JP5077756B2 - 研磨装置 - Google Patents

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本発明は、ガラス基板等の基板を研磨する研磨装置に関する。
基板表面を研磨する研磨装置としてCMP装置が例示される。CMP装置は、化学的機械的研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)により基板表面を超精密に研磨加工する技術として、半導体ウェーハやガラス基板等の基板の研磨加工に広く利用されている。このような研磨装置では、チャックに保持された基板と研磨ヘッドに装着された研磨パッドとを相対回転させて押接し、基板と研磨パッドとの当接部に研磨内容に応じた研磨液(スラリー等)を供給して化学的・機械的な研磨作用を生じさせ、基板表面を平坦に研磨加工する(例えば、特許文献1を参照)。
特開2006−319249号公報
また、このような研磨装置は、ガラス基板等に対する平坦化研磨工程(研磨パッドによる研磨)において、上皿と称されるプレート部材の下面に貼り付けられた研磨パッドを当該研磨パッドよりも小さな基板に対し相対回転させた状態で当接させ、プレート部材および研磨パッドの中心部より基板と研磨パッドとの当接部に研磨液を供給して基板表面を平坦に研磨することも可能である。
しかしながら、上述のような研磨装置においては、研磨液の供給圧を受けて、基板と研磨パッドとの当接部において研磨液の液圧による浮上力(フローティング圧)が生じ、この浮上力が研磨荷重より大きくなると研磨パッドおよびプレート部材が基板に対して浮き上がり、研磨効率が下がるという問題があった。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、基板に対する研磨パッド(およびプレート部材)の浮き上がりを防止した研磨装置を提供することを目的とする。
このような目的達成のため、本発明に係る研磨装置は、上面において基板を保持する保持機構と、前記保持機構の上面と対向するように設けられた研磨ヘッドと、前記研磨ヘッドの下部に保持されたプレート部材と、前記基板よりも幅の大きいフィルム状に形成されるとともに前記プレート部材の下面に貼り付けられて前記基板を研磨可能な研磨パッドとを備え、前記プレート部材を介して前記研磨ヘッドに保持された前記研磨パッドを前記保持機構に保持された前記基板に当接させながら相対移動させて前記基板を研磨するように構成された研磨装置において、前記研磨パッドの中央部に形成された開口部より研磨用の液体を供給する液体供給機構を有しており、前記プレート部材の内部に、前記研磨パッドの前記開口部と接する前記プレート部材の下面中央部と連通して、前記液体供給機構から供給される液体を前記開口部に向けて流下させる液体供給通路と、外部露出する前記プレート部材の側面と前記液体供給通路とに連通した大気導入孔とが形成されている。
なお、上述の発明において、前記大気導入孔にオリフィスが設けられていることが好ましい。
また、上述の発明において、前記液体供給機構は、前記供給する液体の流量を制御する流量制御装置を有していることが好ましい。
本発明によれば、基板に対する研磨パッド(およびプレート部材)の浮き上がりを防止することができる。
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。本発明を適用した研磨装置1の概略構成を図1に示す。研磨装置1は、ガラス基板等の基板Wを回転可能に保持する保持機構10と、研磨パッド23が装着された研磨ヘッド21を回転させるヘッド回転機構20と、基板Wに対して研磨パッド23を昇降および相対揺動させるヘッド移動機構30と、研磨パッド23の中央部に形成された開口部23a(図2を参照)より研磨液を供給する研磨液供給機構40と、基板Wや研磨パッド23の回転、基板Wに対する研磨パッド23の昇降および揺動、研磨加工部への研磨液の供給等、研磨装置1の作動を制御する制御装置70とを主体に構成される。
