JP2003124061A

JP2003124061A - 薄膜コンデンサとそれを用いたチップコンデンサ及びｌｃフィルタ並びにその製造方法

Info

Publication number: JP2003124061A
Application number: JP2001312438A
Authority: JP
Inventors: Seiji Watabiki; 誠次綿引; Narihisa Motowaki; 成久元脇; Toshihide Namatame; 俊秀生田目; Seiji Kubo; 征治久保; Takao Miwa; 崇夫三輪
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2001-10-10
Filing date: 2001-10-10
Publication date: 2003-04-25

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明の目的は、耐電圧特性及び高周波領域に
おけるＱ特性に優れた薄膜コンデンサとそれを用いたチ
ップコンデンサ及びＬＣフィルタ並びにその製造方法を
提供することにある。【解決手段】本発明は、基板/下部電極/金属酸化物誘電
体/上部電極で構成され、前記誘電体が非晶質成分の多
い非晶質層と結晶質成分の多い結晶層との２層で構成さ
れ、同一の組成を有することを特徴とする薄膜コンデン
サとそれを用いたチップコンデンサ及びＬＣフィルタ並
びにその製造方法にある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器に用いら
れる新規な薄膜コンデンサとその製造方法に係り、特
に、高周波ノイズを除去するＬＣフィルタ用の薄膜コン
デンサとその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、移動体通信機器が広く普及すると
ともに、機器には小型軽量化、高性能化、高精度化、低
コスト化が要求されている。それに伴いこのような機器
に用いられる電子部品も小型軽量、高性能、高精度、低
コスト化が要求されている。従って、電子回路部品のコ
ンデンサの誘電体は薄膜化され、耐電圧に優れた材料の
開発が望まれている。また、低消費電力の要求も厳しく
なってきており、高周波帯域での高いQ値（Q:Quarity
Facter、tanδの逆数で、Qが大きい程エネルギー損失が
少なく好ましい）を有するコンデンサの開発が望まれて
いる。

【０００３】従来、薄膜コンデンサの形成方法として、
スパッタ法がよく用いられているが、非加熱で形成され
たスパッタ誘電体膜は空孔欠陥の多い非晶質である。こ
のような誘電体で作製されたコンデンサの耐電圧は小さ
い。そこで、非晶質誘電体を結晶化させて耐電圧を向上
させている。

【０００４】誘電体を結晶化させる一つの手法として、
誘電体にレーザを照射する方法が特開平9−219587号公
報に開示されている。この公報ではＳｉ基板上に、樹脂
製の層間絶縁層を形成した後、下部電極を積層する。そ
の上に、ＳｒＴｉＯ₃誘電体を非加熱方式で成膜後、室
温で、誘電体にレーザを照射し、誘電体を結晶化させ
て、コンデンサを作成している。

【０００５】特開平1−3151247号公報には非晶質層と結
晶質層の多層薄膜から成る誘電体を用いたコンデンサが
記載され、特開平9−17949号公報には結晶粒を非晶質の
高誘電率膜で被覆したキャパシタ素子が記載され、特開
平10−242393号公報には結晶質層を厚さ10〜30nmの非晶
質層でサンドイッチした多層薄膜から成るキャパシタ素
子が記載されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このようにして作製さ
れたコンデンサは結晶化しているので、金属酸化物誘電
体の結晶粒界が上部電極から下部電極まで連続して形成
されている。このような場合、コンデンサに電圧が印加
されると、電子移動は結晶粒界を介して容易となるの
で、コンデンサの耐電圧は小さい。また、基板に誘電損
失の大きいSiが使用されているので、コンデンサのQ値
は小さい。

【０００７】又、上述の公報には誘電率の向上、小型化
が示されているが、高周波領域におけるＱ特性に関して
は示されていない。

【０００８】本発明の目的は、耐電圧特性及び高周波領
域におけるＱ特性に優れた薄膜コンデンサとそれを用い
たチップコンデンサ及びＬＣフィルタ並びにその製造方
法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板/下部電
極/金属酸化物誘電体/上部電極で構成されるコンデンサ
において、前記誘電体が非晶質成分の多い非晶質層と結
晶質成分の多い結晶層との上下２層で構成され、同一の
組成を有するものである。層の構成は非晶質層が結晶質
層の上部に位置しても、下部に位置しても、どちらでも
よい。非晶質成分の多い層は結晶粒界がなく、欠陥も存
在しないので、これを誘電体に用いたコンデンサでは耐
電圧特性に優れたコンデンサを得ることができる。一
方、結晶質成分の多い層では欠陥も少なく、品質が高い
結晶体であるので誘電体特有の電気特性を発現する。特
に、非晶質層を結晶質層の上に形成するのが製造が容易
であり、結晶質層を厚く形成する。結晶質層の厚さは非
晶質層の厚さの３〜７倍が好ましい。

