JP5048872B2 - 投影露光方法、投影露光装置、レーザ放射線源、及びレーザ放射線源用の帯域幅狭化モジュール - Google Patents
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- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 63
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 45
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 35
- 230000004075 alteration Effects 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 10
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 6
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 238000000342 Monte Carlo simulation Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000012306 spectroscopic technique Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70583—Speckle reduction, e.g. coherence control or amplitude/wavefront splitting
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- G02B27/48—Laser speckle optics
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
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に基づくと、この場合に対応する全ての関連においてdλとdωとは比例し(da|dω|≪ω)、従って、角周波数と波長とは完全に均等な表記である。更に、以下では、レーザ線は、角周波数ω=0にその中心を有すると仮定し、これは、そうしないと以下に示す式(1)以降においてその度にω2の代わりに(ω−ω0)2と表記しなければならなくなるからである。
τ=1/(√2π σ)
が成り立つ。特に、ガウス曲線を測定強度プロフィールに当て嵌める上で小さい偏位又は誤差、例えば、10%よりも小さく、8%よりも小さく、5%よりも小さく、又は2%よりも小さい誤差しかもたらされない場合には、スペクトル強度分布I(ω)は、ガウス曲線に実質的に対応する。
かつ、コヒーレンス時間に対しては次式が成り立つことは明らかである。
τ = 1/[√(2π)σ]
がもたらされる。従って、積又は線形状パラメータατ2は、ατ2=1/(4Π)≒0.080である。
平頂形:ατ2=1/12≒0.083
ガウス曲線:ατ2=1/(4Π)≒0.080
放物線形状:ατ2=9/125≒0.072
倍のスペックル低下を意味する。同じく、パルスストレッチャーによるパルス長の二倍化によって同じスペックル低下率を得ることができるが、この場合、伝達率が約20%だけ低下するであろう。反対に、コヒーレンス時間を短縮する目的のための帯域幅の拡大は、対物系におけるより良好な色補正のための高価な手段を必要とすると考えられる。それとは対照的に、レーザのスペクトル線形状の提案する設定は、関連の悪影響を持たない技術的手段である。
102 1次光源
103 照明系の光軸
104 ビーム拡大器
190 照明系
Claims (16)
- 投影対物系の物体面の領域に配置されたマスクのパターンの少なくとも1つの像を用いて該投影対物系の像面の領域に配置された感放射線基板を露光する投影露光方法であって、
角周波数ωに依存するスペクトル強度分布I(ω)を有し、
に従う収差パラメータαと、
に従うコヒーレンス時間τとによって更に特徴付けることができるレーザ放射線を発生させる段階と、
マスク上に誘導される照明放射線を発生させるための照明系内に前記レーザ放射線を導入する段階と、
投影対物系を用いてマスクパターンを基板上に結像する段階と、
を含み、
前記スペクトル強度分布は、線形状パラメータατ2に対して条件ατ2≦0.3が成り立つように設定される、
ことを特徴とする方法。 - 前記スペクトル強度分布は、前記線形状パラメータατ2に対して条件ατ2≦0.1が成り立つように設定されることを特徴とする請求項1に記載の投影露光方法。
- 前記スペクトル強度分布I(ω)は、半値全幅σのガウス曲線に対応し、
α=σ2/2及び
τ=1/(√2π σ)
が、前記ガウス曲線に対して成り立つ、
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の投影露光方法。 - 前記スペクトル強度分布I(ω)は、放物線形状を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の投影露光方法。
- 前記スペクトル強度分布の最大値が、260nmよりも短い波長、特に193nmの紫外範囲にあることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の投影露光方法。
- 投影対物系の物体面の領域に配置されたマスクのパターンの少なくとも1つの像を用いて該投影対物系の像面の領域に配置された感放射線基板を露光するための投影露光装置であって、
レーザ放射線を放出するための1次レーザ放射線源と、
前記レーザ放射線を受光し、かつマスク上に誘導される照明放射線を発生させるための照明系と、
投影対物系の像面の領域にマスクパターンの像を発生させるための投影対物系と、
を含み、
前記レーザ放射線源は、角周波数ωに依存するスペクトル強度分布I(ω)を有するレーザ放射線を発生させるように設計され、
前記レーザ放射線は、
に従う収差パラメータαと、
に従うコヒーレンス時間τとによって特徴付けることができ、
前記スペクトル強度分布は、線形状パラメータατ2に対して条件ατ2≦0.3が成り立つように設定される、
ことを特徴とする装置。 - 前記スペクトル強度分布は、前記線形状パラメータατ2に対して条件ατ2≦0.1が成り立つように設定されることを特徴とする請求項6に記載の投影露光装置。
- 前記スペクトル強度分布I(ω)は、半値全幅σのガウス曲線に対応し、
α=σ2/2及び
τ=1/(√2π σ)
が、前記ガウス曲線に対して成り立つ、
