JP5006490B2 - 低熱膨張セラミックス及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックスに関し、更に詳細には、導電性を有し、低熱膨張でかつ高剛性であり、半導体製造工程等で好適に用いられるセラミックス、及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体製造装置、精密機器、計測機器等の部品として、セラミックスが広く使用されている。例えば、半導体製造プロセスのシリコンウエハに配線を形成する工程においては、ウエハを支持又は保持するサセプタ、真空チャック、絶縁リング等や、露光装置のXYテーブル、ミラー等に、アルミナ、窒化珪素、炭化珪素等のセラミックスが用いられている。
【0003】
半導体製造プロセス等においては、LSIなどの高集積化に伴い、回路の微細化が急速に進められ、露光装置部材にも更なる高精度化が要求されてきている。このため、ユークリプタイト等のリチウムアルミノシリケートや、コージェライト等のマグネシウムアルミノシリケートなどや、これらを主体とした高剛性セラミックス粒子を複合した熱膨張係数の小さい、低熱膨張セラミックスが使用され始めている。
【0004】
しかしながら、これらのセラミックスは、熱膨張係数は小さいものの、絶縁性であるため、例えば電子線描画装置のマスクホルダー等に使用する場合、使用しているセラミックスが帯電してしまい、そのために電子線に影響を与え、描画精度を低下させてしまうという問題があった。また、剛性も低いため、例えば露光装置のテーブルの部材に用いる場合、テーブルが変形する、固有振動数に伴う共振発生による位置決め時間が増加するなどの問題もあった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的は、熱膨張係数が小さく、しかも剛性が大きく、かつ帯電を防止するほどの導電性を有するセラミックス及びその製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者らは、鋭意研究を行った結果、ユークリプタイトと特定の導電性化合物を特定の割合で組合わせて用いれば、低熱膨張性で、剛性が大きく、かつ導電性のセラミックスが得られることを見出し、本発明を完成した。
【0007】
すなわち、本発明は、ユークリプタイト70〜95体積%、並びにTiB2、ZrB2、WC、TiC、ZrN及びβ−SiCから選ばれる1種以上の導電性化合物5〜30体積%を含有することを特徴とするセラミックスを提供するものである。
【0008】
また、本発明は、ユークリプタイトと導電性化合物の含有量が異なる複数種の、平均粒径10μm以上300μm未満の顆粒を乾式混合して、不均一分散複合させた成形体を、真空又は不活性ガス雰囲気中、1100〜1550℃で焼成することを特徴とする前記セラミックスの製造方法を提供するものである。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明のセラミックスは、ユークリプタイトを70〜95体積%、好ましくは75〜90体積%含有する。70体積%未満では、熱膨張率が高くなり、95体積%を超えると、ヤング率が低くなる。
【0010】
また、本発明のセラミックスは、TiB2、ZrB2、WC、TiC、ZrN及びβ−SiCから選ばれる1種以上の導電性化合物を5〜30体積%、好ましくは10〜25体積%含有する。5体積%未満では体積抵抗率が増加して帯電防止効果が得られにくく、かつ剛性が低くなり、30体積%を超えると、熱膨張係数が大きくなる。これらの導電性化合物のうち、特にβ−SiCが、熱膨張係数がより小さいので好ましい。
【0011】
本発明のセラミックスの導電性は、体積抵抗率の低い特定の導電性化合物を用いることによって付与される。すなわち、電流がこれらの低抵抗率粒子の連結部を選択的に流れることにより、セラミックスの体積抵抗率が低下する。従って、ユークリプタイトに分散した、体積抵抗率の低い粒子の添加量が同じであれば、連結割合の多い方が電流は流れ易くなり、セラミックス全体の体積抵抗が低くなる。つまり、焼結性及びヤング率に影響を及ぼさない範囲で、これら低抵抗率粒子が不均一に分散されるのが好ましい。
【0012】
本発明のセラミックスの製造方法は特に制限されないが、前記のように、低抵抗粒子の連結をより増大し、セラミックスの体積抵抗率をより低下させるため、ユークリプタイトと導電性化合物の含有量が異なる複数種の、平均粒径10μm以上300μm未満の顆粒を乾式混合して、不均一分散複合させた成形体を得、これを真空又は不活性ガス雰囲気中、1100〜1550℃で焼成することにより製造するのが好ましい。
用いるユークリプタイト及び導電性化合物粒子の粒径は、ユークリプタイトが0.3〜5μm、導電性化合物が0.3〜5μmであるのが、均一混合され易く、焼結し易いので好ましい。
【0013】
複数種の顆粒における導電性化合物の含有量の差は、50体積%以下、特に10〜40体積%であるのが、焼成不良が抑制されるので好ましい。
また、顆粒の平均粒径が10μm未満では、流動性が低下して、成形性も低下し、300μmを超えると、同一成形体内の熱膨張係数のミスマッチが大きくなり、焼成で亀裂を生じるなどの焼成不良が生じる。
【0014】
本発明のセラミックスには、焼結助剤を配合することができ、例えばMgO、2MgO・2Al2O3・5SiO2等を用いることができる。特に、MgOが好ましい。
焼結助剤は、3重量%以下、特に0.5〜2重量%配合するのが、セラミックスの熱膨張係数が小さく、ヤング率が高くなるので好ましい。
