JP4975616B2 - インダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩の製造法 - Google Patents

インダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩の製造法 Download PDF

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Description

本発明は、抗腫瘍活性、タンパク質キナーゼ阻害活性等を有するインダゾール誘導体の合成中間体として有用な、インダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法等に関する。
式(IVb)
Figure 0004975616
(式中、Phはフェニルを表し、Xは塩素、臭素またはヨウ素の各原子を表す)で表されるインダゾール−3−イルメチルトリフェニルホスホニウム塩[化合物(IVb)]は、抗腫瘍剤またはタンパク質キナーゼ阻害剤として有用なインダゾール誘導体の合成中間体として有用であることが知られている(特許文献1及び特許文献2参照)。
該公報の記載によると、化合物(IVb)は市販のインダゾール−3−カルボン酸より、非特許文献1または非特許文献2に記載の方法に準じて4工程を経て製造される。しかし、この方法は、工程数が多く、工業的な大量製造には適さない。従って、インダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩の、より簡便で効率的な製造法が求められている。
国際公開第2005/012257号パンフレット 国際公開第2005/012258号パンフレット 「ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー(Journal of Organic Chemistry)」、1987年、第52巻、p.19 「カナディアン・ジャーナル・オブ・ケミストリー(Canadian Journal of Chemistry)」、1973年、第51巻、p.792
本発明の目的は、抗腫瘍活性、タンパク質キナーゼ阻害活性等を有するインダゾール誘導体の合成中間体として有用な、インダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法等を提供することにある。
本発明は、以下の(1)〜(15)に関する。
(1)式(I)
Figure 0004975616
で表される化合物、式(II)
Figure 0004975616
[式中、Xはハロゲン、ONO、OSOH、OSO(式中、Rは置換もしくは非置換の低級アルキル、置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換の芳香族複素環基を表す)またはOC(=O)R(式中、Rは前記Rと同義である)を表す]で表される化合物、及び式(III)
Figure 0004975616
(式中、R、R及びRは、同一または異なって置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換の芳香族複素環基を表す)で表される化合物を反応させることを特徴とする、式(IV)
Figure 0004975616
(式中、X、R、R及びRはそれぞれ前記と同義である)で表されるインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
(2)R、R及びRが同一または異なって置換もしくは非置換のアリールである前記(1)記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
(3)R、R及びRがフェニルである前記(1)記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
(4)Xがハロゲンである前記(1)〜(3)のいずれかに記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
(5)XがONO、OSOH、OSO(式中、Rは前記と同義である)またはOC(=O)R(式中、Rは前記と同義である)である前記(1)〜(3)のいずれかに記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
(6)XがOSO(式中、Rは前記と同義である)である前記(1)〜(3)のいずれかに記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
(7)XがOC(=O)R(式中、Rは前記と同義である)である前記(1)〜(3)のいずれかに記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
(8)式(I)
Figure 0004975616
で表される化合物、式(II)
Figure 0004975616
(式中、Xは前記と同義である)で表される化合物、及び式(III)
Figure 0004975616
(式中、R、R及びRはそれぞれ前記と同義である)で表される化合物を反応させ、式(IV)
Figure 0004975616
(式中、X、R、R及びRはそれぞれ前記と同義である)で表されるインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩を得る工程を含むことを特徴とする、式(V)
Figure 0004975616
(式中、Arは置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換の複素環基を表す)で表されるインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
(9)Arが置換もしくは非置換のアリールである前記(8)記載のインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
(10)Arが置換もしくは非置換のフェニルである前記(8)記載のインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
(11)Arが置換もしくは非置換の芳香族複素環基である前記(8)記載のインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
(12)式(IVa)
Figure 0004975616
[式中、R、R及びRはそれぞれ前記と同義であり、XaはONO、OSOH、OSO(式中、Rは前記と同義である)またはOC(=O)R(式中、Rは前記と同義である)を表す]で表されるインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
(13)R、R及びRが同一または異なって置換もしくは非置換のアリールである前記(12)記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
(14)R、R及びRがフェニルである前記(12)記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
(15)XaがOSO(式中、Rは前記と同義である)またはOC(=O)R(式中、Rは前記と同義である)である前記(12)記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
本発明により、抗腫瘍活性、タンパク質キナーゼ阻害活性等を有するインダゾール誘導体の合成中間体として有用な、インダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法等が提供される。
