JP4978847B2 - シリコン酸化膜及びその製造方法並びにそれを用いたゲート絶縁膜を有する半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明に係るシリコン酸化膜は、赤外吸収スペクトルの(ピーク半値幅)×(ピーク高)で表されるピーク面積強度において、波数2340cm-1付近に現れるCO2帰属ピークの面積強度が、波数1060cm-1付近に現れるSiO2帰属ピークの面積強度に対して、8E−4倍以上であることを特徴とする。
ゲート絶縁膜の材料としては一般にシリコン酸化膜が用いられるが、TFTのゲート絶縁膜の形成時にテトラエトキシシラン(TEOS)等の有機シランを用いた場合、ゲート絶縁膜中には、有機シランの不十分な分解で残ったカーボンを含む中間生成物(以下、カーボン含有生成物と略す)が含まれてしまう。また、プラズマCVD法や減圧CVD法といった化学的気相成長法でゲート絶縁膜を形成した場合、ゲート絶縁膜中にはH2Oが比較的多く含まれてしまう。これらカーボン含有生成物やH2Oがゲート絶縁膜中に多く存在すると、先に述べたようにゲート絶縁膜の電気特性が劣化し、結果としてTFTの動作信頼性も劣化してしまう。
本発明の第1の実施形態として、本発明に係るシリコン酸化膜をゲート絶縁膜として用いた半導体装置及びその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。また、本発明に係るシリコン酸化膜の製造方法についても詳細に説明する。
本発明の第2の実施形態は、第1の実施形態である半導体装置を用いたアクティブマトリックス基板である。つまり、本発明に係るアクティブマトリックス基板は、SiO2ピーク面積強度に対するCO2ピーク面積強度が8E−4倍以上であるシリコン酸化膜をゲート絶縁膜として用いて作製されたTFTを画素電極のスイッチング素子として内蔵している。
次に、第2の実施形態であるアクティブマトリックス基板を液晶ディスプレイに応用した第3の実施形態について図面を参照して説明する。図6は本実施形態に係るアクティブマトリックス基板を応用した液晶ディスプレイパネルを示す分解斜視図である。図6に示すように、本実施形態に係る液晶ディスプレイパネル31においては、相互に隔離して且つ平行に配置されたTFT基板21及び対向基板26が設けられている。また、アクティブマトリックス基板21と対向基板26の間には液晶層25が設けられている。そして、アクティブマトリックス基板21においては、絶縁性基板1が設けられており、絶縁性基板1における対向基板26に対向する側の表面上に画素回路22、データ回路23及び走査回路24が形成されている。アクティブマトリックス基板21は、前述の第1の実施形態に係る半導体装置を搭載している。
次に、本発明の第4の実施形態である携帯電話について図面を参照して説明する。
次に、本発明の第5の実施形態について説明する。本実施形態は、前述の第1の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法をより具体的に説明するものである。
第5の実施の形態では、pチャネル型MOS TFTの製造方法を例示した。しかし、本発明に係るゲート絶縁膜はp型チャネル型およびn型チャネル型の相補的なMOS TFT(Complementary MOS TFT、略してCMOS TFT)にも適用できる。
本実施例では、以下の条件で作製したゲート絶縁膜を用いたTFTを作製した後、加速試験を行い、その前後のしきい値の変動値(ΔVth)を測定した。なお、ゲート絶縁膜を形成する工程以外の工程は上述した公知の方法を用いてTFTを作製した。
本実施例では、ゲート絶縁膜の成膜条件以外は実施例1と同条件にてTFTを作製した。
本実施例では、ゲート絶縁膜の成膜条件以外は実施例1と同条件にてTFTを作製した。
本実施例では、ゲート絶縁膜の成膜条件以外は実施例1と同条件にてTFTを作製した。
2 下地層
3 多結晶シリコン膜
4 ゲート絶縁膜
5 ゲート電極
6 ソース領域
7 ドレイン領域
8 LDD領域
9 層間絶縁膜
10 コンタクトホール
11 電極
21 アクティブマトリックス基板
22 画素回路
23 データ回路
24 走査回路
25 液晶層
26 対向基板
31 液晶ディスプレイパネル
32 筐体
33 携帯電話
81 チャンバー
82 排気ポンプ
83 石英ノズル
84 電極
85 電極
86 高周波電源
Claims (9)
- 膜中にCO2を均一に含有し、かつ、赤外吸収スペクトルの(ピーク半値幅)×(ピーク高)で表されるピーク面積強度において、波数2340cm−1付近に現れるCO2帰属ピークの面積強度が、波数1060cm−1付近に現れるSiO2帰属ピークの面積強度に対して、8E−4倍以上であるシリコン酸化膜をゲート絶縁膜に用いた半導体装置。
- 前記CO2帰属ピークの面積強度及び前記SiO2帰属ピークの面積強度は、それぞれ、前記シリコン酸化膜中のCO2及びSiO2に帰属するピークの面積強度である請求項1に記載の半導体装置。
- 前記シリコン酸化膜に含まれるH 2 Oが9E20個/cc以下である請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記シリコン酸化膜は、ゲート電極とシリコン膜との間にそれぞれと接して配置され、
該シリコン膜が多結晶シリコン膜である請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記半導体装置は、絶縁性基板上に形成された前記多結晶シリコン膜をチャネル層とする薄膜トランジスタであり、前記多結晶シリコン膜と前記絶縁性基板との間に下地層が設けられている請求項4に記載の半導体装置。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
プラズマCVD法により、酸素ガスの流量(F0)と有機シランの流量(F1)の比(F0/F1)を50以上とし、かつ、プラズマCVD装置のRFパワー密度を0.600〜1.553W/cm 2 とし、かつ、洗浄を終了してからプラズマCVD装置に搬入するまでの時間を6時間以内として前記シリコン酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記時間を5分以内とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体装置を備えるアクティブマトリックス基板。
- 請求項8に記載のアクティブマトリックス基板を備える電子機器。
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