JP5066947B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5066947B2 JP5066947B2 JP2007054752A JP2007054752A JP5066947B2 JP 5066947 B2 JP5066947 B2 JP 5066947B2 JP 2007054752 A JP2007054752 A JP 2007054752A JP 2007054752 A JP2007054752 A JP 2007054752A JP 5066947 B2 JP5066947 B2 JP 5066947B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- dielectric layer
- metal
- buffer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 47
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 61
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 19
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 255
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 10
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
(付記1)
樹脂を主成分とする絶縁層上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極上に形成される誘電体層と、
前記誘電体層上に形成される第2の電極と、を有するキャパシタを備えた電子部品であって、
前記第1の電極の主成分である第1の金属よりも融点が高く、かつ、該第1の金属よりも熱伝導率が低い第2の金属を主成分とする層を含む緩衝層が、前記第1の電極と前記誘電体層の間に形成されていることを特徴とする電子部品。
(付記2)
前記第1の金属はCuであり、前記第2の金属は、Ti,Cr,Mo,W,Ru,Ptよりなる群より選択されることを特徴とする付記1記載の電子部品。
(付記3)
前記緩衝層の厚さは、50nm乃至500μmであることを特徴とする付記2記載の電子部品。
(付記4)
前記緩衝層は、前記第1の金属よりも融点が高く、かつ、該第1の金属よりも熱伝導率が低い、前記第2の金属と異なる第3の金属を主成分とする層をさらに含むことを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項記載の電子部品。
(付記5)
前記第1の金属はCu、前記第2の金属はTi、前記第3の金属はPtであることを特徴とする付記4記載の電子部品。
(付記6)
前記第1の金属を主成分として構成されるとともに、前記第1の電極または前記第2の電極に接続される多層配線構造を有することを特徴とする付記1乃至5のいずれか1項記載の電子部品。
(付記7)
前記絶縁層は配線基板の層間絶縁層を構成し、前記キャパシタは当該層間絶縁層に積層される別の層間絶縁層に埋設されていることを特徴とする付記1乃至6のいずれか1項記載の電子部品。
(付記8)
前記配線基板に実装されるとともに、前記キャパシタに接続される実装部品を有することを特徴とする付記7記載の電子部品。
(付記9)
樹脂を主成分とする絶縁層上の第1の電極上に、該第1の電極の主成分である第1の金属よりも融点が高く、かつ、該第1の金属よりも熱伝導率が低い第2の金属を主成分とする層を含む緩衝層を形成する工程と、
前記緩衝層上にエアロゾルの衝突によって誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層にレーザを照射する工程と、
前記誘電体層上に第2の電極を形成する工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
(付記10)
前記第1の電極または前記第2の電極に接続される多層配線構造を形成する工程を有することを特徴とする付記9記載の電子部品の製造方法。
(付記11)
前記第1の電極、前記誘電体層、および前記第2の電極よりなるキャパシタを、前記絶縁層上に積層される別の絶縁層で埋設する工程を有することを特徴とする付記9または10記載の電子部品の製造方法。
(付記12)
前記別の絶縁層は、エアロゾルの衝突により形成されることを特徴とする付記11記載の電子部品の製造方法。
(付記13)
前記緩衝層を形成する工程では、
前記第1の金属よりも融点が高く、かつ、該第1の金属よりも熱伝導率が低い、前記第2の金属と異なる第3の金属を主成分とする層がさらに形成されることを特徴とする付記9乃至12のいずれか1項記載の電子部品の製造方法。
(付記14)
前記第1の金属はCuであり、前記第2の金属は、Ti,Cr,Mo,W,Ru,Ptよりなる群より選択されることを特徴とする付記9乃至13のいずれか1項記載の電子部品の製造方法。
(付記15)
前記レーザの出力は、1J/cm2乃至50J/cm2であることを特徴とする付記14記載の電子部品の製造方法。
12 第1の電極
13 緩衝層
13A 第1の緩衝層
13B 第2の緩衝層
14a,14 誘電体層
100,213 パターン配線
101,111,120,201,211,220 絶縁層
103,203,113 第1の電極(パターン配線)
104,114,204 緩衝層
104A,114A,204A 第1の緩衝層
104B,114B,204B 第2の緩衝層
105,105a,115,115a,205,205a 誘電体層
106,116,206 第2の電極
130 実装部品
131 半田バンプ
Claims (3)
- 配線基板上の樹脂を主成分とする絶縁層上の第1の電極上に、該第1の電極の主成分である第1の金属よりも融点が高く、かつ、該第1の金属よりも熱伝導率が低い第2の金属を主成分とする緩衝層を形成する工程と、
前記緩衝層上にエアロゾルの衝突によって誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層にレーザを照射して前記誘電体層のレーザアニールを行う工程と、
前記誘電体層上に第2の電極を形成する工程と、を有し、
前記レーザアニール工程は、1J/cm2〜50J/cm2の出力エネルギーで行われ、
前記第1の金属はCuであり、前記第2の金属はTi,Cr、Mo、W、Ru,Ptから選択され、前記レーザアニールによる前記第1の金属の溶融及び前記樹脂を主成分とする絶縁層の変質を抑制する
ことを特徴とする電子部品の製造方法。 - 前記第1の電極、前記誘電体層、および前記第2の電極よりなるキャパシタを、前記絶縁層上に積層される別の絶縁層で埋設する工程を有することを特徴とする請求項1記載の電子部品の製造方法。
- 前記別の絶縁層は、エアロゾルの衝突により形成されることを特徴とする請求項2記載の電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007054752A JP5066947B2 (ja) | 2007-03-05 | 2007-03-05 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007054752A JP5066947B2 (ja) | 2007-03-05 | 2007-03-05 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008218753A JP2008218753A (ja) | 2008-09-18 |
