JP5118713B2 - 回路モジュールおよびそれを備えた電子機器ならびに回路モジュールの製造方法 - Google Patents

回路モジュールおよびそれを備えた電子機器ならびに回路モジュールの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5118713B2
JP5118713B2 JP2010039591A JP2010039591A JP5118713B2 JP 5118713 B2 JP5118713 B2 JP 5118713B2 JP 2010039591 A JP2010039591 A JP 2010039591A JP 2010039591 A JP2010039591 A JP 2010039591A JP 5118713 B2 JP5118713 B2 JP 5118713B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shield case
substrate
circuit module
end surface
leg
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010039591A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011176154A (ja
Inventor
晋平 久保田
誠 山元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2010039591A priority Critical patent/JP5118713B2/ja
Priority to US12/946,172 priority patent/US20110204496A1/en
Priority to CN201010587998.1A priority patent/CN102169877B/zh
Priority to BRPI1005260A priority patent/BRPI1005260A2/pt
Publication of JP2011176154A publication Critical patent/JP2011176154A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5118713B2 publication Critical patent/JP5118713B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007—Casings
    • H05K9/002—Casings with localised screening
    • H05K9/0022—Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0024—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields
    • H05K9/0026—Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields integrally formed from metal sheet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/166—Material
    • H01L2924/167—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Casings For Electric Apparatus (AREA)

