JP2001257285A - 熱紫外線硬化型樹脂層付き銅箔及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザー加工やデスミア工程の問題を解決す
る熱紫外線硬化型樹脂層付き銅箔を提供すると共に、半
導体製造工程の省力化を図ることを目的とする。 【解決手段】 熱紫外線硬化型樹脂が、アルカリ現像性
を有するエポキシアクリレート樹脂の多塩基酸無水物と
の付加生成物、多官能アクリレート、重合禁止剤、光重
合開始剤の４成分と、熱重合開始剤又はエポキシ樹脂を
必須とする成分からなる熱紫外線硬化型樹脂層付き銅
箔。この樹脂層付き銅箔を用いて、次の工程で半導体装
置を製造する。(1)配線付き基板の配線面2aに、樹脂層
付き銅箔の樹脂面1aを対向させて積層する工程、(2)銅
箔面1bにエッチングマスク3aを配する工程、(3)ｐＨ9．
2以下のエッチング液で、銅箔1bをエッチングして導体
配線を形成する工程、(4)遮光マスク4を介して導体配線
の絶縁部の樹脂層6形成部分に対して露光する工程、(5)
有機アルカリ系水溶液を用いて３５℃以下で未露光部分
の樹脂層を除去して現像し、次いで加熱処理する工程。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層基板回路やチ
ップサイズパッケージの製造に適した熱紫外線硬化型樹
脂層付き銅箔に関するものである。また、本発明はこれ
を用いて半導体装置を効率よく製造する方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話、携帯パソコンの小型化、軽量
化とその処理情報量の増大とその処理の高速化などの要
求に際し、プリント配線基板を積層したビルドアップ基
板やチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）の採用がメモリ
ーの中心になりつつある。

【０００３】ビルドアップ多層配線板は、コアとなるプ
リント配線板上にエポキシ樹脂などの絶縁膜をコーティ
ングし、露光、現像工程やレーザ工程等で絶縁膜にヴィ
アホールを形成し、スパッタリング法や電解、無電解メ
ッキ法などを組み合わせて絶縁膜上に配線を形成する方
法で製造され、貫通スルーホールによるデッドスペース
がなく高密度実装に適している。これら工法はヴィア及
び配線の形成方法により、サブトラクティブ法、セミア
デジティブ法、フルアディティブ法などがある（電子材
料、11〜23ページ、1999年10月号）。

【０００４】このなかでサブトラクティブ法では銅箔の
片面に接着層を有する樹脂層付き銅箔が用いられてい
る。これに用いられる樹脂はエポキシ樹脂であり、非感
光性のものである。これを配線付きコア基板に加熱プレ
ス又はラミネートし、加熱硬化して積層体を形成する。
通常、貫通穴は積層後にドリルで空けるが、非貫通穴で
あるインナーヴィアホール（IVH）は、あらかじめ樹脂
層付き銅箔にドリル等で貫通穴を形成した後積層する
か、積層後にコンホーマルマスクとしてヴィアの位置と
なるところに予めエッチングで銅泊を除去し、残りの銅
箔をマスクとしてレーザーで非感光樹脂であるエポキシ
樹脂を除去する。しかしながら、ドリルでの樹脂層付き
銅箔の穴開けにはレーザーではヴィア底部の樹脂は完全
に除去されることはなく、更にデスミア工程を経て導通
ヴィアを形成するなど工程が煩雑である。一方、ヴィア
部分を、銅箔をマスクとしてケミカルエッチングする方
法が提案されており、この様なケミカルエッチングが可
能な材料としては特開昭５０−４５７７号公報、特開昭
５３−４９０６８公報に開示されているように、ポリイ
イミドをヒドラジンでエッチングする方法が知られてい
る。また、特開平８−３３０７４０号公報にはＢステー
ジ状のエポキシ樹脂をアミド系溶媒、アルカリ金属化合
物、アルコール溶媒よりなるエッチング液で除去する方
法が提案されている。しかし、いずれも有機溶剤などを
使用し、その毒性や作業環境の整備等、設備にかかる費
用や安全面に課題があった。引き続き、メッキ工程によ
りヴィア内壁をメッキして上下の導体を接続し、更に表
面導体をエッチングでパターン形成する。上下の導体の
接続に導電性ペーストでヴィア内部を充填する手法もあ
る。

【０００５】一方、チップサイズパッケージ（CSP）の
製造において、ウエハプロセスから最終試験までをウエ
ハレベルでハンドリングが可能で、更に従来のウエハ製
造プロセスのインフラを使用することで、部品点数、工
程数の削減、スループットの向上、省スペース化でＣＳ
Ｐ製造の低コスト化が図られている。例えば、電子材料
（１９９９年９月号）２２〜２６ページに示されたCSP
は、高密度配線を有するインターポーザーを必要とせ
ず、ウエハレベルで再配線を行い、使用樹脂量を必要最
小限にとどめている。しかしながら、この製法において
もメタルポスト形成にメッキレジストの使用、メッキプ
ロセス、レジスト剥離、更にはトランスファー樹脂封止
工程を必要とし、その工程数は多く、また特にメッキと
封止金型に要するコスト高は避け得ない。

【０００６】更に、メッキプロセスを使用しないウエハ
レベルプロセスが、電子材料（１９９９年９月号）２７
〜３３ページに提案されている。これは、ウエハ上での
再配線技術を用いず、テープタイプインターポーザーを
張り付けて、ウエハ上と回路上の配線を金ワイヤで接続
したものである。これは、半導体パッケージの配線技術
を応用したものであるが、インターポーザを別途作製す
ることから、更に工程をウエハレベルプロセスに組み込
んだより低コストな製造方法が求められている。

【０００７】このような要求に対して、接着層樹脂とし
て、非感光のホットメルト型の熱可塑性ポリイミドやエ
ポキシ系樹脂を用いることが知られている。しかし、い
ずれも非感光性の樹脂であるために、フォトリソプロセ
スを採用することができず、上下配線のためのヴィアホ
ール形成にはレーザープロセスと引き続くデスミア工程
を必要とする。特に、ウエハレベルプロセスでは、アル
ミ配線に対するレーザー照射、デスミア工程のダメージ
が問題となる。

【０００８】一方、セミアディティブ法やフルアディテ
ィブ法では、感光性樹脂を用いてフォトプロセスでヴィ
アや配線用のスペースを形成し、無電解メッキ及び電解
メッキでヴィア内壁の導通や配線を形成している（例え
ば、特開平11-103168、特開平8-41167, 特開平9-25844
2, 特開平10-22634号公報）。この場合、感光性樹脂層
は紫外線照射で半硬化の状態とし、現像工程で未露光部
分を除去して、残った半硬化部分を熱により本硬化して
絶縁層として用いている。特に、特開平11-103168号公
報では感光性樹脂組成物にヒンダードフェノール系酸化
防止剤を必須として小径ヴィアホール形成に有効である
ことを示している。

