JP4975523B2 - 部品内蔵基板 - Google Patents

Description

本発明は部品内蔵基板に係り、特に撮像処理を行う電子部品が組み込まれる部品内蔵基板に関する。

近年、小型カメラを内蔵した携帯電話機が広く利用されるようになってきており、これに伴い固体撮像素子等の撮像処理を行う電子部品（以下、撮像デバイスという）を携帯電話機の基板に搭載することが行われるようになってきている。また、携帯電話機では携帯性が要求されており、従って内設される電子部品も小型化及び薄型化が要求されている。

また撮像デバイスを基板に搭載する場合、一般に撮像デバイスの駆動制御を行うデジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）も合わせて基板に搭載することが行われる。更に、撮像デバイスの上部には、撮像品質の向上の面から撮像領域に塵埃が付着するのを防止するガラス板（透明な保護部材）が設けられる。

従来では、配線基板にＤＳＰ及び撮像デバイスを配設する際、単に配線基板にＤＳＰ、撮像デバイス、及びガラス板を積層することにより小型化が図られていた。（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５−３４７４１６号公報

しかしながら従来の構成では、配線基板の上部にＤＳＰ、撮像デバイス、及びガラス板が積層されるため、その高さが高くなり携帯電話機等の電子機器の薄型化を妨げる原因となるという問題点があった。

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、撮像処理を行う電子部品を設けても小型化を図りうる部品内蔵基板を提供することを目的とする。

上記の課題は、本発明の第１の観点からは、
第１の電子部品と、
その一面側に撮像領域を有する撮像素子である第２の電子部品と、
第１の配線が形成されると共に前記第１の電子部品の一面側が搭載される第１の基板と、
第２の配線が形成されると共に前記第１の基板に積層される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板を電気的に接続する接続部材と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記第１の電子部品を封止するよう配設される封止樹脂とを有し、
前記第２の電子部品に、該第２の電子部品の一面側を保護する透明部材を設け、
前記第２の電子部品を、前記第２の基板の前記接続部材が接続されている面に配設し、
前記第２の基板に開口部を形成すると共に、前記第２の電子部品の一面側が該開口部と対向するよう配設し、
前記透明部材は、前記開口部の少なくとも一部の領域に位置している部品内蔵基板により解決することができる。

また、上記発明において、前記第２の電子部品の他面側と、前記第１の電子部品の他面側とが互いに対向するよう配置した構成としてもよい。

また、上記発明において、前記第２の基板に、前記第２の電子部品と対向するレンズが配設されたレンズユニットを設けた構成としてもよい。
また上記の課題は、本発明の第２の観点からは、
第１の電子部品と、
その一面側に撮像領域を有する撮像素子である第２の電子部品と、
第１の配線が形成されると共に前記第１の電子部品の一面側が搭載される第１の基板と、
第２の配線が形成されると共に前記第１の基板に積層される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板を電気的に接続する接続部材と、
前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記第１の電子部品を封止するよう配設される封止樹脂とを有し、
前記第２の基板に開口部を形成すると共に、前記第２の電子部品の一面側が該開口部と対向し、
前記第２の電子部品の少なくとも一部が前記開口部の領域に位置するように設け、
前記第２の電子部品が、前記第２の基板とワイヤボンディングにより接続された部品内蔵基板により解決することができる。
また、上記発明において、前記第２の基板に、前記第２の電子部品と対向するレンズが配設されたレンズユニットを設けた構成としてもよい。

本発明によれば、第２の電子部品の回路面が、第２の基板に形成された開口部と対向するよう配設したことにより、第１の電子部品と共に第２の電子部品を第１及び第２の基板内に内蔵することができ、電子部品を回路基板の上部に積層して配設していた従来構成に比べ、第２の電子部品を含めた部品内蔵基板の薄型化、小型化を図ることができる。

次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。

図１は、本発明の第１実施例である部品内蔵基板１０Ａを示している。尚、以下の説明においては、図１に矢印Ｚ１で示す側を上方とし、矢印Ｚ２で示す側を下方とする。また、図２以降の各図においても同様とする。

部品内蔵基板１０Ａは、大略すると第１の基板１００，第２の基板２００，半導体チップ１１０Ａ（請求項に記載の第１の電子部品に相当する），撮像デバイス１１０Ｂ（請求項に記載の第２の電子部品に相当する），電極１１２，封止樹脂１１５，及びガラス板１３０（請求項に記載の透明部材に相当する）等により構成されている。

第１の基板１００は、コア基板１０１、ビルドアップ層１０１Ａ，１０１Ｂ、配線パターン１０３Ａ，１０３Ｂ、内層配線１０３Ｃ、及びソルダーレジスト層１０４Ａ，１０４Ｂ等により構成されている。

コア基板１０１は、プリプレグ材（ガラス繊維にエポキシ樹脂などを含浸させた材料）よりなり、その両面には例えばＣｕよりなる内層配線１０３Ｃが形成されている。また、コア基板１０１の両面に形成された内層配線１０３Ｃは、コア基板１０１を貫通して形成されたビアプラグ１０２により電気的に接続されている。

このコア基板１０１の図中上面にはビルドアップ層１０１Ａが形成され、また下面にはビルドアップ層１０１Ｂが形成される。このビルドアップ層１０１Ａの上面には例えばＣｕからなる配線パターン１０３Ａが形成されると共に、ビルドアップ層１０１Ｂの下面には例えばＣｕからなる配線パターン１０３Ｂが形成されている。配線パターン１０３Ａは、層間ビア１０５Ａを介して内層配線１０３Ｃに接続され、配線パターン１０３Ｂは層間ビア１０５Ｂを介して内層配線１０３Ｃに接続されている。

また、ビルドアップ層１０１Ａの図中上面には、ソルダーレジスト層１０４Ａが形成されている。このソルダーレジスト層１０４Ａは、後述する半導体チップ１１０Ａの接合位置、及び電極１１２の接合位置が除去されて接続孔１１７Ａ（図３（Ａ）参照）が形成されている。配線パターン１０３Ａは、この接続孔１１７Ａから露出した状態となっている。

また、ビルドアップ層１０１Ｂの図中下面には、ソルダーレジスト層１０４Ｂが形成されている。このソルダーレジスト層１０４Ｂは、後述するはんだボール１１１が接続される位置に接続孔１１７Ｂが形成されている。配線パターン１０３Ｂは、この接続孔１１７Ｂから露出した状態となっている。

この接続孔１１７Ａ，１１７Ｂから露出した配線パターン１０３Ａ，１０３Ｂの内、後述する電極１１２或いははんだボール１１１がはんだ接合される位置には、はんだ付け性を高めるために例えばＮｉ／Ａｕ（配線パターン１０３Ａ上にＮｉ層、Ａｕ層の順に積層された層）等よりなる接続層が形成されている（接続層の図示は省略している）。また、接続孔１１７Ａ，１１７Ｂから露出した配線パターン１０３Ａ，１０３Ｂの内、半導体チップ１１０Ａがフリップチップ接合される位置には、例えばはんだ等よりなる接続層１０７が印刷法、電解メッキ法等により形成されている。

半導体チップ１１０Ａは、後述する撮像デバイス１１０Ｂの制御を行うデジタルシグナルプロセッサ（ＤＳＰ）である。この半導体チップ１１０Ａは、フリップチップ接合により第１の基板１００に搭載される。

具体的には、半導体チップ１１０Ａの主面にはバンプ１０８が形成されており、このバンプ１０８を前記した接続層１０７に接合することにより、半導体チップ１１０Ａは第１の基板１００にフリップチップ接合される。また、半導体チップ１１０Ａと第１の基板１００の上面１００ａとの間には、接合信頼性を高めるためにアンダーフィル樹脂１０９が配設される。

尚、本実施例では半導体チップ１１０ＡとしてＤＳＰを用いた例を示しているが他のチップ状の部品（例えば、キャパシタ、レジスタ、インダクタ等）を用いることが可能である。

はんだボール１１１は外部接続端子として機能するものであり、第１の基板１００の下面１００ｂに配設されている。具体的には、前記のようにソルダーレジスト層１０４Ｂには配線パターン１０３Ｂが露出した接続孔１１７Ｂが形成されており、はんだボール１１１はこの接続孔１１７Ｂから露出した配線パターン１０３Ｂに接合されている。

一方、第２の基板２００は、コア基板２０１、配線パターン２０３Ａ，２０３Ｂ、及びソルダーレジスト層２０４等により構成されている。

コア基板２０１は、前記した第１の基板１００のコア基板１０１と同様に、プリプレグ材よりなり、その上面には例えばＣｕよりなる配線パターン２０３Ａが形成され、また下面には電極１１２又は撮像デバイス１１０Ｂが接合される配線パターン２０３Ｂが形成されている。

