JP5121475B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
前記ボディ、前記第1の拡散層および前記第2の拡散層がメモリセルを成し、前記第1の方向に隣接する複数の前記メモリセルは、前記ビット線コンタクトおよび前記ソース線コンタクトを交互に共有し、
前記第1の拡散層は、前記第1ゲート電極の上方において、前記外側面より前記第1の方向に沿って延伸し、前記半導体基板の表面に対して平行に形成された平面部を有し、前記平面部は、前記第1の方向において隣接するメモリセルで共有されており、
前記第1ゲート電極は、前記第2の方向に延伸し、前記第1の方向に隣接するメモリセルに共有されており
前記ビット線コンタクトまたは前記ソース線コンタクトは、前記平面部に接触することを特徴とする。
前記ボディ、前記第1の拡散層および前記第2の拡散層がメモリセルを成し、前記第1の方向に隣接する複数の前記メモリセルは、前記ビット線コンタクトおよび前記ソース線コンタクトを交互に共有し、
前記第1の拡散層は、前記第1ゲート電極の上方において、前記外側面より第1の方向に沿って延伸し前記半導体基板の表面に対して平行に形成された平面部を有し、前記平面部は、前記第1の方向において隣接するメモリセルで共有されており、
前記第1ゲート電極は、前記第1の方向に延伸し、前記第2の方向に隣接するメモリセルに共有されており、
前記ビット線コンタクトまたは前記ソース線コンタクトは、前記平面部に接触することを特徴とする。
図1は、本発明に係る第1の実施形態に従ったFBCメモリの配線を示す平面図である。FBCメモリは、第1の方向としてのカラム方向に延伸する複数のビット線BLと、カラム方向に対して交差する第2の方向としてのロウ方向に延伸する複数のワード線WLと、第2の方向に延伸する複数のソース線SLとを備えている。
図16は、第2の実施形態に従ったFBCメモリの配線を示す平面図である。図17は、図16のA−A線に沿った断面図である。図18は、図16および図17のB−B線に沿った断面図である。図19は、図16および図17のD−D線に沿った断面図である。図20は、図16および図17のS−S線に沿った断面図である。図21は、図16の2−2線に沿った断面図である。図22は、図16の1−1線に沿った断面図である。第2の実施形態では、バルク基板上にFBCメモリを形成している。これにより、第2の実施形態では製造コストが削減される。
図35および図36は、第3の実施形態に従ったFBCメモリの平面図である。図37は、図35のA−A線に沿った断面図である。図38は、図35および図37のB−B線に沿った断面図である。図39は、図35および図37のD−D線に沿った断面図である。図40は、図35および図37のS−S線に沿った断面図である。図41は、図35の1−1線に沿った断面図である。図42は、図35の2−2線に沿った断面図である。第3の実施形態では、バルク基板上にFBCメモリを形成している。これにより、第3の実施形態では製造コストが削減される。
図68〜図71は、第4の実施形態に従ったFBCメモリの構造を示す断面図である。第4の実施形態では、図68に示すように、ソース線コンタクトSLCが第1のスペースSP1に形成され、ビット線コンタクトBLCが第2のスペースSP2に形成される。即ち、第4の実施形態におけるソース線コンタクトSLCとビット線コンタクトBLCとの位置関係は第3の実施形態のそれと逆になっている。
図72〜図74は、第5の実施形態に従ったFBCメモリの構造を示す断面図である。第5の実施形態の平面構造は、図1および図2に示す平面図と同様である。第5の実施形態は、バルクシリコン基板10を用いている点で第1の実施形態と異なる。第5の実施形態は、バルクシリコン基板を使用しているので低コストで製造することができる。第5の実施形態は、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
BL…ビット線
SL…ソース線
BLC…ビット線コンタクト
SLC…ソース線コンタクト
G1…第1のゲート電極
G2…第2のゲート電極
GI1…第1のゲート絶縁膜
GI2…第2のゲート絶縁膜
Claims (4)
- 半導体基板と、
第1の方向に延伸する複数のビット線と、
前記第1の方向に対して交差する第2の方向に延伸する複数のワード線と、
前記第2の方向に延伸する複数のソース線と、
前記第1の方向に沿った断面において、前記半導体基板上にU状に形成された半導体層と、