【０００９】更に、半導体装置の製造に感光性樹脂を用
いた例としては、紫外光により半硬化状態としてチップ
を装着して、更に熱硬化により固定する方法が、例えば
特開昭59-113691号公報、特開昭60-152091号報、特開昭
62-72194号公報、特開昭62-72195号公報、特開平1-2978
85号公報、特開平4-7383号公報などに見られ、いずれも
紫外線硬化性を持つアクロイル基を有する化合物と光重
合開始剤並びに熱硬化性のエポキシ樹脂を混合した熱光
重合性樹脂組成物を用いている。いずれの文献において
も、紫外線照射により半硬化状態を形成し、これを熱に
より本硬化する工程を用いている。ほとんどの感光性樹
脂は液状であることが多く、また本発明のようにこれら
の感光性樹脂層付きの銅箔を作製し、配線付き基板にラ
ミネートした後に銅箔の一部をエッチングで除去して配
線を形成、銅箔下の感光性樹脂層を紫外線を照射せずに
絶縁層として用いている例はない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明では、
アルカリ現像性の樹脂組成物、好ましくは感光性樹脂を
用いることで前述のレーザー加工やデスミア工程の問題
を解決し、更に未露光樹脂層を絶縁層として利用可能と
することで、半導体製造工程の省力化を図ることを目的
とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、銅
箔上に形成した熱紫外線硬化型樹脂層が、（１）エポキ
シ基を１分子中に２つ以上もつエポキシ樹脂と不飽和モ
ノカルボン酸とを反応させたエポキシ（メタ）アクリレ
ート樹脂と多塩基酸無水物との付加生成物（Ａ成分）、
（２）多官能（メタ）アクリレート（Ｂ成分）、（３）
光重合開始剤（Ｃ成分）（４）熱重合開始剤（Ｄ成分）
（５）重合禁止剤（Ｅ成分）を必須成分とし、A成分とB
成分の重量比（A／B)が８０／２０〜５０／５０であ
り、Ａ成分とＢ成分の合計１００重量部に対して、C成
分を０．３〜５重量部、D成分を０．０１〜２重量部及
びＥ成分を０．０１〜２重量部含有することを特徴とす
る熱紫外線硬化型樹脂層付き銅箔である。また、本発明
は、前記（A成分）、（Ｂ成分）及び（Ｃ成分）と、重
合禁止剤（Ｅ成分）及びエポキシ基を１分子中に２つ以
上もつエポキシ樹脂（Ｆ成分）を必須成分とし、Ａ成分
とＢ成分の重量比（A／B)が８０／２０〜５０／５０で
あり、Ａ成分とＢ成分の合計１００重量部に対して、C
成分を０．３〜５重量部、Ｅ成分を０．０１〜２重量
部、Ｆ成分を５〜３０重量部含有することを特徴とする
熱紫外線硬化型樹脂層付き銅箔である。更に、本発明
は、銅箔上に形成した熱紫外線硬化型樹脂層の軟化点が
４５℃以上であり、樹脂層の溶融粘度が１０³〜１０⁶ポ
イズとなる領域が５０〜１００℃である上記熱紫外線硬
化型樹脂層付き銅箔である。また、本発明は、Ａ成分が
１分子中にエポキシ基を２つもつエポキシ樹脂と不飽和
モノカルボン酸とを反応させたエポキシ（メタ）アクリ
レート樹脂と酸二無水物との付加生成物でその重量平均
分子量が３０００以上である上記熱紫外線硬化型樹脂層
付き銅箔。更にまた、本発明は、Ａ成分がフルオレン骨
格をもつエポキシ樹脂と不飽和モノカルボン酸とを反応
させたエポキシ（メタ）アクリレート樹脂と多塩基酸無
水物との付加生成物である上記熱紫外線硬化型樹脂層付
き銅箔である。

【００１２】また、本発明は、上記の熱紫外線硬化型樹
脂層付き銅箔を用い、少なくとも以下の工程を有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （１）配線付き基板の配線面に、前記樹脂層付き銅箔の
樹脂面を対向させて５０℃以上１００℃以下の温度にて
積層する工程、（２）前記樹脂層付き銅箔の銅箔面にエ
ッチングマスクを配する工程、（３）ｐＨ9．2以下のエ
ッチング液で、前記樹脂層付き銅箔の銅箔をエッチング
して導体配線を形成する工程、（４）遮光マスクを通し
て紫外線を照射するに際し、導通形成部の樹脂層を遮光
し、導体配線の絶縁部の樹脂層に対して露光する工程、
（５）有機アルカリ系水溶液を用いて３５℃以下で未露
光部分樹脂層を除去し、導通部を形成する現像工程、
（６）１５０〜２５０℃で加熱処理する工程。更に、本
発明は、工程（２）において、エッチングマスクの形成
にポジ型レジストを用い、そのポジ型レジストパターン
が不要となったときに、該ポジ型レジスト層に紫外線を
照射した後に、熱紫外線硬化型樹脂層の軟化点温度以下
でこれを除去する前記の半導体装置の製造方法である。
また、本発明は、工程（２）において、エッチングマス
クがポジ型レジストであり、工程（４）の露光工程にお
いて、このエッチングマスクをも紫外線照射し、工程
（５）においてアルカリ現像液でこのエッチングマスク
を除去すると同時に導通部を形成する前記の半導体装置
の製造方法である。更にまた、本発明は、工程（４）に
おいて、導通に必要な樹脂層部分をフォトマスクで遮光
する際に、銅箔導体配線に沿った２０〜２００μm幅の
一部の樹脂層を露光し、工程（５）において有機アルカ
リ系水溶液を用いて３５℃以下で未露光の導通部樹脂層
を除去し、樹脂壁部が半硬化した導通部を形成する前記
の半導体装置の製造方法である。

【００１３】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
熱紫外線硬化型樹脂層を構成する熱紫外線硬化型樹脂に
は、エポキシ基を１分子中に２つ以上もつエポキシ樹脂
と不飽和モノカルボン酸とを反応させたエポキシ（メ
タ）アクリレート樹脂と多塩基酸無水物との付加生成物
（Ａ成分）、多官能（メタ）アクリレート（Ｂ成分）、
光重合開始剤（Ｃ成分）、熱重合開始剤（Ｄ成分）及び
重合禁止剤（Ｅ成分）を必須の成分とするものと、前記
（Ａ成分）、（Ｂ成分）、（Ｃ成分）及び（Ｅ成分）
と、エポキシ基を１分子中に２つ以上もつエポキシ樹脂
（Ｆ成分）を必須成分とするものがある。そこで、まず
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥ成分を必須の成分とする組成物か
らなる熱紫外線硬化型樹脂について説明し、次にＡ、
Ｂ、Ｃ、Ｅ及びＦ成分を必須の成分とする組成物からな
るものについて説明する。

【００１４】Ａ成分及びＢ成分としては、開始剤の存在
下又は不存在下で紫外線及び熱のどちらでも硬化可能な
化合物、樹脂又はこれらの混合物を使用でき、一分子中
に重合可能な不飽和基を２つ以上持った沸点１００℃以
上の化合物又は樹脂が主成分であることが好ましい。こ
のＡ成分及びＢ成分は光重合開始剤及び熱重合開始剤か
ら発生したラジカルと反応し、架橋構造を形成して塗膜
の強度や硬度を付与するという作用を有し、更にＡ成分
は紫外線照射前のアルカリ可溶性と紫外線照射後のアル
カリ不溶化に関わる作用を有する。

【００１５】Ａ成分は、エポキシ基を１分子中に２つ以
上もつエポキシ樹脂と不飽和モノカルボン酸とを反応さ
せて得たエポキシ（メタ）アクリレート樹脂と多塩基酸
無水物との付加生成物である。かかるエポキシ樹脂とし
ては、エポキシ基を１分子中に２つ以上もつものであれ
ば特に限定されず、公知のものを使用することができ
る。具体的には、ビス（4-ヒドロキシフェニル）ケト
ン、ビス（4-ヒドロキシフェニル）スルホン、2，2-ビ
ス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（4-ヒドロ
キシフェニル）エーテル、ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）ヘキサフルオロプロパン、9，9-ビス（4-ヒドロキ
フェニル）フルオレン、ビス（4-ヒドロキシフェニル）
ジメチルシラン、4，4'-ビフェノール、テトラメチル-
4，4'-ビフェノール等のビスフェノール類、フェノール
ノボラック、クレゾールノボラック、ナフトールノボラ
ック、ナフトール又はナフタレンジオールと１,４-ビス
キシレノールとの縮合化合物などの多官能フェノール類
や、これら芳香環水素の一部又は全てがハロゲン原子、
炭素数１〜４のアルキル基に置換した多官能フェノール
類を、エピクロロヒドリンと反応させて得られた１分子
中にエポキシ基を２つ以上有するエポキシ樹脂がある。

【００１６】このエポキシ樹脂は、エポキシ樹脂と等当
量のアクリル酸、メタクリル酸などのアクリル酸類を公
知の手法により反応させてエポキシ（メタ）アクリレー
ト樹脂とされる。次に、このエポキシ（メタ）アクリレ
ート樹脂は、多塩基酸無水物と反応させて付加生成物、
すなわちＡ成分とされる。使用する酸無水物は限定され
ず、公知のものを用いることができるが、その具体例と
してはメチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサ
ヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、テトラ
ヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチ
ルシクロヘキセンジカルボン酸無水物などの脂環式酸無
水物類、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロ
メリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、エチレングリコールビストリメリテート無水物、グ
リセロールトリストリメリテート無水物、ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物などの芳香族酸無水物類、無水
ヘット酸、テトラブロモ無水フタル酸などのハロゲン系
酸無水物類などを例示できる。そして、前記エポキシ樹
脂、アクリレート、酸無水物類は１種であっても、２種
以上の混合物であってもよい。

【００１７】Ａ成分の好ましい具体例としては、特開昭
60-152091号公報、特開平6-1938号公報、特開平8-14631
1号公報に見られるように同一分子内にカルボキシル基
と光重合可能な不飽和基とを有する重量平均分子量１０
００以上の樹脂である。具体例としては、フルオレン骨
格を持つエポキシアクリレートの酸付加体である新日鐵
化学社製V259M, V301Mや日本化薬社製のクレゾールノボ
ラック型エポキシアクリレートの酸付加体を例示でき
る。なお、フルオレン骨格を持つエポキシアクリレート
は、9,9-ビス（4-ヒドロキフェニル）フルオレンから得
られるエポキシ樹脂とアクリル酸類とを反応させて得ら
れるものが好適である。また、Ａ成分は、１分子中にエ
ポキシ基を２つもつエポキシ樹脂と不飽和モノカルボン
酸とを反応させたエポキシアクリレート樹脂と酸二無水
物との付加生成物であって、その平均分子量が３０００
以上であることが、熱紫外線硬化型樹脂層の軟化点を４
５℃以上にする点で好ましい。

【００１８】更に好ましくは、Ａ成分がフルオレン骨格
を有するエポキシ（メタ）アクリレート樹脂と多塩基酸
無水物の付加物であり、そのカルボキシル基含有量を示
す酸価は、アルカリ現像によるパターン形成の必要性か
ら７０〜１７０mgKOH／ｇであり、また重量平均分子量
３０００以上のオリゴマーであると、樹脂層の軟化点を
上げるためと、銅箔のエッチング液に対する耐性の面で
好ましい。このものは、嵩高いフルオレン骨格を含むた
めにその硬化物は高いガラス転移温度を示し、更に硬化
反応時の収縮率が小さいので本発明に好適に用いること
ができる。また、一分子中に２つ以上のカルボキシル基
と重合可能な不飽和基を同時に含むため、アスペクト比
１近くの高い解像度を示す。

【００１９】Ｂ成分である多官能（メタ）アクリレート
の例としては、常圧において１００℃以上の沸点を有
し、かつ、１分子中に少なくとも２つのエチレン性不飽
和基を有する付加重合性化合物であるものが好ましいも
のとして挙げられる。このＢ成分には、多価アルコール
とα，β−不飽和カルボン酸とを結合して得られるも
の、例えばジエチレングリコール（メタ）アクリレート
（ジアクリレート又はジメタアクリレートを意味する、
以下同じ）、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリ
レート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレ
ート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレー
ト、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、
トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、 1
3-プロパンジオール（メタ）アクリレート、 13-ブタン
ジオール（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール
テトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトール
ペンタ（メタ）アクリレート等の多官能アクリレートや
相当の多官能メタクリレート、 2,2-ビス（４−アクリ
ロキシジエトキシフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-メ
タクリロキシペンタエトキシフェニル）プロパン、2,2-
ビス（4-メタクリロキシポリエトキシフェニル）プロパ
ンの混合物〔新中村化学（株）製商品名:BEP-500〕等
や、グリシル基含有化合物にアクリル酸やメタクリル酸
などのα，β−不飽和カルボン酸を付加して得られるも
の、例えばトリメチロールプロパントリグリシジルエー
テルトリ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジク
リシジルエーテルジ（メタ）アクリレート、フルオレン
環を有するジグリシジルエーテルのアクリル酸付加体
〔新日鐵化学（株）製商品名:ASF400 〕等や、不飽和ア
ミド類、例えばメチレンビスアクリロアミド、1,6-ヘキ
サメチレンビスアクリルアミド等や、ビニルエステル
類、例えばジビニルサクシネート、ジビニルアジベー
ト、ジビニルフタレート、ジビニルテレフタレート、ジ
ビニルベンゼン−1,3-ジスルホネート等が挙げられる。