Description

本発明は、回路モジュールおよびそれを備えた電子機器ならびに回路モジュールの製造方法に関する。
従来、ＩＣなどの電子部品を基板に実装し、その基板に実装した電子部品をシールドケースで覆った回路モジュールが知られている（たとえば、特許文献１参照）。以下に、図９を参照して、従来の回路モジュールの構成の一例を簡単に説明する。
従来の回路モジュールでは、図９に示すように、平面視における外形形状が略四角形状とされた基板１０１の実装面１０１ａに、ＩＣなどの電子部品（図示せず）が実装されている。そして、その電子部品を覆うシールドケース１０２が基板１０１に取り付けられている。
ところで、基板１０１に対するシールドケース１０２の取り付けは、基板１０１の実装面１０１ａにシールドケース１０２の一部を接合することによってなされている。具体的に言うと、基板１０１の実装面１０１ａには、その四隅に接合スペース１０１ｂが確保されているとともに、シールドケース１０２には、接合片となる４つの脚部１０２ａが形成されている。そして、基板１０１の四隅の接合スペース１０１ｂのそれぞれに、シールドケース１０２の４つの脚部１０２ａが接合されている。
特開２００３−１６８９０１号公報
従来の回路モジュールでは、上記したように、基板１０１の実装面１０１ａに、電子部品が実際に実装される実装スペースに加えて、接合スペース１０１ｂをも確保しておく必要がある。したがって、基板１０１の外形サイズが大きくなり、結果として、回路モジュールを小型化するのが困難になってしまう。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、小型化を図ることが可能な回路モジュールおよびそれを備えた電子機器ならびに回路モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の第１の局面による回路モジュールは、実装面および実装面に繋がる側端面を有し、実装面に電子部品が実装される基板と、天面部および天面部の外周に立設された複数の側部を有するシールドケースと、基板とシールドケースとを接合する接合部材とを備えている。そして、基板の側端面の一部と重畳する脚部がシールドケースの複数の側部のうちの所定の側部から延ばされているとともに、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部とが接合部材で接合されており、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部との重畳部分を露出させるための開口部がシールドケースの所定の側部に形成されている。
第１の局面では、上記のように、基板の側端面の一部と重畳する脚部をシールドケースの複数の側部のうちの所定の側部から延ばすとともに、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部とを接合部材で接合することによって、基板とシールドケースとを接合するための接合スペースを基板の実装面に確保することなく、基板とシールドケースとの接合を行える。これにより、基板の外形サイズを小さくすることができ、結果として、回路モジュールの小型化を図ることが可能となる。
さらに、第１の局面では、上記のように、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部との重畳部分（接合部材による接合部分）を露出させるための開口部をシールドケースの所定の側部に形成することによって、たとえば、接合時に加熱が必要な接合部材を用いる場合、シールドケースの開口部をレーザ光の通光孔として機能させれば、接合部材にのみ部分的にレーザ光を照射して熱を加えることができる。すなわち、リフロー炉などによって接合部材を加熱する場合とは異なり、基板の全体が加熱されることはない。このため、電子部品に熱ダメージが加わり難くなり、信頼性が向上する。また、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部との重畳部分（接合部材による接合部分）がシールドケースの開口部から露出していれば、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部との間の接合状態を確認することも容易にできる。
上記第１の局面による回路モジュールにおいて、接合部材が半田であることがより好ましい。このように構成すれば、容易に、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部とを接合することができる。
上記第１の局面による回路モジュールにおいて、シールドケースの所定の側部から天面部に跨るように開口部が形成されていることが好ましい。このように構成すれば、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部との重畳部分（接合部材による接合部分）がより大きく露出されるので、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部との接合作業が容易となる。