【００１０】従って、非晶質成分の多い層と結晶質成分
の多い層との上下２層で構成される誘電体では耐電圧特
性に優れたコンデンサが得られる。また、前記誘電体を
ガラス基板上に形成する。ガラス基板は誘電損失が小さ
いので、Ｑ特性に優れたコンデンサを得ることができ
る。また、前記誘電体を有機樹脂基板上に形成する。有
機樹脂基板も誘電損失が小さいので、Ｑ特性に優れたコ
ンデンサを得ることができる。非晶質成分の多い層の厚
みは３０〜１５０ｎｍが好ましい。３０ｎｍ以下では高
電界下では非晶質成分の多い層から結晶質成分の多い層
への電子の移動が容易になり、耐電圧特性に優れたコン
デンサを得にくい。１５０ｎｍ以上では非晶質成分の多
い層と結晶質成分の多い層との熱膨張率差により、非晶
質成分の多い層にマイクロクラックが発生し、耐電圧が
低下するので、耐電圧特性に優れたコンデンサを得にく
い。

【００１１】又、本発明の誘電体の組成は、Ｍｇ_１−Ｘ
Ｍ_ＸＴｉＯ_y（ただし、ＭはＣａ,Ｓｒ，Ｂａのいずれ
か、もしくはそれらを組み合わせたものを示す）で、Ｘ
が０≦Ｘ≦０．１の範囲が好ましい。本誘電体の組成
は、高いQ値が得られ、波長が300ｎｍ以下の短波長域に
吸収があり、例えば、波長が248ｎｍのKrFエキシマレー
ザを照射することにより、ガラス又は有機樹脂の耐熱温
度以下の低温度で、結晶化できるためである。組成をこ
の範囲とすることにより誘電損失が小さく、Ｑ特性に優
れたコンデンサを得ることができる。

【００１２】また、チップコンデンサは非晶質成分の多
い非晶質層と結晶質成分の多い結晶層との上下２層で構
成される誘電体と内部電極が交互に積み重ねられた積層
体と外部電極で構成されている。この構成により、耐電
圧特性、Ｑ特性に優れたコンデンサを得ることができ
る。また、ＬＣフィルタは前記コンデンサとインダクタ
とから構成される。本発明のコンデンサを用いることに
よりＱ特性に優れたＬＣフィルタを作製することができ
る。

【００１３】本発明は、基板に形成された下部電極上に
金属酸化物誘電体及び該誘電体上に形成された上部電極
を有する薄膜コンデンサにおいて、周波数１ＧＨｚにお
けるＱ値が８０以上、好ましくは９０〜１２０であるこ
とを特徴とする。本発明は、上述の誘電体を用いること
によって優れた高周波特性が得られるものである。

【００１４】本発明の薄膜コンデンサは以下のようにし
て製造される。ガラス基板上に下部電極を形成した後、
金属酸化物誘電体をスパッタ法で成膜する。次に、エキ
シマレーザを誘電体表面へ照射し、室温に冷却した後、
上部電極を形成する。又、レーザ光を照射することによ
り、所望の厚さの非晶質層を容易にえることができる。
このようにしてコンデンサを製造することにより金属酸
化物誘電体の表面に耐電圧特性、Ｑ特性に優れたコンデ
ンサを得ることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】(実施例１)図１は、本実施例のコ
ンデンサの模式断面図である。図において、アルミノ珪
酸塩ガラス基板1、Cr/Cu/Crで構成される下部電極2、レ
ーザ照射後のＭｇＴｉＯ _３誘電体の結晶質成分の多い層
3、非晶質成分の多い層4、下部電極2と同じCr/Cu/Crで
構成される上部電極5を有する。

