JP5026653B2 - マイクロメカニカル構成素子及び相応する製造法 - Google Patents
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Description
公知技術水準
本発明は、基板、該基板上に設置されたマイクロメカニカル作用平面、該マイクロメカニカル作用平面上に設置された被覆平面及び該被覆平面上に設置された導電帯平面を有するマイクロメカニカル構成素子に関するものである。本発明は、また、相応する製造法に関するものでもある。
【0002】
マイクロメカニカル作用とは、任意の能動作用、殊にセンサ、又は受動作用、例えば導電帯作用のことと解すべきである。
【0003】
任意のマイクロメカニカル構成素子及び構造体、殊にセンサ及びアクチュエータに使用可能であるにもかかわらず、本発明並びに本発明を基礎づける問題は、シリコン表面マイクロメカニズムの技術において製造可能な、例えば加速度センサに関連して説明する。
【0004】
一般には、感応性の可動構造体が保護されずにチップ上に載置されている、表面マイクロメカニズム(OMM)における一体型集積慣性センサ(monolithisch integrierte inertiale Sensor)が公知である(アナログデバイス)。これによって、取り扱い及び実装の際により高額の費用が発生する。
【0005】
別個のチップの上に分析回路を有するセンサによって前記の問題を解決することができるとすれば、例えばその際、OMM構造体は、第二のフードウェーハを用いて被覆される。包装の前記の種類は、OMM加速度センサのコストの割合を高くしてしまう。これらのコストは、フードウェーハとセンサウェーハの間の大面積の封止面積を必要とすること及びフードウェーハの高価なパターン付与(2〜3のフード、バルクマイクロメカニズム)に基づいて発生する。
【0006】
分析回路は、第二のチップ上で実現されるものであり、ワイヤボードでセンサ素子と接続されている。リード線とボンディングワイヤとの中での寄生によって発生する寄生効果を放置でき、センサ作用に対して優勢な影響をもはや有していない程度の大きさにセンサ素子を選択する必要が生じる。更に、寄生効果のため、フリップチップ技術が不可能である。
【0007】
かかるセンサは、分析回路が、同じSiチップ上に存在し、僅かな寄生を有するにすぎない高い感度の電極を接続しうる場合には、マイクロメカニズムにとって本質的により小さな面積ですませることもできた。
【0008】
ドイツ連邦共和国特許出願公開第19537814A1号には、作用層システムの構造及び表面マイクロメカニズムにおけるセンサの気密のフード施与のための方法が記載されている。この場合、公知の技術的方法を用いるセンサ構造体の製造が説明されている。前記の気密のフード施与は、高価なパターン付与処理、例えばKHOエッチングでパターン付与されるシリコンからなる独立したフードウェーハを用いて行われる。フードウェーハは、ガラス封じ(封止ガラス)を用いてセンサ(センサウェーハ)を有する基板上に載置される。このためには、各センサチップの周囲に、フードの十分な付着及び気密性を保証するために幅広のボンドフレームが必要である。これは、センサウェーハ1個当たりのセンサチップの個数を著しく制限する。フードウェーハが大きな場所を必要とし、製造も高価であるので、センサ・フード施与に対して莫大な費用が割り当てられている。
【0009】
ドイツ連邦共和国特許出願公開第4341271A1号は、構成要素が、一部は単結晶性材料からなり、一部は多結晶性材料からなるマイクロメカニカル加速度センサを開示している。この公知のマイクロメカニカル加速度センサの製造には、エピタキシャル反応器が用いられる。LPCVDポリシリコンからなる開始層は、エピタキシャル処理の際に多結晶シリコンが成長することになる領域の決定に用いられる。
【0010】
本発明の利点
