JP5071010B2 - 光電変換素子の製造方法および製造装置 - Google Patents
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Description
大気雰囲気から真空引きを行った直後の製膜室内を、正規に光電変換層の各層を製膜する製膜温度より高温にして数時間維持し、製膜室壁体等に付着した不純物を除去する方法(ベーキング)が採られている。また、正規に光電変換層の各層を製膜する前に予備的製膜を行い、不純物の除去や製膜室壁体を光電変換層の各層を構成する材質でコーティングする方法(プレデポジション)等が採られている。ベーキングの際には、He,Ne,Ar等の不活性ガス、光電変換層の各層を製膜する際に使われる原料ガス、また熱伝導性の良いH2を主体としたガス等を製膜室に導入し、所定の圧力に保持した状態で行うことが好ましい。また、プレデポジションは製膜をプラズマCVDで行う場合、正規に光電変換層を製膜するプラズマ条件よりもプラズマが広がる条件で行った方が好ましい。
予備加熱室203は、製膜室202と同様、可撓性基板200を予備加熱室203の両部分の壁体の開口側端面間に挟み、その空間に図示していない連通する排気口から真空にし、図示していない連通するガス導入ラインからガスを導入して、図示していない圧力制御器により他の製膜室202や共通室205と独立に圧力制御を行う。予備加熱室203内には、予備加熱室封止後に、可撓性基板200の厚さ方向に進退自在の移動機構を有するヒーター208を備える。ヒーター208を可撓性基板200の一方の面に接触させ、可撓性基板200の加熱を行うことができるようにする。
実施例1では、光電変換素子が形成される可撓性基板としてポリイミド基板を用い、光電変換素子の光電変換層にアモルファスシリコン(a-Si)とアモルファスシリコンゲルマニウム(a-SiGe)を用いたa-Si/a-SiGeタンデムセルの作製を行う。本実施例では、特開平6−342924号公報に開示されたSCAF構造と呼ばれる直列構造を有した発電領域面積3000cm2のa-Si/a-SiGeタンデムセルの作製を行った。
図2から、予備加熱室203において、基板加熱時のガス圧力が増加するのに伴い、基板温度が増加していることが分かる。製膜室202での温度は275℃であった。実際にプラズマを印加した場合は、今回測定した基板温度と異なることが考えられるが、印加する電力密度が比較的小さいため、変化が生じても1〜2℃程度であると考えられる。
実施例2では、図17の工程(d)において、予備加熱室203における加熱時間を変えて製膜し、それ以外の工程は実施例1と同様の方法で太陽電池を作製した。このように加熱時間を変えて製膜して得られた太陽電池の特性を図4に示す。図4は圧力133Pa、加熱時間7分に設定して作成したサンプルの太陽電池特性に規格化している。図4から、加熱時間が3分、7分では太陽電池特性は大きく変わらなかったが、1分にすると特性低下が顕著になることが判る。加熱時間3分、7分における太陽電池特性の値は、実施例1で示した加熱時間20分の太陽電池特性とほぼ同程度であった。このことから、加熱時間は3分以上であれば良いことが判明した。
実施例3は、予備加熱室にメインヒーターとサブヒーターとを備えた例である。
図18にサブヒーターを備えた予備加熱室の模式図を示す。予備加熱室210の内部にメインヒーター211とサブヒーター212とを備えている。サブヒーター212は、可撓性基板200を挟んでメインヒーター211と対向する位置に配置される。メインヒーター211及びサブヒーター212はそれぞれ独立に温度設定できるようになっている。
図7に基板温度測定結果を示す。図7から、サブヒーター温度の増加に伴い、基板温度が増加していることが判る。また、サブヒーター無しの場合は、基板温度が261℃であったので、サブヒーター無しの場合よりも基板温度が上昇しており、効率的に基板が加熱されていることが判る。
実施例4では、図17の工程(d)において、予備加熱室210におけるガス圧力を変えて製膜し、それ以外の工程は実施例3と同様の方法で太陽電池を作製した。ガスはH2を適用し、メインヒーター211の設定温度は320℃、サブヒーター212の設定温度は240℃、加熱時間は5分とした、ガス圧力は20Pa、50Pa及び133Paの3条件とした。
実施例5では、予備加熱時にメインヒーター211とサブヒーター212間の距離を変えて加熱を行った。予備加熱室210における加熱条件としては、メインヒーター211、サブヒーター212を共に320℃、加熱時間5分、H2ガス圧力133Paとし、メインヒーター211とサブヒーターとの距離は3cmと0cm(接触させた状態)の2つに設定した。図19は距離0cmの時の状態を示している。同図に示すように、距離0cmの設定では予備加熱時にメインヒーター211とサブヒーター212で基板1aを両面からプレスした状態で加熱している。