【００１６】本発明によるコンデンサ作製の一実施例を
図２により説明する。アルミノ珪酸塩ガラス基板1の上
に、スパッタ法によりＣｒ膜6を50ｎｍ形成後、その上
にメッキ法によりＣｕ膜7を500ｎｍ積層した。さらに、
スパッタ法によりＣｒ膜6^'を50ｎｍ積層し、下部電極を
作製した。その後下部電極上にスパッタ法により、Ｍｇ
ＴｉＯ_３誘電体を非加熱で500ｎｍ成膜した。このＭｇ
ＴｉＯ_３誘電体のスパッタ膜は非晶質であった。

【００１７】次に、350℃に加熱しながら基板/下部電極
/誘電体で構成される積層体表面のＭｇＴｉＯ_３誘電体
に、波長248ｎｍのＫｒＦエキシマレーザをエネルギー
密度0.1Ｊ／ｃｍ^２、ショット数12000で照射した。照射
した誘電体の上に、スパッタ法によりＣｒ膜6^''を50ｎ
ｍ形成後、その上にメッキ法によりＣｕ膜7^'を500ｎｍ
積層した。さらに、スパッタ法によりＣｒ膜6^'''を50ｎ
ｍ積層し、上部電極を作製した。レーザ照射後のＭｇＴ
ｉＯ_３誘電体の結晶性をＳＥＭ及び薄膜Ｘ線回折より評
価した。ＳＥＭ像より、誘電体の断面は結晶粒が観察さ
れない非晶質成分の多い非晶質層4と結晶粒が観察され
る結晶質成分の多い結晶質層3の２層で構成されてい
た。結晶粒サイズは３０〜５０ｎｍである。薄膜Ｘ線回
折より、ＳＥＭで観察された結晶粒はＭｇＴｉＯ_３であ
ることが同定された。非晶質成分の多い非晶質層4の厚
みは約70ｎｍ〜100ｎｍである。また、ＩＣＰにより元
素分析をした結果、非晶質成分の多い非晶質層4と結晶
質成分の多い結晶質層3の構成元素は同一で,同じ組成で
あった。レーザ照射により非晶質のスパッタ膜は基板側
が結晶質層３と、その極表面が非晶質層４となった。

【００１８】上記のように作製したコンデンサの耐電圧
特性を評価した結果を図３に示す。横軸は電界（MV/ｃ
ｍ）で、縦軸は電流密度（Ａ／ｃｍ^２）である。電流密
度は電界の増加とともに大きくなるが、1〜3（ＭＶ／ｃ
ｍ）の高電界でも、電流密度は10^−７（Ａ／ｃｍ^２）と
小さい。このため、高電界でも高容量のコンデンサを作
製できる。

【００１９】なお、本発明の実施例ではアルミノ珪酸塩
ガラス基板で説明したが誘電損失の小さいポリイミド有
機樹脂基板を用いてもよい。また、本発明の実施例で、
電極にCuを選択したのは電気抵抗率が従来のAu、Ptなど
の貴金属より小さいためである。なお、Cuは酸化されや
すいので、酸化を防止するために、CuをCr膜で被覆し
た。電極のＣｕの厚みは本発明の実施例では500ｎｍで
説明したが、100ｎｍ〜20μｍが好ましい。100ｎｍ未満
では電極の比抵抗が大きくなり、Ｑ特性に優れたコンデ
ンサを得ることができない。20μｍ以上では電極形成に
長時間を要し、安価なコンデンサを作製できない。

【００２０】また、電極材料は本発明の実施例ではＣｕ
で説明したが、Ag、Ti，W，Pd，Ag−Pd，Ni，Cr、Au、P
tが好ましい。また、本実施例ではレーザを照射すると
きの誘電体の加熱温度は350℃で説明したが、150℃〜50
0℃でもよい。100℃未満では非晶質成分の多い層の厚さ
が30ｎｍ以下と薄く、耐電圧特性に優れたコンデンサを
作製することができない。500℃以上ではレーザ照射
後、基板/下部電極/誘電体からなる積層体の加熱を止め
て積層体を室温に戻す時に、熱応力により、誘電体薄膜
が下部電極から剥離し、健全なコンデンサを作製するこ
とができない。

