JP4982173B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態にしたがった半導体記憶装置の構成例を示すものである。なお、ここでは、不揮発性の半導体記憶装置として、NAND型フラッシュメモリを例に説明する。
図10は、本発明の第2の実施形態にしたがった、半導体記憶装置でのオープンテスト時の不良RDカラムの切り離しについて説明するために示すものである。ここでは、不揮発性の半導体記憶装置であるNAND型フラッシュメモリ(図1〜参照)を例に、RDカラムに対するビット線テスト(オープンテスト)時の、隣接カラム切り離し(不良RDカラムは置き換えではなく、切り離す)を含んだ、不良RDカラムの切り離しについて説明する。なお、RDカラムに対するオープンテストは、第1の実施形態で示した、メインカラムに対するオープンテストと同様である。また、すべてのRDカラムについて、既に、不良RDカラムの切り離しが行われるとともに、選択RDカラムの端のビット線がオープンしている場合には、オープンしているビット線側に存在する隣接RDカラムの切り離しが行われているものと仮定して説明する。
図11は、本発明の第3の実施形態にしたがった、半導体記憶装置でのビット線テスト時の不良カラムの切り離しについて説明するために示すものである。ここでは、不揮発性の半導体記憶装置であるNAND型フラッシュメモリ(図1〜参照)を例に、メインカラムに対するオープンテスト/ショートテスト時の、RDカラムの同一アドレスによる多重救済を防止するようにした場合について説明する。
Claims (6)
- 複数のメモリセル、それぞれ前記複数のメモリセルが接続される複数のビット線、及びそれぞれ前記複数のビット線が接続される複数のカラムを含むメモリセルアレイと、
複数のリダンダンシセルを含み、前記メモリセルアレイの前記複数のカラムの中の不良カラムを置き換えるためのリダンダンシセルアレイと、
前記メモリセルアレイの不良カラムにおける端の不良ビット線を検出する検出回路と、
前記メモリセルアレイの不良カラムを前記リダンダンシセルアレイで置き換えるとともに、前記検出回路によって検出された前記不良ビット線側の、前記不良カラムに隣接する隣接カラムを前記リダンダンシセルアレイで置き換える置き換え回路と
を具備し、
BIST機能を用いて、前記不良ビット線の検出、前記不良カラムの前記リダンダンシセルアレイへの置き換え、前記隣接カラムの前記リダンダンシセルアレイへの置き換えを行うことを特徴とする半導体記憶装置。 - さらに、前記検出回路によって検出された前記不良ビット線側の、前記不良カラムに隣接する隣接カラムが既に前記リダンダンシセルアレイによって置き換えられている場合、前記置き換え回路による隣接カラムの置き換えを禁止する禁止回路を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- さらに、前記検出回路によって検出された前記不良ビット線側に、前記不良カラムに隣接する隣接カラムが存在しない場合、前記置き換え回路による隣接カラムの置き換えを禁止する禁止回路を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体記憶装置。
- 前記置き換え回路は、既に前記リダンダンシセルアレイで置き換えられたリダンダンシカラムの不良が検出された場合、その不良リダンダンシカラムを、別のリダンダンシカラムにより置き換える手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記置き換え回路は、既に前記リダンダンシセルアレイで置き換えられたリダンダンシカラムの不良が検出された場合、その不良リダンダンシカラムを切り離した後に、別のリダンダンシカラムによる置き換えを実行する手段をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記置き換え回路は、前記ビット線の読み出し結果と期待値とを比較する複数の比較回路と、前記複数の比較回路の出力を入力とする不良カラム検出回路と、前記複数の比較回路の出力のうち、端のビット線に対応する比較回路の出力を入力とする検知回路とを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
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