特に、接合部材にレーザ光を照射することによって基板の側端面の一部とシールドケースの脚部とを接合する場合には、レーザ光の接合部材への照射を効率的に行うことができる。すなわち、シールドケースの所定の側部から天面部に跨るように開口部が形成されていれば、シールドケースの天面部側から見て接合部材が露出された状態となるので、接合部材にレーザ光を当て易くなる。その一方、シールドケースの所定の側部にだけ開口部が形成されているとすると、シールドケースの天面部側から見て接合部材が露出されていない状態となるので、接合部材にレーザ光を当て難くなる。
上記第１の局面による回路モジュールにおいて、基板に端面スルーホールが形成されており、シールドケースの脚部に接合される基板の側端面の一部が端面スルーホールの内側面とされていることが好ましい。このように構成すれば、基板の側端面の一部（端面スルーホールの内側面）とシールドケースの脚部との間の接合面積が増大するので、基板とシールドケースとの接合をより強固にすることができる。さらに、端面スルーホールを位置決め部として利用すれば、基板とシールドケースとの間の位置ずれを抑制することもできる。
基板に端面スルーホールが形成されている構成において、その端面スルーホールの形状が半長円形状とされていることがより好ましい。このように端面スルーホールの形状が半長円形状であれば、端面スルーホールの形状が一般的な半円形状である場合に比べて、基板の内側への切り込み量が小さくなる。したがって、基板に端面スルーホールを形成したとしても、基板の実装面の面積が小さくなるのを抑制することができる。
上記第１の局面による回路モジュールにおいて、シールドケースの複数の側部が互いに対向する一対の第１側部を含み、シールドケースの少なくとも一対の第１側部のそれぞれが、脚部が延ばされ、かつ、開口部が形成された所定の側部とされていることがより好ましい。このように構成すれば、基板に対するシールドケースの接合をバランスよく行うことができる。
シールドケースの複数の側部が互いに対向する一対の第１側部を含む構成において、シールドケースの複数の側部が互いに対向する一対の第２側部をさらに含み、シールドケースの少なくとも一対の第２側部のそれぞれの先端が基板の実装面に当接していることが好ましい。このように構成すれば、シールドケースの天面部が傾かないように規制されるので、基板の実装面に対してシールドケースの天面部を水平に保持することができる。
上記第１の局面による回路モジュールにおいて、基板の板厚方向で見て、シールドケースの開口部の内側面のうちの脚部側の面の位置と基板の実装面の位置とが同じとなっていることが好ましい。
本発明の第２の局面による電子機器は、上記第１の局面による回路モジュールを備えている。このように構成すれば、電子機器を小型化することができる。
本発明の第３の局面による回路モジュールの製造方法は、実装面および実装面に繋がる側端面を有する基板を作製し、基板の実装面に電子部品を実装する工程と、天面部および天面部の外周に立設された複数の側部を有するシールドケースを作製する工程と、基板とシールドケースとを接合部材で接合する工程とを備えている。そして、シールドケースを作製する際に、基板の側端面の一部と重畳する脚部をシールドケースの複数の側部のうちの所定の側部から延ばすとともに、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部との重畳部分が露出されるような開口部をシールドケースの所定の側部に形成し、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部との重畳部分がシールドケースの開口部から露出された状態で、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部とを接合部材で接合する。
第３の局面では、上記のような製造方法を用いて回路モジュールを製造することによって、基板とシールドケースとを接合するための接合スペースを基板の実装面に確保することなく、基板とシールドケースとの接合を行える。これにより、基板の外形サイズを小さくすることができ、結果として、回路モジュールの小型化を図ることが可能となる。
さらに、第３の局面による回路モジュールの製造方法であれば、たとえば、接合時に加熱が必要な接合部材を用いる場合、シールドケースの開口部をレーザ光の通光孔として機能させることにより、接合部材にのみ部分的にレーザ光を照射して熱を加えることができる。これにより、電子部品に熱ダメージが加わり難くなり、信頼性が向上する。また、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部との重畳部分（接合部材による接合部分）がシールドケースの開口部から露出されているので、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部との間の接合状態を確認することも容易にできる。
上記第３の局面による回路モジュールの製造方法において、接合部材が半田であり、シールドケースの開口部から半田に熱を加えることにより、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部とを半田で接合することが好ましい。このように構成すれば、容易に、基板の側端面の一部とシールドケースの脚部とを接合することができる。
この場合、半田に加える熱がレーザ光を照射することで発生する熱であることがより好ましい。
以上のように、本発明によれば、容易に、回路モジュールを小型化することができる。
