JP5063143B2 - アーク式蒸発源 - Google Patents
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Description
アーク式蒸発源は、磁石やコイルによって形成される磁場を利用し、アーク放電によるアークスポットがカソード前方の蒸発面に来るように制御している。しかしながら、偶発的にアークスポットがカソード蒸発面から外れた場所に移行することがある。
又、カソードの周囲に強磁性体からなるカソードシールドを設ける技術が開示されている(特許文献3の第1図)。
また、アーク放電電流が大きい場合や、カソードとして炭素系若しくはCr系高融点材料を使用した場合、カソードから溶融した高温の微小粒子(ドロップレット)が飛散することがある。ドロップレットはプラズマ中を通過する際に電子が付着して負の電荷を帯びるが、質量が比較的大きいため実質的に磁場の影響を受けずに運動し、先細リング表面に到達することがある。この時、ドロップレットは高温で負に帯電しているため、先細リング表面で瞬間的に温度が上昇し、帯電した電子が先細リング側に放電し、アーク放電を開始する際に使用するトリガーと同じ働きをする場合がある。この場合、アーク放電が不連続に場所を変えて運動する現象を生じ、先細リングを設けても、ドロップレットが先細リングを越えてカソードと同電位の任意の場所に飛散し、アーク放電を移行させてしまう。その結果、カソード構成物質がカソードの側面や先細リングの表面に比較的弱い付着力で堆積した後、再び剥離及び飛散し、被膜の表面に付着して膜厚過小部を形成したり、被膜中に取り込まれて被膜表面の平滑性や被膜強度を低下させることがある。さらに、剥離、飛散した堆積物が成膜装置の構成部品に付着して種々の問題を生じる可能性がある。
特許文献3には、カソードの周囲に、強磁性体によって構成されたカソードシールドを設けたものが示されている。又、この文献には、カソードシールド表面にカソードと同じ材質の被覆材を被覆することが記載されているが、これはカソードシールドにアーク放電が移行して部分的に溶融・蒸発することを防止するためである。しかしながら、この技術の場合、カソードシールドがカソード面と平行であるために移行したアーク放電により被覆材が消耗し、定期的に部品交換や再被覆のための工数や費用が必要となるため、成膜コストの増加を招く問題がある。
以下に、本発明の好ましい実施の形態を、添付図面を参照しながら具体的に説明する。図1は本発明のアーク式蒸発源の第1の実施形態の一例を示す断面図である。
アーク式蒸発源101は、真空チャンバ11(図では、一部の容器壁のみ記載)の開口部に設置され、全体としてアーク式蒸着装置を構成している。アーク式蒸発源101は、磁場形成機構(コイル)42、円柱状のカソード22を支持する棒状の支持機構26、カソード送出機構(ステッピングモータ)67、カソードを冷却する冷却機構61、強磁性体から成るテーパ−リング64を含む。リング状のコイル42は、コイル42よりやや大きいリング状のコイル収納容器46に収容されており、コイル収納容器46は後述するように中間電位電極としても作用する。
冷媒49は、カソード22及びテーパ−リング64に直接接触してこれらを冷却する。カソード22及びテーパ−リング64を冷却すると、これらの温度を一定に保つことが可能となり、成膜速度が一定に維持され、被膜の膜厚再現性が向上する。特に、冷媒49がカソード22及びテーパ−リング64に直接接触すると、上記した効果がより一層発揮される。
支持機構26の他端はカソード送出機構67に取り付けられ、カソード送出機構67の進退に応じて、支持機構26及びカソード22が冷却機構61内を軸方向に進退する。
又、冷媒49の漏れを防止するため、支持機構26と冷却機構61の中心孔との間の摺動部分、冷却機構61の開口端とテーパ−リング64の底面との接合部分、及びカソード22とテーパ−リング64の貫通孔との間の摺動部分には、それぞれOリング51、53,55が介装されている。
テーパーリングカバー65は常磁性体のSUS304から成るが、常磁性体の金属又は合金であればいずれのものも使用できる。又、テーパーリング64とテーパーリングカバー65とを取付ける絶縁体としては、アルミナ、窒化ケイ素、ジルコニアなど絶縁特性の高いセラミックスを用いることができる。
但し、テーパーリングカバー65がカソード22より前方に位置すると蒸発物質のカバーへの堆積及び剥離の問題もあるため、テーパーリング64、カバー65はいずれもカソード蒸発面22aより後方にある。