保持機構10は、基板Wを保持するチャック11と、このチャック11の下部から鉛直下方に延びるスピンドル14と、スピンドル14に回転駆動力を伝達してチャック11を水平面内で回転させるチャック駆動モータ15等を有して構成される。チャック11は、セラミック等の高剛性材料を用いて、上面の形状を基板Wの形状に合わせた平面度の高い定盤状に形成され、上面において基板Wを保持可能に構成される。チャック11の内部に基板Wの下面を真空吸着する真空チャック構造が設けられて基板Wを着脱可能に構成されるとともに、チャック11上部が加工テーブルTから露出して配設されており、チャック11に吸着保持された基板Wの研磨対象面(すなわち被研磨面)が上向きの水平姿勢で保持される。
保持機構10と隣接して、ヘッド移動機構30が設けられており、ヘッド移動機構30を構成する研磨アーム32の先端にヘッド回転機構20が設けられる。ヘッド回転機構20は、チャック11の上面と対向するように設けられた研磨ヘッド21と、研磨ヘッド21の上部から鉛直上方に延びるスピンドル24と、スピンドル24に回転駆動力を伝達して研磨ヘッド21を水平面内で回転させるパッド駆動モータ25等を有して構成される。
研磨ヘッド21は、スピンドル24に連結されたヘッドハウジング21aと、ヘッドハウジング21aに保持されたポリッシングプレート22と、ポリッシングプレート22の下面に貼り付けられた研磨パッド23とを有して構成される。ポリッシングプレート22は、チャック11と同様の高剛性材料を用いて平面度の高い円盤状に形成され、ヘッドハウジング21aの下部に保持される。研磨パッド23は、外径が基板Wの幅よりも大きい円環形のフィルム状に形成され、ポリッシングプレート22の下面に貼り付けられて研磨面が下向きの水平姿勢で保持される。なお、研磨パッド23は、ガラス基板等に対する平坦化研磨工程で用いられ、研磨パッド23の代わりに、発泡ポリウレタン等の独立発泡体から構成される研磨パッド(図示せず)をポリッシングプレート22の下面に貼り付けて、CMP工程を行うことも可能である。
ポリッシングプレート22の内部には、図2に示すように、研磨液供給機構40から供給される研磨液を研磨パッド23の開口部23aに向けて流下させる液体供給通路22aが、ポリッシングプレート22の中心を上下に貫通して形成されている。さらに、ポリッシングプレート22の内部には、外部露出するポリッシングプレート22の側面と上述の液体供給通路22aとに連通した大気導入孔22bがポリッシングプレート22の径方向に延びて形成されている。この大気導入孔22bは、液体供給通路22aよりも径の小さい孔であり、液体供給通路22aを流下する研磨液が大気導入孔22bから外部に流出するのを抑えている。なお、大気導入孔22bにオリフィス22cを設けるようにしてもよい。このようにすれば、液体供給通路22aを流下する研磨液が大気導入孔22bから外部に流出するのを最小限に抑えることができる。
また、ヘッドハウジング21aの内部に形成された加圧室に、エアの供給を受けてポリッシングプレート22を下向きに加圧する、いわゆるエアバッグ式の加圧機構が設けられており、研磨パッド23の研磨面を基板Wの被研磨面に当接させた状態で加圧室の圧力を制御することにより、基板Wと研磨パッド23との当接圧力、すなわち研磨圧力を制御可能になっている。
ヘッド移動機構30は、図1に示すように、加工テーブルTから上方に突出する基部31と、この基部31から水平に延びる研磨アーム32と、基部31を通って上下に延びる揺動軸を中心として研磨アーム32を水平揺動させるアーム揺動機構35と、研磨アーム32全体を垂直昇降させるアーム昇降機構(図示せず)等を有して構成され、上述したヘッド回転機構20が研磨アーム32の先端部に設けられている。ヘッド移動機構30は、アーム揺動機構35により研磨アーム32を水平揺動させたときの研磨ヘッド21の揺動軌跡上に保持機構10が位置するように構成されており、研磨ヘッド21をチャック11と対向させた状態で研磨アーム32全体を昇降させ、研磨パッド23の研磨面を基板Wの被研磨面に当接させた状態で基板Wに対して研磨パッド23を水平揺動可能に構成される。
