JP5017446B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
該未硬化のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射して、硬化せしめ、
該透明スタンパーを剥離して、前記半導体基板の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化されたパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料層を形成することを含む。
未硬化の紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射して、硬化せしめ、
樹脂スタンパを剥離して、前記磁気記録媒体の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層を形成し、
硬化された紫外線硬化性樹脂材料層をマスクとしてドライエッチングを行い、磁気記録層表面に、凹凸パターンを形成する方法であって、
パターン転写用紫外線硬化性樹脂材料がフルオレン骨格を有するアクリレート、イソボルニルアクリレート、多官能アクリレート、及び重合開始剤を含有する。
1,3-ブチレングリコールジアクリレート
1,4−ブタンジオールジアクリレート
ジエチレングリコールジアクリレート
1,6−ヘキサンジオールジアクリレート
ネオペンチルグリコールジアクリレート
ポリエチレングリコール(200)ジアクリレート
テトラエチレングリコールジアクリレート
トリエチレングリコールジアクリレート
トリプロピレングリコールジアクリレート
ポリエチレングリコール(400)ジアクリレート
エトキシ化(3)ビスフェノールAジアクリレート
シクロヘキサンジメタノールジアクリレート
ジプロピレングリコールジアクリレート
アクリレートエステル(ジオキサングリコールジアクリレート)
アルコキシ化ヘキサンジオールジアクリレート
アルコキシ化シクロヘキサンジメタノールジアクリレート
エトキシ化(4)ビスフェノールAジアクリレート
エトキシ化(10)ビスフェノールAジアクリレート
ポリエチレングリコール(600)ジアクリレート
トリシクロデカンジメタノールジアクリレート
プロポキシ化(2)ネオペンチルグリコールジアクリレート
エトキシ化(30)ビスフェノールAジアクリレート
アルコキシ化ネオペンチルグリコールジアクリレート
などが挙げられる。
トリメチロールプロパントリアクリレート
トリメチロールプロパンPO変性トリアクリレート
(PO(プロポキシ基)の数:2,3,4,6)
トリメチロールプロパンEO変性トリアクリレート
(EO(エトキシ基)の数:3,6,9,15,20)
トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートトリアクリレート
ペンタエリスリトールトリアクリレート
ペンタエリスリトールEO変性トリアクリレート
EO変性グリセリントリアクリレート
プロポキシ化(3)グリセリルトリアクリレート
高プロポキシ化(5.5)グリセリルトリアクリレート
トリスアクリロイルオキシエチルフォスフェート
ε−カプロラクトン変性トリス(アクロキシエチル)イソシアヌレート
を用いることができる。
トリスアクリロイルオキシエチルフォスフェート
ペンタエリスリトールテトラアクリレート
ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート
エトキシ化(4)ペンタエリスリトールテトラアクリレート
ジペンタエリスリトールペンタアクリレート
などを用いることができる。
2−メチル−2−アダマンチルアクリレート
2−エチル−2−アダマンチルアクリレート
3−ヒドロキシ−1−アダマンチルアクリレート
1−アダマンチルアクリレート
2−メチル−2−アダマンチルメタクリレート
2−エチル−2−アダマンチルメタクリレート
3−ヒドロキシ−1−アダマンチルメタクリレート
1−アダマンチルメタクリレート
1,3−アダマンタンジオールジアクリレート
1,3−アダマンタンジメタノールジアクリレート
などが挙げられる。
2−エチル−2−アダマンチルアクリレート
1−アダマンチルアクリレート
は、好適である。
本発明に使用される重合開始剤としては、
アルキルフェノン系光重合開始剤、アシルフォスフィンオキサイド系重合開始剤、チタノセン系重合開始剤、オキシムエステル系光重合開始剤、オキシムエステル酢酸エステル系光重合開始剤などがあげられる。
2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製IRGACURE651)
1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニルーケトン(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製IRGACURE184)