【0015】
各配合原料粉末は、エタノール、水、トルエン等の溶媒を加え、別々にボールミル等により十分混合し、必要に応じて結合剤を加えた後、スプレー式造粒機で造粒・乾燥し、配合原料の含有量が異なる複数種の顆粒を得る。次に、ブレンダー等で、顆粒を壊さない程度の剪断力による通常の乾式混合方法で複数種の顆粒を混合し、混合顆粒を得る。
次に、混合顆粒を、金型プレス、ラバープレス、冷間静水圧プレス等の成形手段により、任意の形状に成形した後、焼成する。
【0016】
焼成は、真空又はAr、N2等の不活性ガス雰囲気中、1100〜1550℃、特に1200〜1400℃で1〜10時間程度行なうのが好ましい。1100℃未満では緻密化が困難であり、1550℃を超えると、成形体が溶融してしまう。また、大気などの酸化性雰囲気で焼成すると、配合した導電性化合物が酸化されてしまい、焼成不良を引き起こす。
なお、顆粒を製造する際に結合剤を加えた場合には、焼成前に成形体を脱脂するのが好ましい。脱脂は、N2等の不活性ガス雰囲気中、結合剤のガス化により顆粒が壊れないよう、例えば30℃/時間程度の昇温速度で400〜600℃まで加熱して行うのが好ましい。
【0017】
このようにして得られる本発明のセラミックスは、導電性を有し、低熱膨張性でかつ高剛性である。例えば、室温における体積抵抗率が107Ω・cm以下、特に10〜107Ω・cm、更に102〜107Ω・cm;10〜40℃における熱膨張係数が−1〜1×10-6/℃、特に−0.7〜0.7×10-6/℃、更に−0.4〜0.4×10-6/℃;室温でのヤング率が120GPa以上、特に120〜160GPa、更に140〜160GPaであるセラミックスを得ることができる。
【0018】
【実施例】
次に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらにより何ら制限されるものではない。
なお、表2中、実施例1〜5、7及び8は参考例であり、本発明に含まれるものではない。
【0019】
実施例1
(1)セラミックスの製造:
平均粒径4μmの市販のユークリプタイト粉末、及び表1に示す導電性化合物粒子を用い、表2に示す割合になるよう、ボールミルにより、それぞれ2種の配合原料(顆粒1及び顆粒2)を作製した。この配合原料粉末100重量部に対し、エタノール100重量部を加え、24時間混合粉砕した。結合剤2重量部を加えてスプレー式造粒機で造粒・乾燥し、平均粒径80μmの顆粒を得た。この2種類の顆粒を0.5kgづつ同量秤取り、計1kgを10Lポリ容器に入れ、120rpmの速度で回転する架台に載せ、30分間混合した。得られた混合顆粒をプレスで50×50×10mmの大きさに成形し、成形体を窒素中、500℃で脱脂した後、アルゴン雰囲気中、1350℃で3時間焼成して、セラミックスを得た。
【0020】
(2)評価:
得られたセラミックスから試験片を切り出し、体積抵抗率、ヤング率及び熱膨張係数を測定した。
実施例1〜7及び比較例1の体積抵抗率は、寸法4×3×30mmの試料の両端部及び端部から10mmの位置に、導電性ペーストで1mm幅の電極を形成し、四端子法(JIS K7194「導電性プラスチックの4探針法による抵抗率試験方法」に準拠)により測定した。実施例8の体積抵抗率は三端子法(JIS C2141「電気絶縁用セラミックス材料試験方法」)により測定した。
また、ヤング率は共振法(JIS R1602「ファインセラミックスの弾性率試験方法」)により、また熱膨張係数(JIS R3251「低膨張ガラスのレーザ干渉法による線膨張率の測定方法」)はレーザ熱膨張率計(真空理工社製、LIX−1)を用いて測定した。
【0021】
【表1】
【0022】
【表2】
【0023】
表2の結果より、本発明のセラミックスは、帯電を防止することができ、剛性が高く、しかも低熱膨張のものであった。また、実施例1及び2の結果より、導電性化合物の含有量が異なる2種の顆粒を用いてセラミックスを製造することにより、より体積抵抗率の低いセラミックスを得ることができる。
【0024】
【発明の効果】
本発明のセラミックスは、導電性を有し、低熱膨張でかつ剛性が高いものである。従って、電子線描画装置においても、帯電品部材とすることができる。また、各種構造部品、例えば高微細な回路を形成するためのウエハに露光処理を行うなどの半導体製造用部品、例えば露光装置用ステージ、チャック、ミラー等として用いることができ、それにより、雰囲気の温度変化に対しても寸法変化がなく、優れた精度が得られるとともに、振動に伴う精度の低下をも防止することができ、半導体素子製造の品質と量産性を高めることができる。
Claims (2)
- ユークリプタイトとβ−SiCの含有量が異なる複数種の、平均粒径10μm以上300μm未満の顆粒を乾式混合して、不均一分散複合させた成形体を、真空又は不活性ガス雰囲気中、1100〜1550℃で焼成することにより得られ、ユークリプタイト70〜95体積%、及びβ−SiC5〜30体積%を含有し、β−SiCが不均一に分散されているセラミックス。
- ユークリプタイトとβ−SiCの含有量が異なる複数種の、平均粒径10μm以上300μm未満の顆粒を乾式混合して、不均一分散複合させた成形体を、真空又は不活性ガス雰囲気中、1100〜1550℃で焼成することを特徴とする、ユークリプタイト70〜95体積%、及びβ−SiC5〜30体積%を含有し、β−SiCが不均一に分散されているセラミックスの製造方法。
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