以下、式(I)、(II)、(III)、(IV)、(IVa)及び(V)で表される化合物を、それぞれ化合物(I)、(II)、(III)、(IV)、(IVa)及び(V)という。他の式番号の化合物についても同様である。
化合物(II)、(III)、(IV)及び(IVa)の各基の定義において、
低級アルキルとしては、例えば直鎖または分岐状の炭素数1〜10のアルキル、より具体的にはメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec−ブチル、tert−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、tert−ペンチル、ヘキシル、イソヘキシル、ヘプチル、オクチル、イソオクチル、ノニル、デシル等が挙げられる。
アリールとしては、例えば炭素数6〜14の単環性、二環性または三環性のアリール、より具体的にはフェニル、ナフチル、インデニル、アントラニル等が挙げられる。
芳香族複素環基としては、例えば窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも1個の原子を含む5員または6員の単環性芳香族複素環基、3〜8員の環が縮合した二環または三環性で窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選ばれる少なくとも1個の原子を含む縮環性芳香族複素環基等が挙げられ、より具体的にはピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、ベンゾイミダゾリル、2−オキソベンゾイミダゾリル、ベンゾトリアゾリル、ベンゾフリル、ベンゾチエニル、プリニル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾジオキソリル、インダゾリル、インドリル、イソインドリル、プリニル、キノリル、イソキノリル、フタラジニル、ナフチリジニル、キノキサリニル、ピロリル、ピラゾリル、キナゾリニル、シンノリニル、トリアゾリル、テトラゾリル、イミダゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、チエニル、フリル等が挙げられる。
ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素の各原子を表す。
置換低級アルキルにおける置換基としては、例えば同一または異なって置換数1〜10の、より具体的にはハロゲン、低級アルコキシ、アリール、芳香族複素環基等が挙げられる。ここで、ハロゲン、アリール及び芳香族複素環基は、それぞれ前記と同義であり、低級アルコキシの低級アルキル部分は、前記低級アルキルと同義である。
置換アリール及び置換芳香族複素環基における置換基としては、例えば同一または異なって置換数1〜10の、より具体的にはハロゲン、ヒドロキシ、シアノ、モノもしくはジ(置換もしくは非置換の低級アルキル)アミノ[該置換低級アルキルアミノ及びジ(置換低級アルキル)アミノにおける置換基としては、例えば同一または異なって置換数1〜3のハロゲン、アミノ、ヒドロキシ、低級アルコキシ等が挙げられる]、ニトロ、カルボキシ、スルホ、低級アルキル、低級アルコキシ等が挙げられる。ここで、ハロゲン及び低級アルキルはそれぞれ前記と同義であり、低級アルコキシ及びモノもしくはジ低級アルキルアミノの低級アルキル部分は前記低級アルキルと同義である。なお、ジ低級アルキルアミノの2つの低級アルキル部分は同一でも異なっていてもよい。
化合物(V)の各基の定義において、
アリールは前記と同義である。
複素環基としては、例えば芳香族複素環基、脂環式複素環基等が挙げられる。
芳香族複素環基は前記と同義である。
脂環式複素環基としては、例えば窒素原子、硫黄原子及び酸素原子から選ばれる少なくとも1個の原子を含む、単環性脂環式複素環基、2つ以上の環が縮合した縮環性脂環式複素環基等が挙げられ、より具体的にはピロリジニル、2,5−ジオキソピロリジニル、チアゾリジニル、オキサゾリジニル、ピペリジル、1,2−ジヒドロピリジル、ピペラジニル、ホモピペラジニル、モルホリニル、チオモルホリニル、ピラゾリニル、オキサゾリニル、ジオキソラニル、テトラヒドロピラニル、テトラヒドロチオピラニル、テトラヒドロフリル、テトラヒドロキノリル、テトラヒドロイソキノリル、テトラヒドロキノキサリニル、オクタヒドロキノリル、ジヒドロインドリル、1,3−ジオキソイソインドリニル等が挙げられる。
置換アリール、置換フェニル及び置換複素環基における置換基としては、同一または異なって、例えば置換数1〜3の、ハロゲン、ニトロ、ニトロソ、カルボキシ、ヘテロアロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル、置換もしくは非置換のシクロアルキル、置換もしくは非置換の低級アルケニル、置換もしくは非置換の低級アルキニル、置換もしくは非置換の低級アルコキシカルボニル、置換もしくは非置換の低級アルカノイル、置換もしくは非置換のシクロアルキルカルボニル、置換もしくは非置換のアリール[該置換アリールにおける置換基は、例えば置換数1〜3のハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル(該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)、置換もしくは非置換の低級アルコキシ(該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)等である]、置換もしくは非置換の脂環式複素環カルボニル(該置換脂環式複素環カルボニルにおける置換基は、例えば置換数1〜3のハロゲン、ヒドロキシ、オキソ、低級アルキル、低級アルコキシ等である)、NR4a4b{式中、R4a及びR4bは同一または異なって、水素原子、低級アルキルスルホニル、置換もしくは非置換の低級アルキル、置換もしくは非置換のシクロアルキル、置換もしくは非置換の低級アルケニル、置換もしくは非置換の低級アルキニル、置換もしくは非置換の低級アルコキシ、置換もしくは非置換の低級アルカノイル、置換もしくは非置換のシクロアルキルカルボニル、置換もしくは非置換のアリール[該置換アリールにおける置換基は、例えば置換数1〜3のハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル(該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)、置換もしくは非置換の低級アルコキシ(該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)等である]、置換もしくは非置換のアロイル[該置換アロイルにおける置換基は、例えば置換数1〜3のハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル(該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)、置換もしくは非置換の低級アルコキシ(該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)等である]または置換もしくは非置換の複素環基[該置換複素環基における置換基は、例えば置換数1〜3のハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル(該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)、置換もしくは非置換の低級アルコキシ(該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)等である]を表すか、またはR4a及びR4bが隣接する窒素原子と一緒になって置換もしくは非置換の複素環基[該隣接する窒素原子と一緒になって形成される置換複素環基における置換基は、例えば置換数1〜3のハロゲン、アミノ、ニトロ、ヒドロキシ、オキソ、シアノ、カルボキシ、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、ヘテロアロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル(該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ、低級アルコキシ等である)、置換もしくは非置換の低級アルコキシ(該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ、低級アルコキシ等である)、置換もしくは非置換の低級アルカノイル(該置換低級アルカノイルにおける置換基は、例えば置換数1〜3のアミノ、ヒドロキシ、低級アルコキシ、低級アルカノイルアミノ、N−低級アルカノイル−N−低級アルキルアミノ等である)、置換もしくは非置換の脂環式複素環カルボニル(該置換脂環式複素環カルボニルにおける置換基は、例えば置換数1〜3のハロゲン、ヒドロキシ、オキソ、低級アルキル、低級アルコキシ等である)等である]を形成する}、CONR4c4d(式中、R4c及びR4dはそれぞれ前記R4a及びR4bと同義である)、OR{式中、Rは水素原子、置換もしくは非置換の低級アルキル、置換もしくは非置換のシクロアルキル、置換もしくは非置換のアリール[該置換アリールにおける置換基は、例えば置換数1〜3のハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル(該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)、置換もしくは非置換の低級アルコキシ(該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)等である]または置換もしくは非置換の複素環基[該置換複素環基における置換基は、例えば置換数1〜3のハロゲン、ヒドロキシ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル(該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)、置換もしくは非置換の低級アルコキシ(該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)等である]等を表す}等が挙げられる。また、置換複素環基における置換基は、前記に加え、オキソまたは−O(CR6a6bO−(式中、R6a及びR6bは、同一または異なって水素原子または低級アルキルを表し、nは2または3を表し、末端の2つの酸素原子は、置換複素環基上の同一炭素原子に結合する)であってもよい。
置換アリール及び置換複素環基における置換基の定義において、ハロゲン、低級アルキル、アリール及び複素環基はそれぞれ前記と同義であり、低級アルコキシ、低級アルコキシカルボニル、N−低級アルカノイル−N−低級アルキルアミノ及び低級アルキルスルホニルの低級アルキル部分は前記低級アルキルと同義であり、アラルキルのアルキレン部分は前記低級アルキルから水素原子を1つ除いたものと同義であり、アラルキル及びアロイルのアリール部分は前記アリールと同義であり、ヘテロアロイルの芳香族複素環基部分は前記芳香族複素環基と同義であり、脂環式複素環カルボニルの脂環式複素環基部分は前記脂環式複素環基と同義である。
シクロアルキル及びシクロアルキルカルボニルのシクロアルキル部分としては、例えば炭素数1〜10のシクロアルキル、より具体的には、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロデシル、ノルアダマンチル、アダマンチル、ビシクロ[2.2.1]ヘプチル、ビシクロ[2.2.2]オクチル、ビシクロ[3.3.0]オクチル、ビシクロ[3.3.1]ノニル等が挙げられる。
低級アルケニルとしては、例えば炭素数2〜10の直鎖または分岐状のアルケニル、より具体的にはビニル、アリル、1−プロペニル、1−ブテニル、3−ブテニル、2−ペンテニル、4−ペンテニル、2−ヘキセニル、5−ヘキセニル、2−デセニル、9−デセニル等が挙げられる。
低級アルキニルとしては、例えば炭素数2〜10の直鎖または分岐状のアルキニル、より具体的にはエチニル、2−プロピニル、3−ブチニル、4−ペンチニル、5−ヘキシニル、9−デシニル等が挙げられる。
低級アルカノイル、低級アルカノイルアミノ及びN−低級アルカノイル−N−低級アルキルアミノの低級アルカノイル部分としては、例えば炭素数1〜8の直鎖または分岐状のアルカノイル、より具体的にはホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソバレリル、ピバロイル、ヘキサノイル、ヘプタノイル、オクタノイル等が挙げられる。
隣接する窒素原子と一緒になって形成される複素環基としては、例えば少なくとも1個の窒素原子を含む5員または6員の単環性複素環基(該単環性複素環基は、他の窒素原子、酸素原子または硫黄原子を含んでいてもよい)、3〜8員の環が縮合した二環または三環性で少なくとも1個の窒素原子を含む縮環性複素環基(該縮環性複素環基は、他の窒素原子、酸素原子または硫黄原子を含んでいてもよい)等が挙げられ、より具体的にはピロリジニル、ピペリジノ、ピペラジニル、モルホリノ、チオモルホリノ、ホモピペリジノ、ホモピペラジニル、テトラヒドロピリジル、テトラヒドロキノリル、テトラヒドロイソキノリル等が挙げられる。
置換低級アルキル、置換シクロアルキル、置換低級アルケニル、置換低級アルキニル、置換低級アルコキシ、置換低級アルコキシカルボニル、置換低級アルカノイル及び置換シクロアルキルカルボニルにおける置換基としては、同一または異なって、例えば置換数1〜3の、ヒドロキシ、オキソ、カルボキシ、低級アルコキシ、低級アルコキシカルボニル、低級アルカノイルアミノ、N−低級アルカノイル−N−低級アルキルアミノ、ヘテロアロイル、アリールスルホニル、置換もしくは非置換のアリール(該置換アリールにおける置換基は、カルボキシ、低級アルコキシ、低級アルコキシカルボニル等である)、置換もしくは非置換の複素環基(該置換複素環基における置換基は、カルボキシ、低級アルコキシ、低級アルコキシカルボニル等である)、CONR7a7b{式中、R7a及びR7bは同一または異なって、水素原子、置換もしくは非置換の低級アルキル[該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数1〜3のハロゲン、ヒドロキシ、オキソ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルコキシ(該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)等である]または置換もしくは非置換のシクロアルキル[該置換シクロアルキルにおける置換基は、例えば置換数1〜3のハロゲン、ヒドロキシ、オキソ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルコキシ(該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)等である]を表すか、またはR7a及びR7bが隣接する窒素原子と一緒になって置換もしくは非置換の複素環基[該隣接する窒素原子と一緒になって形成される置換複素環基における置換基は、例えば置換数1〜3のハロゲン、ヒドロキシ、オキソ、ニトロ、シアノ、カルボキシ、低級アルカノイル、低級アルコキシカルボニル、アラルキル、アロイル、置換もしくは非置換の低級アルキル(該置換低級アルキルにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)、置換もしくは非置換の低級アルコキシ(該置換低級アルコキシにおける置換基は、例えば置換数1〜3のヒドロキシ等である)等である]を形成する}、NR7c7d(式中、R7c及びR7dはそれぞれ前記R7a及びR7bと同義である)等が挙げられる。
ここで、ハロゲン、低級アルキル、シクロアルキル、低級アルカノイル、低級アルカノイルアミノ及びN−低級アルカノイル−N−低級アルキルアミノの低級アルカノイル部分、アリール、複素環基及び隣接する窒素原子と一緒になって形成される複素環基はそれぞれ前記と同義であり、低級アルコキシ、低級アルコキシカルボニル及びN−低級アルカノイル−N−低級アルキルアミノの低級アルキル部分は前記低級アルキルと同義であり、アラルキルのアルキレン部分は前記低級アルキルから水素原子を1つ除いたものと同義であり、アラルキル、アロイル及びアリールスルホニルのアリール部分は前記アリールと同義であり、ヘテロアロイルの芳香族複素環基部分は前記芳香族複素環基と同義である。
化合物(IV)及び化合物(V)の塩としては、例えば塩酸塩、臭化水素酸塩、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩等の無機酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、安息香酸塩、クエン酸塩、フマル酸塩、グルコン酸塩、乳酸塩、マレイン酸塩、リンゴ酸塩、シュウ酸塩、メタンスルホン酸塩、酒石酸塩等の有機酸塩等の酸付加塩、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩、マグネシウム塩、カルシウム塩等のアルカリ土類金属塩、アルミニウム塩、亜鉛塩等の金属塩、アンモニウム、テトラメチルアンモニウム等のアンモニウム塩、モルホリン付加塩、ピペリジン付加塩等の有機アミン付加塩、グリシン付加塩、フェニルアラニン付加塩、リジン付加塩、アスパラギン酸付加塩、グルタミン酸付加塩等のアミノ酸付加塩等が挙げられる。
次に、化合物(IV)の製造法について説明する。
製造法
Figure 0004975616
(式中、R、R、R及びXはそれぞれ前記と同義である)
化合物(IV)は、化合物(I)、化合物(II)及び化合物(III)を溶媒中もしくは無溶媒で反応させることにより、得ることができる。
化合物(II)としては、例えば塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、フッ化水素酸等のハロゲン化水素、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等のスルホン酸類、酢酸、プロピオン酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、安息香酸、メチル安息香酸、メトキシ安息香酸、トリクロロ安息香酸、トリフルオロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、ニコチン酸等のカルボン酸類、硫酸、硝酸等が挙げられる。化合物(II)は、化合物(I)に対して通常0.5〜10当量、好ましくは0.9〜1.5当量用いられる。
化合物(III)としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリ−p−トリルホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリピリジルホスフィン、トリフリルホスフィン等が挙げられる。化合物(III)は、化合物(I)に対して通常0.5〜10当量、好ましくは0.9〜1.5当量用いられる。
また、化合物(II)及び化合物(III)は、例えばトリフェニルホスフィン臭化水素酸塩等の様に塩の形態として用いることもできる。
溶媒としては、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、アセトニトリル、プロピオニトリル、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチル−2−ピロリジノン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン等の非芳香族系有機溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル等のエステル、メタノール、エタノール、n−プロパノール、2−プロパノール等のアルコール、水等が挙げられ、これらを単独で、または混合して用いることができる。溶媒は、通常化合物(II)に対して1〜100倍重量、好ましくは5〜25倍重量用いられる。
反応は、−20℃から用いる溶媒の沸点の間、好ましくは40〜100℃の間の温度で行われ、5分間から48時間で終了する。
なお、化合物(I)は、インダゾール−3−カルボン酸よりWO03/035644またはUS553246に記載の方法あるいはそれらに準じて得ることができる。化合物(II)及び(III)は、市販品をそのまま、もしくは精製して用いることができる。
化合物(V)は、本発明の製造法で得られる化合物(IV)から、例えばWO2005/012257またはWO2005/012258記載の方法によって製造することができる。
上記各製造法における目的化合物は、有機合成化学で常用される分離精製法、例えば、濾過、抽出、洗浄、乾燥、濃縮、再結晶、各種クロマトグラフィー等に付して単離精製することができる。また、化合物(I)は特に精製することなく反応に供することも可能である。
化合物(II)、(III)、(IV)及び(V)の中には、幾何異性体、光学異性体等の立体異性体が存在し得るものもあるが、本発明は、これらを含め、全ての可能な異性体及びそれらの混合物を包含する。
また、化合物(IV)及び化合物(V)は、水あるいは各種溶媒との付加物の形で存在することもあるが、これらの付加物も本発明に包含される。
本発明によって得られる化合物(IV)の具体例を表1に示す。
Figure 0004975616
以下に、本発明の態様を実施例及び参考例で説明する。しかし、本発明はこれらに限定されるものではない。
塩化[(1H−インダゾール−3−イル)メチル]トリフェニルホスホニウム(化合物1)の合成
参考例1で得られた化合物(I)(1.00g,6.75mmol)をプロピオニトリル(20mL)に溶解し、氷冷下、8.0mol/L塩酸(844μL,6.75mmol)及びトリフェニルホスフィン(1.77g,6.75mmol)を加え、加熱還流下、10時間攪拌した。反応溶液を氷冷下、2時間攪拌し、析出した結晶を濾取し、プロピオニトリル(5mL)にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物1(2.33g,5.43mmol,80%)を得た。
H−NMR(DMSO−d,ppm)δ 5.67(2H,d,J=15.2Hz),6.97(1H,t,J=ca.8Hz),7.28(1H,t,J=ca.8Hz),7.46(1H,d,J=8.4Hz),7.63(1H,d,J=8.4Hz),7.66−7.88(15H,m),13.42(1H,br).
