JP4892083B2 - 紫外線硬化性樹脂材料を用いたパターン転写方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
該未硬化のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射して、硬化せしめ、
該透明スタンパーを剥離して、前記半導体基板の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層を形成することを含むことを特徴とする。
該未硬化の紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射して、硬化せしめ、
該透明スタンパーを剥離して、前記基材の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層を形成することを特徴とする。
未硬化の紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射して、硬化せしめ、
樹脂スタンパーを剥離して、前記磁気記録媒体の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層を形成し、
硬化された紫外線硬化性樹脂材料層をマスクとしてドライエッチングを行い、磁気記録層表面に、凹凸パターンを形成する方法であって、
パターン転写用紫外線硬化性樹脂材料が80ないし95重量%のイソボルニルアクリレート、1ないし20重量%の3官能アクリレート、及び0.5ないし6重量%の重合開始剤を含有する。
トリメチロールプロパントリアクリレート
トリメチロールプロパンPO変性トリアクリレート
(PO(プロポキシ基)の数:2,3,4,6)
トリメチロールプロパンEO変性トリアクリレート
(EO(エトキシ基)の数:3,6,9,15,20)
トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートトリアクリレート
ペンタエリスリトールトリアクリレート
ペンタエリスリトールEO変性トリアクリレート
EO変性グリセリントリアクリレート
プロポキシ化(3)グリセリルトリアクリレート
高プロポキシ化(5.5)グリセリルトリアクリレート
トリスアクリロイルオキシエチルフォスフェート
ε−カプロラクトン変性トリス(アクロキシエチル)イソシアヌレート
を用いることができる。
アルキルフェノン系光重合開始剤、アシルフォスフィンオキサイド系重合開始剤、チタノセン系重合開始剤、オキシムエステル系光重合開始剤、オキシムエステル酢酸エステル系光重合開始剤などを用いることができる。
2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製IRGACURE651)
1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニルーケトン(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製IRGACURE184)
2−ヒドロキシー2−メチルー1−フェニループロパン−1−オン(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製DAROCUR1173)
その他、IRGACURE2959,IRGACURE127,IRGACURE907,IRGACURE369,IRGACURE379,DAROCUR TPO,IRGACURE819,IRGACURE784,IRGACURE OXE01,IRGACURE OXE02,IRGACURE754(すべてチバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)
が挙げられる。
まず、スタンパーを作製した。
スタンパーの型となる原盤の基板として6インチ径のSiウエハーを用意した。一方、日本ゼオン社製のレジストZEP−520Aをアニソールで2倍に希釈し、0.05μmのフィルタでろ過した。Siウエハー上にレジスト溶液をスピンコートした後、200℃で3分間プリベークして、厚さ約50nmのレジスト層を形成した。
スルファミン酸ニッケル:600g/L
ホウ酸:40g/L
界面活性剤(ラウリル硫酸ナトリウム):0.15g/L
液の温度:55℃
pH:4.0
電流密度:20A/dm2
レジスト原盤から、電鋳膜および導電膜をレジスト残渣がついた状態で剥離した。酸素プラズマアッシングによりレジスト残渣を除去した。具体的には、酸素ガスを100ml/minで導入して圧力を4Paに調整したチャンバー内で100Wのパワーを印加して20分間プラズマアッシングを行った。
図3(g)に示す1.8インチ径のドーナツ型ガラスからなるディスク基板上にスパッタリングにより磁気記録層を形成した。この磁気記録層上に金属マスク層を3nm積層した。金属マスク層に用いることができる金属は、
Ag,Al,Au,C,Cr,Cu,Ni,Pt,Pd,Ru,Si,Ta,Ti,Znなどや、これらを含む合金(例えば、CrTi,CoB,CoPt,CoZrNb,NiTa,NiW,Cr−N,SiC,TiOxなど)などである。中でも、SiやCuは樹脂スタンパーからの剥離性や加工性が優れ、好ましい。また、金属マスク層の膜厚も、加工性によって決まり、薄いほど良好である。本実施例においては、Cuを3nm磁気記録層上に積層したものを用いた。
紫外線硬化性樹脂A〜Yを用いて上記方法にて磁気記録層上にパターンを転写し、磁気記録媒体を作製した。
EGTA9: エトキシ化(9)グリセリルトリアクリレート
上記式(4)においてl+m+n=9
EGTA20: エトキシ化(20)グリセリルトリアクリレート
上記式(4)においてl+m+n=20
TMPTA: トリメチロールプロパントリアクリレート
Claims (4)
- 半導体基板と、透明スタンパーとを
80ないし95重量%のイソボルニルアクリレート、1ないし20重量%の3官能アクリレート、及び0.5ないし6重量%の重合開始剤を含有する未硬化のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料の塗布層を介して貼り合わせ、
該未硬化のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射して、硬化せしめ、
該透明スタンパーを剥離して、前記半導体基板の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層を形成することを含む半導体装置の製造方法。 - 前記未硬化のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料は、25℃で9ないし15cpの粘度を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 基材表面と、透明脂スタンパーの凹凸パターン面とを、80ないし95重量%のイソボルニルアクリレート、1ないし20重量%の3官能アクリレート、及び0.5ないし6重量%の重合開始剤を含有する未硬化のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料の塗布層を介して貼り合わせ、
該未硬化の紫外線硬化性樹脂材料の塗布層に紫外線を照射して、硬化せしめ、
該透明スタンパーを剥離して、前記基材の片面上に凹凸パターンが転写され、硬化された紫外線硬化性樹脂材料層を形成するパターン転写方法。 - 前記未硬化のパターン転写用紫外線硬化性樹脂材料は、25℃で9ないし15cpの粘度を有することを特徴とする請求項3に記載の方法。
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