JP5063680B2 - 天然ガスハイドレートの製造方法及びその装置 - Google Patents
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Description
1)所定の圧力と温度を保持した反応器内に原料ガスと原料水とを導入し、該原料ガスと原料水とを接触させて結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第1のスラリーS1を生成する第1の工程と、前記第1のスラリーS1を分離器に導入して粗粒の結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第2のスラリーS2と微粒の結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第3のスラリーS3とを生成する第2の工程と、前記第3のスラリーS3を前記反応器に導入する第3の工程とよりなることを特徴とする。
2)所定の圧力と温度を保持した反応器内に原料ガスと原料水とを導入し、該原料ガスと原料水とを接触させて結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第1のスラリーS1を生成する第1の工程と、前記第1のスラリーS1を分離器に導入して粗粒の結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第2のスラリーS2と微粒の結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第3のスラリーS3とを生成する第2の工程と、前記第3のスラリーS3に含まれる微粒の結晶体の天然ガスハイドレートの少なくとも一部を原料ガスと原料水とに分解して前記反応器に導入する第3の工程とよりなることを特徴とする。
3)所定の圧力と温度を保持した第1の反応器内に原料ガスと原料水とを導入し、該原料ガスと原料水とを接触させて結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第1のスラリーS1を生成する第1の工程と、前記第1のスラリーS1を分離器に導入して粗粒の結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第2のスラリーS2と微粒の結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第3のスラリーS3とを生成する第2の工程と、前記第3のスラリーS3を原料ガスが導入される第2の反応器に導入して微粒の結晶体の天然ガスハイドレートの粒径を増大させて粗粒の結晶体を含有する第4のスラリーS4を生成する第3の工程とよりなることを特徴とする。
4)第3のスラリーS3を加熱または減圧して微粒の結晶体の天然ガスハイドレートの少なくとも一部を原料ガスと原料水とに分解することを特徴とする。
5)所定の圧力と温度を保持した本体内に原料ガスと原料水とを導入して結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第1のスラリーS1を生成する反応器と、前記第1のスラリーS1を導入して粗粒の結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第2のスラリーS2と微粒の結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第3のスラリーS3とに分離する分離器とよりなり、前記第3のスラリーS3と未反応水とを前記反応器に導入することを特徴とする。
6)所定の圧力と温度を保持した本体内に原料ガスと原料水とを導入して結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第1のスラリーS1を生成する反応器と、前記第1のスラリーS1を導入して粗粒の結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第2のスラリーS2と微粒の結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第3のスラリーS3とを生成する分離器と、前記第3のスラリーS3に含くまれる微粒の結晶体の天然ガスハイドレートの少なくとも一部を原料ガスと原料水とに分解する分解手段とよりなり、前記分解手段により生成した原料ガスと原料水と未反応水とを前記反応器に導入するように構成したことを特徴とする。
7)所定の圧力と温度を保持した本体内に原料ガスと原料水とを導入し結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第1のスラリーS1を生成する第1の反応器と、前記第1のスラリーS1を粗粒の結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第2のスラリーS2と微粒の結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第3のスラリーS3とに分離する分離器と、前記第3のスラリーS3を導入して微粒の結晶体の天然ガスハイドレートを成長させて粗粒の結晶体の天然ガスハイドレートを含有する第4のスラリーS4とする第2の反応器とよりなり、未反応水を前記第1の反応器に導入するように構成したことを特徴とする。