なお、長期使用に伴ってカソードは消耗し、蒸発面22aが真空チャンバの外側方向へ後退するので、その分を見越してカソード送出機構67を用いてカソード22を前方に送出し、蒸発を安定させ、成膜速度や品質を一定に保つことが好ましい。但し、成膜処理時間が短い場合や、放電電流が小さくてカソードの消耗速度が遅い場合には、カソード送出機構を備えていなくても、成膜処理時においてカソード蒸発面22aをテーパーリング64の先端より前方に位置させることが可能である。
そして、冷却機構61のフランジ部61aに絶縁リング63を外嵌し、絶縁リング63をフランジ部61aとコイル収納容器46の内壁の端縁との間に介装した状態で、上記した冷却機構61を含むアッセンブリ(カソード22、支持機構26、テーパ−リング64、テーパーリングカバー65及びカソード送出機構67を組み込んだもの)を、冷却機構61の軸方向がコイル収納容器46の軸方向に沿うようにしてコイル収納容器46の内部に収容し、アーク式蒸発源101を設置することができる。
なお、絶縁リング48、63は絶縁及び真空シールとして機能する。
一方、コイル42は励磁電源44に接続され、コイル収納容器46の軸方向(=カソード22の中心軸Ax)に平行な磁界を発生し、アークスポットをカソード蒸発面22aに移行させる。
さらに、磁場形成機構の軸心と、カソードの軸心とは同軸であっても異なっていてもよいが、形成される磁場の対称性等の点から、両者の軸心が同軸であることが好ましい。
本発明において強磁性のテーパ−リングを用いることによる作用について説明する。ここで、強磁性体でなく単に導電性(常磁性)のテーパ−リングを用いた場合の作用は図5で説明したとおりであり、上記した特許文献1にその作用が記載されている。
しかしながら、常磁性のテーパ−リングを用いると、カソード蒸発面から外れたアークスポットが先細リングの円錐状斜面へ移行した場合に、斜面(特にカソード蒸発面に近い斜面先端)がアーク放電によって蒸発して消耗することは既に述べたとおりである。そして、先細リングの斜面が消耗すると、斜面と磁力線とのなす角が鋭角でなくなり、アークスポットをカソード蒸発面に戻す効果が低下するため、リングの定期的な交換が必要になる。
強磁性体材料をキュリー点より十分低い温度で磁場中に配置すると、常磁性体材料と異なり、磁場と強く相互作用して磁力線を引きつける特性を有することが知られている。又、強磁性体材料が磁力線方向に鋭角な先端を有する場合には、その先端部における磁束密度が大きくなる。本発明はこれらの特性を利用し、図2に示すようにして磁力線の方向を変える。
一方、従来の技術(特許文献1)の場合、図5に示したように磁力線M‘とテーパーリング表面との前方でなす鋭角αにより、アークスポットがカソード面と磁力線とのなす鋭角方向に進む特性を利用してアークスポットを蒸発面に戻している。一方、テーパーリングのうちカソード外周に隣接する(カソード外周に最も近い)部分に着目すると、上記従来技術の場合、カソードの軸に平行な磁力線M’とカソード外周近傍部分とは基本的に角度を形成しない。このため、この部分ではアークスポットをカソード蒸発面に戻す作用は働かず、アークスポットが鋭角方向に進む特性に寄与する部分は、常磁性体性のテーパーリングの斜面と磁力線M’が前方側に形成する鋭角αのみとなる。
以上述べた相乗効果でアークスポットを蒸発面に戻す効果をより一層向上させる。つまり、カソード蒸発面22a側に押し戻す力が従来の常磁性体のリングを用いた場合より強く働きアークスポットをテーパーリングに到達する前にカソード蒸発面に押し戻す効果がより強くなる。この力はテーパーリング64の先端に近づくほど磁束密度が増加するために強くなる。
なお、これらの効果はアーク放電を行う真空容器の真空度に影響されることがなく、キャリアガスを導入しない雰囲気下におけるアーク放電であっても、ガスを導入した場合と同様の効果を得ることが可能である。
実施形態1においてテーパ−リングカバー65を用いることによる作用は以下のようになる。すなわち、図2に示すように、高温で負に帯電したドロップレット16が飛散し、テーパ−リング64の円錐面(斜面)近傍に到達しても、円錐面をテーパ−リングカバー65が覆っているために、ドロップレット16はテーパ−リングカバー65表面に付着する。ところが、テーパ−リングカバー65は周囲から絶縁されているため、ドロップレット表面に付着している電子は放電することがなく、アーク放電開始のトリガーとして機能することができない。
