JP5067311B2 - 内燃機関の排気浄化システム - Google Patents
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低減するために、内燃機関の排気系に、排気中のNOxを浄化するNOx触媒を設けることが知られている。この技術において例えば吸蔵還元型NOx触媒を設けた場合には、吸蔵
されたNOxの量が増加すると浄化能力が低下するため、吸蔵還元型NOx触媒を低酸素の状態にし且つ還元剤を供給することで、同触媒に吸蔵されたNOxを還元放出することが
行われる(以下、「NOx還元処理」という。)。
が吸蔵され、浄化能力が低下するSOx被毒を解消するために、NOx触媒の床温を上昇させるとともに還元剤を供給するSOx被毒回復処理を行う必要もある。このSOx被毒回復処理においては、例えば内燃機関において主噴射とは別にアフター噴射を行うことで、排気の空燃比を間欠的にリッチとするとともに排気の温度を上昇させる間欠リッチ制御を行う。これにより、吸蔵還元型NOx触媒の床温を上昇させるとともにリッチ雰囲気とする
。
被毒回復処理に適した温度に安定させることが困難となる場合があった。
下、「NOx触媒」ともいう。)のSOx被毒回復処理において間欠リッチ制御を行う際に、少なくともリッチ期間の一部において、NOx触媒の上流側の排気通路における排気の
圧力を低下させることで、排気温度の過剰な上昇と排気の温度変動とを抑制することを最大の特徴とする。
る吸蔵還元型NOx触媒と、
前記吸蔵還元型NOx触媒のSOx被毒回復処理において、前記内燃機関における主噴射とは別に燃料噴射を行うことによって前記内燃機関からの排気の空燃比を間欠的にリッチとする間欠リッチ制御を行う間欠リッチ手段と、
前記吸蔵還元型NOx触媒の上流側の排気通路における排気の圧力を低下させる圧力低
下手段と、
を備え、
前記間欠リッチ制御におけるリッチ期間中の少なくとも一部の期間において、前記圧力低下手段が前記排気の圧力を低下させることを特徴とする。
。
低下させる圧力低下手段を備えることとし、間欠リッチ制御におけるリッチ期間中の少なくとも一部の期間において、前記排気の圧力(背圧)を低下させることとした。
れる排気の温度変動が過大となることによるNOx触媒温度の不安定化を抑制することが
できる。
前記バイパス通路を通過する排気の流量を制御する流量制御装置と、を有し、
前記流量制御装置によって前記バイパス通路を通過する排気の流量を増加させることで前記排気の圧力を低下させるようにしてもよい。
、バイパス通路を通過する排気の流量を流量制御装置によって増加させることで、排気通路におけるNOx触媒の上流側の排気の圧力を低下させるようにしてもよい。これによれ
ば、より簡単に、内燃機関におけるポンプ損を低減させることができ、排気の温度上昇を抑制することができる。
は排気の圧力を低下させないとは、圧力低下手段が圧力を低下させる前の状態に排気の圧力を戻すこと及び、排気の圧力を、圧力低下手段が圧力を低下させる前の状態より圧力が高い状態とすることを含む意味である。
きる。従って、運転状態によって、間欠リッチ制御のリッチ期間中においても排気の温度がそれ程上昇しないような場合にまで、排気の圧力が低下して排気の温度を低下させてしまい、NOx触媒の温度上昇の効率を低下させてしまうことを抑制できる。
わりに、排気中の微粒子物質を捕集するフィルタに吸蔵還元型NOx触媒が担持されたD
PNRが用いられてもよいことはもちろんである。
れている。このECU20は、内燃機関1の運転条件や運転者の要求に応じて内燃機関1の運転状態等を制御する他、内燃機関1のNSR10、フィルタ11を含めた排気浄化システムに係る制御を行うユニットである。
U20内のROMに記憶されたプログラムの一つである。
る。本実施例においてはこのような場合に、内燃機関1において主噴射の後に再度燃料噴射を行ない(以下「アフター噴射」という。)、その一部を燃焼行程で燃焼させて排気の温度を上昇させつつ排気の空燃比をリッチとするリッチ期間と、アフター噴射の燃料量をNSR10の温度維持が可能な程度に抑えるリーン期間とを、交互に切替える間欠リッチ制御が行なわれる。これにより、NSR10の温度を上昇させ且つリッチ雰囲気に曝すことで、NSR10に吸蔵(吸収、吸着)されたSOxを還元放出することが可能となる。
キマニ4を劣化させてしまう場合があった。また、排気の温度変動の振幅が大きくなり過ぎ、NSR10の温度をSOxの還元放出に充分な温度に安定させることが困難となる場
合があった。
御が実行されるために、最下段のグラフに示すように燃焼モードが周期的に切替えられる。
維持するための還元剤がNSR10に供給できるよう、アフター噴射における燃料噴射量が決定される。同様にt3とt4の間はリッチ期間とされ、t4以降はリーン期間とされ、以後、同様の制御が繰り返される。
度に安定させることが困難となる場合があった。
ローチャートを示す。本ルーチンはECU20のROMに記憶されたプログラムであり、内燃期間1の稼動中は所定期間毎に繰り返し実行されるルーチンである。
定される。具体的には、SOx被毒回復処理が要求されている場合にONされるSOx被毒回復フラグの値を読み込むことによって判定してもよい。ここで肯定判定された場合にはS102に進む。一方、否定判定された場合にはS104に進む。
のための間欠リッチ制御において、T4が過度に高温となることを抑制でき、また、T6の温度変動が過大となることを抑制できる。その結果、エキマニ4や排気通路6が高温で劣化することや、NSR10の温度が不安定化することを回避できる。