請求項1の特徴部を有する本発明によるマイクロメカニカル構成素子もしくは請求項9による製造法には、以下の利点がある。1つのチップ上での分析回路及びセンサ素子の一体型の集積は可能である。センサ素子と分析回路との間の欠陥を内包する高価なボンディングワイヤを不要にすることもできる。接触において生じる寄生効果が少ないので、センサ素子の大きさを小さくすることが可能である。1つのチップのみを実装しさえすればよい。この処理は、P4318466.9から公知のOMM処理に基づくものであり、少なくとも10μmの厚さを有するエピタキシャルポリシリコンを生じる。構造体に上から接触することができるので、OMM処理の簡素化となる。埋設されたポリシリコンを不要にすることも可能である。
【0011】
構成素子の集積は、分析回路の処理とは十分に独立しており、これによって、新規のIC処理への適合が簡素化される。構成素子は、センサ原理に応じて、接続のために、IC上でのこれまでに必要とされたボンドパッドの大きさにまで小さくすることができ、これによって、余分な面積に基づくICのコストが上昇しない。
【0012】
本発明によれば、寄生の影響が2チップ分離に比して著しく低減されるので、センサチップを、いわゆるフリップチップ法で、即ち、頭から先に、共融的又はゴールドバンプの代わりにボンディングワイヤを用いて接続することも可能である。この技術を用いれば、CSP(チップ・スケール・パッケージ)を有するセンサを製造することもできるが、その際、このパッケージは、チップよりも大きいが20%を上回ることはない。CSP−パッケージチップは、実装の前に予め測定及び調整することができる。
【0013】
本発明の中核は、エピ反応器中での被覆層の析出の間の単結晶性の成長と多結晶性の成長との組合せである。この場合、単結晶シリコンは、単結晶性の表面を出発層として必要とし、多結晶シリコンは、有利にLPCVDによって析出させられる多結晶性開始層を必要とする。
【0014】
従属請求項には、本発明のそれぞれの対象の有利な他の態様及び変法が記載されている。
【0015】
1つの有利な別の態様によれば、マイクロメカニカル作用平面を有する第一層は、その下に存在する単結晶領域の上でエピタキシャル成長している単結晶性領域並びにその下に存在する多結晶性開始層の上で同時にエピタキシャル成長している多結晶領域を有している。
【0016】
もう1つの有利な態様によれば、マイクロメカニカル作用平面を有する第一層は、絶縁体層上にSOIの形で基板と一緒に形成される単結晶性領域を有している。これには、埋設されたポリシリコン層を省略でき、エピタキシャル工程を不要にするという利点がある。シリコンとしては、有利に単結晶性、高ドープ及び機械的ひずみのない基材を使用することができる。
【0017】
もう1つの有利な態様によれば、単結晶性領域は、第一層の上に析出させられた、分析回路の1つ又はそれ以上の集積回路素子又は配線素子を有する第二層を有している。従って、いわゆる一体型集積ワンチップ分離を達成することができる。
【0018】
もう1つの有利な態様によれば、マイクロメカニカル作用平面の多結晶領域は、可動センサ構造体を有している。
【0019】
もう1つの有利な態様によれば、マイクロメカニカル作用平面は、可動センサ構造体の下に埋設されたポリシリコン層を有している。
【0020】
もう1つの有利な態様によれば、導電帯平面中に、1つ又はそれ以上のフリップチップ接続素子、有利にゴールドバンプが設けられている。これは、本質的に平坦な表面によって可能になる接触の1つの頑強な種類である。
【0021】
もう1つの有利な態様によれば、シリコン表面マイクロメカニズムにおける構成素子が製造可能である。
【0022】
図面
本発明の実施例は、図面に記載されており、以下の説明において詳細に説明される。
【0023】
実施例の説明
図中、同じ符号は同じか又は機能的に同じ構成要素を示している。
【0024】
図1は、本発明の第1の実施態様によるマイクロメカニカル構成素子の略示的横断面図である。
【0025】