【００２１】また、本実施例では照射エネルギー密度は
0.1Ｊ／ｃｍ^２で説明したが、0.04Ｊ／ｃｍ^２〜0.25Ｊ
／ｃｍ^２でもよい。0.04Ｊ／ｃｍ^２未満では非晶質成分
の多い非晶質層の厚さが30ｎｍ以下と薄く、また、金属
酸化物誘電体の結晶状態の変化量が小さいので、耐電圧
特性、Ｑ特性に優れたコンデンサを作製することができ
ない。0.25Ｊ／ｃｍ^２以上では金属酸化物誘電体がアブ
レーションし、健全なコンデンサを作製することができ
ない。

【００２２】また、本実施例ではショット数は12000で
説明したが、500〜200,000でもよい。500未満では非晶
質成分の多い非晶質層が30ｎｍ以下と薄く、また、金属
酸化物誘電体の結晶状態の変化量が小さいので、耐電圧
特性、Ｑ特性に優れたコンデンサを作製することができ
ない。200,000以上では金属酸化物誘電体がアブレーシ
ョンし、健全なコンデンサを製造することができない。
また、ショット数はレーザの繰り返し周波数と照射時間
との積で表せるものであるので、ショット数の増加は作
業工数の増加につながるので、製品コストが高くなると
いう問題が生じる。

【００２３】（実施例２）本発明のアルミノ珪酸塩ガラ
ス基板、ポリイミド有機樹脂基板を用いて作製したコン
デンサと比較例のSi基板を用いて作製したコンデンサの
Q値特性を評価した。本発明の実施例2のコンデンサは実
施例1と同様の手法で作成した。比較例のコンデンサはS
i基板を用いた以外は本発明の実施例1と同様の方法で作
製した。

【００２４】これらのコンデンサのQ値特性を図４に示
す。横軸に測定周波数を示し、縦軸にＱ値を示す。な
お、本発明のアルミノ珪酸塩ガラス基板を用いて作製し
たコンデンサのQ値も、ポリイミド有機樹脂基板を用い
て作製したコンデンサのQ値もほぼ同じ値であったの
で、ここではアルミノ珪酸塩ガラス基板の結果を用い
た。Ｑ値は比較例の9も、本発明の実施例の8も、測定周
波数の増加とともに減少するが、本実施例の8のＱ値は
比較例の9に比べ、全ての周波数域で高い。特に、0.8GH
ｚ〜2GHｚの高周波帯域でのＱ値が高い。従って、基板
にアルミノ珪酸塩ガラス及びポリイミド有機樹脂を用い
た場合は高周波帯域で、低消費電力のコンデンサを作製
することができる。

【００２５】なお、レーザ照射後のＭｇＴｉＯ_３誘電体
を本発明の実施例1と同様に、断面の層構成、結晶状
態、結晶性物質の同定、非晶質成分の多い層の厚さ、結
晶粒の大きさなどを、ＳＥＭ及び薄膜Ｘ線回折より評価
した。その結果は本発明の実施例1とほぼ同じであっ
た。また、ＩＣＰにより元素分析をした結果、非晶質成
分の多い層と結晶質成分の多い層の構成元素は同一であ
った。

【００２６】（実施例３）誘電体の組成がＭｇ_１−ＸＭ
_ＸＴｉＯ_y（ただし、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｂａのいずれ
か、もしくはそれらを組み合わせたものを示す）で、Ｘ
が０≦Ｘ≦０．１の範囲の誘電体と0.1を超える組成の
誘電体を用いて、本発明の実施例1と同様の手法で、コ
ンデンサを作製し、Q値特性を評価した。

【００２７】その結果を表1に示す。前記誘電体で、Xが
0.1以下の組成では、高いQ値を示したが、Ｘが0.2以上
の組成ではXが0.1以下の組成のものに比べ、Q値は小さ
い。本発明の１ＧＨｚでのＱ値はいずれも70以上と高い
ものである。尚、Ｍを有しないもののＱ値は110〜120で
ある。

【００２８】

【表１】

【００２９】（実施例４）図５は実施例のチップコンデ
ンサの斜視図である。10は外部電極、11は誘電体で、こ
れは非晶質成分の多い層と結晶質成分の多い層の2層か
らなる。12は内部電極である。本発明によるチップコン
デンサの作製の一実施例を図５により説明する。まず、
MgTiO₃誘電体11を印刷法により形成する。これを酸化雰
囲気中で、130℃に10時間乾燥する。その後、本発明の
実施例1と同様に、MgTiO₃誘電体を250℃に加熱しながら
誘電体の片面にKrFエキシマレーザを照射する。