前記U状半導体層の上部に設けられた第1の拡散層と、
前記U状半導体層の下部に設けられた第2の拡散層と、
前記第1の拡散層と前記第2の拡散層との間にある前記半導体層の中間部に形成され、電気的に浮遊状態であり、データを記憶するために電荷を蓄積または放出するボディと、
前記U状半導体層の前記第1の方向を向く外側面に設けられた第1のゲート絶縁膜と、
前記外側面に前記第1のゲート絶縁膜を介して設けられた第1ゲート電極と、
前記U状半導体層の前記第1の方向を向く内側面に設けられた第2のゲート絶縁膜と、
前記内側面に前記第2のゲート絶縁膜を介して設けられ、前記第1のゲート電極と絶縁された第2のゲート電極と、
前記ビット線と前記第1または前記第2の拡散層の一方とを電気的に接続するビット線コンタクトと、
前記ソース線と前記第1または前記第2の拡散層の他方とを電気的に接続するソース線コンタクトとを備え、
前記ボディ、前記第1の拡散層および前記第2の拡散層がメモリセルを成し、前記第1の方向に隣接する複数の前記メモリセルは、前記ビット線コンタクトおよび前記ソース線コンタクトを交互に共有し、
前記第1の拡散層は、前記第1ゲート電極の上方において、前記外側面より前記第1の方向に沿って延伸し、前記半導体基板の表面に対して平行に形成された平面部を有し、前記平面部は、前記第1の方向において隣接するメモリセルで共有されており、
前記第1ゲート電極は、前記第2の方向に延伸し、前記第1の方向に隣接するメモリセルに共有されており、
前記ビット線コンタクトまたは前記ソース線コンタクトは、前記平面部に接触することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記平面部は、前記第1ゲート電極上を前記第2の方向に沿って延伸し、前記第2の方向において隣接するメモリセルで共有されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 半導体基板と、
第1の方向に延伸する複数のビット線と、
前記第1の方向に対して交差する第2の方向に延伸する複数のワード線と、
前記第2の方向に延伸する複数のソース線と、
前記第1の方向に沿った断面において、前記半導体基板上にU状に形成された半導体層と、
前記U状半導体層の上部に設けられた第1の拡散層と、
前記U状半導体層の下部に設けられた第2の拡散層と、
前記第1の拡散層と前記第2の拡散層との間にある前記半導体層の中間部に形成され、電気的に浮遊状態であり、データを記憶するために電荷を蓄積または放出するボディと、
前記U状半導体層の前記第2の方向を向く第1の側面に設けられた第1のゲート絶縁膜と、
前記第1の側面に前記第1のゲート絶縁膜を介して設けられた第1のゲート電極と、
前記U状半導体層の第1の側面と該第1の側面に対して反対側の第2の側面に設けられた第2のゲート絶縁膜と、
前記第2の側面に前記第2のゲート絶縁膜を介して設けられ、前記第1のゲート電極と絶縁された第2のゲート電極と、
前記ビット線と前記第1または前記第2の拡散層の一方とを電気的に接続するビット線コンタクトと、
前記ソース線と前記第1または前記第2の拡散層の他方とを電気的に接続するソース線コンタクトとを備え、
前記ボディ、前記第1の拡散層および前記第2の拡散層がメモリセルを成し、前記第1の方向に隣接する複数の前記メモリセルは、前記ビット線コンタクトおよび前記ソース線コンタクトを交互に共有し、
前記第1の拡散層は、前記第1ゲート電極の上方において、前記外側面より第1の方向に沿って延伸し前記半導体基板の表面に対して平行に形成された平面部を有し、前記平面部は、前記第1の方向において隣接するメモリセルで共有されており、
前記第1ゲート電極は、前記第1の方向に延伸し、前記第2の方向に隣接するメモリセルに共有されており、
前記ビット線コンタクトまたは前記ソース線コンタクトは、前記平面部に接触することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記ボディは、前記半導体基板の表面を基準として、前記第1の拡散層よりも高い位置まで突出した突出部を含み、
前記第2のゲート電極は、前記突出部の両側面に面していることを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。
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