ことを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の投影露光装置。 - 前記スペクトル強度分布I(ω)は、放物線形状を有することを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の投影露光装置。
- 前記スペクトル強度分布の最大値が、260nmよりも短い波長、特に193nmの深紫外範囲にあることを特徴とする請求項6から請求項9のいずれか1項に記載の投影露光装置。
- 請求項7から請求項10の少なくとも1項の特徴付け部分の特徴を特徴とする請求項11に記載のレーザ放射線源。
- 前記レーザ放射線のスペクトル強度分布が実質的に反射格子のスペクトル反射率によって判断されるようなレーザ放射線源の共振器のレーザ放射線の波長選択性反射のための反射格子を含み、該反射格子の高さプロフィールが、前記条件ατ2≦0.3が成り立つ前記線形状パラメータατ2を有する該スペクトル強度分布I(ω)をもたらすように形成される帯域幅狭化モジュールを特徴とする請求項11又は請求項12に記載のレーザ放射線源。
- 請求項11から請求項13のいずれか1項に記載のレーザ放射線源のための帯域幅狭化モジュールであって、レーザ放射線のスペクトル強度分布が実質的に反射格子のスペクトル反射率によって判断されるような該レーザ放射線源の共振器のレーザ放射線の波長選択性反射のための反射格子を含み、
前記反射格子の高さプロフィールが、角周波数ωに依存するスペクトル強度分布I(ω)が前記レーザ放射線に対してもたらされるように形成され、
前記レーザ放射線は、
に従う収差パラメータαと、
に従うコヒーレンス時間τとによって特徴付けることができ、
線形状パラメータατ2に対して、条件ατ2≦0.3が成り立つ、
ことを特徴とするモジュール。 - 前記反射格子の前記高さプロフィールは、前記スペクトル強度分布I(ω)が実質的に半値全幅σのガウス曲線に対応するように設計され、
α=σ2/2及び
τ=1/(√2π σ)
が、前記ガウス曲線の場合に成り立つ、
ことを特徴とする請求項14に記載の帯域幅狭化モジュール。 - 前記反射格子の前記高さプロフィールは、前記スペクトル強度分布I(ω)が実質的に放物線形状を有するように設計されることを特徴とする請求項14に記載の帯域幅狭化モジュール。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009010560.3 | 2009-02-17 | ||
DE102009010560A DE102009010560A1 (de) | 2009-02-17 | 2009-02-17 | Projektionsbelichtungsverfahren, Projektionsbelichtungsanlage, Laserstrahlungsquelle und Bandbreiten-Einengungsmodul für eine Laserstrahlungsquelle |
PCT/EP2010/000669 WO2010094399A1 (de) | 2009-02-17 | 2010-02-04 | Projektionsbelichtungsverfahren, projektionsbelichtungsanlage, laserstrahlungsquelle und bandbreiten-einengungsmodul für eine laserstrahlungsquelle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012518286A JP2012518286A (ja) | 2012-08-09 |
JP5048872B2 true JP5048872B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=42115471
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011550449A Expired - Fee Related JP5048872B2 (ja) | 2009-02-17 | 2010-02-04 | 投影露光方法、投影露光装置、レーザ放射線源、及びレーザ放射線源用の帯域幅狭化モジュール |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8896816B2 (ja) |
EP (1) | EP2399170B1 (ja) |
JP (1) | JP5048872B2 (ja) |
KR (1) | KR101295418B1 (ja) |
CN (1) | CN102317868B (ja) |
DE (1) | DE102009010560A1 (ja) |
WO (1) | WO2010094399A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102969649A (zh) * | 2012-12-20 | 2013-03-13 | 中国科学院光电研究院 | 准分子激光器复合腔 |
DE102014201749B4 (de) * | 2014-01-31 | 2015-08-20 | Sypro Optics Gmbh | Mikrolinsenanordnung und Beleuchtungsvorrichtung zur gleichmäßigeren Ausleuchtung mit Mikrolinsenanordnung |
JP6753934B2 (ja) * | 2015-12-18 | 2020-09-09 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 光学システムおよび方法 |
DE102016122528A1 (de) * | 2016-11-22 | 2018-05-24 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Steuern oder Regeln einer Mikroskopbeleuchtung |
DE102018209602B4 (de) * | 2018-06-14 | 2022-05-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Optische Baugruppe zur Verringerung einer spektralen Bandbreite eines Ausgabestrahls eines Lasers |
JP7402243B2 (ja) * | 2019-02-25 | 2023-12-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 放射測定システム |