又、仮に、カソード構成物質がテーパーリングカバー65表面を被覆したとしても、テーパーリング64とテーパ−リングカバー65との電気的絶縁性は低下しないため、長期にわたりテーパ−リングカバー65の機能を維持することが可能となる。
さらに、テーパーリング64と隙間を生じてテーパ−リングカバー65が存在するため、アーク放電によって形成された高温プラズマから熱がテーパーリング64へ流入することを抑制し、強磁性体から成るテーパーリング64の透磁率の低下を防止できる。
図3は本発明のアーク式蒸発源の第2の実施形態を示す断面図である。
図3において、磁場形成機構として、コイル42の代わりに円筒形電磁石81を用い、テーパ−リングカバーを用いなかったこと以外は第1の実施形態と同様であるので、同一部分の構成については同一符号を付してその説明を省略する。
但し、第2の実施形態の場合、コイル42を用いないためにコイル収納容器46がなく、そのままでは真空チャンバ11の開口にアーク式蒸発源103を取付けられない。そこで、コイル収納容器46と外径及び内径が同一のリング状の取付け板(中間電位電極)85を用い、この取付け板85の外縁及び内縁にそれぞれ絶縁リング48、63を嵌めることで、第1の実施形態と同様な設置を行えるようにしている。
又、第2の実施形態の場合、コイル42がないため、励磁電源44が不用である。
また、円筒型磁石81の外周および/または後方に図示しない磁石を追加することによって磁場強度を調節してもよい。そして、円筒型磁石は脱着が容易になるように2以上に分割できる構造であってもよく、小型の円柱型や角柱型の棒磁石を周状に配置して全体が円筒状の磁石群となるようにしてもよい。
図4は本発明のアーク式蒸発源の第3の実施形態を示す断面図である。
図4において、磁場形成機構として、円筒形電磁石81の代わりにコイル93を用い、テーパ−リング64の円錐面の表面に絶縁体66が被覆されていること以外は第2の実施形態と同様であるので、同一部分の構成については同一符号を付してその説明を省略する。
なお、コイル93を用いることに伴い、励磁電源91が設けられている。
テーパ−リングの円錐面の表面に絶縁体を被覆する効果は、テーパ−リングカバーを用いた第1の実施形態で説明した通りである。
上記強磁性体としては、鉄、ニッケル、コバルト、及びこれらを主成分とする合金を用いるのが好ましい。金属材料は比較的熱伝導度が高く、テーパーリングを冷却するのに効果的である。
なお、磁場強度は、コイル93に流す電流を変えることによって調整することができる。
さらに、テーパーリングの円錐面に絶縁体を被覆したり、テーパーリングカバーを設けることによって、アーク放電によって形成された高温のプラズマにテーパーリングが接して温度上昇することを抑制し、テーパーリングの透磁率低下を抑制できるので、アーク放電の移行を抑制する効果が大幅に向上する。
以下に、実施例によって本発明を更に具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
この蒸発源101をアーク式イオンプレーティング成膜装置に設置して窒化クロム被膜の成膜を行った。被成膜基材として、表面粗さ(算術平均粗さRa)0.02μm以下に研磨した高速度工具鋼(SKH材)を用いた。
イオンボンバード処理工程に続いて、成膜工程を実施した。真空容器内へ窒素ガスを導入し、真空容器内を2.6Paに維持した。そして、カソードにアーク電流100Aを流し、アーク放電を行うと同時に、被成膜基材に直流電圧(−20V)を印加した。この状態を維持し、60分間成膜を行った。
この工程を被成膜基材の交換を行いながら20回繰り返し実施し、20回目に成膜された被成膜基材について膜質の評価およびテーパーリング64表面におけるアーク放電の痕跡の観察を実施した。なお、成膜装置およびアーク式蒸発源101のメンテナンスは、20回の成膜実施中、アーク式蒸発源に設けられたカソード22の交換以外には実施しなかった。
但し、成膜工程における導入ガスをArガスに替えると共に真空容器内圧力を0.02Paに変え、被成膜基材に印加する直流電圧を−100Vに変えた。
但し、成膜工程においてArガスは導入しなかった。
但し、テーパーリングカバー65を用いず、テーパーリング64の円錐面の表面に絶縁体として厚さ1.5mmの窒化珪素製タイルをアルミナ製ネジで係止したものを用いた。
又、成膜工程においてArガスは導入しなかった。
テーパーリング64の材質を常磁性のCr(純度99.9%)に変えたこと以外は実施例2とまったく同様にして成膜を行い、評価を実施した。