本実施形態による回路モジュールの側面図である。 本実施形態による回路モジュールの分解斜視図である。 本実施形態による回路モジュールの接合部分の断面図である。 図３に示した接合部分を拡大した図である。 本実施形態による回路モジュールの断面図である。 本実施形態による回路モジュールの製造方法を説明するための図（接合部分にレーザ光が照射されている状態の図）である。 本実施形態の変形例による回路モジュールのシールドケースの斜視図である。 本実施形態の変形例による回路モジュールの接合部分の図である。 従来の回路モジュールの斜視図である。
以下に、図１〜図５を参照して、本実施形態による回路モジュール１１の構成について説明する。
本実施形態による回路モジュール１１は、図１に示すように、たとえば、携帯電話に代表されるモバイル機器（電子機器）のマザーボード１２に搭載されるものであって、基板１と、その基板１に装着されるシールドケース２とを少なくとも備えている。なお、基板１はガラスエポキシ基板などの有機基板からなっているとともに、シールドケース２は洋白板（銅と亜鉛とニッケルとを含む合金板）からなっている。
基板１は、図２に示すように、金属配線パターン（図示せず）が設けられた実装面１ａを有し、平面視における外形形状、すなわち、実装面１ａ側から見た場合の外形形状が略四角形状とされている。そして、基板１の実装面１ａには複数の電子部品３が実装されており、金属配線パターンを介して電子部品３に電力（電気信号）が供給されるようになっている。
基板１の実装面１ａに実装される電子部品３としては、たとえば、ＩＣ、メモリ、トランジスタおよび抵抗などであり、個数や種類は用途に応じて変更される。また、電子部品３の実装方法としては、電子部品３の端子を金属配線パターンに半田付けする場合もあるし、電子部品３の端子をスルーホールに挿入して半田付けする場合もある。
また、基板１の平面視における外形形状は略四角形状となっていることから、基板１は実装面１ａに繋がる４つの側端面を有していることになる。以下、基板１の４つの側端面のうち、互いに逆方向に向く所定の一対の側端面に符号１ｂを付し、別の一対の側端面に符合１ｃを付して説明する。また、以下の説明では、基板１の実装面１ａに対して平行な方向のうち、側端面１ｂに沿った方向をＸ方向とし、側端面１ｃに沿った方向をＹ方向とする。また、基板１の板厚方向（実装面１ａの法線方向）をＺ方向とする。
この基板１の側端面１ｂには、平面視における形状が半円形状とされた一般的な端面スルーホール（内側面が金属メッキされた凹み）４が形成されている。一方で、基板１の側端面１ｃには、そのような端面スルーホール４は形成されていない。なお、端面スルーホール４は外部接続端子などとして利用されるものであって、個数や形成箇所は特に限定されるものではない。
シールドケース２は、洋白板を折り曲げ加工することで得られ、平面視における外形形状が略四角形状とされた天面部２ａと、その天面部２ａの外周に立設された４つの側部とを有している。そして、シールドケース２が基板１に装着されると、基板１の実装面１ａがシールドケース２の天面部２ａと対向される。すなわち、電子部品３の上方側（実装側とは反対側）がシールドケース２の天面部２ａによって覆われる。これにより、電子部品３の上方側からの電磁波の侵入、および、電子部品３の上方側への電磁波の漏洩が抑制される。
さらに、シールドケース２が基板１に装着された状態においては、シールドケース２の４つの側部によって電子部品３の側方側が覆われる。したがって、電子部品３の側方側からの電磁波の侵入、および、電子部品３の側方側への電磁波の漏洩が抑制される。以下、シールドケース２の４つの側部のうち、互いに対向する所定の一対の側部に符号２ｂを付し、別の一対の側部に符号２ｃを付して説明する。
このシールドケース２の側部２ｂおよび２ｃは、それぞれの先端２ｄおよび２ｅのＺ方向における位置が互いに同じとされている。ただし、シールドケース２の側部２ｂの先端２ｄからはＺ方向の一方側に向かって脚部２ｆがさらに延ばされ、側部２ｃの先端２ｅからは脚部２ｆは延ばされてはいないという点が異なっている。なお、シールドケース２の側部２ｂおよび２ｃは、それぞれ、本発明の「第１側部」および「第２側部」の一例である。
そして、本実施形態では、基板１の側端面１ｂの一部にシールドケース２の脚部２ｆが接合されることによって、シールドケース２の基板１への装着がなされている。
具体的には、図２および図３に示すように、シールドケース２の脚部２ｆが基板１の側端面１ｂの一部（２つの端面スルーホール４の間の所定部分）と重畳されている。また、基板１の側端面１ｂの一部上、すなわち、基板１の側端面１ｂの一部とシールドケース２の脚部２ｆとの間に、接合部材としての半田５が設けられている。そして、その半田５を介して、基板１の側端面１ｂの一部とシールドケース２の脚部２ｆとが接合されている。
ここで、シールドケース２の脚部２ｆのＸ方向の幅については特に限定されるものではないが、本実施形態では、シールドケース２の脚部２ｆのＸ方向の幅が２つの端面スルーホール４のＸ方向の間隔よりも小さくされている。理由としては、基板１の側端面１ｂの一部とシールドケース２の脚部２ｆとを接合したときに、シールドケース２の脚部２ｆが端面スルーホール４に電気的に接続されてしまうのを抑制するためである。