CN110032045A (zh) * | 2019-04-23 | 2019-07-19 | 柳江 | 一种光刻机 |
CN110187610B (zh) * | 2019-06-14 | 2021-05-14 | 长春理工大学 | 一种激光直写光刻系统 |
KR20220005913A (ko) * | 2020-07-07 | 2022-01-14 | 삼성전자주식회사 | 퓨필 이미지 기반 패턴 균일도 측정 장치와 방법, 및 그 측정 방법을 이용한 마스크 제조방법 |
CN116648674A (zh) * | 2020-12-23 | 2023-08-25 | Asml荷兰有限公司 | 基于带宽和散斑的光刻过程的优化 |
JPWO2022219690A1 (ja) * | 2021-04-12 | 2022-10-20 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3358090B2 (ja) * | 1992-01-13 | 2002-12-16 | 株式会社ニコン | 照明装置、その照明装置を備えた露光装置、及びその露光方法を用いたデバイス製造方法 |
JP3312447B2 (ja) * | 1993-11-15 | 2002-08-05 | ソニー株式会社 | 半導体露光装置 |
JPH08306619A (ja) * | 1995-05-01 | 1996-11-22 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
JP3594384B2 (ja) | 1995-12-08 | 2004-11-24 | ソニー株式会社 | 半導体露光装置、投影露光装置及び回路パターン製造方法 |
US6898216B1 (en) * | 1999-06-30 | 2005-05-24 | Lambda Physik Ag | Reduction of laser speckle in photolithography by controlled disruption of spatial coherence of laser beam |
JP2001144355A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Ushio Sogo Gijutsu Kenkyusho:Kk | 狭帯域化エキシマレーザ装置 |
WO2002073670A1 (fr) * | 2001-03-13 | 2002-09-19 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition, et procede de production d'un dispositif |
EP1469347A1 (en) * | 2003-04-17 | 2004-10-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10343333A1 (de) * | 2003-09-12 | 2005-04-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage |
US7995280B2 (en) * | 2004-12-01 | 2011-08-09 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure system, beam delivery system and method of generating a beam of light |
US7534552B2 (en) * | 2004-12-23 | 2009-05-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5361239B2 (ja) * | 2008-04-09 | 2013-12-04 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP5359461B2 (ja) * | 2009-03-30 | 2013-12-04 | 株式会社ニコン | レーザ装置、光源装置、これらの調整方法、光照射装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
-
2009
- 2009-02-17 DE DE102009010560A patent/DE102009010560A1/de not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-02-04 KR KR1020117021535A patent/KR101295418B1/ko active IP Right Grant
- 2010-02-04 WO PCT/EP2010/000669 patent/WO2010094399A1/de active Application Filing
- 2010-02-04 EP EP10703169A patent/EP2399170B1/de not_active Not-in-force
- 2010-02-04 CN CN201080008062.7A patent/CN102317868B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-04 JP JP2011550449A patent/JP5048872B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-08-12 US US13/208,472 patent/US8896816B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2399170A1 (de) | 2011-12-28 |
US20110304837A1 (en) | 2011-12-15 |
US8896816B2 (en) | 2014-11-25 |
CN102317868B (zh) | 2014-04-09 |
KR20110126705A (ko) | 2011-11-23 |
EP2399170B1 (de) | 2013-01-23 |
DE102009010560A1 (de) | 2010-08-26 |
WO2010094399A1 (de) | 2010-08-26 |
KR101295418B1 (ko) | 2013-08-09 |
CN102317868A (zh) | 2012-01-11 |
JP2012518286A (ja) | 2012-08-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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