JP4986054B2 - 酸化膜形成方法及びその装置 - Google Patents
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Description
オゾンの分解反応は以下の(1)式によって与えられえる。
オゾンの熱分解が400℃以上で確率が高いことが、Si酸化温度の下限を決めている。この技術により、ソーダーガラスのような安価だが低い融点を有する材質の下地を用いて、TFTをつくることも期待できる(システムオンガラス)。
図1は発明の第一の実施形態に係る酸化膜形成装置の概略構成図である。
I:透過検出強度(波長254nm),I0:入射光照度,D:光路長,σ0:吸収断面積(σ0=1.1×10-17[cm2]),n:オゾン数密度
予め濃度が分かっているオゾンガスを校正用として用い、nを変えてIとI0の関係を調べておく。このIとI0の関係を用いて、濃度が分からないオゾンガスのI0を測定することでこのオゾンガスのnを求めることができる。オゾン濃度(%)はオゾン数密度nと圧力計32の圧力値に基づく算出される。
発明に係る酸化膜形成技術はオゾンを用いたCVDにも適用可能である。但し、CVDガスには紫外光吸収を含まないものに限る。これはオゾン濃度計13の測定原理が紫外光吸収であるため、オゾン以外の紫外光吸収ガスはノイズとなりうるためである。またCVdの反応生成物も紫外光吸収がないものに限定される。CVDガスとしては例えばHMDSが有効であり、オゾンガスとHMDSを用いたCVD例えば(特開2006−80474号公報)に対して用いることができる。体積膜はSiO2である。
第三の実施形態に係る酸化膜形成装置はSi基板の光励起オゾン酸化処理系にオゾン濃度測定系を備えている。本実施形態の酸化膜形成装置は熱酸化処理系のチャンバの代わりに光励起オゾン酸化処理系に係るチャンバを備えたこと以外は第一の実施形態に係る酸化膜形成装置1の構成と同じである。
繰り返し周波数 15−100Hz
照射パルス時間 〜10ns
照射強度 100−250mJ
照射面積 1cm×20cm
KrF光を酸化処理チャンバ12(容積〜5000cm3)に入射した。オゾンガスはKrF光の光路に対して垂直方向に流れるように制御した。酸化処理チャンバ12に供給されたオゾンガスはKrFエキシマ光の光路を通過して排気される。酸化処理チャンバ12壁は室温に保持された。基板20及びサセプタ21は200℃以下に保持された。この条件ではオゾンの熱分解の影響は無視できる。つまり、オゾン分解は光分解のみ起き熱分解は起きない状態である。オゾン処理に用いたオゾンガスは明電舎製のピュアオゾンジェネレーター(MPOG−SM1C1)によって得たオゾン濃度100%のものを使用した。
図12の横軸は(3)式の「圧力」である。また、図12の縦軸は(3)式の「オゾン濃度」であり、初期オゾン濃度は〜100%である。
図16は発明の第四の実施形態に係るプロセス装置2の概略構成図である。
2…プロセス装置
11…オゾンガス供給装置、12…酸化処理チャンバ、13…オゾン濃度計、14…真空ポンプ、15…オゾン除外装置
20…基板、21…サセプタ、23…圧力計、24…光源、25…照射窓
26…光源、27…照射窓
28…照射領域
31…ガス流通管、32…ガス圧力計、33…紫外光源、34…紫外光検出器、35,36…紫外光透過窓
41…不活性ガス供給装置、42…オゾン濃度計
Claims (12)
- オゾンを含んだガスを基板に供給して基板の表面に酸化膜を形成させるにあたり、前記基板に供された後のガスのオゾン濃度もしくはオゾン分圧に基づき前記基板へのオゾンを含んだガスの供給流量を制御すること
を特徴とする酸化膜形成方法。 - 前記基板に供された後のガスのオゾン濃度もしくはオゾン分圧に基づき前記基板の加熱温度を制御することを特徴とする請求項1に記載の酸化膜形成方法。
- 前記基板の表面に紫外光領域の光を照射し、前記基板に供された後のガスのオゾン濃度もしくはオゾン分圧に基づき前記基板に照射する光の強度を制御することを特徴とする請求項1または2に記載の酸化膜形成方法。
- 前記基板の表面に紫外光領域の光をパルス照射し、前記基板に供された後のガスのオゾン濃度もしくはオゾン分圧に基づき前記パルス照射の繰り返し周波数を制御することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の酸化膜形成方法。
- オゾンを含んだガスを、紫外光を吸収しないガスと共に、前記基板に供給することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の酸化膜形成方法。
- 前記基板に供給される直前の前記オゾンを含んだガスのオゾン濃度もしくはオゾン分圧に基づき前記基板への前記ガスの供給流量を制御することを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の酸化膜形成方法。
- オゾン供給装置と、
基板を格納すると共に前記オゾン供給装置から吸引したオゾンを含んだガスが供給されるチャンバと、
前記チャンバから排出されたガスのオゾン濃度もしくはオゾン分圧を測定するオゾン濃度測定装置と、
前記オゾン濃度測定装置によって測定されたオゾン濃度もしくはオゾン分圧に基づき前記基板へのオゾンを含んだガスの供給流量を制御するバルブと、
を備えたこと
を特徴とする酸化膜形成装置。 - 前記オゾン濃度測定装置によって測定されたオゾン濃度もしくはオゾン分圧に基づき前記基板の加熱温度を制御する光源を備えたこと
を特徴とする請求項7に記載の酸化膜形成装置。 - 前記オゾン濃度測定装置によって測定されたオゾン濃度もしくはオゾン分圧に基づき前前記基板の表面に照射される紫外光領域の光の強度が制御される光源を備えたこと
を特徴とする請求項7または8に記載の酸化膜形成装置。 - 前記基板の表面に紫外光領域の光をパルス照射するにあたり、前記オゾン濃度測定装置によって測定されたオゾン濃度もしくはオゾン分圧に基づき前記パルス照射の繰り返し周波数が制御される光源を備えたこと
を特徴とする請求項7または8に記載の酸化膜形成装置。 - 前記チャンバにオゾンを含んだガスを供給するオゾンガス供給装置と、
前記チャンバに紫外光を吸収しないガスを供給するガス供給装置と
を備えたこと
を特徴とする請求項7から10のいずれか1項に記載の酸化膜形成装置。 - 前記基板に供されるオゾンを含んだガスの供給流量の制御因子として当該ガスのオゾン濃度もしくはオゾン分圧を測定するオゾン濃度測定装置を備えたこと
を特徴とする請求項7から10のいずれか1項に記載の酸化膜形成装置。
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