研磨液供給機構40は、図2に示すように、研磨装置1の外部に設けられた第1スラリー供給源61、第2スラリー供給源62、および純水供給源63から供給される液体のうちいずれかを研磨ヘッド21側に導く第1通路41と、第1通路41とは別に純水供給源63から供給される純水を研磨ヘッド21側に導く第2通路42と、第1通路41および第2通路42から供給される液体のうちいずれかを研磨パッド23の開口部23aに導く第3通路43とを有して構成される。
第1通路41の上流部には、第1切替弁44が設けられる。第1切替弁44は、第1スラリー供給源61と繋がる通路の開閉を行う第1開閉弁44aと、第2スラリー供給源62と繋がる通路の開閉を行う第2開閉弁44bと、純水供給源63と繋がる通路の開閉を行う第3開閉弁44cとを有して構成され、これら3つの開閉弁44a〜44cのうちいずれかを開放することで、第1スラリー供給源61、第2スラリー供給源62、および純水供給源63から供給される液体のうちいずれかを選択的に切り替えて第1通路41に流すことができる。
また、第1通路41には、上流側から順に、第1通路41を流れる液体を研磨ヘッド21側に圧送するダイヤフラムポンプ46と、第1通路41を流れる液体の流量を計測する流量計47と、オリフィス48とが設けられている。第1通路41の下流部は、第2切替弁45を介して第3通路43と繋がる。
第2通路42の上流部は、純水供給源63と直接繋がる。一方、第2通路42の下流部は、第2切替弁45を介して第3通路43と繋がる。また、第2通路42には、上流側から順に、第2通路42を流れる純水の流量を制御する定圧弁49と、オリフィス53とが設けられている。
定圧弁49は、エア源64からエア供給通路50を介して供給されるエアの圧力に応じて、弁の開度調節(すなわち、流量制御)を行うようになっており、エア供給通路50には、圧力計51と、エア供給通路50内のエアの圧力を調節するレギュレータ52とが設けられている。これにより、レギュレータ52を用いてエア供給通路50内のエアの圧力を所望の圧力に調節することで、第2通路42を流れる純水の流量、すなわち純水供給源63から第2通路42および第3通路43を介して研磨パッド23の開口部23aに供給される純水の流量を制御することができる。
第3通路43の上流部には、第2切替弁45が設けられる。第2切替弁45は、第1通路41の下流部に繋がって弁の開閉を行う第4開閉弁45aと、第2通路42の下流部に繋がって弁の開閉を行う第5開閉弁45bとを有して構成され、これら2つの開閉弁45a〜45bのうちいずれかを開放することで、第1通路41および第2通路42から供給される液体のうちいずれかを選択的に切り替えて第3通路43に流すことができる。ここで、研磨装置1を本実施形態のように平坦化研磨工程に用いる場合には、研磨液として純水を供給するため、第5開閉弁45bを開いて第2通路42から供給される液体を第3通路43に流す。一方、研磨装置1をCMP工程に用いる場合には、研磨液としてスラリーを供給するため、第4開閉弁45aを開いて第1通路41から供給される液体を第3通路43に流す。
そして、第3通路43の下流部は、スピンドル24に設けられたロータリージョイント26を経由してポリッシングプレート22の液体供給通路22aと繋がる。なお、研磨液供給機構40の作動は、研磨装置1の作動状態に応じて、保持機構10、ヘッド回転機構20、およびヘッド移動機構30とともに制御装置70によって制御される。制御装置70は、研磨装置1に予め設定記憶された制御プログラム、および研磨対象に応じて読み込まれた加工プログラムに基づいて、研磨液供給機構40から研磨パッド23の開口部23aに研磨液を供給させて基板Wの研磨加工を行わせる。
以上のように構成される研磨装置1を用いて、平坦化研磨工程における基板Wの研磨加工を行うには、ヘッド移動機構30により研磨アーム32を揺動させて研磨ヘッド21をチャック11の上方に対向して位置させ、チャック11および研磨ヘッド21をともに回転させながら研磨ヘッド21を研磨位置に下降させて研磨パッド23を基板Wに当接させ、研磨ヘッド21に設けられた加圧機構により研磨パッド23を所定の研磨圧力で基板Wに押圧させる。このとき、研磨液供給機構40を用いて、研磨液としての純水を研磨パッド23の開口部23aから基板Wと研磨パッド23との当接部に供給する。
