JP5016089B2 - 水平及び垂直キャパシタンスを形成するマーチャンドバランディバイス - Google Patents
水平及び垂直キャパシタンスを形成するマーチャンドバランディバイス Download PDFInfo
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Description
したがって、優秀な特性を有するマーチャンドバランディバイス100を具現するためには結合係数を増加させなければならない。本発明の実施形態によるマーチャンドバランディバイス100は、水平方向に配置された線路による水平キャパシタンスに、垂直方向に配置された結合線路による垂直キャパシタンスを追加することによって、結合係数を増加する。
上位結合線路:2um厚さ、20um幅、線路との間隔4um
下位線路:1um厚さ、44um幅、160um長く
垂直線路との間の誘電体:1.6um厚さのPolymide(誘電率:2。9)、0.1um厚さのSiN(誘電率:6.9)
図10は、本発明の実施形態によるマーチャンドバランディバイスの挿入損失(insertion loss)シミュレーション結果を示すグラフである。図10において、横軸は、GHz単位の周波数(frequency)を表し、縦軸は、不平衡端子(図1参照、131)での入力信号大きさに対する平衡端子(図1参照、111)での出力信号大きさの比をdBに表したものである。
110、120、130 線路
111、112 平衡端子
115、125、135、145、155 ビア(via)
131 不平衡端子
140、150 結合線路
160 接地層
Claims (7)
- 第1平衡端子と接地端子との間に連結される第1線路と、
第2平衡端子と接地端子との間に連結される第2線路と、
前記第1及び第2線路と水平方向に並べて位置し、前記第1及び第2線路と水平キャパシタンスを形成する第3線路と、
前記第1及び第3線路と垂直方向に並べて位置し、前記第1線路又は、前記第3線路と垂直キャパシタンスを形成する第1結合線路と、
前記第2及び第3線路と垂直方向に並べて位置し、前記第2線路又は、前記第3線路と垂直キャパシタンスを形成する第2結合線路と、
を含み、
第1結合線路は、この第1結合線路とともに前記第1線路及び前記第3線路に沿って延びた第1ビアによって前記第1線路又は前記第3線路に連結され、
第2結合線路は、この第2結合線路とともに前記第2線路及び前記第3線路に沿って延びた第2ビアによって前記第2線路又は前記第3線路に連結されるマーチャンドバランディバイス。 - 前記第3線路は、不平衡端子と開放端子との間に連結される請求項1に記載のマーチャンドバランディバイス。
- 前記第3線路は、前記第1及び第2線路との間に位置する請求項2に記載のマーチャンドバランディバイス。
- 前記第1及び第2結合線路は、前記第1及び第2ビアを通じて前記第3線路に各々連結する請求項2に記載のマーチャンドバランディバイス。
- 前記第1結合線路は、前記第1ビアを通じて前記第1線路に連結され、前記第2結合線路は、前記第2ビアを通じて前記第2線路に連結される請求項2に記載のマーチャンドバランディバイス。
- 前記第1及び第2線路の長さは、前記第3線路の長さの半分又は、その以下である請求項2に記載のマーチャンドバランディバイス。
- 前記第1及び第2結合線路の長さは、各々前記第1及び第2線路の長さと同一であるか、或いは小さい請求項2に記載のマーチャンドバランディバイス。
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