13C−NMR(DMSO−d,ppm)δ 20.9(d,JC−P=51.0Hz),110.3,118.9(d,JC−P=86.4Hz),119.7,120.2,122.5(d,JC−P=6.2Hz),126.3,129.7(d,JC−P=12.4Hz),133.1(d,JC−P=9.3Hz),133.9(d,JC−P=10.6Hz),134.7(d,JC−P=2.5Hz),140.3.
質量分析C2622Pとして、計算値:393.1521[M]、実測値:393.1531[1.1mDa].
融点:278−279℃.
臭化[(1H−インダゾール−3−イル)メチル]トリフェニルホスホニウム(化合物2)の合成
参考例1で得られた化合物(I)(1.00g,6.75mmol)をプロピオニトリル(10mL)に溶解し、氷冷下、47%臭化水素酸水溶液(782μL,6.75mmol)及びトリフェニルホスフィン(1.77g,6.75mmol)を加え、加熱還流下、5時間攪拌した。反応溶液を氷冷下2時間攪拌し、析出した結晶を濾取し、プロピオニトリル(5mL)にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物2(2.84g,6.00mmol,88.8%)を得た。
H−NMR(DMSO−d,ppm)δ 5.63(2H,d,J=15.2Hz),6.99(1H,t,J=ca.8Hz),7.30(1H,t,J=ca.8Hz),7.45(1H,d,J=8.4Hz),7.61(1H,d,J=8.4Hz),7.66−7.88(15H,m),13.16(1H,br).
13C−NMR(DMSO−d,ppm)δ 20.9(d,JC−P=52.8Hz),110.2,118.8(d,JC−P=86.4Hz),119.6,120.3,122.5(d,JC−P=5.6Hz),126.5,129.8(d,JC−P=12.4Hz),133.2(d,JC−P=9.3Hz),133.9(d,JC−P=10.6Hz),134.7(d,JC−P=3.1Hz),140.3.
質量分析C2622Pとして、計算値:393.1521[M]、実測値:393.1525[0.5mDa].
融点:265−266℃.
化合物2の合成
参考例1で得られた化合物(I)(340mg,2.29mmol)をアセトニトリル(3.5mL)に溶解し、氷冷下、47%臭化水素酸水溶液(279μL,2.41mmol)及びトリフェニルホスフィン(632mg,2.41mmol)を加え、加熱還流下、10時間攪拌した。反応溶液を減圧下濃縮した後、析出した結晶をアセトニトリル(2mL)に懸濁し、室温にて3時間攪拌した。結晶を濾取し、アセトニトリル(1mL)にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物2(0.911g,1.92mmol,84%)を得た。
ヨウ化[(1H−インダゾール−3−イル)メチル]トリフェニルホスホニウム(化合物3)の合成
参考例1で得られた化合物(I)(1.00g,6.75mmol)をプロピオニトリル(20mL)に溶解し、氷冷下、57%ヨウ化水素酸水溶液(947μL,6.75mmol)及びトリフェニルホスフィン(1.77g,6.75mmol)を加え、加熱還流下、4.5時間攪拌した。減圧下、反応溶液を濃縮し、残渣にプロピオニトリル(5mL)を加え、加熱還流下、1時間攪拌した。氷冷下2時間攪拌し、析出した結晶を濾取し、プロピオニトリル(5mL)にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物3(2.69g,5.16mmol,76%)を得た。
H−NMR(DMSO−d,ppm)δ 5.61(2H,d,J=15.2Hz),7.00(1H,t,J=ca.8Hz),7.31(1H,t,J=ca.8Hz),7.45(1H,d,J=8.4Hz),7.60(1H,d,J=8.4Hz),7.67−7.88(15H,m),13.13(1H,br).
13C−NMR(DMSO−d,ppm)δ 20.9(d,JC−P=51.6Hz),110.2,118.8(d,JC−P=86.4Hz),119.6,120.3,122.5(d,JC−P=5.6Hz),126.5,129.8(d,JC−P=12.4Hz),133.2(d,JC−P=8.7Hz),133.8(d,JC−P=10.6Hz),134.7(d,JC−P=3.1Hz),140.3.
質量分析C2622Pとして、計算値:393.1521[M]、実測値:393.1519[−0.2mDa].
融点:206−207℃.