【００３０】次に、誘電体のレーザ照射面にCr/Cu/Crで
構成される内部電極12を本発明の実施例1と同様の手
法、手順で、スパッタ法で形成する。次に、前記のよう
にして作製した誘電体/内部電極の2層構成の積層体を複
数枚重ね合わせ、250℃に加熱しながら加圧成形した。
最後に印刷法により外部電極10を形成し、チップコンデ
ンサを作成した。このチップコンデンサの電気特性を評
価した結果、耐電圧特性、Q値特性は良好であった。

【００３１】なお、レーザ照射後のＭｇＴｉＯ_３誘電体
を本発明の実施例1と同様に、断面の層構成、結晶状
態、結晶性物質の同定、非晶質成分の多い層の厚さ、結
晶粒の大きさなどを、ＳＥＭ及び薄膜Ｘ線回折より評価
した。その結果は本発明の実施例1とほぼ同じであっ
た。また、ＩＣＰにより元素分析をした結果、非晶質成
分の多い層と結晶質成分の多い層の構成元素は同一であ
った。

【００３２】（実施例５）図６は本実施例のＬＣフィル
タの模式断面図である。図において、13,14,13^'は下部
電極で、それぞれCr膜、Cu膜、Cr膜である。13^'',14^',1
3^'''は上部電極のCr膜、Cu膜、Cr膜である。15はポリイ
ミド有機樹脂、16、16^'はインダクタ、17、17^'は電気的
に接続する配線導体、18は薄膜導体、19はボール外部端
子である。

【００３３】図中1〜14^'で示すコンデンサを実施例1の
方法で作製した後、コンデンサとインダクタ16を電気的
に接続する配線導体17をスパッタ法で形成した。更に、
インダクタをスパッタ法で形成し、配線導体とインダク
タをポリイミド有機樹脂15に埋設した。次に、基板1に
穴を開け、薄膜導体18をスパッタ法で作成後、電気的に
接続する配線導体17^'をメッキ法で形成した。

【００３４】最後に、ボール外部端子19をSn−Ag−Cuは
んだペーストを用いて印刷法で作製した。このようにし
て作製したＬＣフィルタのＱ値を測定した結果、0.8GH
ｚ〜2ＧＨｚの高周波領域でQ値は100以上であった。な
お、レーザ照射後のＭｇＴｉＯ _３誘電体を実施例1と同
様に、断面の層構成、結晶状態、結晶性物質の同定、非
晶質成分の多い層の厚さ、結晶粒の大きさなどを、ＳＥ
Ｍ及び薄膜Ｘ線回折より評価した。その結果は実施例1
とほぼ同じであった。また、ＩＣＰによる元素分析の結
果非晶質成分の多い層と結晶質成分の多い層の構成元素
は同一であった。

【００３５】

【発明の効果】本発明によりレーザ照射後の誘電体を非
晶質成分の多い非晶質層と結晶質成分の多い結晶層との
２層構造とすることにより、１ＧＨｚ付近の高周波領域
での耐電圧特性及びＱ値特性に優れた薄膜コンデンサが
得られる効果がある。また、ガラス基板は再利用できる
ので、環境に優しい効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のコンデンサの断面模式図である。

【図２】本発明のコンデンサの電界（ＭＶ／ｃｍ）と
電流密度（A／ｃｍ^２）の関係を示す線図である。

【図３】本発明と比較例のコンデンサの測定周波数と
Ｑ値の関係を示す線図である。

【図４】本発明のチップコンデンサの斜視図である。

【図５】本発明のLCフィルタの断面図である。

【符号の説明】

1…ガラス基板または有機樹脂基板、2…下部電極、3…
誘電体の結晶質成分の多い層、4…誘電体の非晶質成分
の多い層、5…上部電極、6、6^'、6^''、6^'''…電極を構
成するＣｒ膜、7、7^'…電極を構成するＣｒ膜、8…実施
の形態の構成によるコンデンサの測定周波数に対するＱ
値特性、9…比較例の形態の構成によるコンデンサの測
定周波数に対するＱ値特性、10…外部電極、11…誘電
体、12…内部電極、13、13^'、13^''、13^'''…電極を構成
するCr膜、14、14^'…電極を構成するCu膜、15…ポリイ
ミド有機樹脂、16、16^'…インダクタ、17、17^'…電気的
に接続する配線導体、18…薄膜導体、19…ボール外部端
子。

