JP5090318B2 - 受信モジュール - Google Patents
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Description
図6は、従来の受信モジュールを示した模式図である。
図6に示すように、従来の受信モジュールは、ホトダイオード61のカソード側にはサージ保護用の容量62,67及び過電流防止用抵抗63を介して定電圧源64が接続され、アノード側にはトランスインピーダンスアンプ65の入力端子が接続され、トランスインピーダンスアンプ65には、信号速度切替え端子66が接続され、また、トランスインピーダンスアンプ65からは出力端子が出ている構成となっている。
受信した光信号を電気信号に変換する光受光素子と、
変換された電気信号を増幅する電気増幅素子と
を備える受信モジュールにおいて、
前記電気増幅素子は、信号速度の異なる2つの光信号の両方を一つの電気増幅素子で対応できるよう、各光信号の信号速度に適した利得及び各光信号の周波数帯域を有する信号増幅特性を加算した周波数特性を備え、
前記光信号は、NRZ方式で変調され、かつ、光信号ごとに1.25Gbpsと10.3125Gbpsのどちらか一方の信号速度で送信されるマルチレート信号であり、
前記各光信号の信号速度に適した利得は、前記10.3125Gbpsの信号速度に対する利得よりも前記1.25Gbpsの信号速度に対する利得の方が高く、
前記各光信号の周波数帯域を有する信号増幅特性は、前記10.3125Gbpsの信号速度に対しては少なくとも周波数3GHzから8GHzまで利得がフラットであり、前記1.25Gbpsの信号速度に対しては少なくとも周波数0GHzからNRZ方式で変調された1.25Gbpsの信号を通すのに必要な周波数までは利得がフラットで、かつ、周波数1.5GHz以下である
ことを特徴とする。
前記電気増幅素子は、前記利得及び前記周波数帯域の異なる少なくとも2つのトランスインピーダンスアンプを並列に配置又は並列と直列とを組み合わせて配置して構成される
ことを特徴とする。
前記電気増幅素子は、少なくとも1つのトランスインピーダンスアンプで構成され、該トランスインピーダンスアンプにおける帰還回路を1つ又は複数の受動素子及び能動素子を組み合わせて構成する
ことを特徴とする。
少なくとも2つの前記電気増幅素子を並列に配置又は並列と直列とを組み合わせて配置した回路構成が1つのモノシリック集積回路上に形成される
ことを特徴とする。
図1に示すように、本発明に係る受信モジュールは、ホトダイオード11、容量12,17、固定抵抗13、定電圧源14、トランスインピーダンスアンプ15,16とにより構成されている。
図4は、本発明の第1の実施例に係る受信モジュールの差動出力形態を示した模式図である。
図4に示すように、本実施例に係る受信モジュールの差動出力形態においては、受信信号速度よりも広い周波数帯域を有する差動のトランスインピーダンスアンプ45の正相出力に低速の信号速度に最適化した差動のトランスインピーダンスアンプ46を接続し、逆相出力に高速の信号に最適化した差動のトランスインピーダンスアンプ47を接続し、トランスインピーダンスアンプ46,47の正相及び逆相の出力端子をそれぞれ接続する構成とした。
図5に示すように、本実施例に係る受信モジュールは、ホトダイオード11のアノード側に接続されたトランスインピーダンスアンプ51の帰還抵抗部分にローパスフィルタを設けている。このトランスインピーダンスアンプ51は、オペアンプ52の出力端子側から抵抗53が接続され、さらに抵抗54と容量55との並列回路が抵抗53に直列に接続されて、オペアンプ52の入力端子側に帰還されている構成となっている。
12,17 容量
13 抵抗
14 定電圧源
15,16 トランスインピーダンスアンプ
45,46,47 差動トランスインピーダンスアンプ
51 トランスインピーダンスアンプ
52 オペアンプ
53,54 抵抗
55 容量
61 ホトダイオード
62,67 容量
63 抵抗
64 定電圧源
65 トランスインピーダンスアンプ
66 信号速度切替え端子
Claims (4)
- 受信した光信号を電気信号に変換する光受光素子と、
変換された電気信号を増幅する電気増幅素子と
を備える受信モジュールにおいて、
前記電気増幅素子は、信号速度の異なる2つの光信号の両方を一つの電気増幅素子で対応できるよう、各光信号の信号速度に適した利得及び各光信号の周波数帯域を有する信号増幅特性を加算した周波数特性を備え、
前記光信号は、NRZ方式で変調され、かつ、光信号ごとに1.25Gbpsと10.3125Gbpsのどちらか一方の信号速度で送信されるマルチレート信号であり、
前記各光信号の信号速度に適した利得は、前記10.3125Gbpsの信号速度に対する利得よりも前記1.25Gbpsの信号速度に対する利得の方が高く、
前記各光信号の周波数帯域を有する信号増幅特性は、前記10.3125Gbpsの信号速度に対しては少なくとも周波数3GHzから8GHzまで利得がフラットであり、前記1.25Gbpsの信号速度に対しては少なくとも周波数0GHzからNRZ方式で変調された1.25Gbpsの信号を通すのに必要な周波数までは利得がフラットで、かつ
、周波数1.5GHz以下である
ことを特徴とする受信モジュール。 - 前記電気増幅素子は、前記利得及び前記周波数帯域の異なる少なくとも2つのトランスインピーダンスアンプを並列に配置又は並列と直列とを組み合わせて配置して構成されることを特徴とする請求項1に記載の受信モジュール。
- 前記電気増幅素子は、少なくとも1つのトランスインピーダンスアンプで構成され、該トランスインピーダンスアンプにおける帰還回路を1つ又は複数の受動素子及び能動素子を組み合わせて構成する
ことを特徴とする請求項1に記載の受信モジュール。 - 少なくとも2つの前記電気増幅素子を並列に配置又は並列と直列とを組み合わせて配置した回路構成が1つのモノシリック集積回路上に形成される
ことを特徴とする請求項3に記載の受信モジュール。
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Family Applications (1)
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