JP5066947B2 true JP5066947B2 (ja) | 2012-11-07 |
Family
ID=39838428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007054752A Expired - Fee Related JP5066947B2 (ja) | 2007-03-05 | 2007-03-05 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5066947B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013127992A (ja) * | 2010-03-26 | 2013-06-27 | Sanyo Electric Co Ltd | コンデンサ内蔵基板の製造方法、及び該製造方法に使用可能な素子シートの製造方法 |
JP5549494B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2014-07-16 | 富士通株式会社 | キャパシタおよびその製造方法、回路基板、半導体装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0544045A (ja) * | 1991-08-15 | 1993-02-23 | Omron Corp | 超微粒子膜の物性制御方法 |
JPH09219587A (ja) * | 1996-02-09 | 1997-08-19 | Fujitsu Ltd | 薄膜多層回路基板とその製造方法 |
JPH11126977A (ja) * | 1997-10-22 | 1999-05-11 | Sony Corp | 配線板の製造方法 |
JP2003124061A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-25 | Hitachi Ltd | 薄膜コンデンサとそれを用いたチップコンデンサ及びlcフィルタ並びにその製造方法 |
KR100612860B1 (ko) * | 2004-09-24 | 2006-08-14 | 삼성전자주식회사 | 강유전막 형성방법, 이를 이용한 커패시터 및 반도체메모리 소자의 제조방법 |
JP2006241545A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Hitachi Cable Ltd | 誘電体膜の形成方法 |
JP2006303781A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Fujikura Ltd | 基板アンテナ及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-03-05 JP JP2007054752A patent/JP5066947B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008218753A (ja) | 2008-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5471268B2 (ja) | 貫通電極基板及びその製造方法 | |
TWI365015B (ja) | ||
JP5429019B2 (ja) | キャパシタ及びその製造方法 | |
KR101376123B1 (ko) | 배선기판 및 그 실장 구조체 | |
JP5367914B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置 | |
JP5233637B2 (ja) | 多層セラミック基板、及び電子部品 | |
US8957499B2 (en) | Laminate stacked capacitor, circuit substrate with laminate stacked capacitor and semiconductor apparatus with laminate stacked capacitor | |
TW200841790A (en) | Power core devices and methods of making thereof | |
JP2008205111A (ja) | 配線基板および半導体装置、配線基板の製造方法 | |
JP2000100987A (ja) | 半導体チップモジュール用多層回路基板およびその製造方法 | |
JP5066947B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP2011114121A (ja) | 配線基板 | |
JP3937952B2 (ja) | 放熱回路基板とその作製方法 | |
JP2010171275A (ja) | 多層セラミック基板およびこれを用いた電子部品並びに多層セラミック基板の製造方法 | |
JP2011082531A (ja) | 貫通電極基板及びその製造方法 | |
JP2010028146A (ja) | セラミック基板 | |
JP5103948B2 (ja) | 電子部品および電子部品の製造方法 | |
JP2008159969A (ja) | 回路基板、電子装置および回路基板の製造方法 | |
JP4369672B2 (ja) | ガラスセラミック基板の製造方法 | |
JPH1027959A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
JP2687604B2 (ja) | プリント回路基板の製造方法 | |
JP2008263169A (ja) | 配線基板およびプラズマ発生体 | |
JP4721851B2 (ja) | 回路基板及び回路基板の製造方法 | |
JP2001244586A (ja) | セラミック回路基板 | |
JPH1065294A (ja) | セラミックス配線基板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111213 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120203 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120717 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120730 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150824 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5066947 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |