JP5019714B2

JP5019714B2 - 低誘電率膜のダメージ回復法

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Publication number: JP5019714B2
Application number: JP2005022969A
Authority: JP
Inventors: 修次永野; 智羽坂; 實井上
Original assignee: Taiyo Nippon Sanso Corp
Current assignee: Taiyo Nippon Sanso Corp
Priority date: 2005-01-31
Filing date: 2005-01-31
Publication date: 2012-09-05
Anticipated expiration: 2025-01-31
Also published as: JP2006210774A

Description

この発明は、基板上に形成され、プラズマエッチング処理などによってダメージを受けた低誘電率膜表面のダメージを回復する方法に関する。

ＬＳＩなどの半導体集積装置にあっては、その高速化、省電力化などのために、層間絶縁膜などの絶縁膜として、比誘電率が４以下のＳｉＯＣ膜、ＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＦ膜などからなる低誘電率膜が用いられつつある。
このような低誘電率膜では、膜自体が多孔質で、その機械的強度が低く、プラズマ耐性が低い。

このため、この種の低誘電率膜が次ぎにプラズマエッチング処理などのプラズマ処理を受けると、このプラズマ処理に伴って、低誘電率膜を構成するシロキサン結合のＳｉ−Ｏ骨格に結合したメチル基などの有機基が切断され、これに雰囲気中の微量な水分が結合してシラノール基が生成する。このシラノール基の生成によって、低誘電率膜の比誘電率が上昇する。さらには、シラノール基の生成に起因して低誘電率膜中に取り込まれた水分により、配線に使用する銅が低誘電率膜に拡散し、配線腐食の要因になるなどのダメージを受ける。

このようなダメージは、シラノール基の生成により、絶縁膜表面が疎水性から親水性に変化するため、その接触角の測定や赤外分光分析などによって確認できる。
そして、このような膜表面の変化に起因して、膜の比導電率が大きくなったり、あるいは配線が腐食されやすくなるため、このようなダメージを回復する方策が広く望まれていた。
半導体・集積回路技術第６７回シンポジウム講演論文集電気化学会電子材料委員会平成１６年１２月９日発行第４２〜４５頁

よって、本発明における課題は、このような低誘電率膜が受けたダメージを回復する方法を得ることにある。

かかる課題を解決するため、
請求項１にかかる発明は、基板上に形成され、ダメージを受けたシリコン系低誘電率膜に対して、モノクロロエタンからなる回復剤を液状または気体状で接触させることを特徴とする低誘電率膜のダメージ回復法である。

請求項２にかかる発明は、接触を加熱下で行うことを特徴とする請求項１記載の低誘電率膜のダメージ回復法である。
請求項３にかかる発明は、接触をプラズマ雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１記載のダメージ回復法である。
請求項４にかかる発明は、ダメージがプラズマ処理に伴うものであることを特徴とする請求項１記載のダメージ回復法である。

本発明によれば、低誘電率膜がダメージを受けた際に生成したシラノール基が再びメチル基などの疎水性の有機基に置換される結果、シラノール基が消滅する。このため、低誘電率膜表面がプラズマ処理以前の状態に復帰し、比誘電率も本来の低い値に戻り、腐食の恐れも軽減される。

以下、本発明を詳しく説明する。
本発明のダメージ回復法の対象となる低誘電率膜としては、メチルシルセスキシオキサンなどの有機塗布系材料を用い塗布法により成膜した有機ＳＯＧ膜、原料化合物としてモノメチルシラン、ジメチルシランなどの有機シラン化合物を用いてＣＶＤ法により成膜したＳｉＯＣ膜、水素化シルセスキオキサンなどの無機系塗布材料を用い成膜した無機ＳＯＧ膜、シラン、テトラエトキシシランなどのシランまたは有機シラン化合物、四フッ化ケイ素、四フッ化炭素などのフッ化化合物と酸素、亜酸化窒素などの酸素含有化合物からなる原料化合物を用いてＣＶＤ法により成膜したＳｉＯＦ膜などの比誘電率が４以下のシリコン系の低誘電率膜である。