【００２０】Ａ成分とＢ成分の配合割合は、重量比（Ａ
／Ｂ）で８０／２０〜５０／５０であり、好ましくは７
５／２５〜５５／４５である。Ａ成分の配合割合が８０
より多いと、露光部の成分Ｂによる架橋構造形成やアル
カリ不溶化が十分でなくなり、更に、硬化物の十分な物
性が得られなくなる。また、Ｂ成分の配合割合が５０よ
り多いと、樹脂層のタックが問題となり、また未露光部
において塗膜の酸価が低いためにアルカリ現像液に対す
る溶解性が低下し、また硬化後の硬化物が脆くなり、絶
縁層としての十分な物性が得られないという問題が生じ
る。

【００２１】Ｃ成分は光重合開始剤であり、公知のもの
を単独に又は数種併用することができる。例えば、2-メ
チル−1-〔4-（メチルチオ）フェニル〕-2- モルフォリ
ノ−プロパン−1-オン（市販品チバスペシャリティケミ
カルズ社製イルガキュア９０７）、2ーベンジル-2-ジメ
チルアミノ-1-（4-モルフォリノフェニル）ブタノン-1
（市販品チバスペシャリティケミカルズ社製イルガキュ
ア３６９）、ビス（2,4,6-トリメチルベンゾイル）フェ
ニルホスフィンオキサイド（チバスペシャリティケミカ
ルズ社製商品名ＣＧＩ８１９）、2,4,6-トリメチルベン
ゾイルジフェニルホスフィンオキサイド（BASF製Luciri
n TPO）、2,4-トリクロロメチル-（ピプロロニル）-6-
トリアジン（市販品日本シーベルヘグナー社製商品名ト
リアジンPP）等が使用できる。更に、感光感度を高める
目的で、4,4'-ビスジエチルアミノベンゾフェノン、3,
3',4,4'-テトラ（アルキルパーオキシカルボニル）ベン
ゾフェノンなどを併用することが好ましい。Ｃ成分の使
用範囲は、Ａ成分とＢ成分の総量に対して０．３〜５重
量部である。０．３重量部以下では重合開始の効果がな
くパターン形成が出来なくなり、５重量部を超えると塗
膜深部の硬化不足や硬化膜の強度や密着性に問題とな
る。

【００２２】Ｄ成分は熱重合開始剤であり、加熱時にラ
ジカルを発生し、Ａ成分及びＢ成分の不飽和基を重合さ
せて硬化膜を形成せしめるものである。Ｄ成分は公知の
ものを用いることができるが、１０時間半減期温度が８
０℃以上から硬化温度以下であることが好ましく、１０
０℃以上から硬化温度であることがより好ましい。Ｄ成
分の１０時間半減期温度が８０℃未満であると、またそ
の使用量が多すぎると、樹脂相の熱安定性が損なわれ、
樹脂層付き銅箔を基板へ熱ラミネートした後の露光現像
時のヴィア解像度が低下して好ましくない。また、Ｄ成
分の使用量は、Ａ成分及びＢ成分の総量１００重量部に
対して０．０1〜２重量部である。０．０１重量部を下
回ると、加熱による本硬化時に未露光部分と露光部分の
硬化度が異なって信頼性試験時のクラック発生の原因と
なり好ましくない。Ｄ成分の好ましい具体例は、「増補
プラスチック及びゴム用添加剤実用便覧」（化学工業
社）にみられるもので、ｔ-ブチルクミルパーオキサイ
ド、ｔ-ブチルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、ジ
-ｔ-ブチルジパーオキシフタレートなどの過酸化物であ
る。

【００２３】Ｅ成分は重合禁止剤であり、取扱い時の樹
脂層の熱安定性を目的とする。Ｅ成分にはヒンダードフ
ェノールなど公知のラジカル安定化剤を用いることがで
きる。具体的には、ブチル化ヒドロキシアニソール、2,
6-ジ-t-ブチル-4-エチルフェノール、2,2’-メチレン-
ビス（4-メチル-6-t-ブチルフェノール）、4,4’-チオ
ビス-（3-メチル-6-t-ブチルフェノール）、1,1,3-トリ
ス（2-メチル-4-ヒドロキシ-5-t-ブチルフェニル）ブタ
ン、チバスペシャリティケミカルズ社製イルガノックス
１０１０等がある。これらは単独及び２種以上を混合し
て使用してもよい。その使用量はＡ成分及びＢ成分の総
量１００重量部に対して０．０１〜２重量部であり、ま
たＣ成分及びＤ成分の半分以下の使用が好ましい。０．
０１重量部未満では現像前の熱履歴、例えば樹脂層付き
銅箔を基板へラミネートや銅箔エッチング時のマスクに
用いたレジスト剥離などで、現像時に解像度が低下し、
２重量部を超えると紫外線照射時及び加熱時の樹脂層の
硬化が不十分となって絶縁特性が低下して好ましくな
い。

【００２４】上記Ａ〜Ｅ成分を必須とした組成物からな
る熱紫外線硬化型樹脂は、紫外線と熱のどちらでも硬化
可能である。また、更に熱重合可能な多官能エポキシ樹
脂とを混合した組成物であってもよく、この場合、エポ
キシ樹脂が熱硬化に関与するので熱重合開始剤を必須と
するものではない。そこで、次にＡ、Ｂ、Ｃ、Ｅ及びＦ
成分を必須とした組成物からなる熱紫外線硬化型樹脂に
ついて説明する。

【００２５】Ａ成分、Ｂ成分、Ｃ成分、Ｅ成分及びＦ成
分を必須とした組成物からなる熱紫外線硬化型樹脂にお
いて、Ａ成分、Ｂ成分、Ｃ成分及びＥ成分としては、前
記したものと同じものを使用することができる。そし
て、Ａ成分とＢ成分の配合割合も前記したものと同じ範
囲とすることができる。また、Ａ成分とＢ成分の総和１
００重量部に対するＣ成分の量は、０．３〜５重量部、
好ましくは０．５〜５重量部であり、Ｅ成分は０．０１
〜２重量部、Ｆ成分は５〜３０重量部である。

【００２６】Ｆ成分である多官能エポキシ樹脂は、一分
子中にエポキシ基が２つ以上で、加水分解性塩素分が１
０００ｐｐｍ未満と少ないエポキシ化合物が好ましい。
例えば、油化シェル（株）製テトラメチルジフェニル型
エポキシ樹脂YX４０００、日本化薬（株）製EOCNシリー
ズ（EOCN1020, 4400, 102S, 103S, 104Sなど）のクレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック
型エポキシ樹脂、東都化成（株）製液状３官能エポキシ
樹脂ＺＸ−１５４２、エポキシ化合物中の２級ヒドロキ
シル基にグリシジル基を導入した多官能エポキシ化合物
を例示できる。加熱によりエポキシ基はＡ成分中のカル
ボキシル基と反応し、Ａ、Ｂ成分の不飽和基に加えて架
橋構造を形成する。