また、本実施形態では、シールドケース２の側部２ｂの所定部分（脚部２ｆの近傍部分）に、天面部２ａにまで跨って開口する開口部２ｇが形成されている。そして、シールドケース２の開口部２ｇによって、基板１の側端面１ｂの一部とシールドケース２の脚部２ｆとの重畳部分（半田５による接合部分）が露出されている。また、Ｚ方向で見て、シールドケース２の開口部２ｇの内側面のうちの脚部２ｆ側の面２ｈの位置と、基板１の実装面１ａの位置とは同じにされている。なお、シールドケース２の開口部２ｇの形状は特に限定されるものではなく、図示された形状以外の形状であってもよい。
このような開口部２ｇをシールドケース２に形成することによって、シールドケース２が基板１に装着された状態において、基板１の側端面１ｂの一部とシールドケース２の脚部２ｆとの重畳部分（半田５による接合部分）をシールドケース２の天面部２ａ側から視認することができるようになっている。もちろん、シールドケース２が基板１に装着された状態において、基板１の側端面１ｂの一部とシールドケース２の脚部２ｆとの重畳部分（半田５による接合部分）をシールドケース２の側部２ｂ側から視認することもできる。
さらに、本実施形態では、図２および図４に示すように、基板１の側端面１ｂの一部（２つの端面スルーホール４の間の所定部分）に、端面スルーホール４とは別の端面スルーホール（内側面が金属メッキされた凹み）６が形成されている。この端面スルーホール６の平面視における形状としては、端面スルーホール４のような半円形状ではなく、半円をＸ方向に延ばした半長円形状となっている。そして、本実施形態では、シールドケース２の脚部２ｆに接合される基板１の側端面１ｂの一部が端面スルーホール６の内側面とされている。
また、本実施形態では、図２および図５に示すように、シールドケース２の側部２ｃの先端２ｅからは脚部２ｆが延ばされていないが、そのシールドケース２の側部２ｃの先端２ｅは基板１の実装面１ａの側部１ｃ側に当接されている。これにより、基板１の実装面１ａとシールドケース２の天面部２ａとの間の距離（シールドケース２の天面部２ａと電子部品３との間の距離）が所望の距離となるように保持されている。
本実施形態では、上記のように、基板１の側端面１ｂの一部（端面スルーホール６の内側面）と重畳する脚部２ｆをシールドケース２の側部２ｂの先端２ｄから延ばし、基板１の側端面１ｂの一部（端面スルーホール６の内側面）とシールドケース２の脚部２ｆとを半田５で接合することによって、基板１とシールドケース２とを接合するための接合スペースを基板１の実装面１ａに確保することなく、基板１とシールドケース２との接合を行える。これにより、基板１の外形サイズを小さくすることができ、結果として、回路モジュール１１の小型化を図ることが可能となる。
さらに、本実施形態では、上記のように、基板１の側端面１ｂの一部（端面スルーホール６の内側面）とシールドケース２の脚部２ｆとの重畳部分（半田５による接合部分）を露出させるための開口部２ｇをシールドケース２の側部２ｂに形成することによって、シールドケース２の開口部２ｇをレーザ光の通光孔として機能させれば、半田５にのみ部分的にレーザ光を照射して熱を加えることができる。すなわち、リフロー炉などによって半田５を加熱する場合とは異なり、基板１の全体が加熱されることはない。このため、電子部品３に熱ダメージが加わり難くなり、信頼性が向上する。また、基板１の側端面１ｂの一部（端面スルーホール６の内側面）とシールドケース２の脚部２ｆとの重畳部分（半田５による接合部分）がシールドケース２の開口部２ｇから露出していれば、基板１の側端面１ｂの一部（端面スルーホール６の内側面）とシールドケース２の脚部２ｆとの間の接合状態を確認することも容易にできる。
また、本実施形態では、上記のように、シールドケース２の側部２ｂから天面部２ａに跨るように開口部２ｇを形成することによって、基板１の側端面１ｂの一部（端面スルーホール６の内側面）とシールドケース２の脚部２ｆとの重畳部分（半田５による接合部分）がより大きく露出されるので、基板１の側端面１ｂの一部（端面スルーホール６の内側面）とシールドケース２の脚部２ｆとの接合作業が容易となる。
特に、半田５にレーザ光を照射することによって基板１の側端面１ｂの一部（端面スルーホール６の内側面）とシールドケース２の脚部２ｆとを接合する場合には、レーザ光の半田５への照射を効率的に行うことができる。すなわち、シールドケース２の側部２ｂから天面部２ａに跨るように開口部２ｇが形成されていれば、シールドケース２の天面部２ａ側から見て半田５が露出された状態となるので、半田５にレーザ光を当て易くなる。その一方、シールドケース２の側部２ｂにだけ開口部２ｇが形成されているとすると、シールドケース２の天面部２ａ側から見て半田５が露出されていない状態となるので、半田５にレーザ光を当て難くなる。
また、本実施形態では、上記のように、シールドケース２の互いに対向する一対の側部２ｂのそれぞれから脚部２ｆを延ばし、それらを基板１の一対の側端面１ｂの一部（端面スルーホール６の内側面）にそれぞれ接合することによって、基板１に対するシールドケース２の接合をバランスよく行うことができる。