そして、このような低誘電率膜がプラズマエッチング処理、レジスト剥離処理などのプラズマ処理を受けることで、低誘電率膜を形成する分子中のシロキサン結合のＳｉ−Ｏ骨格に結合したメチル基等の有機基の結合の一部が切断されて離脱し、そこに雰囲気中の微量な水分が反応し、シラノール基が生成した低誘電率膜がダメージ回復の対象となる。
このような低誘電率膜表面のダメージの程度は、その表面に滴下した純水の接触角を測定することや赤外分光分析で定量的に確認される。

本発明のダメージ回復法は、このようなダメージを受けた低誘電率膜を対象とし、シリコン化合物またはハイドロカーボンからなる回復剤を液状または気体状で低誘電率膜に接触させるものである。

本発明のダメージ回復方法に用いられる回復剤をなすシリコン化合物としては、Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋２（ｎ＝１〜４），Ｓｉ_ｘＨ_ｙ（ＣＨ_３）_ｚ（ｘ＝１〜４，ｙ＝０〜９，ｚ＝１〜１０），Ｓｉ_ｘＨ_ｙ（Ｃ_２Ｈ_５）_ｚ（ｘ＝１〜４，ｙ＝０〜９，ｚ＝１〜１０），Ｓｉ_ｘＨ_ｙ（Ｃ_３Ｈ_７）_ｚ（ｘ＝１〜４，ｙ＝０〜９，ｚ＝１〜１０）、Ｓｉ_ｘＨ_ｙ（Ｃ_４Ｈ_９）_ｚ（ｘ＝１〜４，ｙ＝０〜９，ｚ＝１〜１０），Ｓｉ_ｘＨ_ｙ（Ｃ_２Ｈ_３）_ｚ（ｘ＝１〜４，ｙ＝０〜９，ｚ＝１〜１０），Ｓｉ_ａＯ_ｂＨ_ｃ（ＣＨ_３）_ｄ（ａ＝１〜４，ｂ＝１〜４，ｃ＝０〜４，ｄ＝５〜８），Ｓｉ_ａＯ_ｂＨ_ｃ（Ｃ_２Ｈ_５）_ｄ（ａ＝１〜４，ｂ＝１〜４，ｃ＝０〜４，ｄ＝５〜８），Ｓｉ_ａＯ_ｂＨ_ｃ（Ｃ_３Ｈ_７）_ｄ（ａ＝１〜４，ｂ＝１〜４，ｃ＝０〜４，ｄ＝５〜８），Ｓｉ_ａＯ_ｂＨ_ｃ（Ｃ_４Ｈ_１０）_ｄ（ａ＝１〜４，ｂ＝１〜４，ｃ＝０〜４，ｄ＝５〜８），Ｓｉ_ａＯ_ｂＨ_ｃ（Ｃ_２Ｈ_３）_ｄ（ａ＝１〜４，ｂ＝１〜４，ｃ＝０〜４，ｄ＝５〜８）などである。これら化合物に含まれる水素原子Ｈの一部または全部が重水素Ｄに置換されていてもよい。

また、これらのシリコン化合物は、その水素原子の一部または全部が塩素、ヨウ素、フッ素、臭素などのハロゲン原子で置換されていてもよい。また、分子内にアルコキシ基を有するシリコン化合物でもよく、そのアルコキシ基には、メトキシ基、エトキシ基、プロピオキシ基などが挙げられる。また、ビニル基、アミノ基、水酸基を有するシリコン化合物であってもよい。

具体的なシリコン化合物には、ＳｉＨ_４，Ｓｉ_２Ｈ_６，Ｓｉ_３Ｈ_８，Ｓｉ_４Ｈ_１０，ＳｉＨ（ＣＨ_３）_３，ＳｉＨ_２（ＣＨ_３）_２，ＳｉＨ_３（ＣＨ_３），Ｓｉ（ＣＨ_３）_４，Ｓｉ_２Ｈ（ＣＨ_３）_５，Ｓｉ_２Ｈ_２（ＣＨ_３）_４，Ｓｉ_２Ｈ_３（ＣＨ_３）_３，Ｓｉ_２Ｈ_４（ＣＨ_３）_２，Ｓｉ_２Ｈ_５ＣＨ_３，Ｓｉ_２（ＣＨ_３）_６、ＣＨＳｉ_２Ｏ（ＣＨ_３）_６，Ｓｉ_３Ｏ_２（ＣＨ_３）_８，Ｓｉ_３Ｏ_３（ＣＨ_３）_６，Ｓｉ_４Ｏ_４Ｈ_４（ＣＨ_３）_４、ＳｉＦ_２（ＣＨ_３）_２，ＳｉＦ（ＣＨ_３）_３，ＳｉＦ_３（ＣＨ_３）、ＳｉＣｌ_２（ＣＨ_３）_２，ＳｉＣｌ（ＣＨ_３）_３，ＳｉＣｌ_３（ＣＨ_３）、ＳｉＢｒ_２（ＣＨ_３）_２、ＳｉＢｒ（ＣＨ_３）_３、ＳｉＢｒ_３（ＣＨ_３）、ＳｉＩ_２（ＣＨ_３）_２、ＳｉＩ（ＣＨ_３）_３、ＳｉＩ_３（ＣＨ_３）、Ｓｉ（ＣＨ_３）（ＣＨ_３Ｏ）_３，Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（ＣＨ_３Ｏ）_２，Ｓｉ（ＣＨ_３）_３（ＣＨ_３Ｏ），Ｓｉ（ＣＨ_３Ｏ）_４，Ｓｉ（ＣＨ_３）（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）_３，Ｓｉ（ＣＨ_３）_２（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）_２，Ｓｉ（ＣＨ_３）_３（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ），Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）_４，Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）（ＣＨ_３Ｏ）_３，Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）_２（ＣＨ_３Ｏ）_２，Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）_３（ＣＨ_３Ｏ）、ＳｉＨ（Ｃ_２Ｈ_５）_３、ＳｉＨ_２（Ｃ_２Ｈ_５）_２、ＳｉＨ_３（Ｃ_２Ｈ_５）、Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）_４、Ｓｉ_２Ｈ（Ｃ_２Ｈ_５）_５、Ｓｉ_２Ｈ_２（Ｃ_２Ｈ_５）_４、Ｓｉ_２Ｈ_３（Ｃ_２Ｈ_５）_３、Ｓｉ_２Ｈ_４（Ｃ_２Ｈ_５）_２、Ｓｉ_２Ｈ_５Ｃ_２Ｈ_５、Ｓｉ_２（Ｃ_２Ｈ_５）_６、Ｓｉ_２Ｏ（Ｃ_２Ｈ_５）_６、Ｓｉ_３Ｏ_２（Ｃ_２Ｈ_５）_８、Ｓｉ_３Ｏ_３（Ｃ_２Ｈ_５）_６、Ｓｉ_４Ｏ_４Ｈ_４（Ｃ_２Ｈ_５）_４、ＳｉＦ_２（Ｃ_２Ｈ_５）_２、ＳｉＦ（Ｃ_２Ｈ_５）_３、ＳｉＦ_３（Ｃ_２Ｈ_５），ＳｉＣｌ_２（Ｃ_２Ｈ_５）_２、ＳｉＣｌ（Ｃ_２Ｈ_５）_３、ＳｉＣｌ_３（Ｃ_２Ｈ_５）、ＳｉＢｒ_２（Ｃ_２Ｈ_５）_２、ＳｉＢｒ（Ｃ_２Ｈ_５）_３、ＳｉＢｒ_３（Ｃ_２Ｈ_５）、ＳｉＩ_２（Ｃ_２Ｈ_５）_２、ＳｉＩ（Ｃ_２Ｈ_５）_３、ＳｉＩ_３（Ｃ_２Ｈ_５）、Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）（ＣＨ_３Ｏ）_３、Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）_２（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）_２、Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）_３（ＣＨ_３Ｏ）、Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）_４、Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）_３、Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）_２（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）_２、Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）_３（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）、Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）_４、Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）_３、Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）_２（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）_２、Ｓｉ（Ｃ_２Ｈ_５）_３（Ｃ_２Ｈ_５Ｏ）などがある。

ハイドロカーボンとしては、Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋２（ｎ＝１〜８），Ｃ_ｎＨ_２ｎ（ｎ＝２〜８），Ｃ_ｎＨ_２ｎ−２（ｎ＝２〜８）などであり、これら化合物は、その水素原子の一部または全部が塩素、ヨウ素、臭素、フッ素などのハロゲン原子で置換されていてもよい。また、分子内にアルコキシ基を有する化合物でもよく、そのアルコキシ基には、メトキシ基、エトキシ基、プロピオキシ基などが挙げられる。また、ビニル基、アミノ基、水酸基を有するハイドロカーボンでもよい。さらにこれら化合部に含まれる水素原子Ｈの一部または全部が重水素Ｄに置換されていてもよい。

具体的なハイドロカーボンには、ＣＨ_４，Ｃ_２Ｈ_６，Ｃ_３Ｈ_８，Ｃ_４Ｈ_１０，Ｃ_５Ｈ_１２、Ｃ_２Ｈ_４，Ｃ_３Ｈ_６，Ｃ_４Ｈ_８，Ｃ_５Ｈ_１０，Ｃ_２Ｈ_２，Ｃ_３Ｈ_４，Ｃ_４Ｈ_６，Ｃ_５Ｈ_８、ＣＨ_３Ｆ、ＣＨ_２Ｆ_２、ＣＨＦ_３、Ｃ_２Ｈ_５Ｆ、Ｃ_２Ｈ_４Ｆ_２、Ｃ_２Ｈ_３Ｆ_３、ＣＨ_３Ｃｌ、ＣＨ_２Ｃｌ_２、ＣＨＣｌ_３、Ｃ_２Ｈ_５Ｃｌ、Ｃ_２Ｈ_４Ｃｌ_２、Ｃ_２Ｈ_３Ｃｌ_３、ＣＨ_３Ｂｒ、ＣＨ_２Ｂｒ_２、ＣＨＢｒ_３、Ｃ_２Ｈ_５Ｂｒ、Ｃ_２Ｈ_４Ｂｒ_２、Ｃ_２Ｈ_３Ｂｒ_３、ＣＨ_３Ｉ、ＣＨ_２Ｉ_２、ＣＨＩ_３、Ｃ_２Ｈ_５Ｉ、Ｃ_２Ｈ_４Ｉ_２、Ｃ_２Ｈ_３Ｉ_３、ＣＨ_３ＯＨ、ＣＨ_２（ＯＨ）_２、Ｃ_２Ｈ_５ＯＨ、Ｃ_２Ｈ_４（ＯＨ）_２、ＣＨ_３（ＯＣＨ_３）、ＣＨ_２（ＯＣＨ_３）_２、Ｃ_２Ｈ_５（ＯＣＨ_３）、Ｃ_２Ｈ_４（ＯＣＨ_３）_２、ＣＨ_３（ＯＣ_２Ｈ_５）、ＣＨ_２（ＯＣ_２Ｈ_５）_２、Ｃ_２Ｈ_５（ＯＣ_２Ｈ_５）、Ｃ_２Ｈ_４（ＯＣ_２Ｈ_５）、ＣＨ_３（Ｃ_２Ｈ_５）、ＣＨ_２（Ｃ_２Ｈ_３）_２、Ｃ_２Ｈ_５（Ｃ_２Ｈ_３）、Ｃ_２Ｈ_４（Ｃ_２Ｈ_３）、ＣＨ_３（ＮＨ_２）、ＣＨ_２（ＮＨ_２）_２、Ｃ_２Ｈ_５（ＮＨ_２）、Ｃ_２Ｈ_４（ＮＨ_２）_２などがある。

つぎに、回復方法の具体例を説明する。
まず、シリコン基板などの基板上に、層間絶縁膜などの絶縁膜としてＳｉＯＣ膜などの厚さ１００〜１０００ｎｍのシリコン系の低誘電率膜を形成する。この基板には、予め低誘電率膜の下側にトランジスタ層、配線層などが設けられていてもよい。
次ぎに、この基板をプラズマ処理装置の反応室内に収容し、基板上の低誘電率膜に対してプラズマエッチング処理などのプラズマ処理を施す。このプラズマ処理により低誘電率膜は上述のようにダメージを受ける。

このダメージは、低誘電率膜の表面から厚さの３０％程度の深さにまで達していることが多い。
このような低誘電率膜を有する基板をそのままプラズマ処理装置の反応室内に置き、反応室内に前記回復剤を液状または気体状で導入し、基板上の低誘電率膜に接触させる。

