JP4998340B2 - 薄膜半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、単結晶シリコンまたは多結晶シリコンを形成するプロセス温度はかなり高いため、プラスチック基板やガラス基板上に形成することは困難であった。
このような、薄膜上にエピタキシャル層を容易に形成可能であるため、単結晶シリコン層からなる薄い太陽電池を容易に、低コストで製造可能である。また、太陽電池層を薄膜上にエピタキシャル法により形成させることができるため、チョクラルスキー法で製造した単結晶で作製した太陽電池にみられるライフタイム低下現象も起きず、高性能で高変換率の薄膜太陽電池を得ることができる。
本発明の製造方法では、エピタキシャル成長させている間は、薄膜は半導体基板と1部つながった状態であるため、割れることがなく、太陽電池作製のための複数の層をエピタキシャル成長させることが容易である。また、2層以上のエピタキシャル層を形成することで極めて薄い薄膜で所望の厚さと特性を有する薄膜半導体基板にすることができる。
このように、エピタキシャル法によって単結晶シリコンで形成される太陽電池層を有する薄い太陽電池セルを、本発明の製造方法によれば、部分的剥離とエピタキシャル層形成を同時に行い、その後分離された薄膜半導体基板には既に太陽電池層が形成されているため、太陽電池作製の工程を少なくすることができ、低コストで製造することができる。
このように、半導体基板の面内の1部にマスクを形成してイオン注入することで、マスクが形成されている部分は確実にイオン注入されないようにすることができる。
このように、橋梁部を有する溝を設けて橋梁部以外の部分の溝の深さより浅い位置にイオン注入層が形成され、その後エピタキシャル層を形成することで、溝の内周に沿って表層部が剥離して薄膜になり、イオン注入されていない橋梁部は剥離されないことによって半導体基板とつながった状態を維持でき、分離する工程でその橋梁部を切断するのみで分離工程を行うことができる。このため、分離工程の際の割れをより確実に防止することができる。このように作製された薄膜半導体基板は形成した溝の内周部の形状になるため、所望の形状の薄膜半導体基板を簡単に製造することができる。
このように、本発明の薄膜半導体基板の製造方法では、用意される半導体基板からは、イオン注入深さの極めて薄い薄膜を分離するのみであるため、分離後の半導体基板を再度用いて本発明のイオン注入される半導体基板として用いることができる。これにより、従来は研削等によって薄膜化するために削り代が多かった薄膜半導体基板の製造コストを本発明の製造方法により効果的に低減することができる。
本発明の薄膜半導体基板の製造方法であれば、通常用いられるチョクラルスキー法で作製された円筒形の結晶に限られず、矩形又は正方形の半導体基板上にエピタキシャル層を形成することで、矩形又は正方形の薄膜半導体基板を作製することができる。このような、矩形又は正方形の薄膜半導体基板を用いて太陽電池セルを作製することで、パネルに配置する際に隙間を少なくでき、高い充填率で並べることが可能となる。
このように、本発明の製造方法により製造された薄膜半導体基板を太陽電池セルの製造に用いれば、高い充填率の薄い太陽電池セルを低コストで製造することができる。
本発明者は、半導体基板の面内の少なくとも1部にイオン注入層を形成させないようにイオン注入して(面内の一部を残してイオン注入する)、そのイオン注入された側の面上にエピタキシャル層を形成させることでエピタキシャル成長時の熱でイオン注入層が形成されている部分は剥離し形成されていない部分は半導体基板とつながっており、薄膜の割れを効果的に防止でき、その後半導体基板とつながっている部分を分離することで、容易にエピタキシャル層が形成された薄膜半導体基板を製造することができることを見出し、本発明を完成させた。
図1は本発明の薄膜半導体基板の製造方法の工程の一例としてのフロー図である。図2は本発明の薄膜半導体基板の製造方法の具体的工程の一例を示したフロー図である。図3は本発明の製造方法に用いることができる半導体基板の斜視図である。また、図2(a)で示されている半導体基板は、図3に示す半導体基板のA−A’とB−B’の断面図を示している。
このとき、部分的にイオン注入層を形成させないようにする方法としては、イオン注入層を形成させない部分にマスクを形成してイオン注入することが好ましい。マスクとしては、例えば保護テープや保護膜を形成しておくことで、確実にその部分はイオン注入層が形成されないようにすることができる。また、マスクを用いれば、原則としてどのようなパターンでも可能であるので、後工程の分離工程で分離するのが容易になるように適宜マスクパターンを選択すればよい。
本発明の製造方法では、薄膜が非常に薄くできるためエピタキシャル層を複数層形成して太陽電池層を形成しても十分な薄さの薄膜半導体基板を製造でき、さらにエピタキシャル層形成時は半導体基板が補強の役を果たしているので薄膜の割れが防止される。
分離させる方法としては、特に限定されないが例えば、図2、図3のように予め溝11を設けている場合には、その溝の橋梁部12を、また、溝を設けていない場合には半導体基板とつながっている部分を、ダイサーや化学的なエッチング等で取り除くことによって分離することができる。
次に、溝の橋梁部に保護テープを貼り、注入エネルギー80keV、注入線量1×1016/cm2、注入温度350℃で水素イオンを注入して橋梁部と溝の外側以外にイオン注入層を形成した。
次に、単結晶シリコン基板の橋梁部をダイサーで切断し、太陽電池層が形成された厚さ50μm薄膜半導体基板が得られた。
このように製造した薄膜半導体基板を用いて太陽電池を作製すると、低コストで高効率、高充填率の太陽電池が得られた。
14…エピタキシャル層、 15…薄膜、 17…薄膜半導体基板。
Claims (5)
- 薄膜半導体基板の製造方法であって、半導体基板の面内の少なくとも1部にはイオン注入層を形成させないようにして水素イオン又は希ガスイオンの少なくとも一方をイオン注入する工程と、前記半導体基板のイオン注入された側の面上に2層以上のエピタキシャル層を形成させる工程と、前記半導体基板から前記エピタキシャル層を形成された薄膜を分離させる工程とを行い、
前記形成させる2層以上のエピタキシャル層を、少なくともp型層及びn型層をエピタキシャル成長させた太陽電池層とすることを特徴とする薄膜半導体基板の製造方法。 - 前記イオン注入する工程において、前記半導体基板の面内の少なくとも1部にマスクを形成してからイオン注入することによって、該マスクが形成されている部分にはイオン注入層を形成させないようにすることを特徴とする請求項1に記載の薄膜半導体基板の製造方法。
- 前記イオン注入する工程において、前記半導体基板のイオン注入する面に基板の外周に沿って溝を設け、少なくとも一部に溝のない部分を橋梁部として残し、該橋梁部にはイオン注入層を形成させないようにしてイオン注入することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の薄膜半導体基板の製造方法。
- 前記分離させる工程において、前記エピタキシャル層を形成された薄膜を分離した残りの半導体基板を、前記イオン注入する工程における、面内の少なくとも1部にはイオン注入層を形成させないようにして水素イオン又は希ガスイオンの少なくとも一方をイオン注入される半導体基板として再度用いることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の薄膜半導体基板の製造方法。
- 前記イオン注入される半導体基板の形状が、矩形又は正方形であることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の薄膜半導体基板の製造方法。
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