルスルホニルアミノ)ピリミジン;
5−ヨード−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−(N−メチル−N−メチルスルホニルアミノ)ピリミジン;
5−クロロ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−(N−メチル−N−メチルスルホニルアミノ)ピリミジン;及び
5−トリフルオロメチルスルホニルオキシ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−(N−メチル−N−メチルスルホニルアミノ)ピリミジン;から選択される化合物、
及びそれらの塩。 - 5−ブロモ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピル−2−(N−メチル−N−メチルスルホニルアミノ)ピリミジンである、請求項6に記載の化合物。
- 化合物2−ヒドロキシ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピルピリミジン。
- 2−ヒドロキシ−4−(4−フルオロフェニル)−6−イソプロピルピリミジンの製造のための方法であって、
a)トルエン中のエチル−4−フルオロベンゾエートと3−メチル2−ブタノンの反応で1−(4−フルオロフェニル)−4−メチルペンタン−1,3−ジオンをトルエン溶液として得ること;及び
b)前記トルエン溶液と、尿素及び塩化水素のイソプロパノール中の反応;
を含んでなる、前記方法。
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