JP5048221B2 - ガスセンサチップ及びその製造方法 - Google Patents
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燃性ガス、一酸化炭素や窒素酸化物等の有毒ガス、硫黄化合物等の悪臭ガス等、様々なものを挙げることができる。
このようなVOC濃度の基準値内環境を維持のために、低濃度のVOCを高精度で計測できるVOCガスセンサが求められるようになってきている。
いずれかを主成分とし、SnO 2 とWO 3 との混合重量比が1:9〜9:1である点にある。
また、液相析出法によれば、均一性の高いセラミックスの被覆層を容易に量産することができるため、生産性に優れる。よって、高感度ガスセンサを安価に製造することができる。
法は、処理液として、フッ化水素水や、酸性フッ化アンモニウム水溶液にて溶解した酸化物若しくは各種金属の水酸化物を溶解した水溶液を用い、その加水分解平衡反応において配位子であるフッ化物イオンと、より安定な錯体を形成するホウ酸等のフッ化物イオンイーターとして添加することで、処理液内の平衡を酸化物析出側へシフトさせ、基板をこの処理液中に浸漬することによって、基板上へ酸化物若しくは水酸化物を析出させる方法である。このLPD法によって形成される酸化物は、焼成によりセラミックスとなる。
また、析出・高温焼成熱処理を2回以上繰り返すことにより、焼成後のクラックを埋めた緻密な組織とすることができる。更に、前記高温焼成熱処理よりも高温で追加熱処理することにより、よりクラックの影響が少なく、特に低濃度のVOCガスに対する感度を上げた膜に仕上げることができる。例えばSnO2を用いた場合、析出と800℃前後(750〜850℃)の高温焼成熱処理とを少なくとも2回繰り返して、更に1,000℃前後(950〜1050℃)で追加熱処理することにより、特に芳香族炭化水素に対して選択性のあるセラミックスの薄膜を得ることができる。
基板11には、電気的絶縁性・熱伝導性・耐熱性に優れた例えば高密度焼結されたアルミナの基板が用いられ、電極12,13及びヒータ15には、耐熱性・耐蝕性に優れた例えば白金又は白金合金が用いられる。
Rs=RL(V−Vout)/Vout
図7において、長方形で示される芳香族炭化水素は、SnO2の表面で上述した酸化反応を生じさせやすいが、丸や三角で示される妨害ガスは、SnO2の表面での酸化反応が殆ど生じることがないため、検出されにくい。そのため、SnO2表面での、芳香族炭化水素の選択的な反応により、微量の芳香族炭化水素を高精度で検出することができる。
・ 基板の準備工程(第1工程)
・ 基板の一方の面に対する電極付設工程(第2工程)
・ 基板の他方の面に対するヒータ付設工程(第3工程)
・ 電極及び基板上に対するLPD法によるセラミックスの被覆工程(第4工程)
なお、上記第2工程と上記第3工程の順は、この通りでなく、逆になっていてもよい。
このLPD法は、基体材料や形状を問わず、処理液中から酸化物もしくはオキシ水酸化物を金属フルオロ錯体の加水分解平衡反応を利用して、より安定なフルオロ錯体を形成する物質(捕捉剤あるいは開始剤とも呼ばれる)を加えることにより、質量作用の法則に従い平衡を酸化物側にシフトさせ、基板上に安定な金属酸化物として均一に析出・成長させる技術である。このような反応は、処理液に被覆層14を構成する金属のフルオロ錯体と、金属のフルオロ錯体より生じるフッ化物イオンを化学的に捕捉する捕捉剤とを含むものを使用する。この金属をMとすると、次の化学式1と化学式2で表される。
[MF6-x(OH)x]2- + (6−x)H2O ⇔ [M(OH)6]2- + (6−x)HF
ただし、xは0〜5の整数である。
(化2)
[M(OH)6]2- ⇒ MO2
すると、この[M(OH)6]2- が脱水縮合反応を起こして、化学式2のようにMO2で示される金属酸化物が析出する。