また、本実施形態では、上記のように、シールドケース２の互いに対向する一対の側部２ｃのそれぞれの先端２ｅを基板１の実装面１ａに当接させることによって、シールドケース２の天面部２ａが傾かないように規制されるので、基板１の実装面１ａに対してシールドケース２の天面部２ａを水平に保持することができる。これにより、シールドケース２の天面部２ａが傾くことに起因して回路モジュール１１のＺ方向の厚み（高さ）が部分的に大きくなる、という不都合が発生するのを抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、シールドケース２の脚部２ｆに接合される基板１の側端面１ｂの一部を端面スルーホール６の内側面とすることによって、基板１の側端面１ｂの一部（端面スルーホール６の内側面）とシールドケース２の脚部２ｆとの間の接合面積が増大するので、基板１とシールドケース２との接合をより強固にすることができる。さらに、端面スルーホール６を位置決め部として利用すれば、基板１とシールドケース２との間の位置ずれを抑制することもできる。
この場合、端面スルーホール６の形状を半長円形状とすることで、端面スルーホール６の形状が一般的な半円形状である場合に比べて、基板１の内側への切り込み量が小さくなる。したがって、基板１に端面スルーホール６を形成したとしても、基板１の実装面１ａの面積が小さくなるのを抑制することができる。
ところで、本実施形態による回路モジュール１１は、以下のようにして製造される。
すなわち、まず、図１および図２に示したような基板１およびシールドケース２を作製し、基板１の実装面１ａに電子部品３を実装する。
続いて、図３〜図５に示したように、基板１の端面スルーホール６の内側面にクリーム状の半田５を塗布する。そして、基板１にシールドケース２を装着することによって、シールドケース２の天面部２ａを基板１の実装面１ａと対向させる。また、シールドケース２の側部２ｂについては、側部２ｂの先端２ｄから延びる脚部２ｆを端面スルーホール６の内側面と重畳させ、シールドケース２の側部２ｃについては、側部２ｃの先端２ｅを基板１の実装面１ａに当接させる。なお、本実施形態では、基板１にシールドケース２が装着された状態において、シールドケース２の脚部２ｆと端面スルーホール６の内側面との重畳部分（クリーム状の半田５が塗布されている部分）がシールドケース２の開口部２ｇから露出される。
次に、クリーム状の半田５に熱を加えることによって、クリーム状の半田５を硬化させる。これにより、シールドケース２の脚部２ｆと端面スルーホール６の内側面とが半田５で接合される。
この際、本実施形態では、図６に示すように、シールドケース２の開口部２ｇをレーザ光Ｌの通光孔として機能させ、半田５にのみ部分的にレーザ光Ｌを照射して熱を加える。なお、シールドケース２の開口部２ｇは、シールドケース２の脚部２ｆと端面スルーホール６の内側面とを半田５で接合した後に、その接合状態を確認するための確認穴としても利用される。
今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記実施形態では、基板に形成された端面スルーホールの内側面にシールドケースの脚部を接合したが、本発明はこれに限らず、基板の側端面の平坦な部分にシールドケースの脚部を接合してもよい。ただし、このようにする場合には、半田接合を可能とするため、基板の側端面の平坦な部分にメタライズ処理を施す必要がある。すなわち、メタライズ処理を施すための製造工程が追加される。一方、基板に形成された端面スルーホールの内側面にシールドケースの脚部を接合する場合には、端面スルーホールの内側面は金属メッキ処理が予め施された面であるので、製造工程が増加することはない。
また、上記実施形態では、シールドケースの４つの側部のうちの互いに対向する一組の一対の側部に脚部および開口部を設けたが、本発明はこれに限らず、互いに対向しない２つの側部に脚部および開口部を設けてもよい。また、シールドケースの４つの側部のうちの二組の一対の側部、すなわち、全ての側部に脚部および開口部を形成してもよい。さらに、シールドケースの４つの側部のうちの１つの側部にのみ脚部および開口部を設けてもよいし、３つの側部に脚部および開口部を設けてもよい。
また、上記実施形態では、半田を接合部材として用いたが、本発明はこれに限らず、半田以外のものを接合部材として用いてもよい。たとえば、熱硬化性の樹脂部材を接合部材として用いてもよい。
また、上記実施形態では、シールドケースの４つの側部のうちの脚部および開口部が設けられていない側部の先端を基板の実装面に当接させたが、本発明はこれに限らず、脚部および開口部が設けられた側部の先端を基板の実装面に当接させてもよい。たとえば、上記実施形態の構成において、図７に示すように、シールドケース２の側部２ｂと脚部２ｆとの連結部分を折り曲げ、それによって、シールドケース２の側部２ｂの先端２ｄと基板１の実装面１ａ（図２参照）との当接が可能となるようにしてもよい。
また、上記実施形態では、半長円形状の端面スルーホールの内側面にシールドケースの脚部を接合したが、本発明はこれに限らず、図８に示すように、半円形状の端面スルーホール６の内側面にシールドケース２の脚部２ｆを接合してもよい。ただし、このようにする場合には、端面スルーホール６の内側面とシールドケース２の脚部２ｆとの間の接合面積は増大する一方、基板１の内側への切り込み量が大きくなるので、基板１の実装面１ａの面積が小さくなる。
１ 基板
１ａ 実装面
１ｂ、１ｃ 側端面
２ シールドケース
２ａ 天面部
２ｂ 側部（第１側部）
２ｃ 側部（第２側部）
２ｄ、２ｅ 先端
２ｆ 脚部
２ｇ 開口部
２ｈ 面
３ 電子部品
５ 半田（接合部材）
６ 端面スルーホール
１１ 回路モジュール