図1中で、1は、シリコン基板ウェーハ、2は、下方酸化物、3は、埋設されたポリシリコン、4は、犠牲酸化物5の中のコンタクトホール、6は、第一の開始ポリシリコン、7は、エピタクシーからの第一の単結晶シリコン、8は、第一のエピタクシーポリシリコン、9は、絶縁トレンチ、10は、可動センサ構造体、11は、第一の補充酸化物、12は、補充酸化物11中のコンタクトホール、13は、第二の開始ポリシリコン、14は、エピタクシーからの第二の単結晶シリコン、15は、第二のエピタクシーポリシリコン、16は、第一のエピタクシポリシリコンと第二のエピタクシーポリシリコンとの間の電気的及び/又は機械的結合素子、17は、溝切り、18は、第二の補充酸化物、19は、導電帯の絶縁用酸化物、20は、交差結合部、21は、導電帯、22は、導電帯21及び補充酸化物18中のコンタクトホール及び23は、分析回路の電子素子を示している。
【0026】
100は、可動センサ構造体10、この場合には、加速度センサを有するマイクロメカニカル作用平面を示し、200は、可動センサ素子10の気密封止のための被覆平面を示し、300は、導電帯平面を示す。
【0027】
自体公知のシリコン表面マイクロメカニズムにおいて製造可能なこの第一の実施態様の場合、一方では、被覆平面200が単結晶性領域14を有しており、該単結晶性領域は、その下に存在する単結晶性領域7の上でエピタキシャル成長している。他方では、被覆平面200は、多結晶性領域15を有しており、該多結晶性領域は、同時に、その下に存在する多結晶性開始層13の上でエピタキシャル成長している。換言すれば、1つの処理工程において、単結晶シリコンと多結晶シリコンを同時に成長させているのである。
【0028】
被覆表面200の単結晶性領域14は、分析回路の集積回路素子を含んでいる。例として、CMOSトランジスタ23を説明してある。
【0029】
同様に、マイクロメカニカル作用平面100は、単結晶性領域7を有しており、該単結晶性領域は、その下に存在する単結晶性基板領域1の上でエピタキシャル成長しており、並びに多結晶性領域8を有しており、該多結晶性領域は、同時にその下に存在する多結晶性開始層6の上でエピタキシャル成長している。同時に単結晶成長及び多結晶成長するSiのこの処理工程は、センサ構造体10並びに被覆平面200のために実施されている。
【0030】
マイクロメカニカル作用平面100は、配線平面として、可動センサ構造体10の下に埋設されたポリシリコン層3を有している。
【0031】
図2a、bは、図1に記載のマイクロメカニカル構成素子の製造工程の略示的横断面図を示している。
【0032】
IC処理は、一般に、処理のための出発材料としての単結晶Si基板1を必要とする。これは、エピタキシャル析出する単結晶Si層を必要とする同様の構成素子を用いる処理並びにエピタクシーを必要としないCMOS処理にも該当する。従って、この実施例の場合、基板1としての単結晶Siウェーハで開始する。
【0033】
第一工程において、下方酸化物2の形成のために、基板1の酸化を行う。引き続き、下方導電帯領域としての埋設されたポリシリコン3の析出及びパターン付与を行う。次の工程において、犠牲酸化物5を析出させ、かつパターン付与する。この後、第一の開始ポリシリコン6の析出及びパターン付与、殊に、後のエピタクシー工程において単結晶シリコン(図2aの領域7)が基板1の上で成長することになる場所での開始ポリシリコン及び下方酸化物2の除去が行われる。
【0034】
この後、単結晶シリコン領域7を、マイクロメカニカル作用平面100の多結晶シリコン領域8と一緒に成長させるエピタクシー工程を行う。もう1つの工程は、結果として生じた構造体の、基板1と多結晶シリコン領域8との間に存在する下部構造に基づく不十分な落差の均等化のための場合による平坦化である。
【0035】
