JP5063535B2 - プラズマ処理方法 - Google Patents
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- 半導体基板上の積層化された薄膜と、前記積層化された薄膜上にフリージング法を用いたダブルパターンニング技術により形成されたフォトレジストマスクと、を有する被処理材をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
酸素(O 2 )ガス単体、または、酸素(O 2 )ガスと臭化水素(HBr)ガスとを含んだ混合ガス、または、酸素(O 2 )ガスと臭化水素(HBr)ガスと窒素(N 2 )ガスとを含んだ混合ガス、のいずれかのガスをエッチングガスとして用いることにより、
フリージング材料に被覆された前記フォトレジストマスクと前記フリージング材料に被覆されていないフォトレジストマスクとのトリミングレートを同じにする第一のトリミング工程を有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1記載のプラズマ処理方法において、
前記ガスが酸素(O 2 )ガスと臭化水素(HBr)ガスとを含んだ混合ガス、または、酸素(O 2 )ガスと臭化水素(HBr)ガスと窒素(N 2 )ガスとを含んだ混合ガス、のいずれかである場合、その酸素(O 2 )ガスのガス流量が全混合ガス流量の10%以上であることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1または請求項2のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法において、
さらに、前記第一のトリミング工程によって前記フリージング材料に被覆されたフォトレジストマスクの前記フリージング材料を除去した後、酸素(O 2 )ガスを含む混合ガスを用いてトリミングを行う第二のトリミング工程を有することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項1または請求項2のいずれか1項に記載のプラズマ処理方法において、
さらに、前記薄膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング工程を有し、
前記第一のトリミング工程の被処理材の処理温度と前記プラズマエッチング工程の被処理材の処理温度が異なることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 半導体基板上の積層化された薄膜と、前記積層化された薄膜上にフリージング法を用いたダブルパターンニング技術により形成されたフォトレジストマスクとを有する被処理材をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
フリージング材料に被覆されたフォトレジストマスクパターンをマスクとしてエッチング処理されたパターン寸法と前記フリージング材料に被覆されていないフォトレジストマスクパターンをマスクとしてエッチング処理されたパターン寸法とが同じパターン寸法となるようなトリミング処理は、酸素(O 2 )ガス単体、または、酸素(O 2 )ガスと臭化水素(HBr)ガスとを含んだ混合ガス、または、酸素(O 2 )ガスと臭化水素(HBr)ガスと窒素(N 2 )ガスとを含んだ混合ガス、のいずれかのガスをエッチングガスとして用いることにより行われることを特徴とするプラズマ処理方法。 - 請求項5記載のプラズマ処理方法において、
前記ガスが酸素(O 2 )ガスと臭化水素(HBr)ガスとを含んだ混合ガス、または、酸素(O 2 )ガスと臭化水素(HBr)ガスと窒素(N 2 )ガスとを含んだ混合ガス、のいずれかである場合、その酸素(O 2 )ガスのガス流量が全混合ガス流量の10%以上であることを特徴とするプラズマ処理方法。
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