フロントページの続き (72)発明者生田目俊秀茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者久保征治東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体グループ内 (72)発明者三輪崇夫茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内Ｆターム(参考） 5E082 AA01 DD07 FG03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に形成された下部電極上に金属酸化物
誘電体及び該誘電体上に形成された上部電極を有する薄
膜コンデンサにおいて、前記誘電体は、非晶質成分の多
い非晶質層と、結晶質成分の多い結晶質層との多層膜か
ら成り、前記非晶質層及び結晶質層が同じ組成によって
構成されていることを特徴とする薄膜コンデンサ。
【請求項２】基板に形成された下部電極上に金属酸化物
誘電体及び該誘電体上に形成された上部電極を有する薄
膜コンデンサにおいて、前記誘電体は、前記基板側に結
晶質成分の多い結晶質層と、該結晶質層上に形成された
非晶質成分の多い非晶質層との多層膜から成り、前記結
晶質層の厚さが前記非晶質層の厚さより大きいことを特
徴とする薄膜コンデンサ。
【請求項３】基板に形成された下部電極上に金属酸化物
誘電体及び該誘電体上に形成された上部電極を有する薄
膜コンデンサにおいて、前記誘電体は、Ｍｇ_１−ＸＭ_Ｘ
ＴｉＯ_y（但し、ＭはＣａ，Ｓｒ及びＢａの１種以上、
Ｘが０≦Ｘ≦０．１の範囲にある）から成ることを特徴
とする薄膜コンデンサ。
【請求項４】基板に形成された下部電極上に金属酸化物
誘電体及び該誘電体上に形成された上部電極を有する薄
膜コンデンサにおいて、周波数１ＧＨｚにおけるＱ値が
８０以上であることを特徴とする薄膜コンデンサ。
【請求項５】請求項３又は４において、前記誘電体は、
非晶質成分の多い非晶質層と、結晶質成分の多い結晶質
層との多層膜から成ることを特徴とする薄膜コンデン
サ。
【請求項６】請求項５において、前記結晶質層の厚さが
前記非晶質層の厚さより大きいことを特徴とする薄膜コ
ンデンサ。
【請求項７】請求項１〜６のいずれかにおいて、前記誘
電体がガラス基板又は有機樹脂基板上に形成されている
ことを特徴とする薄膜コンデンサ。
【請求項８】請求項１、２及び５〜７のいずれかにおい
て、前記非晶質層の厚さが30〜150ｎｍであることを特
徴とする薄膜コンデンサ。
【請求項９】請求項１、２、４〜８のいずれかにおい
て、前記誘電体は、Ｍｇ_１−ＸＭ_ＸＴｉＯ_y（但し、Ｍ
はＣａ，Ｓｒ及びＢａの１種以上、Ｘが０≦Ｘ≦０．１
の範囲にある）から成ることを特徴とする薄膜コンデン
サ。
【請求項１０】請求項１〜９のいずれかに記載のコンデ
ンサによって構成されることを特徴とするチップコンデ
ンサ。
【請求項１１】請求項1〜９のいずれかに記載のコンデ
ンサによって構成されることを特徴とするＬＣフィル
タ。
【請求項１２】基板に形成された下部電極上に金属酸化
物誘電体及び該誘電体上に上部電極を形成する薄膜コン
デンサの製造方法において、前記上部電極を形成する前
に前記誘電体にレーザ光を照射することを特徴とする薄
膜コンデンサの製造方法。
【請求項１３】基板に形成された下部電極上に金属酸化
物誘電体及び該誘電体上に上部電極を形成する薄膜コン
デンサの製造方法において、前記上部電極を形成する前
に前記誘電体にレーザ光を照射し、表面の非晶質成分の
多い非晶質層と基板側の結晶質成分の多い結晶質層との
多層構造にすることを特徴とする薄膜コンデンサの製造
方法。