メタンスルホン酸[(1H−インダゾール−3−イル)メチル]トリフェニルホスホニウム(化合物4)の合成
参考例1で得られた化合物(I)(100mg,0.675mmol)をプロピオニトリル(2mL)に溶解し、氷冷下、メタンスルホン酸(51.6μL,0.709mmol)及びトリフェニルホスフィン(186mg,0.709mmol)を加え、加熱還流下、10時間攪拌した。減圧下、反応溶液を濃縮し、残渣にプロピオニトリル(1mL)を加え、氷冷下、2時間攪拌した。析出した結晶を濾取し、プロピオニトリル(0.5mL)にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物4(287mg,0.586mmol,87%)を得た。
H−NMR(DMSO−d,ppm)δ 2.36(3H,s),5.60(2H,d,J=15.4Hz),6.99(1H,t,J=ca.8Hz),7.30(1H,t,J=ca.8Hz),7.46(1H,d,J=8.4Hz),7.59(1H,d,J=8.4Hz),7.66−7.87(15H,m),13.17(1H,br).
13C−NMR(DMSO−d,ppm)δ 20.8(d,JC−P=52.2Hz),39.7,110.3,118.9(d,JC−P=86.4Hz),119.6,120.3,122.6(d,JC−P=6.2Hz),126.5,129.8(d,JC−P=12.4Hz),133.2(d,JC−P=9.3Hz),133.9(d,JC−P=10.6Hz),134.7(d,JC−P=3.1Hz),140.3.
質量分析C2622Pとして、計算値:393.1521[M]、実測値:393.1525[0.4mDa].
融点:210−211℃.
p−トルエンスルホン酸[(1H−インダゾール−3−イル)メチル]トリフェニルホスホニウ(化合物5)の合成
参考例1で得られた化合物(I)(100mg,0.675mmol)をプロピオニトリル(2mL)に溶解し、氷冷下、p−トルエンスルホン酸1水和物(135mg,0.709mmol)及びトリフェニルホスフィン(186mg,0.709mmol)を加え、加熱還流下、10時間攪拌した。減圧下、反応溶液を濃縮し、残渣にプロピオニトリル(1mL)を加え、氷冷下、2時間攪拌した。析出した結晶を濾取し、プロピオニトリル(0.5mL)にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物5(284mg,0.503mmol,75%)を得た。
H−NMR(DMSO−d,ppm)δ 2.27(3H,s),5.59(2H,d,JH−C−P=15.2Hz),6.99(1H,t,J=ca.8Hz),7.10(2H,d,J=8.0Hz),7.30(1H,t,J=ca.8Hz),7.45(1H,d,J=8.4Hz),7.49(2H,d,J=8.0Hz)7.58(1H,d,J=8.4Hz),7.69−7.86(15H,m),13.17(1H,br).
13C−NMR(DMSO−d,ppm)δ 20.7,20.8(d,JC−P=52.2Hz),110.2,118.8(d,JC−P=86.4Hz),119.6,120.3,122.5(d,JC−P=6.2Hz),125.4,126.5,128.0,129.8(d,JC−P=12.4Hz),133.2(d,JC−P=9.3Hz),133.9(d,JC−P=10.6Hz),134.7(d,JC−P=3.1Hz),137.5,140.33,145.8.
質量分析C2622Pとして、計算値:393.1521[M]、実測値:393.1511[−0.9mDa].
融点:209−210℃.
トリフルオロメタンスルホン酸[(1H−インダゾール−3−イル)メチル]トリフェニルホスホニウム(化合物6)の合成
参考例1で得られた化合物(I)(100mg,0.675mmol)をプロピオニトリル(2mL)に溶解し、氷冷下、トリフルオロメタンスルホン酸(62.7μL,0.709mmol)及びトリフェニルホスフィン(186mg,0.709mmol)を加え、加熱還流下、4時間攪拌した。減圧下、反応溶液を濃縮し、残渣に酢酸エチル(1mL)を加え、氷冷下2時間攪拌した。析出した結晶を濾取し、酢酸エチル(0.5mL)にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物6(269mg,0.496mmol,74%)を得た。
H−NMR(DMSO−d,ppm)δ 5.59(2H,d,J=15.2Hz),7.00(1H,t,J=ca.8Hz),7.30(1H,t,J=ca.8Hz),7.44(1H,d,J=8.4Hz),7.58(1H,d,J=8.4Hz),7.66−7.86(15H,m),13.17(1H,br).
13C−NMR(DMSO−d,ppm)δ 20.8(d,JC−P=51.6Hz),110.2,118.8(d,JC−P=87.0Hz),119.6,120.4,120.7(q,JC−P=322.6Hz),122.6(d,JC−P=5.6Hz),126.5,129.8(d,JC−P=12.4Hz),133.2(d,JC−P=9.3Hz),133.8(d,JC−P=10.6Hz),134.7(d,JC−P=3.1Hz),140.3.
質量分析C2622Pとして、計算値:393.1521[M]、実測値:393.1511[−0.9mDa].
融点:152−153℃.