この処理液中で、10℃〜80℃の温度範囲、好ましくは20℃〜40℃の温度範囲で、セラミックスを析出、積層させる。この温度範囲であっても、析出するセラミックスは理論密度に対する相対密度90%以上のアナターゼ結晶となる。このSnO2薄膜が形成された基板11を800℃前後(750〜850℃)の高温熱処理で焼成する。高温熱処理で生じたクラックを埋めるために、前記析出・積層と高温熱処理を2回繰り返す。更に1000℃前後(950〜1050℃)で追加熱処理することにより、被覆層14とする。
被覆層14がIn2O3薄膜である場合は、NH4FHF水溶液にIn2O3を加えて溶解、飽和させ、溶け残った酸化インジウムを濾過し、濾液を母液とする。この母液にH3BO3水溶液を入れて処理液とする。なお、析出した薄膜はセラミックス前駆体であるInOFであるため、焼成することでIn2O3とする。
被覆層14がZnO薄膜である場合は、フッ化亜鉛粉末をNH4FHF水溶液に溶解し、H3BO3水溶液及びNH3水溶液を加えてpH6.4〜6.6に調整したものを処理液とする。
[実施例1]
フッ化スズ粉末を、フッ化水素水に溶解し、Snのフルオロ錯体(H2SnF6)を調整した。そして、一方面に白金電極が設けられ、他方面に白金ヒータが設けられたアルミナの基板を、H2SnF6とホウ酸とを含む処理液に浸漬して、30℃で24時間の析出処理を施した。このアルミナの基板を800℃で焼成した。
焼成後に前記処理液において短時間の析出処理を施し、800℃で焼成することによりクラック内部へのSnO2を浸透させた。つぎに、1000℃で追加熱処理を施し、クラックを減少させた。これらの処理により、本発明におけるセラミックスの被覆層であるSnO2薄膜を形成した。得られたSnO2薄膜の表面を電子顕微鏡(SEM)写真により観察したところ、図8に示すように平均粒子径が約30nm、厚みが300nmであって、理論密度に対して約96%のSnO2薄膜が形成していることが確認できた。なお、ガスセンサチップの大きさは、1mm×1.5mmであって、図2及び図3の形状を有する。
実施例1と同じように、一方面に白金電極が設けられ、他方面に白金ヒータが設けられたアルミナの基板の一方面に、SnO2の粉末焼結により、平均粒子径が約100nm、厚みが30μmであって、理論密度に対して約80%のSnO2膜を形成した。
フッ素イオン捕捉剤としてホウ酸水溶液を使用し、実施例1と同様の方法により調製したSnのフルオロ錯体(H2SnF6)とホウ酸水溶液を適当量の水で希釈し、Snの濃度を0.03mol/l、ホウ酸濃度を0.15mol/lに調製したものを処理液とした。調製した処理液中に実施例1と同様の一方面に白金電極が設けられ、他方面に白金ヒータが設けられたアルミナの基板を浸漬し、30℃で成膜を実施した。24時間後にアルミナの基板を取り出し、イオン交換水で洗浄し、室温で乾燥した。乾燥後、アルミナの基板を800℃で焼成した。
得られた本発明におけるセラミックスの被覆層であるSnO2薄膜の断面と表面を電子顕微鏡(SEM)写真により観察した。その結果、図11に示すようにアルミナの基板の上に膜厚150nm、平均粒子径15nmの粒子からなる連続膜の形成及び、アルミナの基板に追随していることが確認できた。
また、動作温度400℃における、トルエン、p−キシレン、エチルベンゼン、エタノールに対する応答特性を調べた。すなわち、測定開始後、それぞれのガス濃度が180秒毎に50ppb、100ppb、500ppb、1000ppbとなるようにガスを順に加え、電気抵抗値の変化を測定した。その結果、図13に示すように、エタノールに比べて、特にトルエン、p−キシレンに高感度であることが確認できた。
タングステン酸(WO3・H2O)をフッ化水素水に溶解し、Wのフルオロ錯体を調整した。フッ素イオン捕捉剤としては、ホウ酸水溶液を使用した。調製した金属フルオロ錯体とホウ酸水溶液を適当量の水で希釈し、Wの濃度を0.05mol/l、ホウ酸濃度を0.15mol/lに調製したものを処理液とした。調製した処理液中に実施例1と同様の一方面に白金電極が設けられ、他方面に白金ヒータが設けられたアルミナの基板を浸漬し、30℃で成膜を実施した。48時間後にアルミナの基板を取り出し、イオン交換水で洗浄し、室温で乾燥した。乾燥後、アルミナの基板を600℃で焼成した。