に、T4がT4限界温度を下回るまではバイパス制御弁15の開弁を継続させる制御について説明する。なお、本実施例における内燃機関の制御系、排気系の構成は図1に示すものと同様である。
ーチャートを示す。本ルーチンと、実施例1で説明したSOx被毒回復時バイパス制御ル
ーチンとの相違点は、S102で否定判定された場合に直接S104に進むのではなく、S201の処理が実行される点である。以下、本ルーチンと、SOx被毒回復時バイパス
弁制御ルーチンとの相違点についてのみ説明する。
安定化を抑制することが可能となる。
求されリッチ期間が開始された時点t1においては、バイパス制御弁15は閉弁している。そして、リッチ期間の中間時点t21においてバイパス制御弁15を開弁させる。これにより、図2中のT4、T5の変化のグラフで実線で示すように、既にある程度の温度ま
で上昇しているT4の上昇速度を減少させることが可能となる。そして、バイパス制御弁15の開弁状態は、リーン期間に切換わった後、リーン期間の中間時点であるt22まで継続し、t22においてバイパス制御弁15が閉弁される。その後、これと同様に、次のリッチ期間の中間時点であるt23において再度バイパス制御弁15を開弁し、さらに次のリーン期間の中間時点であるt24においてバイパス制御弁15を閉弁させる。
要求されリッチ期間が開始された時点t1においては、バイパス制御弁15は閉弁している。そして、T4が予め設定されたT4閾値温度以上となった時点t31において、バイパス制御弁15を開弁させる。これにより、既にT4限界温度付近の温度まで上昇しているT4の上昇速度を減少させることが可能となる。そして、バイパス制御弁15の開弁状態は、リーン期間に切換わった後、T4がT4閾値温度より低くなった時点であるt32まで継続し、t32においてバイパス制御弁15が閉弁される。その後、これと同様に、次のリッチ期間において、T4が予め設定されたT4閾値温度以上となった時点t33において、再度バイパス制御弁15を開弁し、さらに次のリーン期間に切換わった後、T4がT4閾値温度より低くなった時点であるt34まで継続し、t34においてバイパス制御弁15が閉弁される。
ーチャートを示す。本ルーチンと、実施例1で説明したSOx被毒回復時バイパス制御ル
ーチンとの相違点は、S102の処理の代りに、S301及びS302の処理が実行される点である。以下、本ルーチンと、SOx被毒回復時バイパス制御ルーチンとの相違点に
ついてのみ説明する。
の処理が終了するとS302に進む。S302においては、T4がT4閾値温度以上か否かが判定される。ここでT4がT4閾値温度以上と判定された場合にはS103に進み、バイパス制御弁15の開弁状態を維持する。一方、T4がT4閾値温度より低いと判定された場合にはS104バイパス制御弁15を閉弁する。
行う場合について考える。本実施例に係るSOx被毒回復処理においても、アフター噴射
による間欠リッチ制御を行い、NSR10の温度を上昇させ且つリッチ雰囲気に曝すことで、NSR10に吸蔵(吸収、吸着)されたSOxを還元放出する。
直上流に設けた排気添加弁から還元剤を添加するような制御としてもよい。
4・・・エギゾーストマニホールド(エキマニ)
6・・・排気管
7・・・バイパス管
8、9・・・分岐管
10・・・NSR
11・・・フィルタ
14、14a、14b・・・タービンハウジング
15・・・バイパス制御弁
16・・・分岐ガス制御弁
20・・・ECU
Claims (5)
- 内燃機関の排気通路に設けられ、該排気通路を通過するNOxを浄化する吸蔵還元型N
Ox触媒と、
前記吸蔵還元型NOx触媒のSOx被毒回復処理において、前記内燃機関における主噴射とは別に燃料噴射を行うことによって前記内燃機関からの排気の空燃比を間欠的にリッチとする間欠リッチ制御を行う間欠リッチ手段と、
前記吸蔵還元型NOx触媒の上流側の排気通路における排気の圧力を間欠的に低下させ
る圧力低下手段と、
を備え、
前記間欠リッチ制御におけるリッチ期間中の少なくとも一部の期間において、前記圧力低下手段が前記排気の圧力を低下させることを特徴とする内燃機関の排気浄化システム。 - 前記圧力低下手段は、
前記排気通路における前記吸蔵還元型NOx触媒の上流側から分岐するとともに、前記
排気通路における前記吸蔵還元型NOx触媒の下流側で前記排気通路に合流し、前記排気
通路を通過する排気に前記吸蔵還元型NOx触媒をバイパスさせるバイパス通路と、
前記バイパス通路を通過する排気の流量を制御する流量制御装置と、を有し、
前記流量制御装置によって前記バイパス通路を通過する排気の流量を増加させることで前記排気の圧力を低下させることを特徴とする請求項1に記載の内燃機関の排気浄化システム。 - 前記圧力低下手段は、前記間欠リッチ制御のリッチ期間とリーン期間の切替え時期に同期して、リッチ期間においては前記排気の圧力を低下させるとともに、リーン期間には、前記排気の圧力を低下させないことを特徴とする請求項1または2に記載の内燃機関の排気浄化システム。
- 前記圧力低下手段は、前記リッチ期間中において前記排気の温度が所定の許容温度以上となった場合に、次のリーン期間においても前記排気の圧力の低下を継続させることを特徴とする請求項3に記載の内燃機関の排気浄化システム。
- 前記圧力低下手段は、前記リッチ期間中において排気の温度が所定の閾値温度以上とな
った場合に、前記排気の圧力を低下させることを特徴とする請求項1または2に記載の内燃機関の排気浄化システム。
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