8)第3のスラリーS3に含まれる微粒の結晶体の天然ガスハイドレートの少なくとも一部を原料ガスと原料水とに分解する分解手段が、加熱装置または減圧装置の何れか一方で構成されていることを特徴とする。
B1,B2 ブロワ
h ガスハイドレート
h1 粗粒の結晶体のガスハイドレート
h2 微粒の結晶体のガスハイドレート
S1 第1のスラリー
S2 第2のスラリー
S3 第3のスラリー
S4 第4のスラリー
1 ガスハイドレート製造装置
2 反応器
3 分離器
4 脱水塔
5 ガス噴出管
6 駆動機
7 攪拌翼
9 ガス供給ライン
10 水供給ライン
11 ガス層
12、25 ガスライン
13 水層
14、15、24、26 スラリーライン
16、21 水戻しライン
17 スラリー戻しライン
18 加熱器
19 気液分離器
20 ガス戻しライン
22 第1の反応器
23 第2の反応器
Claims (8)
- 所定の圧力と温度を保持した反応器内に原料ガスと原料水とを導入し、該原料ガスと原料水とを接触させて結晶体のガスハイドレートを含有する第1のスラリー(S1)を生成する第1の工程と、
前記第1のスラリー(S1)を分離器に導入して粗粒の結晶体のガスハイドレートを含有する第2のスラリー(S2)と微粒の結晶体のガスハイドレートを含有する第3のスラリー(S3)とを生成する第2の工程と、
前記第3のスラリー(S3)を前記反応器に導入する第3の工程とよりなることを特徴とするガスハイドレートの製造方法。 - 所定の圧力と温度を保持した反応器内に原料ガスと原料水とを導入し、該原料ガスと原料水とを接触させて結晶体のガスハイドレートを含有する第1のスラリー(S1)を生成する第1の工程と、
前記第1のスラリー(S1)を分離器に導入して粗粒の結晶体のガスハイドレートを含有する第2のスラリー(S2)と微粒の結晶体のガスハイドレートを含有する第3のスラリー(S3)とを生成する第2の工程と、
前記第3のスラリー(S3)に含まれる微粒の結晶体のガスハイドレートの少なくとも一部を原料ガスと原料水とに分解して前記反応器に導入する第3の工程とよりなることを特徴とするガスハイドレートの製造方法。 - 所定の圧力と温度を保持した第1の反応器内に原料ガスと原料水とを導入し、該原料ガスと原料水とを接触させて結晶体のガスハイドレートを含有する第1のスラリー(S1)を生成する第1の工程と、
前記第1のスラリー(S1)を分離器に導入して粗粒の結晶体のガスハイドレートを含有する第2のスラリー(S2)と微粒の結晶体のガスハイドレートを含有する第3のスラリー(S3)とを生成する第2の工程と、
前記第3のスラリー(S3)を原料ガスが導入される第2の反応器に導入して微粒の結晶体のガスハイドレートの粒径を増大させて粗粒の結晶体を含有する第4のスラリー(S4)を生成する第3の工程とよりなることを特徴とするガスハイドレートの製造方法。 - 第3のスラリー(S3)を加熱または減圧して微粒の結晶体のガスハイドレートの少なくとも一部を原料ガスと原料水とに分解することを特徴とする請求項2に記載のガスハイドレートの製造方法。
- 所定の圧力と温度を保持した本体内に原料ガスと原料水とを導入して結晶体のガスハイドレートを含有する第1のスラリー(S1)を生成する反応器と、
前記第1のスラリー(S1)を導入して粗粒の結晶体のガスハイドレートを含有する第2のスラリー(S2)と微粒の結晶体のガスハイドレートを含有する第3のスラリー(S3)とに分離する分離器とよりなり、
前記第3のスラリー(S3)と未反応水とを前記反応器に導入することを特徴とするガスハイドレートの製造装置。 - 所定の圧力と温度を保持した本体内に原料ガスと原料水とを導入して結晶体のガスハイドレートを含有する第1のスラリー(S1)を生成する反応器と、
前記第1のスラリー(S1)を導入して粗粒の結晶体のガスハイドレートを含有する第2のスラリー(S2)と微粒の結晶体のガスハイドレートを含有する第3のスラリー(S3)とを生成する分離器と、
前記第3のスラリー(S3)に含くまれる微粒の結晶体のガスハイドレートの少なくとも一部を原料ガスと原料水とに分解する分解手段とよりなり、
前記分解手段により生成した原料ガスと原料水と未反応水とを前記反応器に導入することを特徴とするガスハイドレートの製造装置。 - 所定の圧力と温度を保持した本体内に原料ガスと原料水とを導入し結晶体のガスハイドレートを含有する第1のスラリー(S1)を生成する第1の反応器と、
前記第1のスラリー(S1)を粗粒の結晶体のガスハイドレートを含有する第2のスラリー(S2)と微粒の結晶体のガスハイドレートを含有する第3のスラリー(S3)とに分離する分離器と、
前記第3のスラリー(S3)を導入して微粒の結晶体のガスハイドレートを成長させて粗粒の結晶体のガスハイドレートを含有する第4のスラリー(S4)とする第2の反応器とよりなり、
未反応水を前記第1の反応器に導入することを特徴とするガスハイドレートの製造装置。 - 第3のスラリー(S3)に含まれる微粒の結晶体のガスハイドレートの少なくとも一部を原料ガスと原料水とに分解する分解手段が、加熱装置または減圧装置の何れか一方で構成されてなる請求項6記載のガスハイドレートの製造装置。
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