JP5061466B2 - ハイドロキノン骨格を有する含フッ素液晶化合物の製造方法 - Google Patents
ハイドロキノン骨格を有する含フッ素液晶化合物の製造方法 Download PDFInfo
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すなわち、一般式(1)
A1は、
(a) トランス-1,4-シクロへキシレン基(この基中に存在する1個のCH2基又は隣接していない2個以上のCH2基は -O- 及び又は -S- に置き換えられてもよい)
(b) 1,4-フェニレン基(この基中に存在する1個のCH2基又は隣接していない2個以上のCH2基は -N- に置き換えられてもよい)
(c) 1,4-シクロヘキセニレン、1,4-ビシクロ(2.2.2)オクチレン、ピペリジン-1,4-ジイル、ナフタレン-2,6-ジイル、デカヒドロナフタレン-2,6-ジイル及び1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル
からなる群より選ばれる基であり、上記の基(a)、基(b)、基(c)はCN又はハロゲンで置換されていても良く、aは0又は1であり、さらにR1-A1-は以下の構造、
Z1は-COO-、-OCO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-、-(CH2)4-、-CH=CH-CH2CH2-、-CH2CH2-CH=CH- 又は単結合を表し、
Xは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホネート、メタンスルホネート、p-トルエンスルホネート、ホウ酸、三フッ化ホウ素、ジアルキルホウ素、トリアルキルシラン、モノ及びジアルコキシシラン、モノ及びジフルオロシランを表し、L1、L2、L3及びL4はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表すが、L1、L2、L3又はL4の少なくとも一つはフッ素原子を表す)で表される化合物に、一般式(2)
で表されるアルコールを反応させることを特徴とする一般式(3)
一般式(1)においてR1は炭素数1〜12のアルキル基、炭素数2〜15のアルケニル基
又は炭素数1〜12のアルコキシル基を表すことが好ましく、具体的には
−CH3、−CH2CH3、−(CH2)2CH3、−(CH2)3CH3、−(CH2)4CH3、−(CH2)5CH3、−(CH2)6CH3、−(CH2)7CH3、−CH=CH2、−CH=CHCH3(E体)、−(CH2)2CH=CH2、−(CH2)2CH=CHCH3(E体)、−(CH2)4CH=CH2、−(CH2)4CH=CHCH3(E体)、−OCH3、−OCH2CH3、−O(CH2)2CH3、−O(CH2)3CH3又は−O(CH2)4CH3を表すことが好ましい。A1はトランス-1,4-シクロへキシレン基が特に好ましく、Z2は-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-、-(CH2)4-、-CH=CH-CH2CH2-、-CH2CH2-CH=CH- が好ましい。Xは塩素、臭素及びヨウ素が好ましいが、特にヨウ素が好ましい。
一般式(1)に示す化合物は、一般式(4)で表されるアルコキシベンゼン誘導体
−CH3、−CH2CH3、−(CH2)2CH3、−(CH2)3CH3、−(CH2)4CH3、−(CH2)5CH3、−(CH2)6CH3、−(CH2)7CH3、−CH=CH2、−CH=CHCH3(E体)、−(CH2)2CH=CH2、−(CH2)2CH=CHCH3(E体)、−(CH2)4CH=CH2、−(CH2)4CH=CHCH3(E体)、−OCH3、−OCH2CH3、−O(CH2)2CH3、−O(CH2)3CH3又は−O(CH2)4CH3を表すことが好ましい。 一般式(1)及び一般式(2)の縮合は種々の条件下に行うことが可能であるが、塩基性条件下に実施することが好ましい。又、金属存在下に反応を行うことが好ましく、遷移金属存在下に反応を行うことがより好ましい。用いる遷移金属としては、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)、酢酸パラジウム(II)、塩化パラジウム(II)、パラジウムジアセトナイト(II)、塩化ニッケル(II)、ヨウ化銅(I)、塩化銅(I)、酢酸銅(II)、酸化銅(II)等を用いることができるが、ヨウ化銅(I)、塩化銅(I)及び酢酸銅(II)が好ましい。
(参考例) 2,3-ジフルオロ-4-(トランス‐4-ビニルシクロヘキシルメチルオキシ)ヨードベンゼンの合成
(実施例)2,3-ジフルオロ-1-(3-ブテノキシ)-4-(トランス、トランス-4-ビニルビシクロヘキシル‐4‐イル)メトキシベンゼンの合成。
シリカゲルカラムクロマトグラフィー及び再結晶にて精製し、2,3-ジフルオロ-1-(3-ブテノキシ)-4-(トランス、トランス-4-ビニルビシクロヘキシル‐4‐イル)メトキシベンゼン(109 g)を白色粉末として得た。
相転移温度 C 64.5 N 119.5 I
MS m/z : 404 (M+), 55 (100)
1H-NMR (400 MHz, CDCl3)
δ: 0.95-1.15 (m, 10H), 1.65-2.00 (m, 10H), 2.50 2.60 (m, 2H), 3.76 (d, J = 6.4 Hz, 2 H), 4.03 (t, J = 6.8 Hz, 2 H), 4.80 5.30 (m, 4 H), 5.79 (ddd, J = 17.2 Hz, J = 10.4 Hz, J = 6.4 Hz, 1 H), 5.83 5.95 (m, 1 H), 6.55 6.70 (m, 2 H).
Claims (4)
- 一般式(1)
A1は、
(a) トランス-1,4-シクロへキシレン基(この基中に存在する1個のCH2基又は隣接していない2個以上のCH2基は -O- 及び又は -S- に置き換えられてもよい)
(b) 1,4-フェニレン基(この基中に存在する1個のCH基又は隣接していない2個以上のCH2基は -N- に置き換えられてもよい)
(c) 1,4-シクロヘキセニレン、1,4-ビシクロ(2.2.2)オクチレン、ピペリジン-1,4-ジイル、ナフタレン-2,6-ジイル、デカヒドロナフタレン-2,6-ジイル及び1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル
からなる群より選ばれる基であり、上記の基(a)、基(b)、基(c)はCN又はハロゲンで置換されていても良く、aは0又は1であり、さらにR1-A1-は以下の構造、
Z1は-COO-、-OCO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-、-(CH2)4-、-CH=CH-CH2CH2-、-CH2CH2-CH=CH- 又は単結合を表し、
Xは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホネート、メタンスルホネート、p-トルエンスルホネート、ホウ酸、三フッ化ホウ素、ジアルキルホウ素、トリアルキルシラン、モノ及びジアルコキシシラン、モノ及びジフルオロシランを表し、L1、L2、L3及びL4はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表すが、L1、L2、L3又はL4の少なくとも一つはフッ素原子を表す)で表される化合物に、塩基性条件下に遷移金属存在下で、一般式(2)
で表されるアルコールを反応させ、該塩基がリン酸カリウム、フッ化セシウム又は炭酸セシウム、該遷移金属がヨウ化銅(I)、塩化銅(I)又は酢酸銅(II)であることを特徴とする一般式(3)
- 一般式(1−2)又は(1−3)
で表されるアルコールを反応させ、該塩基がリン酸カリウム、フッ化セシウム又は炭酸セシウム、該遷移金属がヨウ化銅(I)、塩化銅(I)又は酢酸銅(II)であることを特徴とする一般式(3−2)又は(3−3)
- 該塩基が炭酸セシウムであり、該遷移金属がヨウ化銅(I)である請求項1又は2記載の製造方法。
- L1及びL2がフッ素原子である請求項1、2又は3記載の製造方法。
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