この配線パターン２０３Ａ，２０３Ｂは、コア基板２０１を貫通して形成されたビアプラグ２０２により電気的に接続されている。また、配線パターン２０３Ａが形成されたコア基板２０１の図中上面にはソルダーレジスト層２０４Ａが形成されると共に、配線パターン２０３Ｂが形成されたコア基板２０１の図中下面にはソルダーレジスト層２０４Ｂが形成されている。

一方、第２の基板２００の略中央位置には、開口部２０６が形成されている。この開口部２０６は第２の基板２００を貫通して形成されており、またその形状は後述する撮像デバイス１１０Ｂ及びガラス板１３０の形状に対応するよう設定されている。

撮像デバイス１１０Ｂは、第２の基板２００の下面２００ｂで開口部２０６が形成された位置に配設されている。この撮像デバイス１１０Ｂは、例えば固体撮像素子（ＣＣＤ）であり、素子の回路面（能動面）に形成された撮像領域１２９を囲繞する外周にはバンプ１３５が形成されている。

また本実施例では、撮像デバイス１１０Ｂの撮像領域１２９の上部にはガラス板１３０が接合剤１３３を用いて接合されている。接合剤１３３は撮像領域１２９を囲繞するよう配設されており、よってガラス板１３０が撮像デバイス１１０Ｂに接合された状態で、ガラス板１３０と撮像領域１２９との間に微小な気密な空間部を形成するよう構成されている。このように、本実施例では、撮像領域１２９がガラス板１３０及び接合剤１３３により封止された構成であるため、撮像領域１２９に塵埃が付着し撮像品質が低下することを防止することができる。

上記構成とされた撮像デバイス１１０Ｂは、第２の基板２００の下面２００ｂに形成された配線パターン２０３Ｂと電気的に接続されている。具体的には、配線パターン２０３Ｂには異方性導電性樹脂１４０が配設されており、撮像デバイス１１０Ｂに形成されたバンプ１３５をこの異方性導電性樹脂１４０に圧入し加熱処理することにより、バンプ１３５と配線パターン２０３Ｂとを接合する。

上記構成とされた第１の基板１００と第２の基板２００は、封止接続層により接合される。この封止接続層は、電極１１２と封止樹脂１１５とにより構成される。

電極１１２は、球形状の銅コア１１３の表面にはんだ被膜１１４を形成した構成とされている。この電極１１２は、その下部が第１の基板１００の接続孔１１７Ａから露出した配線パターン１０３Ａにはんだ付けされ、その上部が第２の基板２００の配線パターン２０３Ｂに接合される。これにより、第１の基板１００の配線パターン１０３Ａと、第２の基板２００の配線パターン２０３Ｂは、電極１１２を介して電気的かつ機械的に接合される。

封止樹脂１１５は、第１の基板１００と第２の基板２００との離間部分に形成される。これにより、半導体チップ１１０Ａは封止樹脂１１５により封止され、第１の基板１００と第２の基板２００との間に内蔵された状態となる。

また、この封止樹脂１１５は接着剤としても機能するため、この封止樹脂１１５により第１の基板１００と第２の基板２００を強固に接合することができる。このように、部品内蔵基板１０Ａは、第１の基板１００と第２の基板２００を接合するのに、電極１１２による接合に加えて封止樹脂１１５により接合を行っているため、部品内蔵基板１０Ａの薄型化を図っても、第１の基板１００と第２の基板２００が剥離するようなことはなく、高い信頼性を実現することができる。

また本実施例では、第２の基板２００の上部に、レンズ１３１を有したレンズホルダ１３２を設けた構成とている。レンズホルダ１３２に配設されたレンズ１３１は、撮像デバイス１１０Ｂの撮像領域１２９に撮像画像を合焦点させるものである。

このレンズホルダ１３２は、第２の基板２００の上面２００ａに接着により固定される。このようにレンズホルダ１３２を設けることにより、更に撮像デバイス１１０Ｂに塵埃が付着することを防止することができる。

上記構成とされた部品内蔵基板１０Ａは、その内部にＤＳＰとして機能する半導体チップ１１０Ａと、撮像処理を行う撮像デバイス１１０Ｂとが内蔵された構成とされている。このため、従来のように回路基板の上部に個別に撮像デバイスとＤＳＰとを積層する構成に比べ、薄型化及び小型化を図ることができる。

また、本実施例では、撮像デバイス１１０Ｂに直接ガラス板１３０を配設することにより塵埃の付着防止の確実性を高めているが、単にガラス板１３０を撮像デバイス１１０Ｂに積層した構成では、従来の同様に部品内蔵基板１０Ａが高背化してしまうことが懸念される。

しかしながら、本実施例では撮像デバイス１１０Ｂを第２の基板２００に配設した状態で、このガラス板１３０は開口部２０６の内部に位置するよう（挿入されるよう）構成されている。よって、従来と同様に第２の基板の上部に撮像デバイス及びガラス板を積層する構成に比べ、本実施例によれば高さ方向（図中、矢印Ｚ１，Ｚ２方向）に対し、ガラス板１３０と第２の基板２００とが重なり合っている高さ分（図１に矢印ΔＨで示す）だけ部品内蔵基板１０Ａの薄型化、小型化を図ることができる。

次に、図１に示した部品内蔵基板１０Ａの製造方法について説明する。

図２乃至図５は、部品内蔵基板１０Ａの製造方法を製造手順に沿って示す図である。尚、図２乃至図５において、図１に示した構成と対応する構成については同一符号を付して、一部その説明を省略するものとする。

図２は、撮像デバイス１１０Ｂを第２の基板２００に配設する工程を示している。先ず、この撮像デバイス１１０Ｂを第２の基板２００に配設する工程の説明に先立ち、説明の便宜上、第２の基板２００の製造方法について説明する。

第２の基板２００を製造するは、例えばプリプレグ材よりなるコア基板２０１に対し、このコア基板２０１を貫通するビアプラグ２０２を形成する。また、コア基板２０１の上面に配線パターン２０３Ａを形成すると共に、前記コア基板２０１の下面に配線パターン２０３Ｂを形成する。

このコア基板２０１の各面に形成された配線パターン２０３Ａと配線パターン２０３Ｂは、ビアプラグ２０２により電気的に接続される。この配線パターン２０３Ａ，２０３Ｂ及びビアプラグ２０２は、例えばＣｕにより形成することができる。次に、コア基板２０１の上面にソルダーレジスト層２０４Ａを形成すると共に、下面にソルダーレジスト層２０４Ｂを形成する。このソルダーレジスト層２０４Ｂには接続孔１１６Ｂが形成され、この接続孔１１６Ｂからは配線パターン２０３Ｂが露出した状態となっている。

続いてこの第２の基板２００に対し、開口部２０６を形成する。この開口部２０６の形成方法としては、例えばルータ加工を用いることができる。この開口部２０６は、前記したようにガラス板１３０を内部に挿入することができる形状に形成される。このルータ加工は穴あけ加工として周知であり、よって開口部２０６の形成を容易に行うことができる。

開口部２０６の形成工程が終了すると、続いて第２の基板２００に電極１１２を接合する。この電極１１２は、前記のように球状の銅コア１１３の外周にはんだ被膜１１４が設けられた構成とされている。

この電極１１２を第２の基板２００に接合するには、電極１１２にフラックスを塗布し、その上でこの電極１１２を接続孔１１６Ｂから露出した配線パターン２０３Ｂに仮止めする。続いて、この電極１１２が仮止めされた第２の基板２００をリフロー処理することにより、電極１１２は配線パターン２０３Ｂにはんだ付けされる。このはんだ付け工程が終了すると、フラックス洗浄を行いフラックス残渣を除去する。

上記の工程を経ることにより形成された第２の基板２００は、図２（Ａ）に示すように上下が反対となるよう配置され、第２の基板２００の下面２００ｂに対し撮像デバイス１１０Ｂを搭載する工程が実施される。

撮像デバイス１１０Ｂを第２の基板２００に搭載する際、予めガラス板１３０を撮像デバイス１１０Ｂに配設しておく。前記のように、ガラス板１３０は、接合剤１３３を用いて撮像デバイス１１０Ｂに固定される。ガラス板１３０が撮像デバイス１１０Ｂに固定された状態で、接合剤１３３はガラス板１３０の配設位置の外周に位置している。

一方、第２の基板２００のバンプ１３５と接続される配線パターン２０３Ｂには、予め異方性導電性樹脂１４０を配設しておく。この異方性導電性樹脂１４０としては、例えば異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いることができ、また異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を用いることも可能である。