Claims (10)

  1. 実装面および前記実装面に繋がる側端面を有し、前記実装面に電子部品が実装される基板と、
    天面部および前記天面部の外周に立設された複数の側部を有するシールドケースと、
    前記基板と前記シールドケースとを接合する接合部材とを備え、
    前記接合部材が半田であり、
    前記基板の側端面の一部と重畳する脚部が前記シールドケースの複数の側部のうちの所定の側部から延ばされているとともに、前記基板の側端面の一部と前記シールドケースの脚部とが前記半田で接合されており、
    前記基板の側端面の一部と前記シールドケースの脚部との重畳部分を露出させるための開口部が前記シールドケースの所定の側部から天面部に跨るように形成されていることを特徴とする回路モジュール。
  2. 前記基板に端面スルーホールが形成されており、
    前記シールドケースの脚部に接合される前記基板の側端面の一部が前記端面スルーホールの内側面とされていることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
  3. 前記端面スルーホールの形状が半長円形状とされていることを特徴とする請求項２に記載の回路モジュール。
  4. 前記シールドケースの複数の側部が互いに対向する一対の第１側部を含み、
    前記シールドケースの少なくとも一対の第１側部のそれぞれが、前記脚部が延ばされ、かつ、前記開口部が形成された所定の側部とされていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の回路モジュール。
  5. 前記シールドケースの複数の側部が互いに対向する一対の第２側部をさらに含み、
    前記シールドケースの少なくとも一対の第２側部のそれぞれの先端が前記基板の実装面に当接していることを特徴とする請求項４に記載の回路モジュール。
  6. 前記基板の板厚方向で見て、前記シールドケースの開口部の内側面のうちの前記脚部側の面の位置と前記基板の実装面の位置とが同じとなっていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の回路モジュール。
  7. 請求項１〜６のいずれかに記載の回路モジュールを備えていることを特徴とする電子機器。
  8. 請求項１〜６のいずれかに記載の回路モジュールの製造方法であって、
    実装面および前記実装面に繋がる側端面を有する基板を作製し、前記基板の実装面に電子部品を実装する工程と、
    天面部および前記天面部の外周に立設された複数の側部を有するシールドケースを作製する工程と、
    前記基板と前記シールドケースとを接合部材で接合する工程とを備え、
    前記接合部材が半田であり、
    前記シールドケースを作製する際に、前記基板の側端面の一部と重畳する脚部を前記シールドケースの複数の側部のうちの所定の側部から延ばすとともに、前記基板の側端面の一部と前記シールドケースの脚部との重畳部分が露出されるような開口部を前記シールドケースの所定の側部から天面部に跨るように形成し、
    前記基板の側端面の一部と前記シールドケースの脚部との重畳部分が前記シールドケースの開口部から露出された状態で、前記基板の側端面の一部と前記シールドケースの脚部とを前記半田で接合することを特徴とする回路モジュールの製造方法。
  9. 前記シールドケースの開口部から前記半田に熱を加えることにより、前記基板の側端面の一部と前記シールドケースの脚部とを前記半田で接合することを特徴とする請求項８に記載の回路モジュールの製造方法。
  10. 前記半田に加える熱がレーザ光を照射することで発生する熱であることを特徴とする請求項９に記載の回路モジュールの製造方法。
JP2010039591A 2010-02-25 2010-02-25 回路モジュールおよびそれを備えた電子機器ならびに回路モジュールの製造方法 Expired - Fee Related JP5118713B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010039591A JP5118713B2 (ja) 2010-02-25 2010-02-25 回路モジュールおよびそれを備えた電子機器ならびに回路モジュールの製造方法
US12/946,172 US20110204496A1 (en) 2010-02-25 2010-11-15 Circuit module, electronic device including the same, and circuit module manufacturing method
CN201010587998.1A CN102169877B (zh) 2010-02-25 2010-11-29 电路模块、包括电路模块的电子设备及电路模块制造方法
BRPI1005260A BRPI1005260A2 (pt) 2010-02-25 2010-12-02 módulo de circuito, dispositivo eletrônico que o inclui, e método de fabricação de módulo de circuito