テーパーリング64の材質を常磁性の炭素(グラファイト;純度99.9%)に変えたこと以外は実施例2とまったく同様にして成膜を行い、評価を実施した。
被成膜物表面に形成された窒化クロム被膜および硬質炭素被膜について、下記に示す評価を実施した。
1.表面粗さ(十点平均粗さ):Rz(JIS−B0601)
触針式粗さ計を使用し、被膜表面の表面粗さRzの測定をJIS−B0601に従って行った。計測位置を変えて5回実施し、その平均値で評価した。
被膜表面のそれぞれ0.5mm×0.5mm角の領域を任意に5箇所選び、レーザー干渉式の三次元形状測定装置(オリンパス社製レーザー顕微鏡OLI1100)を用いて表面形状を観察した。得られたプロファイルにおいて、大きさ(最大長さ部)が0.05mm以上の膜厚過小部や膜厚過大部の総数を集計した。ここで,膜厚過小部(膜厚過大部)とは、平均膜厚に対して20%を越える段差が形成された領域のことを指す。大きさ0.05mm以上の膜厚過少部や膜厚過大部が生じると、これを起点として剥離が発生する懸念が大きくなったり、相手材攻撃性が増し、相手材の摩耗が進行する懸念が増加する。
なお、平均膜厚は、被膜表面の任意の10ヶ所について、球面研磨法(ボール研磨法)により膜厚を測定し、その平均値を平均膜厚とする。上記膜厚過小部や膜厚過大部は、その他の部分(平均膜厚部)とは明確な段差を有しているため、表面形状のプロファイルで確認することができる。
3.テーパーリング表面のアーク放電の痕跡観察
目視でテーパーリング表面を観察し、アーク放電の痕跡の有無を調査した。
上記の評価結果をそれぞれ表1に示す。
特に、テーパーリングの前方にテーパーリングカバーを設けた実施例1及び実施例4、並びにテーパーリングの円錐面の表面を絶縁物で被覆した実施例3及び実施例6の場合、テーパーリング円錐面へのアーク移行が全く認められなかった。
又、実施例2および実施例5の場合、テーパーリングの円錐面にアーク放電の痕跡が数箇所認められたが、この箇所は比較例1,2に比べて大幅に減少した。
また、各比較例において、テーパーリングの円錐面、特にテーパーリングの先端部の全周にわたってアーク放電が一時的に移行した痕跡が確認できた。さらに、テーパーリングの先端部から離れた円錐面でもアーク痕が多数認められた。後者のアーク痕は、テーパーリング先端部のアーク痕とつながっておらず、両者は別々に移行したものであることが確認された。
15 アークスポット
16 ドロップレット
17 カソード構成物質の流れ
19 アーク放電電流電源
22 カソード
26 支持機構
42、81、93 磁場形成機構(コイル、円筒型磁石)
61、99 冷却機構
64 テーパーリング
64a テーパ−リング64の円錐状斜面の先端
65 テーパーリングカバー
66 絶縁体被覆
67 カソード送出機構
101、103,105 アーク式蒸発源
M 磁力線
Ax カソード中心軸
Claims (5)
- 磁場によって制御されるアーク放電によってカソードのカソード物質を蒸発させるアーク式蒸発源であって、前記カソードと、前記カソード先端の蒸発面付近にカソード中心軸に平行な方向の磁場を形成し、かつ前記カソードの外側に配置される磁場形成機構と、前記カソードを支持する支持機構と、前記カソードを冷却する冷却機構と、円錐台状をなしその軸方向に前記カソードを貫通させる貫通孔を有し、かつ前記カソードの蒸発面に向かって先細になるよう配置されるテーパーリングとを備え、
前記テーパーリングは強磁性体から成り、使用時に前記テーパーリングの先端が前記カソードの蒸発面と面一又は前記蒸発面より後方に位置することを特徴とするアーク式蒸発源。 - 前記テーパーリングの円錐面の表面に絶縁体を備えたことを特徴とする請求項1記載のアーク式蒸発源。
- 前記テーパーリングの円錐面より前方に、前記カソードをその軸方向に貫通させる貫通孔を有する常磁性体の金属又は合金からなり、かつ周囲と電気的に絶縁されたリング状のカバーを備えたことを特徴とする請求項1記載のアーク式蒸発源。
- 前記磁場形成機構は、コイル、軸方向に磁極を有する円筒型の永久磁石、又は鉄心とコイルとを有する電磁石のいずれかにより構成されたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のアーク式蒸発源。
- 前記カソードをその軸方向に進退させるカソード送出機構をさらに備えたことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のアーク式蒸発源。
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