2−ヒドロキシー2−メチルー1−フェニループロパン−1−オン(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製DAROCUR1173)
その他、IRGACURE2959, IRGACURE127, IRGACURE907, IRGACURE369, IRGACURE379, DAROCUR TPO, IRGACURE819, IRGACURE784, IRGACURE OXE01, IRGACURE OXE02, IRGACURE754(すべてチバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)
が挙げられる。
まず、スタンパを作製した。
スタンパの型となる原盤の基板として6インチ径のSiウエハーを用意した。一方、日本ゼオン社製のレジストZEP−520Aをアニソールで2倍に希釈し、0.05μmのフィルタでろ過した。Siウエハー上にレジスト溶液をスピンコートした後、200℃で3分間プリベークして、厚さ約50nmのレジスト層を形成した。
スルファミン酸ニッケル:600g/L
ホウ酸:40g/L
界面活性剤(ラウリル硫酸ナトリウム):0.15g/L
液の温度:55℃
pH:4.0
電流密度:20A/dm2
レジスト原盤から、電鋳膜および導電膜をレジスト残渣がついた状態で剥離した。酸素プラズマアッシングによりレジスト残渣を除去した。具体的には、酸素ガスを100ml/minで導入して圧力を4Paに調整したチャンバー内で100Wのパワーを印加して20分間プラズマアッシングを行った。
図3(g)に示す1.8インチ径のドーナツ型ガラスからなるディスク基板上にスパッタリングにより磁気記録層を形成した。この磁気記録層上に金属マスク層を3nm積層した。金属マスク層に用いることができる金属は、
Ag,Al,Au,C,Cr,Cu,Ni,Pt,Pd,Ru,Si,Ta,Ti,Znなどや、これらを含む合金(例えば、CrTi,CoB,CoPt,CoZrNb,NiTa,NiW,Cr−N,SiC,TiOxなど)などである。中でも、SiやCuは樹脂スタンパーからの剥離性や加工性が優れ、好ましい。また、金属マスク層の膜厚も、加工性によって決まり、薄いほど良好である。本実施形態においては、Cuを3nm磁気記録層上に積層したものを用いた。
以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
紫外線硬化樹脂によるレジストマスク転写を行った。
紫外線硬化樹脂サンプルA〜Vを用いて上記方法にて磁気記録層上にパターンを転写し、磁気記録媒体を作製した。
DAROCUR1173:チバスペシャルティケミカルズ社製重合開始剤
PU370:MIWON社製3官能芳香族ウレタンアクリレートオリゴマー
SIU2400:MIWON社製10官能Siアクリレートオリゴマー
紫外線硬化樹脂サンプルB、C,D,F,H,I,J,K,L,M,N,R,U,V,W,Xは、硬化性、剥離性、塗布性、転写性、エッチングレートのすべての項目において磁気記録媒体にパターンを転写する目的での使用が適している紫外線硬化樹脂であることがわかった。
Claims (4)
- 半導体基板と、透明スタンパーとを、イソボルニルアクリレート、フルオレン骨格を有するアクリレート、多官能アクリレート、及び重合開始剤を含有する未硬化のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料の塗布層を介して接触し、
該未硬化のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射して、硬化せしめ、
該透明スタンパーを剥離して、前記半導体基板の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化されたパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料層を形成することを含む半導体装置の製造方法。 - 前記パターン転写用紫外線硬化性樹脂材料は、
前記イソボルニルアクリレートを10重量%ないし62重量%、
前記フルオレン骨格を有するアクリレートを10重量%ないし50重量%、
前記多官能アクリレートを10ないし44重量%、
前記重合開始剤を0.1重量%ないし6重量%含有することを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記パターン転写用紫外線硬化性樹脂材料は、アダマンタン骨格を有するアクリレートをさらに含むことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記アダマンタン骨格を有するアクリレートは40重量%以下存在することを特徴とする請求項3に記載の方法。
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