図13は膜中不純物量の測定結果を示す図である。尚、図13はメイン・サブヒーター間距離3cmで作製したサンプルの太陽電池特性に規格化してある。図13から、メインヒーター211とサブヒーター212を接触させる条件の場合、メイン・サブヒーター間距離3cmの場合より膜中不純物量が減少していることが判る。さらに、メインヒーター211とサブヒーター212を基板1aの両面に接触させる条件(メイン・サブヒーター間距離0cm)で作製した太陽電池は、特に太陽電池外周部における雛が顕著に抑制されており、外観が極めて良好であることが判った。これは、予備加熱室210における加熱時に基板200がメインヒーター211とサブヒーター212でプレスされることにより皺の発生が顕著に少なくなった結果に起因するものであると考えられる。
1b…第1電極層
1c…第2電極層
1d…光電変換層
1e…第3電極層
1f…第4電極層
1g、1h…切断部
h1…接続孔
h2…集電孔
E…裏面電極
U…ユニットセル
200…可撓性基板
201…巻き出し用アンワインダー室
202…製膜室
203、210…予備加熱室
204…巻き取りワインダー室
205…共通室
206、207…コア
208…ヒーター
211…メインヒーター
212…サブヒーター
213…可動部
Claims (7)
- 真空槽からなる共通室の上流側に配置した予備加熱室において正規に光電変換層を製膜する前に可撓性基板を加熱して脱ガス化する予備加熱工程と、前記共通室の下流側に配置した複数の独立した製膜室において上流側から送られてくる前記可撓性基板に多層の光電変換層を製膜する製膜工程とを備えた光電変換素子の製造方法であって、
前記予備加熱工程は、前記予備加熱室においてメインヒーターの平面状の接触部を前記可撓性基板の一方の面に接触すると共に、前記可撓性基板を挟んで前記メインヒーターと対向する側に配置したサブヒーターの平面状の接触部を前記可撓性基板の他方の面に接触することにより行い、
前記予備加熱工程において、前記製膜工程で製膜する前記光電変換層のうち最も基板温度が高い層を製膜する際の製膜室のヒーター温度及びガス圧力より高いヒーター温度及びガス圧力を前記予備加熱室に設定することを特徴とする光電変換素子の製造方法。 - 前記光電変換層として非単結晶で構成されるpin構造を用いる場合、i型層を製膜する際の製膜室のヒーター温度及びガス圧力より高いヒーター温度及びガス圧力を、前記予備加熱工程で前記予備加熱室に設定することを特徴とする請求項1記載の光電変換素子の製造方法。
- 前記予備加熱工程は、前記メインヒーターの設定温度をThとして、前記サブヒーターの設定温度を(Th−100℃)以上としたことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の光電変換素子の製造方法。
- 前記予備加熱工程は、前記予備加熱室にH2、He又はArを主体とするガスを導入することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
- 前記予備加熱工程は、前記予備加熱室に導入するガスのガス圧力を50Pa以上としたことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
- 前記予備加熱工程は、前記予備加熱室において前記可橈性基板を3分以上加熱することを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の光電変換素子の製造方法。
- 真空槽からなる共通室と、前記共通室内の上流側に配置され正規に光電変換層を製膜する前に可撓性基板を加熱して脱ガス化する予備加熱室と、前記共通室内の下流側に配置され上流側から送られてくる前記可撓性基板に多層の光電変換層を製膜する複数の独立した製膜室とを備えた光電変換素子の製造装置であって、
前記予備加熱室は、前記可撓性基板の一方の面に接触して加熱する平面状の接触部を有するメインヒーターと、前記可撓性基板を挟んで前記メインヒーターと対向する側に配置され、前記可撓性基板の他方の面に接触して加熱する平面状の接触部を有するサブヒーターと、を備え、
前記製膜室で製膜する前記光電変換層のうち最も基板温度が高い層を製膜する際の製膜室のヒーター温度及びガス圧力より高いヒーター温度及びガス圧力を前記予備加熱室に設定することを特徴とする光電変換素子の製造装置。
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