研磨液供給機構40において、純水供給源63から供給される純水は、第2通路42および第3通路43を流れてポリッシングプレート22の液体供給通路22aに達し、そのまま液体供給通路22aを流下してポリッシングプレート22の下面中央と接する研磨パッド23の開口部23aから基板Wと研磨パッド23との当接部に向けて流出する。このとき、前述したように、ポリッシングプレート22の内部には、外部露出するポリッシングプレート22の側面と上述の液体供給通路22aとに連通した大気導入孔22bが形成されているため、研磨パッド23の開口部23aから基板Wと研磨パッド23との当接部に向けて流出する純水(液体)の圧力は、大気導入孔22bで圧力開放されることにより大気圧とほぼ等しくなる。
そのため、本実施形態においては、基板Wと研磨パッド23との当接部において純水の液圧による浮上力(フローティング圧)が生じるのを抑えて、基板Wに対する研磨パッド23およびポリッシングプレート22の浮き上がりを防止することが可能になる。また、研磨液供給機構40に、研磨パッド23の開口部23aへ供給する純水の流量を制御する定圧弁49が設けられているため、基板Wと研磨パッド23との当接部に流出する純水の流量が過剰になるのを防止することができ、基板Wに対する研磨パッド23およびポリッシングプレート22の浮き上がりをより確実に防止することが可能になる。さらに、第2通路42にオリフィス53を設けることで、研磨液供給機構40から供給される純水の圧力を効果的に低減させることができる。
なお、上述の実施形態において、研磨パッド23の開口部23aから基板Wと研磨パッド23との当接部に向けて流出する純水の流量が基板W上で一定となるような位置に、研磨ヘッド21の研磨位置を設定するようにしてもよく、このようにすれば、基板Wに対する研磨量プロファイル(研磨量分布)を均一にすることができる。
本発明に係る研磨装置の概略図である。 研磨液供給機構の概略図である。
符号の説明
1 研磨装置 W 基板
10 保持機構 11 チャック
21 研磨ヘッド
22 ポリッシングプレート(プレート部材)
22a 液体供給通路 22b 大気導入孔
22c オリフィス
23 研磨パッド 23a 開口部
40 研磨液供給機構(液体供給機構)
49 定圧弁(流量制御装置)

Claims (3)

  1. 上面において基板を保持する保持機構と、前記保持機構の上面と対向するように設けられた研磨ヘッドと、前記研磨ヘッドの下部に保持されたプレート部材と、前記基板よりも幅の大きいフィルム状に形成されるとともに前記プレート部材の下面に貼り付けられて前記基板を研磨可能な研磨パッドとを備え、前記プレート部材を介して前記研磨ヘッドに保持された前記研磨パッドを前記保持機構に保持された前記基板に当接させながら相対移動させて前記基板を研磨するように構成された研磨装置において、
    前記研磨パッドの中央部に形成された開口部より研磨用の液体を供給する液体供給機構を有しており、
    前記プレート部材の内部に、前記研磨パッドの前記開口部と接する前記プレート部材の下面中央部と連通して、前記液体供給機構から供給される液体を前記開口部に向けて流下させる液体供給通路と、
    外部露出する前記プレート部材の側面と前記液体供給通路とに連通した大気導入孔とが形成されていることを特徴とする研磨装置。
  2. 前記大気導入孔にオリフィスが設けられていることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
  3. 前記液体供給機構は、前記供給する液体の流量を制御する流量制御装置を有していることを特徴とする請求項1もしくは請求項2に記載の研磨装置。
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