トリフルオロ酢酸[(1H−インダゾール−3−イル)メチル]トリフェニルホスホニウム(化合物7)の合成
参考例1で得られた化合物(I)(150mg,1.01mmol)をプロピオニトリル(1.5mL)に溶解し、氷冷下、トリフルオロ酢酸(81.9μL,1.06mmol)及びトリフェニルホスフィン(279mg,1.06mmol)を加え、加熱還流下24時間攪拌した。反応後にメタノールを加え、化合物7の生成率を高速液体クロマトグラフィー(HPLC)分析により算出した(生成率59%)。
HPLC条件
機器:日立製作所製
カラム:YMC−Pack ODS AM−302,150×4.6mm(ワイエムシイ株式会社製)
移動相:メタノール/リン酸緩衝液=40/60(リン酸緩衝液は20mmolのKHPOと20mmolのKHPOを水1Lに溶解して調製した)
温度:35℃
流速:1.0mL/分
検出:UV(254nm)
測定時間:30分
H−NMR(DMSO−d,ppm)δ 5.65(2H,d,J=15.2Hz),7.00(1H,t,J=ca.8Hz),7.29(1H,t,J=ca.8Hz),7.48(1H,d,J=8.4Hz),7.63(1H,d,J=8.4Hz),7.71−7.86(15H,m),13.36(1H,br).
13C−NMR(DMSO−d,ppm)δ 20.9(d,JC−P=51.0Hz),110.3,116.9(q,JC−P=297.72Hz),118.9(d,JC−P=86.4Hz),119.6,120.3,122.6(d,JC−P=5.6Hz),126.4,129.8(d,JC−P=12.4Hz),133.2(d,JC−P=9.3Hz),133.9(d,JC−P=10.6Hz),134.7(d,JC−P=2.5Hz),140.4,158.1(q,JC−P=32.1Hz).
参考例1:(1H−インダゾール−3−イル)メタノール[化合物(I)]の合成
市販のインダゾール−3−カルボン酸(500mg,3.08mmol)をテトラヒドロフラン(THF)(10mL)に溶解し、アルゴン雰囲気下、氷冷下にて水素化ビス(2−メトキシエトキシ)アルミニウムナトリウム(70%トルエン溶液,1.78g,6.17mmol)を加え、加熱還流下、2時間攪拌した。更に氷冷下にて水素化ビス(2−メトキシエトキシ)アルミニウムナトリウム(70%トルエン溶液,2.67g,9.25mmol)を加え、加熱還流下、2時間攪拌した。氷冷下、2mol/L水酸化ナトリウム水溶液(10mL)を加え、室温にて15分間攪拌した。有機層を分離し、水層をTHF(5mL×3)にて抽出した。有機層を合わせ、飽和食塩水で洗浄した。水層を酢酸エチル(5mL×2)にて抽出し、全有機層を合わせ、無水硫酸マグネシウムにて乾燥、減圧下濃縮した。残渣をトルエン/THF(10:1)(5mL)にて再結晶し、析出した結晶を濾取し、トルエン/THF(10:1)(1mL)にて洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、化合物(I)(349mg,2.36mmol,77%)を得た。
H−NMR(DMSO−d,ppm)δ 4.80(2H,d,J=5.5Hz),5.19(1H,br),7.09(1H,t,J=ca.8Hz),7.33(1H,t,J=ca.8Hz),7.48(1H,d,J=8.4Hz),7.85(1H,d,J=8.4Hz).
13C−NMR(DMSO−d,ppm)δ 56.7,109.9,119.6,120.5,121.4,125.8,140.9,145.5.
質量分析COとして、計算値:149.0715[M+H]、実測値:149.0710[−0.5mDa].
融点:142−143℃.
参考例2:化合物1を用いた(E)−4−[2−(1H−インダゾール−3−イル)ビニル]安息香酸メチルの合成
化合物1(500mg,1.17mmol)をメタノール(3mL)に溶解し、氷冷下、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセ−7−エン(DBU)(262μL,1.69mmol)及び4−ホルミル安息香酸メチル(211mg,1.28mmol)を加え、室温にて7時間攪拌した。反応液を氷冷下2.5時間攪拌し、析出した結晶を濾取し、メタノール(1.5mL)で洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、(E)−4−[2−(1H−インダゾール−3−イル)ビニル]安息香酸メチル(156mg,0.562mmol,48%)を得た。
H−NMR(DMSO−d,ppm)δ 3.87(3H,s),7.24(1H,m),7.42(1H,m),7.58(1H,d,J=8.3Hz),7.60(1H,d,J=16.7Hz),7.74(1H,d,J=16.7Hz),7.87(2H,d,J=8.4Hz),7.98(2H,d,J=8.4Hz),8.24(1H,d,J=8.0Hz),13.30(1H,br s).
質量分析C1715として、計算値:279.1134[M+H]、実測値:279.1130[−0.4mDa].
