JP5027536B2 - セラミックヒータ及びグロープラグ - Google Patents
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Description
これに対し、セラミックヒータの断面積をSaとし、一対のリード部の断面積の合計をS1としたときに、リード部の合計断面積S1を小さく、具体的には0.34Sa以下、更には0.25Sa以下とすることにより、絶縁基体と発熱抵抗体との界面に掛かる応力を小さくできる。
これに対し、上述のセラミックヒータでは、リード部の合計断面積S1を、0.15Sa以上と大きくしているので、発熱抵抗体のリード部を十分な太さとし、リード部自身の強度を高く保つことができるので、リード部にクラック等が発生することを抑制できる。
また、「絶縁基体」は、絶縁性のセラミックからなるものであればよく、例えば窒化珪素質焼結体が挙げられる。この窒化珪素質焼成体としては、窒化珪素のみからなるものでもよいし、窒化珪素を主成分とし、これに少量の窒化アルミニウム、アルミナ等が含有されるものでもよい。
一方、線分ABと線分ACとのなす角αまたは線分EFと線分EGとのなす角βが、175度を超える場合、焼成前の発熱抵抗体を射出成形する際、発熱抵抗体の型抜きが困難になるおそれがある。
また、線分ABと線分ACとのなす角α及び線分EFと線分EGとのなす角βを175度以下としているので、焼成前の発熱抵抗体を射出成形する際に、発熱抵抗体の型抜きを確実に行うことができる。
これに対し、本発明では、リード部の合計断面積S1を、0.15Sa以上と大きくしているので、発熱抵抗体のリード部を十分な太さとし、リード部自身の強度を高く保つことができるので、リード部にクラック等が発生することを抑制できる。
絶縁基体111は、絶縁性のセラミックである窒化珪素質焼結体により形成されており、直径Dが3.3mm、軸線AX方向の長さが42mmである。また、この絶縁基体111の室温における熱膨張係数は3.2ppm/℃である。
このうち発熱部116は、図2中の破線BLよりも先端側(下方)の部分であり、絶縁基体111の先端部111sに埋設され、基端側(図2中、上方)から先端側(図2中、下方)に延び、方向転換した後、再び基端側に延びる形態をなし、通電により高温に発熱する。この発熱部116は、高抵抗とするため、リード部117,117よりも細く形成されている。
その一方で、本実施形態では、リード部117,117の合計断面積S1を、式 S1≧0.15Saを満たすようにしているので、製造過程や使用過程で発熱抵抗体115(リード部117)自体にクラック等が発生してしまうことを抑制でき、良好な発熱抵抗体とすることができる。
本実施形態の効果を検証するために、本発明に係る実施例1〜11として、リード部117,117の合計断面積S1を0.15Sa〜0.34Saの範囲で異ならせると共に、線分ABと線分ACとのなす角α及び線分EFと線分EGとのなす角βを異ならせて、11種類のセラミックヒータ110を製造した。具体的には、表1に示すように、リード部117,117の合計断面積S1を、0.15Sa、0.25Sa、0.30Sa、0.34Sa(なお、Saは前述の値と同様で8.55mm2 )とした。また、角α及び角βを、140度、150度、160度、170度、175度とした。
なお、各々のセラミックヒータ110のリード部117,117同士の間隙aは1.0mmとした。
この通電耐久比によると、角α及び角βをそれぞれ160度とした実施例5及び9では、基準(170度のもの)に対して8割程度の通電耐久性を保持していた。これに対し、角α及び角βをそれぞれ140度とした実施例2,4及び7、並びに、角α及び角βをそれぞれ150度とした実施例8では、基準に対して大幅に通電耐久性が低下してしまっている。このことから、角α及び角βは成形上問題のない範囲で大きくすることが好ましいが、その下限値は通電耐久性の観点から160度以上であると良いことが確認される。
なお、断面積S1が0.25Sa、角α及び角βがそれぞれ140度である実施例2が、実施例4及び7に比較して通電耐久比の低下度合いが著しいのは、この角α及び角βが通電耐久性に与える影響度が断面積S1の小さいものに対してより顕著である傾向を示すものである。
また、角α及び角βを160度以上175度以下とすることにより、通電耐久性試験において、絶縁基体111とリード部117,117との界面で両者間に隙間が生じる等の不具合を効果的に抑制できることが判る。
セラミックヒータ110は、次のようにして製造する。即ち、窒化珪素原料粉末88質量部に、焼結助剤としてYb2O3 粉末10質量部及びSiO2 粉末2質量部を配合して、絶縁成分用原料とする。この絶縁成分用原料40質量%と導電性セラミックであるWC粉末60質量%とを72時間湿式混合した後、乾燥させ、混合粉末を得る。その後、この混合粉末とバインダとを混練機に投入し、4時間混練する。次に、得られた混練物を裁断してペレット状とする。次に、発熱抵抗体115に対応したU字形状のキャビティを有する射出成形用金型に対して、射出成形機により上記のペレット状とした混練物を射出し、導電性セラミックからなる未焼成発熱抵抗体を得る。
110 セラミックヒータ
110s (セラミックヒータの)先端部
110k (セラミックヒータの)基端部
111 絶縁基体
111s (絶縁基体の)先端部
115 発熱抵抗体
116 発熱部
116k (発熱部の)基端
117 リード部
118a,118b リード取出部
120 固定筒
150 主体金具
151 通電端子
AX 軸線
L (発熱抵抗体の軸線方向の)全長
K (リード取出部同士の軸線方向の)間隙
D 絶縁基体の直径
g 中心
kl 最小仮想直線
a (リード部同士の)間隙
b,c (リード部の並び方向における、リード部の)寸法
d,e (絶縁基体のうちリード部を覆う部分の)肉厚
Claims (2)
- 軸線方向に延びる形態をなし、通電により自身の先端部が発熱するセラミックヒータであって、
絶縁性のセラミックからなり、前記軸線方向に延びる形態をなす絶縁基体と、
導電性のセラミックからなり、前記絶縁基体に埋設されてなる発熱抵抗体と、
を備え、
前記発熱抵抗体は、
前記絶縁基体の先端部に埋設され、基端側から先端側に延び、方向転換した後、再び基端側に延びる形態をなし、通電により発熱する発熱部と、
この発熱部の基端にそれぞれ接続し、前記軸線方向の基端側に延びる形態をなす一対のリード部と、
この一対のリード部にそれぞれ接続すると共に、径方向外側に延びて外部に露出してなる一対のリード取出部と、を含み、
前記軸線方向に直交する前記セラミックヒータの断面が円状、楕円状または長円状を有する形態をなし、
前記断面のうち、前記リード部が存在する任意の断面において、
この断面の中心を通る仮想直線のうち、この仮想直線に沿って測った一対の前記リード部同士の間隙が最小となる線分を含む仮想直線を最小仮想直線として、
この最小仮想直線と一方の前記リード部の周縁とが交わる点のうち前記中心側の点をA点とし、
この最小仮想直線と他方の前記リード部の周縁とが交わる点のうち前記中心側の点をE点とし、
この断面の中心を中心とし、この断面の長径の2分の1の直径を有する仮想円を描いて、
この仮想円と一方の前記リード部の周縁とが交わる点をB点及びC点とし、
この仮想円と他方の前記リード部の周縁とが交わる点をF点及びG点としたときに、 線分ABと線分ACとのなす角α及び線分EFと線分EGとのなす角βが、共に160度以上175度以下である
セラミックヒータ。 - 請求項1に記載のセラミックヒータを備えるグロープラグ。
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