【００２７】以上説明した必須成分を含む組成物には、
必要に応じてレベリング剤、顔料、フィラー、溶媒等を
配合することができるが、前記必須成分は、顔料、フィ
ラー及び溶媒を除く成分合計（すなわち、顔料及びフィ
ラーを除く固形分及び固形分形成成分の合計）の５０重
量％以上、好ましくは８０重量％以上、より好ましくは
９０重量％以上であることがよい。なお、固形分形成成
分は、反応又は重合して固形分となる成分をいう。

【００２８】次に、前記組成物からなる熱紫外線硬化型
樹脂の膜を銅箔上に形成する方法の一例について説明す
る。前記必須成分及び必要に応じて配合されるレベリン
グ剤、顔料、フィラー等を含む組成物を溶解可能な溶
剤、例えばプロピレングリコールモノメチルアセテー
ト、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチ
ル、メチルエチルケトンなどの公知の溶媒中に均一に溶
解してワニスを得る。このワニスをカーテンコート、ロ
ールコート、ダイコートなどの公知の手法により銅箔上
に塗布し、６０〜１２０℃で乾燥して、タックのない樹
脂層を２５〜１００μｍ厚みで銅箔上に形成し、その上
をポリエチレンフィルムなどで被い、樹脂層付き銅箔を
得る。また、あらかじめポリエチレンやポリエチレンテ
レフタレートフィルム上にタックのない樹脂層を形成し
た後、銅箔上にこれを熱ラミネートにより転写して製造
してもよい。

【００２９】乾燥後の樹脂層は軟化点が４５℃以上であ
ることが好ましい。軟化点が45℃未満であると該樹脂層
付き銅箔のロール品を保存した際に端部から樹脂がしみ
だしたり（コールドフロー）、樹脂層付き銅箔のパター
ン形成時に使用したエッチングレジストの剥離時の温度
に耐えられずに銅箔パターンが脱落したりする。この際
の指標となる軟化点は、樹脂層を１cm直径ｘ2ｃｍの円
筒状にしたものに２０ｋｇの加重をかけてメルトーフロ
ーインデックスを測定したときに流動を開始する温度と
する。樹脂層の安定性、コールドフローがないことを考
慮して熱ラミネートする場合の温度は５０〜１００℃で
あるが、この温度領域において溶融粘度が１０²〜１０
⁵ Pa・s 、好ましくは１０³〜１０⁵ Pa・sの領域を持つ
ことが好ましい。すなわち、基板の凹凸への追従性、密
着性から考えて溶融粘度は１０⁶ポイズ台以下が好まし
く、また１０³ポイズ未満であるとラミネート時に銅箔
の端部からの樹脂のシミだしが多く、好ましくない。

【００３０】銅箔は公知のものを使用できるが、その厚
みは高密度化のための導体パターンの細線化に即して１
８μmから１２μm、更には９μmと薄くなるほど好まし
く、一方熱紫外線硬化型樹脂層を積層した際にもしわが
よらないために、その銅箔の弾性率が２９０００N／mm²
以上、好ましくは３５０００N／mm²以上のものが有利で
ある。また、樹脂層と銅箔との密着を良好ならしめるた
めにその銅箔塗布面がより粗い電解銅箔が好ましく、ま
たタブ実装用に用いられる高張力銅箔が好適であり、前
者は弾性率が３５０００N／mm²以上、後者が４００００
N／mm²以上を有する。

【００３１】次に、本発明の熱紫外線硬化型樹脂層付き
銅箔（樹脂層付き銅箔と略称することがある）を用いて
半導体装置を製造する方法の発明について、半導体装置
の製造工程を説明するための断面図である図１を参照し
て説明する。本発明の半導体装置の製造方法は、少なく
とも次の工程を有する。 （１）配線付き基板2の配線面2aに、樹脂層付き銅箔1の
樹脂面1aを対向させて５０℃以上１００℃以下の温度に
て積層する工程、（２）樹脂層付き銅箔1の銅箔面1bに
エッチングマスク3aを配する工程、（３）pH9.2以下の
エッチング液で銅箔1bをエッチングして導体配線を形成
する工程、（４）遮光マスク4を通して紫外線を照射す
るに際し、導通形成部5の樹脂層を遮光し、導体配線の
絶縁部6の樹脂層に対して露光する工程、（５）有機ア
ルカリ系水溶液を用いて３５℃以下で未露光部分樹脂層
を除去し、導通部5を形成する現像工程、（６）１５０
〜２５０℃で加熱処理する工程。

【００３２】図１（a）で使用される配線付き基板2は、
ビルドアップ用コア基板である場合はビルドアップ基板
の製造法、配線付きシリコンウエハである場合はウエハ
レベルのチップサイズパッケージの製造方法、ＢＧＡ基
板である場合はそのヒートシンク部や半田ボール搭載部
の製造法に好適な手法を提供する。本発明の樹脂層付き
銅箔1を、配線付き基板にラミネートする方法は公知の
熱ロールによる大気圧下に於けるラミネート、真空下に
おけるプレスラミネートなどが可能であり、転写温度は
銅箔上で５０〜１００℃である。５０℃以下では回路の
凹凸への追従性、密着が不十分であり、１００℃を超え
ると後工程の現像時間のばらつきになり好ましくない。
圧力及び速度は特に限定されるものではない。

【００３３】図１（ｂ）は、銅箔１b上に銅箔回路形成
に必要なエッチングマスク3aを形成したものである。エ
ッチングマスクは、公知のポジ型、ネガ型のエッチング
レジストである場合や、金メッキ層、ニッケル・金複合
メッキ層である場合もある。いずれも一般的に用いられ
るフォトリソグラフィー法で、露光、現像を行って形成
することができる。

【００３４】図１（ｃ）では、pH9.2以下の銅箔エッチ
ング液を用いて、銅箔の回路を形成する。pH9.2を越え
るアルカリ性のエッチング液は本発明の熱紫外線樹脂層
を溶解して目的を達し得ない。pH9.2以下の銅箔エッチ
ング液は公知のもの（参考文献；プリント回路技術便
覧、日本プリント回路工業会編、499〜507ページ）を用
いることが可能で、例えば塩化第一銅／塩酸溶液、銅ア
ンモニア錯イオン／アンモニア／アンモニウム塩緩衝溶
液である。エッチング温度は熱紫外線硬化型樹脂層の軟
化温度以下で行うことが好ましい。この場合の処理温度
はｐＨが低いこともあり、樹脂層の軟化温度以下、好ま
しくは５０℃以下で行う。

【００３５】図１（ｄ）では、導通部に相当する樹脂層
をフォトマスクにて遮光し、配線の絶縁部に相当する部
分を露光する。紫外線露光量は、I線基準で２００〜２
０００mJ／cm²であり、公知の紫外線露光機を用いるこ
とができる。