上記構成とされた撮像デバイス１１０Ｂを第２の基板２００に搭載するには、図２（Ａ）に示すように、ガラス板１３０と開口部２０６とを位置決めした上で、ガラス板１３０が開口部２０６に挿入される。これにより、撮像デバイス１１０Ｂに設けられたバンプ１３５は、異方性導電性樹脂１４０に当接する。

そして、撮像デバイス１１０Ｂを第２の基板２００に向け加圧しつつ加熱することにより、異方性導電性樹脂１４０を介して撮像デバイス１１０Ｂは第２の基板２００にフリップチップ接合され、バンプ１３５は配線パターン２０３Ｂと電気的に接続する。図２（Ｂ）は、撮像デバイス１１０Ｂが第２の基板２００に搭載された状態を示している。

上記のように撮像デバイス１１０Ｂが第２の基板２００に搭載されると、この第２の基板２００を第１の基板１００に接合する工程が実施される。図３は、第２の基板２００を第１の基板１００に接合する工程を示している。

ここで、説明の便宜上、第１の基板１００の製造方法について説明する。第１の基板１００を製造するには、例えばプリプレグ材よりなるコア基板１０１を用意し、このコア基板１０１を貫通するビアプラグ１０２を形成すると共に、このコア基板１０１の上面及び下面に内層配線１０３Ｃを形成する。このコア基板１０１の上面及び下面に形成された内層配線１０３Ｃは、ビアプラグ１０２により電気的に接続される。尚、このビアプラグ１０２及び内層配線１０３Ｃは、例えばＣｕにより形成することができる。

続いて、内層配線１０３Ｃが形成されたコア基板１０１の上面に、ビルドアップ層１０１Ａを形成し、更にコア基板１０１の下面にビルドアップ層１０１Ｂを形成する。このビルドアップ層１０１Ａ，１０１Ｂとしては、例えばポリイミド等の樹脂からなる絶縁フィルムを用いることができる。

次に、このビルドアップ層１０１Ａの上面に、配線パターン１０３Ａを形成する。この配線パターン１０３Ａと内層配線１０３Ｃは、ビルドアップ層１０１Ａを貫通して形成された層間ビア１０５Ａにより電気的に接続される。また、ビルドアップ層１０１Ａの下面には、配線パターン１０３Ｂを形成する。この配線パターン１０３Ｂと内層配線１０３Ｃは、ビルドアップ層１０１Ｂを貫通して形成された層間ビア１０５Ｂにより電気的に接続される。

続いて、配線パターン１０３Ａが形成されたビルドアップ層１０１Ａの上面に、ソルダーレジスト層１０４Ａを形成する。このソルダーレジスト層１０４Ａを形成する際、後述する半導体チップ１１０Ａが接合する位置、及び電極１１２が接合する位置には接続孔１１７Ａが形成される。また、この接続孔１１７Ａから露出する配線パターン１０３Ａには、例えばＮｉ／Ａｕ等よりなる接続層を形成する。

また、複数形成される接続孔１１７Ａの内、後の工程で半導体チップ１１０Ａが接合される接続孔１１７Ａから露出した配線パターン１０３Ａには、例えばはんだ等よりなる接続層１０７を電解メッキ等により形成する。

一方、配線パターン１０３Ｂが形成されたビルドアップ層１０１Ｂの下面には、ソルダーレジスト層１０４Ｂが形成される。このソルダーレジスト層１０４Ｂを形成する際、後述するはんだボール１１１が接合する位置に接続孔１１７Ｂを形成する。また、この接続孔１１７Ｂから露出する配線パターン１０３Ｂには、例えばＮｉ／Ａｕ等よりなる接続層が形成される。

上記のようにして製造された第１の基板１００には、続いて半導体チップ１１０Ａが搭載される。第１の基板１００に半導体チップ１１０Ａを搭載するには、予め半導体チップ１１０Ａの主面にバンプ１０８を設けておき、この半導体チップ１１０Ａをフェイスダウンとし、主面に形成されたバンプ１０８を接続層１０７に接合する。

半導体チップ１１０Ａが第１の基板１００にフリップチップ接合されると、続いて半導体チップ１１０Ａと第１の基板１００（上面１００ａ）との間に、アンダーフィル樹脂１０９を充填する。これにより、半導体チップ１１０Ａは第１の基板１００に高い信頼性を持って接合される。