続いて、実施例2の手順で調製したSnのフルオロ錯体を含む処理液中にWO3の層を形成したアルミナの基板を浸漬し、30℃で成膜を実施した。24時間後にアルミナの基板を取り出し、イオン交換水で洗浄し、室温で乾燥した。乾燥後、アルミナの基板を800℃で焼成した。
得られたWO3/SnO2の被覆層の表面をSEM写真により観察した。その結果、図14に示すようにWO3の層の上にSnO2の層が形成していることが確認できた。
また、実施例1と同様にセンサのガス感度と濃度の関係を、トルエン、p−キシレン、エチルベンゼン、エタノールの場合について測定した。その結果、図16に示すようにトルエン、p−キシレン、エチルベンゼンの感度が、エタノールの感度より大きくなって、両者は区別可能となる。
モリブデン酸アンモニウム塩の水溶液中にシリカアルミナを浸漬した後、乾燥、焼成することにより、酸化モリブデンとしてシリカアルミナに担持したMoO3/SiO2−Al2O3の粉末を得た。尚、モリブデン酸アンモニウム塩の水溶液の濃度は、シリカアルミナに対する酸化モリブデンのモル比が2%となるように調製した。得られたMoO3/SiO2−Al2O3の粉末は有機溶媒と共に混練してペースト状とし、実施例2において作製したSnO2薄膜の上に膜厚が約10μmとなるように塗布し、乾燥後に600℃にて焼成した。
また、実施例1と同様にセンサのガス感度と濃度の関係を、トルエン、p−キシレン、エチルベンゼン、エタノールの場合について測定した。その結果、図18に示すようにトルエン、p−キシレン、エチルベンゼンの感度が、エタノールの感度より大きくなって、両者は区別可能となる。
2 ガスセンサチップ
11 基板
12 電極
13 電極
14 セラミックスの被覆層
15 ヒータ
Claims (9)
- 基板の一方の面に電極を設け、前記基板の一方の面と前記電極の表面とにセラミックスの被覆層を形成したガスセンサチップであって、
前記セラミックスの粒子径が8〜30nmであり、
前記セラミックスは、SnO 2 と、WO 3 またはZnOとを含み、そのいずれかを主成分とするガスセンサチップ。 - 基板の一方の面に電極を設け、前記基板の一方の面と前記電極の表面とにセラミックスの被覆層を形成したガスセンサチップであって、
前記セラミックスの粒子径が8〜30nmであり、
前記セラミックスは、SnO2及びWO3を含み、そのいずれかを主成分とし、SnO2
とWO3との混合重量比が1:9〜9:1であるガスセンサチップ。 - 前記被覆層の厚みが50〜300nmである請求項1または2に記載のガスセンサチップ。
- 前記セラミックスは、SnO2を主成分とし、前記被覆層の厚みが150〜300nmで
ある請求項1または2に記載のガスセンサチップ。 - 基板の一方の面に電極を設ける工程と、前記基板の一方の面及び前記電極の表面に液相析出法によって、粒子径が8〜30nmであるセラミックスの被覆層を形成する工程とを含むガスセンサチップの製造方法。
- さらに、前記被覆層の上に、前記液相析出法により前記セラミックスとは組成の異なるセラミックスを析出させる工程を有する請求項5に記載のガスセンサチップの製造方法。
- 前記液相析出法に使用する処理液は、前記セラミックスを構成する金属のフルオロ錯体と、当該金属のフルオロ錯体より生じるフッ化物イオンを化学的に捕捉する捕捉剤とを含む請求項5または6に記載のガスセンサチップの製造方法。
- 前記金属のフルオロ錯体は、Snのフルオロ錯体、Wのフルオロ錯体、Inのフルオロ錯体、Znのフルオロ錯体のいずれかを主成分とする請求項7に記載のガスセンサチップの製造方法。
- 前記捕捉剤は、ホウ酸である請求項7または8に記載のガスセンサチップの製造方法。
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