【００３６】図１（ｅ）では、アルカリ性水溶液現像液
を用い、未露光部の熱紫外線樹脂層を除去して導通部を
形成する。用いる現像液は、公知のものを用いることが
できるが、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属の
炭酸塩、水酸化物の水溶液、テトラヒドロアンモニウム
ヒドロキサイド、ジエタノールアミンなどの有機アルカ
リ水溶液が例示できる。特に、有機アルカリ水溶液、好
ましくはジエタノールアミン水溶液が有利であり、基板
がアルミ金属配線を有する場合や、基板粗面の樹脂残渣
を除くに好ましく用いることができる。その濃度は、所
望の現像時間に依存するが、通常０．０１〜２重量％で
あり、ノニオン系などの界面活性剤の共存化で２０〜３
５℃、１０秒〜３分で現像を行う。現像温度が３５℃を
超えると現像マージンがせばまって好ましくない逆テー
パーが形成されたり、配線部の腐食が生じたりする。

【００３７】更に、図１（ｂ）で使用される銅箔回路形
成用のエッチングマスク3aの形成にポジ型レジストを用
い、そのポジ型レジストパターンが不要となったとき
に、該ポジ型レジスト層に紫外線を照射した後に、熱紫
外線硬化型樹脂層１aの軟化点温度以下でこれを除去す
る半導体装置の製造方法について述べる。通常レジスト
パターンがその後の工程で不用となったとき、これを除
去するにアルカリ性水溶液系又は有機溶剤系の剥離液を
用いる。パターン形成に使用されたポジ型レジストパタ
ーンは紫外線照射により、ネガ型レジストパターンに比
較してより低い温度及びアルカリ濃度で剥離することが
可能であり、本発明に適用するに好ましい。すなわち、
紫外線照射後の不用ポジ型パターンを樹脂層１aの軟化
点以下で剥離することが可能となる。図２にはエッチン
グマスク3aをニッケル・金湿式メッキ層とした製造工程
の一例を示す。ポジ型レジスト層8を銅箔1b上に形成し
た後、後のエッチングマスク部分となる部分を開口した
フォトマスク7を用いて露光し（図２（ａ））、続いて
現像によりメッキレジストパターン9を形成する
（ｂ）。銅箔1bの露出部にニッケル・金湿式メッキ層3a
を形成した（ｃ）後に、全面露光を施して、ポジ型レジ
スト現像液でメッキレジストパターン9を除去してエッ
チングマスクパターン3aを形成する（ｄ）。銅エッチン
グ後の残った金エッチングマスク3aはそのままICチップ
や他基板との接続端子として用いることに適している。
いずれにしても、この工程における操作は熱紫外線硬化
樹脂層が４５℃以下となる条件で行うことが望ましい。
５０℃を超えると熱紫外線型硬化樹脂層の軟化による銅
箔の脱落やその後のパターン形成に現像時間が長くなる
などして好ましくない。

【００３８】あるいは、図１（ｂ）記載の銅箔回路形成
用のエッチングマスク3aをポジ型レジストとし、露光工
程においてこのエッチングマスクをも紫外線照射し、ア
ルカリ現像液で導通部を形成すると同時にこのエッチン
グマスクを除去する半導体装置の製造方法について図３
を用いて説明する。ポジ型レジスト層8を銅箔1b上に形
成した後、後のエッチングマスク部分となる部分をフォ
トマスク7で遮光して露光し（図３（ａ））、続いて現
像によりエッチングマスクパターン３aを形成する
（ｂ）。この場合、前述のポジ型レジスト8がエッチン
グマスクパターン3aとなる。引き続き、pH9.2以下の銅
箔エッチング液を用いて、銅箔の回路を形成する
（ｃ）。次に、導通部に相当する樹脂層をフォトマスク
４にて遮光し、配線の絶縁部に相当する部分を露光す
る。この際に、図３（ｄ）に示すように銅箔上のエッチ
ングマスク3aをも露光する。次工程の現像の際に導通部
5を形成すると同時にエッチングマスク3aを除去するこ
とができ（ｅ）、工程の省略を行うことが可能である。

【００３９】図１（ｅ）の現像工程では、アルカリ性水
溶液現像液を用い、未露光部の熱紫外線樹脂層を除去し
て導通部を５形成する。用いる現像液は、公知のものを
用いることができるが、逆テーパーが形成されないよう
な現像マージンを広げる目的に、図４（ａ）に示すよう
に、導通に必要な樹脂層部分をフォトマスクで遮光する
際に、銅箔導体配線に沿った２０〜２００μm幅の一部
の樹脂層を露光して半硬化樹脂部を形成すると有効であ
る。すなわち、有機アルカリ系水溶液を用いて３５℃以
下で未露光の導通部樹脂層10を除去する際に、半硬化樹
脂部9が未露光部分11に現像液が浸透することを抑制す
ることで、導通部壁の逆テーパー形状になることなく広
い現像マージンを可能にする（図４（ｂ））。

【００４０】導通部形成後、最終硬化前に用途に応じて
１００〜１６０℃未満にて５〜６０分の熱処理を行うと
熱紫外線硬化型樹脂層と他層との密着が増して好まし
い。例えば、導通部の樹脂壁を無電解メッキする前に１
００〜１４０℃にて、１０〜６０分の熱処理を行うこと
で配線と樹脂間へのメッキ液の浸透を抑制したり、樹脂
成分の溶解によるメッキ液の汚染を抑えるので好まし
い。

【００４１】最終硬化温度は配線付き基板の可能な上限
温度以下又は所望の硬化膜のガラス転移温度などの物性
により決定する。例えば、ガラスエポキシ基板であるＦ
Ｒ４基板は１５０〜１６０℃で硬化し、ポリイミドをベ
ースとする銅張り積層板や配線付きシリコンウエハでは
２００℃〜２５０℃で硬化し、Ａ成分にフルオレン骨格
を持つエポキシアクリレート酸付加物を用いた場合は、
硬化温度とほぼ同温度のガラス転移温度をもつ硬化膜が
得られる。

【００４２】前述のような工程を少なくとも経ること
で、図１（ａ）中における配線付き基板2が、ビルドア
ップ用コア基板である場合はビルドアップ基板を提供
し、配線付きシリコンウエハである場合はウエハレベル
プロセスで得るチップサイズパッケージであり、ＢＧＡ
基板である場合はそのヒートシンク部や半田ボール搭載
部に本発明を使用したメタルボールグリッドアレイ基板
を提供する。

【００４３】

【実施例】実施例１ ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートのカプロラ
クトン変成体（日本化薬製商品名KAYARAD DPCA-60）３
０重量部、フルオレンエポキシ型アクリレート／酸無水
物付加重合体の56.5wt%-プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート溶液〔新日鐵化学（株）製商品
名：V259MEとV301MEとの等重量混合物〕１２４重量部
（固形分として７０重量部）、テトラメチルビフェニル
型エポキシ樹脂（油化シェル製商品名：XY4000H ）１５
重量部、基板との密着性付与の目的でシランカップリン
グ剤１．２重量部、光重合開始剤成分として4,4'-ビス
ジエチルアミノベンゾフェノン０．２重量部と2-メチル
−1-〔4-（メチルチオ）フェニル〕-2-モルフォリノ−
プロパン−1-オン３重量部、熱重合禁止剤としてイルガ
ノックス1010（チバスペシャリティケミカルズ製）０．
３８重量部及び溶剤としてプロピレングリコールメチル
エーテルアセテート６重量部と酢酸エチル５８重量部を
配合し、熱紫外線硬化型樹脂組成物を調製した。