回復剤を気体状で導入する場合には、反応室内の圧力を２５０Ｐａ〜０．１ＭＰａ程度とし、導入量流量を、１０〜１００ｓｃｃｍ程度とし、回復剤または低誘電率膜の温度を２０〜４５０℃程度とする。また、接触時間は、０．１分〜６０分程度とされる。

この接触の際に、プラズマ処理装置を動作させて、回復剤を励起状態として低誘電率膜と接触させてもよい。また、反応室の上流側で回復剤をプラズマ処理し、励起状態の回復剤を反応室内に導入してもよい。この時のプラズマ源としては、周波数２．４５ＭＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）、誘導結合型プラズマ（ＩＰＣ）、マグネトロン型プラズマ、電子サイクロン共鳴型プラズマ（ＥＣＲ）などが用いられる。

接触後、反応室内にアルゴンなどの不活性ガスを送り込んで、気体状の回復剤を反応室から排出し、同時に低誘電率膜の表面をこの不活性ガスで洗浄する。
その後、この基板を次工程に移送する。

また、回復剤を液状で反応室内に導入し、液状で低誘電率膜に接触させる場合には、回復剤として常温での蒸気圧が低いシリコン化合物、例えばジメチルジクロロシラン、ジエトキシジエチルシランなどを反応室内の基板上に液滴状として噴霧し、基板上の低誘電率膜の表面を回復剤で濡らし、接触させる。この時、基板を加熱して、低誘電率膜を５０〜４５０℃に加温しておくこともできる。圧力は、減圧ないし常圧でよく、接触時間は０．１分〜６０分程度で十分である。

接触後、反応室から基板を取り出し、イソプロピルアルコール、純水などで低誘電率膜を洗浄したのち、基板を次工程に移送する。

このような回復法によれば、ダメージを受けた低誘電率膜に生成しているシラノール基が、回復剤中の有機基に置換され、膜を構成するシロキサン結合のＳｉ−Ｏ骨格に有機基が結合し、原状に復帰する。このため、回復後の低誘電率膜は本来の低い比誘電率を持つものとなり、また膜が腐食する恐れも低減される。

この回復は、回復処理条件によって異なるが、低誘電率膜の内、ダメージを受けた深さ方向の領域のほぼ全域で達成される。
この低誘電率膜の回復は、上述のように、低誘電率膜と純水との接触角を測定することにより容易に確認され、また赤外分光測定によっても確認される。

この例では、プラズマ処理後の基板をそのままプラズマ処理装置の反応室内に置いておき、これに引き続いて反応室内で回復剤と接触させているが、これ以外にプラズマ処理後の基板をプラズマ処理装置の反応室から取り出し、別途設けた回復のための処理室内に移して回復処置を取ることもできる。

以下、具体例を示す。
（実施例１）
低誘電率膜として、ＣＶＤ法によりＳｉウェーハー上に厚さ５００ｎｍに成膜したＳｉＯＣ膜を用いた。この低誘電率膜に平行平板方式のＲＦプラズマによりプラズマ処理を施し、プラズマダメージを与えたサンプル膜を製作した。プラズマ処理条件は、酸素を５００ｓｃｃｍ流通させ、処理室の圧力は４００Ｐａとした。この時のＲＦパワーは５００Ｗ、処理時間は５分である。

このプラズマダメージを与えたサンプル膜に対して、ハロゲンを含むシリコン化合物としてジクロロジメチルシランを１分間、液状で、膜温度２０℃の条件で接触させ、洗浄したのちフーリエ変換型赤外線分析計にて膜の赤外吸収スペクトルを測定したところ、図１に示されるように３７５０ｃｍ^−１に吸収を持つサンプル表面の水酸基が除去されたことが確認された。
また、純水との接触角は、図７に示すように９０°となり疎水性に回復していることが明らかとなった。なお、図７において、符号１は測定台を、符号２はＳｉウェーハーを、符号３は水滴を示す。

（実施例２）
実施例１で作製したプラズマダメージサンプル膜に対して、アルコキシ基を含むシリコン化合物としてジメトキシジメチルシランを１分間、気体状で、膜温度２０℃の条件で接触させ、洗浄したのちフーリエ変換型赤外線分析計にて赤外吸収スペクトルを測定したところ、図２に示すように、３７５０ｃｍ^−１に吸収を持つサンプル表面の水酸基が除去されたことが確認された。