上記のようにして製造される第１の基板１００に対して第２の基板２００を接合するには、先ず電極１１２にフラックス１１８を塗布する。その上で、図３（Ａ）に示すように、電極１１２と接続孔１１７Ａとが対向するよう、第１の基板１００の上方で第２の基板２００の位置決めを行う。

続いて、第２の基板２００を第１の基板１００に当接させる。これにより、電極１１２は配線パターン１０３Ａにフラックス１１８を用いて仮止めされた状態となる。またこれと同時に、半導体チップ１１０Ａは開口部２０６の内部に少なくともその一部が位置した状態となる。

このように、第２の基板２００が第１の基板１００に仮止めされると、この第１及び第２の基板１００，２００は、仮止めされた状態を維持しつつリフロー炉に装着されて加熱工程を実施する。これにより、電極１１２のはんだ被膜１１４は溶けて配線パターン１０３Ａにはんだ付けされ、第１の基板１００と第２の基板２００は電極１１２により接合されて積層された状態となる。この状態において、半導体チップ１１０Ａの背面（回路面と反対側の面）と、撮像デバイス１１０Ｂの背面（回路面と反対側の面）が、互いに対向した状態となる。

続いて、電極１１２のはんだ付け位置に残留しているフラックス残渣を除去する洗浄工程を行うことにより、第１の基板１００に対する第２の基板２００の接合工程が終了する。図３（Ｂ）は、第１の基板１００に対する第２の基板２００の接合工程が終了した状態を示している。

続いて、接合された第１及び第２の基板１００，２００は、図４（Ａ）に示すように金型１５０内に装着される。金型１５０は上型１５１及び下型１５２により構成されベース１５３上に配設された構成とされている。この金型１５０は、モールドゲート１５４及びモールドベント１５５が形成されており、モールドベント１５５から吸引処理を行いつつ、モールドゲート１５４から樹脂を充填する。この金型１５０を用いて、封止樹脂１１５を成型するトランスファーモールド工程が実施される。

本実施例では、このように吸引することにより金型１５０内を負圧にして樹脂注入を行っており、これにより第１の基板１００と第２の基板２００との離間距離が狭い部分においても、確実に封止樹脂１１５が充填されるようにしている。また、接合された第１及び第２の基板１００，２００を金型１５０に装着する際、接合された第１及び第２の基板１００，２００の上部にはテープ部材１５７が配設された状態で金型１５０内に装着される。このため、封止樹脂１１５が成型された後における第１及び第２の基板１００，２００の金型１５０からの離型性の向上が図られている。

この封止樹脂１１５のトランスファーモールドが終了すると、封止樹脂１１５が形成された第１及び第２の基板１００，２００は金型から取り出される。図４（Ｂ）は、封止樹脂１１５が形成された第１及び第２の基板１００，２００を示している。

上記のように封止樹脂１１５が形成されると、ソルダーレジスト層１０４Ｂに形成された接続孔１１７Ｂから露出した配線パターン１０３Ｂにはんだボール１１１をはんだ付けすることにより、図５に示す部品内蔵基板１０Ａが製造される。その後に、レンズホルダ１３２を第２の基板２００上に配設することにより、図１に示す部品内蔵基板１０Ａが製造される。

上記のように本実施例に係る製造方法によれば、薄型化を図りうる部品内蔵基板１０Ａを簡単に、かつ効率より製造することができる。また、第２の基板２００に開口部２０６を形成する工程も、汎用されている機械加工（ルータ加工）を用いることができるため、短時間で生産性よく製造することができる。

次に、本発明の第２実施例であるチップ内蔵基板について説明する。

図６は、第２実施例である部品内蔵基板１０Ｂを示している。尚、図６において、図１に示した第１実施例に係る部品内蔵基板１０Ａと対応する構成については同一符号を付して、その説明を省略する。

前記した第１実施例に係る部品内蔵基板１０Ａでは、撮像デバイス１１０Ｂと第２の基板２００とがフリップチップ接合される例を示した。これに対して本実施例に係る部品内蔵基板１０Ｂは、撮像デバイス１１０Ｂを第２の基板２００にワイヤ１６０を用いて接続したことを特徴としている。

ワイヤボンディング法は、フリップチップ法に比べて低コスト化が図れるが、ワイヤーループが撮像デバイス１１０Ｂの上部にも形成されるため、薄型化の点からは不利である。

しかしながら本実施例では、撮像デバイス１１０Ｂの上部には開口部２０６が形成されており、この開口部２０６とレンズホルダ１３２とが作る内部空間内でワイヤ１６０のワイヤーループが形成されるよう構成している。よって、本実施例に係る部品内蔵基板１０Ｂによれば、撮像デバイス１１０Ｂと第２の基板２００との接続にワイヤ１６０を用いても部品内蔵基板１０Ｂの薄型化を図ることができ、かつ低コスト化を図ることができる。