【００４４】厚み１８μｍ、幅３００mmの三井金属製電
解銅箔を用い、そのマット面にこの組成物をダイコータ
ーにより塗布し、８０−９０−１００−１２０℃にそれ
ぞれ設定した連続４段乾燥炉中で熱風で乾燥し、残存溶
剤率4％をもった３０μｍ厚の熱紫外線硬化型樹脂層を
得た。その乾燥塗膜上に厚さ６０μｍのポリエチレン製
保護フィルムをラミネートし、保護フィルム付きの熱紫
外線硬化型樹脂層付き銅箔（ＲＣＣ１）を作製した。な
お、残留溶媒率の測定については、A4サイズのＲＣＣ１
を用い、保護フィルムを剥離後、秤量Ｄ1（ｇ）した。
続いて、この光重合性層付きガラス基板を２００℃で３
０分加熱したのち、直ちに秤量Ｄ2（ｇ）し、次式によ
り残留溶媒率（％）を定義した。 残留溶媒率（％）＝１００x（Ｄ1−D2）／（Ｄ1−Ｇ） （Ｇは銅箔の重さ（ｇ）） また、銅箔をエッチング処理して熱紫外線硬化型樹脂層
を回収し、その溶融粘度を測定したところ、軟化点が53
℃、溶融粘度が10⁶〜10³ポイズとなる温度が55〜100℃
に存在していた。

【００４５】実施例２ 実施例１においてテトラメチルビフェニル型エポキシ樹
脂（油化シェル製商品名：ＹＸ4000H ）を使用せず、ｔ
-ブチルクミルパーオキサイドを０．０５重量部加えた
他は実施例１と同様にして樹脂層付き銅箔（ＲＣＣ２）
を調製した。

【００４６】実施例３ ５インチシリコンウエハ基板に実施例１で調製したＲＣ
Ｃ１を保護フィルムをはがしながらホットロールラミネ
ーターを用いてロール温度８０℃、転写時のロール線圧
１３．７N/cm、転写速度２５cm／分でラミネートした。
次に、アンモニア性銅エッチング液を用いて、ｐＨ8.
5、45℃にて銅箔を全面エッチングで落としたが、樹脂
層がウエハから剥離することはなかった。続いて、ネガ
#型解像度評価マスクをあてて、紫外線を300ｍＪ露光
し、1％テトラヒドロアンモニウムヒドキサイド（ＴＭ
ＡＨ）水溶液にて２５℃で９０秒間現像を行ったとこ
ろ、４５μｍのヴィア開口が可能で、また露光部樹脂層
の現像剥離も見られなかった。

【００４７】実施例４ ２ｍm角、１８μm厚みの銅ランドを１０ｍｍ間隔で形成
したＦＲ４モデル基板に実施例１で調製したＲＣＣ１
を、保護フィルムをはがしながらホットロールラミネー
ターを用いてロール温度７０℃、転写時のロール線圧１
３．７N/cm、転写速度２５cm／分でラミネートした。次
に、銅箔面にポジ型レジストを膜厚２μmに塗布し、配
線モデル基板上の銅ランドに位置する部分を1.2ｍｍ直
径で遮光したパターンと導体配線パターンを有するフォ
トマスクをあてて、高圧水銀灯で100ｍＪで紫外線照射
を行った。引き続き、1％TMAH水溶液を用いて２５℃に
てポジ型レジストを開口し、更にアンモニア性銅エッチ
ング液を用いて、ｐＨ8.5、45℃にて銅箔に1.2ｍｍ直径
の孔と配線を形成した。開口孔より小さい1.0ｍｍ直径
を遮光したマスクを用いて銅箔開口部からのぞく樹脂層
を遮光し、銅箔上のポジ型レジスト層と共に800ｍＪの
紫外線照射を行った。続いて、1％TMAH水溶液を用いて2
5℃にて90秒の現像を行い、ポジ型レジスト層の剥離と
共にＦＲ４上のランドとの導通部ならびに導体配線とＦ
Ｒ４基板上の配線間の絶縁層を形成した。得られた基板
を120℃で30分のソフトベーク後、デスミア処理、無電
解メッキを行い、導通部のメッキを形成し、更に１６０
℃にて１時間の熱処理を行ってビルドアップ基板を作成
した。

【００４８】実施例５ アルミ蒸着を施した５インチシリコンウエハモデル基板
に、実施例１で調製したＲＣＣ１を保護フィルムをはが
しながらホットロールラミネーターを用いてロール温度
８０℃、転写時のロール線圧１３．７N/cm、転写速度２
５cm／分でラミネートした。次に、銅箔面にポジ型レジ
ストを膜厚１μmに塗布し、100μmラインの櫛形電極形
状を開口したしたフォトマスクをあてて、高圧水銀灯で
100ｍＪで紫外線照射を行った。引き続き、1％TMAH水溶
液を用いて２５℃にてポジ型レジストを現像し、更に中
性シアン金メッキを施した。引き続き、レジスト面を全
面露光し、これを1％ＴＭＡＨ水溶液を用いて２５℃で
レジストを剥離して櫛形形状の金エッチングマスクを形
成した。これをもとにアンモニア性銅エッチング液を用
いて、ｐＨ8.5、45℃にて櫛形電極を形成した。引き続
き、得られた基板を水洗し、更に80℃にて10分乾燥後、
櫛形電極をマスクとして0.7％ジエタノールアミン水溶
液を用いて25℃にて４０秒現像を行った。水洗後、１６
０℃で３０分間、更に２００℃にて１時間の熱処理を行
い、ウエハレベルプロセスのモデル基板を作成した。基
板と櫛形電極間の絶縁樹脂層が保持され、更にアルミ蒸
着膜上には樹脂の残存は見られなかった。

【００４９】実施例６ 実施例５において用いたＲＣＣ１に換えてＲＣＣ２を用
いた他は同様に行い、ウエハレベルプロセスのモデル基
板を作成した。基板と櫛形電極間の絶縁樹脂層が保持さ
れ、更にアルミ蒸着膜上には樹脂の残存は見られなかっ
た。

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば、熱紫外線硬化型樹脂層
を有する樹脂層付き銅箔を用いることにより、レーザー
加工やデスミア工程の問題を解決し、更に未露光樹脂層
を絶縁層として利用することで、半導体製造工程の省力
化を可能とする。

