JP5070767B2 - めっき処理方法及びファインピッチ配線基板の製造方法 - Google Patents
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Description
[実施例1]
本実施例では、基板に対するオゾン水処理と、無電解ニッケルめっきと、マイクロポーラスニッケルめっきを行なった。
本実施例では、基板に対するオゾン水処理と、無電解ニッケルめっきと、マイクロクラックニッケルめっきを行なった。
実施例1同様、エポキシ樹脂基板に同条件にてオゾン水に浸漬し、めっき前処理を実施後、0.4μmの無電解ニッケルめっき膜を形成した。形成後、電解ニッケルめっき(マイクロクラックめっき)を5分間行い、0.6μmの電解ニッケルめっき膜を形した。形成後、DFRをめっき皮膜上にラミネートし、紫外線露光・現像によるパタ一二ングを実施した。パターニン後、電解銅めっき(パターンめっき)を行い12μmめっきした。めっき後、DFR剥離、ニッケルシード層エッチングを行い、L/S=15/15μm配線を形成した。
本比較例では、基板に対する過マンガン酸処理と、化学ニッケルめっきを行なった。
エポキシ樹脂基板に、デスミア処理(膨満、過マンガン酸カリウム溶液による樹脂エッチング、中和)を行った。処理後、硫酸/硫酸ニッケル浴を用いて40分間浸漬し1.0μmの無電解ニッケルめっき膜を形成した。形成後、実施例1と同様、DFRをめっき皮膜上にラミネートし、紫外線露光・現像によるパターニングを実施した。パターニング後、電解銅めっき(パターンめっき)を行い12μm厚にめっきした。めっき後、DFR剥離、ニッケルシード層エッチングを行い、)L/S=15/15μm配線を形成した。
本比較例では、基板に対するオゾン水処理と、化学ニッケルめっきを行なった。
実施例1と同様、エポキシ樹脂基板に同条件にてオゾン水に浸漬し、比較例1と同様、硫酸/硫酸ニッケル浴を用いて40分間浸漬し1.0μmの無電解ニッケルめっき膜を形成した。形成後、実施例1と同様、DFRをめっき皮膜上にラミネートし、紫外線露光・現像によるパターニングを実施した。パターニング後、電解銅めっき(パターンめっき)を行い12μm厚にめっきした。めっき後、DFR剥離、ニッケルシード層エッチングを行い、L/S=15/15μm配線を形成した。
本比較例では、基板に対するオゾン水処理と、化学ニッケルめっき(めっき後に銅エッチングによるマイクロアンカー形成)を行なった。
外観検査は、L/S=15/15μm絶縁信頼性評価パターン形成の可否を、断線、剥れ、ショートの有無を外観観察にて検査した。結果は、面内30パターン割付け中の良好数で求めた。更に、印火電圧:100V、1min後に絶縁抵抗値が1.0E+7(Ω)以上を有することを可とし、断線、剥れ、ショートの有無を確認した。更に、工数は、所定工数時間とコストで評価した。判定結果を表1に示す。
実施例1に見られるマイクロポーラスめっき法の使用により、化学ニッケルめっき上に選択的に微小めっき粒子付与を行うことにより、DFRとの密着性は十分得られており、容易に配線形成することが出来た。
Claims (6)
- 絶縁樹脂基板上に行うシード層形成をマイクロポーラスめっき及び/又はマイクロクラックめっきで行うことを特徴とするファインピッチ配線基板の製造方法。
- 前記マイクロポーラスめっき及び/又はマイクロクラックめっきで使用される金属材料が、ニッケル、ニッケル合金、銅、銀、クロム、クロム合金から選択される1種以上であることを特徴とする請求項1に記載のファインピッチ配線基板の製造方法。
- 前記マイクロポーラスめっき及び/又はマイクロクラックめっきの前に、基板に対するオゾン処理、オゾン水処理、紫外線処理、プラズマ処理、コロナ放電処理から選択される1種以上の表面処理を行うことを特徴とする請求項1又は2に記載のファインピッチ配線基板の製造方法。
- 前記基板の樹脂表面粗度が、Rz=0〜5.0μmであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載のファインピッチ配線基板の製造方法。
- 多層配線基板であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のファインピッチ配線基板の製造方法。
- 絶縁樹脂基板の表面に、オゾン処理、オゾン水処理、紫外線処理、プラズマ処理、コロナ放電処理から選択される1種以上の表面処理を行う工程と、
該表面に化学ニッケルめっきを行い、化学ニッケルめっき層を形成する工程と、
該化学ニッケルめっき層上にマイクロポーラスめっき及び/又はマイクロクラックめっきを行い、マイクロポーラスめっき層及び/又はマイクロクラックめっき層を形成する工程と、
該マイクロポーラスめっき層及び/又はマイクロクラックめっき層の上にめっきレジストを形成する工程と、
前記マイクロポーラスめっき層及び/又はマイクロクラックめっき層の上にパターンめっきを行う工程と、
レジスト剥離してシード層エッチングする工程と、を含むことを特徴とするファインピッチ配線基板の製造方法。
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