図2b中で記載してあるように、この後、補充酸化物11を用いる補充及びコンタクトホール12の形成のための補充酸化物11のパターン付与を行う。次に、第二の開始ポリシリコン層13を析出させ、第一の補充酸化物11と一緒にパターン付与し、該補充酸化物11を、単結晶シリコン(図2bの領域14)が領域7の上で成長することになる場所から除去する。引き続く処理工程において、領域14に単結晶シリコンと同時に領域15に多結晶シリコンを析出させる第二のエピタクシー処理を行う。他方で、ポリシリコン領域8とポリシリコン領域15との間の下部構造の均等化のために、結果として生じた被覆層の平坦化を場合により行う。
【0036】
次に、溝切り17を、第二のエピタクシーポリシリコン15中に形成させ、これを、絶縁及び第一の補充酸化物11の除去のためのエッチングホールとして用いる。溝切り17のエッチング特性を、図2b中で示したように下に向かっても拡大するように選択することができる。上方の開口径は、第二の補充酸化物18の析出を一層迅速に実施でき、ひいては、第二の補充酸化物18の主要量が、可動センサ構造体10の中へ達することのないようにするために、最小限に選択せねばならない。
【0037】
次の処理工程において、エッチングトレンチ17を介する下方酸化物2、犠牲酸化物5及び第一の補充酸化物11の除去による可動センサ構造体10のクリアランスを行う。クリアランスを、より良好に制御するために、2つの工程に分割してもよいが、その際、第一の補充酸化物11の析出の前に、下方酸化物2及び5を除去し、その後ではじめて第一の補充酸化物11を析出させる。この処理の1つの主たる利点は、現在ではHF−蒸気を用いて行われている犠牲層のエッチングの際に、バック・エンド・プロセスでは極めて困難かつ費用をかけてのみ保護することができるにすぎない電子回路及びアルミニウムは存在していないことにある。
【0038】
次の工程では、第二の補充酸化物18の析出及びパターン付与、第二の補充酸化物18による空隙の最終的な閉鎖の際の予め定めた圧力及び予め定めたガス雰囲気の調節を行うが、これは、封じ込められたガスの性質、従って、就中機械的センサ構造体10の減衰を定めるものである。
【0039】
マイクロメカニカル構成素子を完成した後には、IC0処理、例えばCMOS処理又はBiCMOS処理を分析回路の製造のために単結晶シリコン領域14において行うことができる。この後、導電帯平面300、殊に酸化物19及び導電帯アルミニウム21の析出及びパターン付与が行われる。構成素子の仕上げのために、通常、標準IC構成素子の場合のようにチップのカット及び取り付けが行われる。
【0040】
図3は、本発明の第二の実施態様によるマイクロメカニカル構成素子の略示的横断面図である。
【0041】
図3中では、既に記入された符号24が、SOI(絶縁体上のシリコン)層を示し、25は、絶縁体(インシュレータ)層を示している。従って、この2つの実施態様の場合には、基板1、絶縁体層25及び単結晶シリコン層24が、自体公知のSOI構造を形成している。
【0042】
こうして構成された構成素子の場合、下方酸化物2、埋設されたポリシリコン3、犠牲酸化物5中のコンタクトホール4、犠牲酸化物5、第一の開始ポリシリコン6、エピタクシーからの第一の単結晶シリコン7及び第一のエピタクシーポリシリコン8が省略されている。
【0043】
従って、出発材料としてこの種のSOIウェーハを使用する場合には、機械的活性構造体が、SOI材料24から形成されるので、多数の処理工程が不要である。全体の配線は、この第二の実施態様の場合には、導電帯平面30中に敷設されている。
【0044】
本発明を、上記の有利な実施例に基づいて説明したけれども、本発明は、それによって制限されるものではなく、種々の方法で変性される。
【0045】
殊に、例示したシリコン基板のみではなく、任意のマイクロメカニカル基礎材料、例えばゲルマニウムを使用することができる。
【0046】
また、記載した加速度センサばかりでなく、任意のセンサ構造体を形成させることもできる。
【0047】
領域15は、どうしても多結晶性でなければならないというものではなく、再晶出等をさせることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、本発明の第1の実施態様によるマイクロメカニカル構成素子の略示的横断面図である。