【図面の簡単な説明】

【図１】 半導体装置の製造工程を説明するための断面
図

【図２】 半導体装置の製造工程を説明するための断面
図

【図３】 半導体装置の製造工程を説明するための断面
図

【図４】 半導体装置の製造工程を説明するための断面
図

【符号の説明】

１ 樹脂層付き銅箔 １a 樹脂面 １b 銅箔面 ２ 配線付き基板 ２a 配線面 ３a エッチングマスク ４ 遮光マスク ５ 導通部 ６ 絶縁部 ７ フォトマスク ８ ポジ型レジスト層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/40 ５０１ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０Ｌ ５Ｅ３４６ Ｈ０１Ｌ 21/027 ６１０Ｓ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ 3/46 Ｔ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ 3/46 21/30 ５０２Ｒ 23/12 Ｌ (72)発明者 稲葉 真司 千葉県木更津市築地１番地 新日鐵化学株 式会社電子材料開発センター内 Ｆターム(参考） 2H025 AA04 AA20 AB15 AB16 AC01 AD01 BC13 BC42 BC74 BC83 BC85 BC86 BC92 BJ08 CA00 CC20 DA18 DA40 EA08 FA17 FA29 FA47 2H096 AA25 AA26 BA06 CA20 EA02 GA08 HA30 4J011 QA13 QA17 QA23 QB20 QB22 SA25 SA26 SA78 SA82 SA84 UA01 UA08 VA01 WA01 4J027 AE02 AE03 BA17 BA20 BA21 BA25 BA28 CA25 CA27 CB04 CB10 CC05 CD06 4J036 AD04 AD07 AD08 AD09 AD13 AD15 AD21 AF05 AF06 AF08 AF15 CA21 CA24 CA25 EA02 EA04 EA09 HA02 JA07 5E346 AA12 AA15 BB01 DD01 DD11 DD32 EE02 EE06 EE07 FF03 GG02 GG15 GG28 HH33

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 銅箔上に形成した熱紫外線硬化型樹脂層
   が、（１）エポキシ基を１分子中に２つ以上もつエポキ
   シ樹脂と不飽和モノカルボン酸とを反応させたエポキシ
   （メタ）アクリレート樹脂と多塩基酸無水物との付加生
   成物（Ａ成分）、（２）多官能（メタ）アクリレート
   （Ｂ成分）、（３）光重合開始剤（Ｃ成分）（４）熱重
   合開始剤（Ｄ成分）（５）重合禁止剤（Ｅ成分）を必須
   成分とし、Ａ成分とＢ成分の重量比（A／B)が８０／２
   ０〜５０／５０であり、Ａ成分とＢ成分の合計１００重
   量部に対して、C成分を０．３〜５重量部、D成分を０．
   ０１〜２重量部及びＥ成分を０．０１〜２重量部含有す
   ることを特徴とする熱紫外線硬化型樹脂層付き銅箔。
2. 【請求項２】 銅箔上に形成した熱紫外線硬化型樹脂層
   が、（１）エポキシ基を１分子中に２つ以上もつエポキ
   シ樹脂と不飽和カルボン酸とを反応させたエポキシ（メ
   タ）アクリレート樹脂と多塩基酸無水物との付加生成物
   （Ａ成分）、（２）多官能（メタ）アクリレート（Ｂ成
   分）、（３）光重合開始剤（Ｃ成分）（４）重合禁止剤
   （Ｅ成分）（５）エポキシ基を１分子中に２つ以上もつ
   エポキシ樹脂（Ｆ成分）を必須成分とし、Ａ成分とＢ成
   分の重量比（A／B)が８０／２０〜５０／５０であり、
   Ａ成分とＢ成分の合計１００重量部に対して、Ｃ成分を
   ０．３〜５重量部、Ｅ成分を０．０１〜２重量部、Ｆ成
   分を５〜３０重量部含有することを特徴とする熱紫外線
   硬化型樹脂層付き銅箔。
3. 【請求項３】 銅箔上に形成した熱紫外線硬化型樹脂層
   の軟化点が４５℃以上であり、樹脂層の溶融粘度が１０
   ²〜１０⁵ Pa・sとなる領域が５０〜１００℃となる請求
   項１又は請求項２に記載の熱紫外線硬化型樹脂層付き銅
   箔。
4. 【請求項４】 Ａ成分が、１分子中にエポキシ基を２つ
   もつエポキシ樹脂と不飽和モノカルボン酸とを反応させ
   たエポキシ（メタ）アクリレート樹脂と酸二無水物との
   付加生成物であり、その重量平均分子量が３０００以上
   である請求項１〜３のいずれかに記載の熱紫外線硬化型
   樹脂層付き銅箔。
5. 【請求項５】 Ａ成分が、フルオレン骨格をもつエポキ
   シ樹脂と不飽和モノカルボン酸とを反応させたエポキシ
   （メタ）アクリレート樹脂と、多塩基酸無水物との付加
   生成物である請求項１〜４のいずれかに記載の熱紫外線
   硬化型樹脂層付き銅箔。
6. 【請求項６】 請求項１又は請求項２記載の熱紫外線硬
   化型樹脂層付き銅箔を用い、少なくとも以下の工程を有
   することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （１）配線付き基板の配線面に、前記樹脂層付き銅箔の
   樹脂面を対向させて５０℃以上１００℃以下の温度にて
   積層する工程、（２）前記樹脂層付き銅箔の銅箔面にエ
   ッチングマスクを配する工程、（３）ｐＨ9．2以下のエ
   ッチング液で、前記樹脂層付き銅箔の銅箔をエッチング
   して導体配線を形成する工程、（４）遮光マスクを通し
   て紫外線を照射するに際し、導通形成部の樹脂層を遮光
   し、導体配線の絶縁部の樹脂層に対して露光する工程、
   （５）有機アルカリ系水溶液を用いて３５℃以下で未露
   光部分樹脂層を除去し、導通部を形成する現像工程、
   （６）１５０〜２５０℃で加熱処理する工程。
7. 【請求項７】 工程（２）において、エッチングマスク
   の形成にポジ型レジストを用い、そのポジ型レジストパ
   ターンが不要となったときに、該ポジ型レジスト層に紫
   外線を照射した後に、熱紫外線硬化型樹脂層の軟化点温
   度以下でこれを除去する請求項６記載の半導体装置の製
   造方法。
8. 【請求項８】 工程（２）において、エッチングマスク
   がポジ型レジストであり、工程（４）の露光工程におい
   て、このエッチングマスクをも紫外線照射し、工程
   （５）においてアルカリ現像液でこのエッチングマスク
   を除去すると同時に導通部を形成する請求項６又は７記
   載の半導体装置の製造方法。
9. 【請求項９】 工程（４）において、導通に必要な樹脂
   層部分をフォトマスクで遮光する際に、銅箔導体配線に
   沿った２０〜２００μm幅の一部の樹脂層を露光し、工
   程（５）において有機アルカリ系水溶液を用いて３５℃
   以下で未露光の導通部樹脂層を除去し、樹脂壁部が半硬
   化した導通部を形成する請求項６記載の半導体装置の製
   造方法。