参考例3:化合物2を用いた(E)−4−[2−(1H−インダゾール−3−イル)ビニル]安息香酸メチルの合成
化合物2(4.00g,8.50mmol)をメタノール(30mL)に溶解し、氷冷下、DBU(1.90mL,12.7mmol)及び4−ホルミル安息香酸メチル(1.39g,8.45mmol)を加え、室温にて3.5時間攪拌した。反応液を氷冷下2.5時間攪拌し、析出した結晶を濾取し、メタノール(10mL)で洗浄した。得られた結晶を減圧下乾燥し、(E)−4−[2−(1H−インダゾール−3−イル)ビニル]安息香酸メチル(1.35g,4.86mmol,57%)を得た。
参考例4:化合物3を用いた(E)−4−[2−(1H−インダゾール−3−イル)ビニル]安息香酸メチルの合成
化合物3(101mg,0.194mmol)をメタノール(1mL)に溶解し、氷冷下、DBU(44.0μL,0.467mmol)及び4−ホルミル安息香酸メチル(35.1mg,0.233mmol)を加え、室温にて5時間攪拌した。反応後にメタノールを加え、(E)−4−[2−(1H−インダゾール−3−イル)ビニル]安息香酸メチルの生成率をHPLC分析により算出した(生成率69%)。なお、HPLCの測定条件は以下の通りである。
HPLC条件
機器:日立製作所製
カラム:Cadenza CD−C−18,75mm×4.6mm(インタクト株式会社製)
移動相:メタノール/リン酸緩衝液=45/55(0分から25分)→60/40(30分から55分)(リン酸緩衝液は20mmolのKHPOと20mmolのKHPOを水1Lに溶解して調製した)
温度:35℃
流速:1.0mL/分
検出:UV(254nm)
測定時間:55分
参考例5:化合物4を用いた(E)−4−[2−(1H−インダゾール−3−イル)ビニル]安息香酸メチルの合成
化合物4(54.0mg,0.111mmol)をメタノール(1mL)に溶解し、氷冷下、DBU(25.0μL,0.265mmol)及び4−ホルミル安息香酸メチル(20.0mg,0.133mmol)を加え、室温にて5時間攪拌した。反応後にメタノールを加え、(E)−4−[2−(1H−インダゾール−3−イル)ビニル]安息香酸メチルの生成率を参考例4と同様にHPLC分析により算出した(生成率59%)。
参考例6:化合物5を用いた(E)−4−[2−(1H−インダゾール−3−イル)ビニル]安息香酸メチルの合成
化合物5(50.7mg,89.7μmol)をメタノール(1mL)に溶解し、氷冷下、DBU(20.1μL,0.215mmol)及び4−ホルミル安息香酸メチル(16.2mg,0.108mmol)を加え、室温にて5時間攪拌した。反応後にメタノールを加え、(E)−4−[2−(1H−インダゾール−3−イル)ビニル]安息香酸メチルの生成率を参考例4と同様にHPLC分析により算出した(生成率67%)。
参考例7:化合物6を用いた(E)−4−[2−(1H−インダゾール−3−イル)ビニル]安息香酸メチルの合成
化合物6(50.7mg,93.5μmol)をメタノール(1mL)に溶解し、氷冷下、DBU(21.0μL,0.224mmol)及び4−ホルミル安息香酸メチル(16.9mg,0.112mmol)を加え、室温にて5時間攪拌した。反応後にメタノールを加え、(E)−4−[2−(1H−インダゾール−3−イル)ビニル]安息香酸メチルの生成率を参考例4と同様にHPLC分析により算出した(生成率67%)。
本発明により、抗腫瘍活性、タンパク質キナーゼ阻害活性等を有するインダゾール誘導体の合成中間体として有用な、インダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法等が提供される。

Claims (15)

  1. 式(I)
    Figure 0004975616
    で表される化合物、式(II)
    Figure 0004975616
    [式中、Xはハロゲン、ONO2、OSO3H、OSO2Ra(式中、Raは置換もしくは非置換の炭素数1〜10のアルキル、置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換の芳香族複素環基を表す)またはOC(=O)Rb(式中、Rbは前記Raと同義である)を表す]で表される化合物、及び式(III)
    Figure 0004975616
    (式中、R1、R2及びR3は、同一または異なって置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換の芳香族複素環基を表す)で表される化合物を反応させることを特徴とする、式(IV)
    Figure 0004975616
    (式中、X、R1、R2及びR3はそれぞれ前記と同義である)で表されるインダゾール-3-イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
  2. 、R及びRが同一または異なって置換もしくは非置換のアリールである請求項1記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
  3. 、R及びRがフェニルである請求項1記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
  4. Xがハロゲンである請求項1〜3のいずれかに記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
  5. XがONO、OSOH、OSO(式中、Rは前記と同義である)またはOC(=O)R(式中、Rは前記と同義である)である請求項1〜3のいずれかに記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
  6. XがOSO(式中、Rは前記と同義である)である請求項1〜3のいずれかに記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
  7. XがOC(=O)R(式中、Rは前記と同義である)である請求項1〜3のいずれかに記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩の製造法。
  8. 式(I)
    Figure 0004975616
    で表される化合物、式(II)
    Figure 0004975616
    (式中、Xは前記と同義である)で表される化合物、及び式(III)
    Figure 0004975616
    (式中、R、R及びRはそれぞれ前記と同義である)で表される化合物を反応させ、式(IV)
    Figure 0004975616
    (式中、X、R、R及びRはそれぞれ前記と同義である)で表されるインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩を得る工程を含むことを特徴とする、式(V)
    Figure 0004975616
    (式中、Arは置換もしくは非置換のアリールまたは置換もしくは非置換の複素環基を表す)で表されるインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
  9. Arが置換もしくは非置換のアリールである請求項8記載のインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
  10. Arが置換もしくは非置換のフェニルである請求項8記載のインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
  11. Arが置換もしくは非置換の芳香族複素環基である請求項8記載のインダゾール誘導体またはその塩の製造法。
  12. 式(IVa)
    Figure 0004975616
    [式中、R、R及びRはそれぞれ前記と同義であり、XaはONO、OSOH、OSO(式中、Rは前記と同義である)またはOC(=O)R(式中、Rは前記と同義である)を表す]で表されるインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
  13. 、R及びRが同一または異なって置換もしくは非置換のアリールである請求項12記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
  14. 、R及びRがフェニルである請求項12記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
  15. XaがOSO(式中、Rは前記と同義である)またはOC(=O)R(式中、Rは前記と同義である)である請求項12記載のインダゾール−3−イルメチルホスホニウム塩またはその塩。
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