以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は上記した特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能なものである。

具体的には、センサ表面を装置外部に露出して使用する各種装置に適用するこることが可能であり、例えば撮像デバイス１１０Ｂに代えてホトダイオードを用いた光学的センサや、感圧式や静電容量式の指紋センサとしての適用も可能である。

また、上記した実施例では、ガラス板１３０（透明部材）を撮像デバイス１１０Ｂ（第２の電子部品）に直接配設する構成を示したが、ガラス板１３０を撮像デバイス１１０Ｂ以外の部品（例えば、第２の基板２００）に設けることも可能である。

図１は、本発明の第１実施例であるチップ内蔵基板の断面図である。 図２は、第１実施例であるチップ内蔵基板の断面図の製造方法を説明するための図である（その１）。 図３は、第１実施例であるチップ内蔵基板の断面図の製造方法を説明するための図である（その２）。 図４は、第１実施例であるチップ内蔵基板の断面図の製造方法を説明するための図である（その３）。 図５は、第１実施例であるチップ内蔵基板の断面図の製造方法を説明するための図である（その４）。 図６は、本発明の第２実施例であるチップ内蔵基板の断面図である。

符号の説明

１０Ａ，１０Ｂ 部品内蔵基板
１００ 第１の基板
１０１ コア基板
１０２，２０２ ビアプラグ
１０３Ａ，１０３Ｂ，２０３Ａ，２０３Ｂ 配線パターン
１０３Ｃ 内層配線
１０４Ａ，１０４Ｂ，２０４Ａ，２０４Ｂ ソルダーレジスト層
１１０Ａ 半導体チップ
１１０Ｂ 撮像デバイス
１１１ はんだボール
１１２ 電極
１１３ 銅コア
１１４ はんだ被膜
１１５ 封止樹脂
１２９ 撮像面
１３０ ガラス板
１３１ レンズ
１３２ レンズホルダ
１４０ 異方性導電性樹脂
１５０ 金型
１６０ ワイヤ
２００ 第２の基板
２０６ 開口部

Claims (5)

1. 第１の電子部品と、
   その一面側に撮像領域を有する撮像素子である第２の電子部品と、
   第１の配線が形成されると共に前記第１の電子部品の一面側が搭載される第１の基板と、
   第２の配線が形成されると共に前記第１の基板に積層される第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板を電気的に接続する接続部材と、
   前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記第１の電子部品を封止するよう配設される封止樹脂とを有し、
   前記第２の電子部品に、該第２の電子部品の一面側を保護する透明部材を設け、
   前記第２の電子部品を、前記第２の基板の前記接続部材が接続されている面に配設し、
   前記第２の基板に開口部を形成すると共に、前記第２の電子部品の一面側が該開口部と対向するよう配設し、
   前記透明部材は、前記開口部の少なくとも一部の領域に位置している部品内蔵基板。
2. 前記第２の電子部品の他面側と、前記第１の電子部品の他面側とが互いに対向するよう配置した請求項１記載の部品内蔵基板。
3. 前記第２の基板に、前記第２の電子部品と対向するレンズが配設されたレンズユニットを設けた請求項１または２のいずれか一項に記載の部品内蔵基板。
4. 第１の電子部品と、
   その一面側に撮像領域を有する撮像素子である第２の電子部品と、
   第１の配線が形成されると共に前記第１の電子部品の一面側が搭載される第１の基板と、
   第２の配線が形成されると共に前記第１の基板に積層される第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板を電気的に接続する接続部材と、
   前記第１の基板と前記第２の基板の間に前記第１の電子部品を封止するよう配設される封止樹脂とを有し、
   前記第２の基板に開口部を形成すると共に、前記第２の電子部品の一面側が該開口部と対向し、
   前記第２の電子部品の少なくとも一部が前記開口部の領域に位置するように設け、
   前記第２の電子部品が、前記第２の基板とワイヤボンディングにより接続された部品内蔵基板。
5. 前記第２の基板に、前記第２の電子部品と対向するレンズが配設されたレンズユニットを設けた請求項４記載の部品内蔵基板。

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