（実施例３）
実施例１で作製したプラズマダメージサンプル膜に対して、アルコキシ基を含むシリコン化合物としてジエトキシジメチルシランを１分間、気体状で、膜温度２０℃の条件で接触させ、洗浄したのちフーリエ変換型赤外線分析計にて赤外吸収スペクトルを測定したところ、図３に示すように、３７５０ｃｍ^−１に吸収を持つサンプル表面の水酸基が除去されたことが確認された。

（実施例４）
実施例１で作製したプラズマダメージサンプル膜に対して、アルコキシ基を含むシリコン化合物としてジビニルジメチルシランを１分間気体状で、膜温度２０℃の条件で接触させ、洗浄したのちフーリエ変換型赤外線分析計にて赤外吸収スペクトルを測定したところ、図４に示すように３７５０ｃｍ^−１に吸収を持つサンプル表面の水酸基が除去されたことが確認された。

（実施例５）
実施例１で作製したプラズマダメージサンプル膜に対して、塩素を含むハイドロカーボンとしてモノクロロエタンを１分間気体状で、膜温度２０℃の条件で接触させ、洗浄したのちフーリエ変換型赤外線分析計にて赤外吸収スペクトルを測定したところ、図５に示すように３７５０ｃｍ^−１に吸収を持つサンプル表面の水酸基が除去されたことが確認された。

（比較例１）
実施例１で作製したプラズマダメージサンプル膜に対して回復処理を行わず２日間大気中に放置しフーリエ変換型赤外線分析計にて赤外吸収スペクトルを測定したところ、図６に示すように３７５０ｃｍ^−１に吸収を持つサンプル表面の水酸基が増加したことが確認された。
また、図８に示すように、純水との接触角測定は３７°となり疎水性から親水性への変化が見られた。なお、図８において、符号１は測定台を、符号２はＳｉウェーハーを、符号３は水滴を示す。

これらの具体例の結果から、プラズマ処理によりダメージを受けた低誘電率膜に、シリコン化合物を接触させることにより元の特性に復帰することが明らかになった。

実施例１におけるジクロロジメチルシランによりダメージ回復した赤外吸収スペクトルからプラズマダメージサンプル製作直後の赤外吸収スペクトルを減算した差スペクトルを示すグラフである。実施例２におけるジメトキシジメチルシランによりダメージ回復した赤外吸収スペクトルからプラズマダメージサンプル製作直後の赤外吸収スペクトルを減算した差スペクトルを示すグラフである。実施例３におけるジエトキシジメチルシランによりダメージ回復した赤外吸収スペクトルからプラズマダメージサンプル製作直後の赤外吸収スペクトルを減算した差スペクトルを示すグラフである。実施例４におけるジビニルジメチルシランによりダメージ回復した赤外吸収スペクトルからプラズマダメージサンプル製作直後の赤外吸収スペクトルを減算した差スペクトルを示すグラフである。実施例５におけるモノクロロエタンによりダメージ回復した赤外吸収スペクトルからプラズマダメージサンプル製作直後の赤外吸収スペクトルを減算した差スペクトルを示すグラフである。比較例１における回復剤による回復を行わず２日間大気放置した赤外吸収スペクトルからプラズマダメージサンプル製作直後の赤外吸収スペクトルを減算した差スペクトルを示すグラフである。実施例１におけるジクロロジメチルシランによりダメージ回復したサンプルについての純水との接触角を測定した結果を示す図面である。比較例１におけるダメージ回復を行わないサンプルについての純水との接触角を測定した結果を示す図面である。

Claims

基板上に形成され、ダメージを受けたシリコン系低誘電率膜に対して、モノクロロエタンからなる回復剤を液状または気体状で接触させることを特徴とする低誘電率膜のダメージ回復法。
接触を加熱下で行うことを特徴とする請求項１記載の低誘電率膜のダメージ回復法。
接触をプラズマ雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１記載のダメージ回復法。
ダメージがプラズマ処理に伴うものであることを特徴とする請求項１記載のダメージ回復法。