【図2】 図2a、bは、図1によるマイクロメカニカル構成素子の製造工程の略示的横断面図である。
【図3】 図3は、本発明の第2の実施態様によるマイクロメカニカル構成素子の略示的横断面図である。
【符号の説明】
1 シリコン基板ウェーハ、 2 下方酸化物、 3 埋設されたポリシリコン、 4 コンタクトホール、 5 犠牲酸化物、 6 第一の出発ポリシリコン、 7 第一の単結晶シリコン、 8 第一のエピタクシーポリシリコン、 9 絶縁トレンチ、 10 可動センサ構造体、 11 第一の補充酸化物、 12 コンタクトホール、 13 第二の開始ポリシリコン、 14 第二の単結晶シリコン、 15 第二のエピタクシーポリシリコン、 16 結合素子、 17 溝切り、 18 第二の補充酸化物、 19 導電帯の絶縁用酸化物、 20 交差結合部、 21 導電帯、 22 コンタクトホール、 23 電子素子、 100 マイクロメカニカル作用平面、 200 被覆平面、 300 導電帯平面
Claims (9)
- 基板(1);
該基板上に設けられたマイクロメカニカル作用平面(100);
マイクロメカニカル作用平面(100)上に設けられた被覆平面(200);及び
該被覆表面(200)上に設けられた導電帯平面(300)
を有するマイクロメカニカル構成素子であって、
被覆平面(200)が、単結晶性領域(14)を有し、該単結晶性領域がその下に存在する単結晶性領域(7:24)の上でエピタキシャル成長しており;及び
被覆平面(200)が多結晶性領域(15)を有し、該多結晶性領域が同時に、その下に存在する多結晶性開始層(13)の上でエピタキシャル成長している、マイクロメカニカル構成素子。 - マイクロメカニカル作用平面(100)が、単結晶性領域(7)を有し、該単結晶性領域が、その下に存在する基板(1)の上でエピタキシャル成長しており、並びに多結晶性領域(8)を有し、該多結晶性領域が同時に、その下に存在する多結晶性開始層(6)の上でエピタキシャル成長している、請求項1に記載のマイクロメカニカル構成素子。
- マイクロメカニカル作用平面(100)が、単結晶性領域(24)を有し、該単結晶領域が、絶縁層(25)の上にSOIの形で基板(1)とともに形成されている、請求項1に記載のマイクロメカニカル構成素子。
- 被覆平面(200)の単結晶性領域(14)が、分析回路の1つ又はそれ以上の集積回路素子(23)又は配線素子を有する、請求項1から3までのいずれか1項に記載のマイクロメカニカル構成素子。
- マイクロメカニカル作用平面(100)の多結晶性領域(8)が、可動センサ構造体(10)を有する、請求項1から4までのいずれか1項に記載のマイクロメカニカル構成素子。
- マイクロメカニカル作用平面(100)が、埋設されたポリシリコン層(3)を、可動センサ構造体(10)の下に有している、請求項5に記載のマイクロメカニカル構成素子。
- 導電帯平面(300)中に、1つ又はそれ以上のフリップチップ接続素子が設けられている、請求項1から6までのいずれか1項に記載のマイクロメカニカル構成素子。
- シリコン表面マイクロメカニズムにおいて製造可能である、請求項1から7までのいずれか1項に記載のマイクロメカニカル構成素子。
- 基板(1)の準備;
該基板(1)上でのマイクロメカニカル作用平面(100)の設置;
該マイクロメカニカル作用平面(100)の上での被覆平面(200)の設置;
該マイクロメカニカル作用平面(100)の上でのポリシリコン出発層(13)の領域に応じた設置及びマイクロメカニカル作用平面(100)の単結晶性領域(7、24)の領域に応じた露出;
露出された単結晶性領域(7、24)の上での単結晶性領域(14)のエピタキシャル析出及び同時に多結晶性出発層(13)の上での多結晶性領域(15)のエピタキシャル析出;
被覆平面(200)の上での導電帯平面(300)の設置
の工程を有するマイクロメカニカル構成素子の製造法。
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