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010039591A JP5118713B2 (ja) 2010-02-25 2010-02-25 回路モジュールおよびそれを備えた電子機器ならびに回路モジュールの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011176154A JP2011176154A (ja) 2011-09-08
JP5118713B2 true JP5118713B2 (ja) 2013-01-16

Family

ID=44475805

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010039591A Expired - Fee Related JP5118713B2 (ja) 2010-02-25 2010-02-25 回路モジュールおよびそれを備えた電子機器ならびに回路モジュールの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20110204496A1 (ja)
JP (1) JP5118713B2 (ja)
CN (1) CN102169877B (ja)
BR (1) BRPI1005260A2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105142328B (zh) * 2014-06-04 2017-12-26 安徽省磊鑫科技有限公司 一种带安装防护装置的集成电路
EP3462822A1 (de) * 2017-09-29 2019-04-03 Siemens Aktiengesellschaft Elektrischer umrichter
CN112151467B (zh) * 2020-09-11 2022-11-01 安徽龙芯微科技有限公司 一种芯片封装体及其制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2938820B2 (ja) * 1996-03-14 1999-08-25 ティーディーケイ株式会社 高周波モジュール
JP2002016162A (ja) * 2000-06-28 2002-01-18 Iwaki Electronics Corp 電子部品モジュール
JP2004235184A (ja) * 2003-01-28 2004-08-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波装置
JP4096808B2 (ja) * 2003-05-15 2008-06-04 エプソントヨコム株式会社 電子部品用パッケージ及びこれを用いた圧電発振器
JP2007201286A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Kyocera Corp 表面実装モジュールの製造方法および表面実装モジュール
JP3969453B1 (ja) * 2006-05-17 2007-09-05 株式会社村田製作所 ケース付き多層モジュール
JP4748455B2 (ja) * 2006-06-16 2011-08-17 株式会社村田製作所 電子部品モジュール
JP2008103639A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Toyota Motor Corp インテリジェント・パワー・モジュールの構造、及び、製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102169877B (zh) 2013-10-30
BRPI1005260A2 (pt) 2015-12-01
CN102169877A (zh) 2011-08-31
JP2011176154A (ja) 2011-09-08
US20110204496A1 (en) 2011-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6891965B2 (ja) 高周波モジュールおよびその製造方法
JP6265852B2 (ja) コネクタ
JP2008235651A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP4692152B2 (ja) 回路モジュール及びその製造方法
JP2015012031A (ja) 電子部品モジュール、基板及び電子部品モジュールの製造方法
JP2012079468A (ja) 電子回路ユニットおよびその取付構造
JP5118713B2 (ja) 回路モジュールおよびそれを備えた電子機器ならびに回路モジュールの製造方法
JP2008084964A (ja) 高周波ユニットの製造方法、及び高周波ユニット
JP4876906B2 (ja) 三次元基板間接続構造体およびそれを用いた立体回路装置
JP2014063835A (ja) 回路基板装置、および、電子機器
JP4131724B2 (ja) 回路基板への端子の取付構造
JP5056004B2 (ja) 三次元基板間接続構造体およびそれを用いた立体回路装置
JP2008112832A (ja) 高周波ユニット、及び高周波ユニットの製造方法
JP2003258476A (ja) シールド構造
KR20010051817A (ko) 차폐 케이스를 구비한 전자 부품
JP4853276B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2008034731A (ja) 高周波モジュール、シールドケース装着方法および高周波モジュールの製造方法
JP2007324246A (ja) 半導体装置とその製造方法
JP6102145B2 (ja) 実装構造体及び実装構造体の製造方法
JP2008166485A (ja) モジュール
JP6582635B2 (ja) モジュール−基板間接続構造
JP2007258404A (ja) シールドケース搭載基板とその製造方法
JP2003174258A (ja) 電子部品及びその実装構造
JP2005235806A (ja) ケース付電子部品
KR101974920B1 (ko) 인쇄회로기판 사이의 연결 구조

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120724

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120904

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120925

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121019

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151026

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees