JP4969856B2 - 有機電界発光表示装置 - Google Patents

Description

本発明は有機電界発光表示装置に係り、さらに詳細には封止基板の所定領域に配線が形成されている有機電界発光表示装置に関する。

平板表示装置（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）のうちで有機電界発光表示装置（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｄｉｓｐｌａｙ）は自発光であり、視野角が広くて、応答速度が速くて、薄い厚さと低い製作費用及び高いコントラスト（ｃｏｎｔｒａｓｔ）等の特性を示すことによって今後の次世代平板表示装置として注目されている。このような有機電界発光表示装置は電子と正孔が半導体内で電子−正孔対を作り、キャリアがさらに高いエネルギー状態に励起された後再び安定化状態である基底状態に落ちる過程を介して光が発生する現象を利用する。そして、有機電界発光表示装置はその駆動方式によってＰＭＯＬＥＤ（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ＯＬＥＤ）及びＡＭＯＬＥＤ（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ＯＬＥＤ）に区分される。

図１Ａないし図１Ｃは従来技術による有機電界発光表示装置を説明する基板の平面図、封止基板の底面図及び表示装置の断面図である。

図１Ａを参照すると、基板１００上には所定の画素が配列されている画素領域１５０と、前記画素領域１５０の周辺に形成されて共通電源ライン（Ｖｄｄライン）１６０に電源電圧を印加するための共通電源供給ライン１１０と、前記共通電源供給ライン１１０に連結されていて各画素に電圧を供給するための共通電源ライン１６０と、選択信号を出力するスキャンドライバー１４０と、データ信号を出力するデータドライバー１３０を含む。前記共通電源ライン１６０は前記共通電源供給ライン１１０の上側及び下側に連結されていて電源供給を受ける。

また、前記画素領域１５０の上部に配列されるカソード電極１２０と、前記画素領域１５０の一側に前記カソード電極１２０と重なるように配列されて前記カソード電極１２０にカソード電圧を提供するカソード電源供給ライン１７０を含む。

前記共通電源供給ライン１１０、カソード電源供給ライン１７０をはじめとするその他配線はパッド１８０と連結されて所定の電源供給を受ける。

前記したように、基板１００上には多くの配線が形成されていて前記配線が占める面積（以下、デッドスペースと称する）が広くなれば広くなるほどその面積だけ画素領域で用いることができない問題点がある。さらに、有機電界発光表示装置はその機能が多様になって複雑になるによって前記表示装置内に形成される配線もそれだけ多くなるようになった。したがって、デッドスペースを減少させることが画素領域を広げたり、表示装置の大きさを減らすのに重要な要素になっている。また、表示装置の大きさを減らすために前記配線を薄く形成したりするが、この場合、電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）が大きくなるようになる問題点が発生することができる。

図１Ｂ及び図１Ｃを参照すると、図１Ｂは封止基板１０１の底面図であって前記封止基板１０１の下部面を図示していて、図１Ｃは図１Ａ及び図１Ｂに示したＩ−Ｉ'における断面図である。周辺部分１９０は前記基板１００に接着剤１０２が塗布されて前記封止基板１０１と接着される領域を意味する。前記封止基板１０１は基板１００上で密閉されて、前記封止基板１０１と基板１００により形成された内部空間には前記基板１００上に形成された有機発光素子１０３を保護するための吸湿剤（図示せず）が形成されることができる。特に、前記吸湿剤は前記封止基板１０１の下部面に形成されることができる。
韓国登録特許０３５７８８５ 韓国公開特許２００２−８８３００ 韓国公開特許２００４−３１６５１

本発明が解決しようとする技術的課題は上述した従来技術の問題点を解決するためのことであって、デッドスペースを減らして画素領域を広げたり、電圧降下を減らすことができる有機電界発光表示装置を提供することにその目的がある。

前記技術的課題を達成するために本発明は有機電界発光表示装置を提供する。前記装置は所定の画素が配列された画素領域及び配線が形成されている基板を具備する。前記基板上部に形成されており、前記基板と向い合う面の所定領域に配線が形成されている封止基板を含む。前記封止基板に形成された配線は前記基板に形成されている配線に対応する部分以外の領域に形成される。これで、既存の基板に形成される配線領域に他の配線を形成したり、画素領域をさらに広げることができて、また、封止基板に配線を広く形成して用いることができるので、電圧降下を減少させることができる。

前記配線は前記基板に形成されている共通電源ライン（Ｖｄｄライン）に電源を供給する共通電源供給ラインであることがある。前記封止基板に形成された共通電源供給ラインは前記基板に形成された共通電源供給ラインと連結されることができて、導電性物質により連結されることができる。前記導電性物質として異方伝導性フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）を用いることができる。

前記封止基板に形成された共通電源供給ラインは導電性物質からなることができ、その面積は前記基板に形成された共通電源供給ラインの面積より広く形成されることができる。

前記画素領域は、アノード電極、カソード電極、及び前記アノード電極と前記カソード電極間に介在された有機薄膜層を具備することができる。前記配線は前記基板に形成されているカソード電極に所定の電圧を提供するカソード電源供給ラインであることがある。前記封止基板に形成されたカソード電源供給ラインは前記基板に形成されたカソード電源供給ラインと連結されることができて、導電性物質により連結されることができる。前記導電性物質として異方伝導性フィルムを用いることができる。前記基板に形成された前記カソード電源供給ラインはアノード電極と等しい物質からなることができる。

前記封止基板に形成されたカソード電源供給ラインは導電性物質からなることができ、その面積は前記基板に形成されたカソード電源供給ラインの面積より広く形成されることができる。

また、前記装置は所定の画素が配列された画素領域が形成されている基板を具備する。前記基板上部に形成されており、前記基板と向い合う面の所定領域に共通電源供給ラインが形成されている封止基板を含む。前記共通電源供給ラインは前記基板には形成されずに前記封止基板に形成されている。

前記封止基板に形成された共通電源供給ラインは前記基板に形成された共通電源ライン及びパッドと連結されることができて、導電性物質により連結されることができる。前記導電性物質として異方伝導性フィルムを用いることができる。

前記封止基板に形成された共通電源供給ラインは導電性物質からなることができる。

また、前記装置は、所定の画素が配列された画素領域が形成されており、前記画素領域は、アノード電極、カソード電極、及び前記アノード電極と前記カソード電極間に介在された有機薄膜層を具備している基板を含む。前記基板上部に形成されており、前記基板と向い合う面の所定領域にカソード電源供給ラインが形成されている封止基板を含む。前記カソード電源供給ラインは前記基板には形成されていない。

前記封止基板に形成されたカソード電源供給ラインは前記基板に形成されたカソード電極と連結されることができ、導電性物質により連結されることができる。前記導電性物質として異方伝導性フィルムを用いることができる。

前記カソード電極上に形成された絶縁膜をさらに含み、前記封止基板に形成されたカソード電源供給ラインと前記基板に形成されたカソード電極は前記絶縁膜に形成された少なくとも一つのコンタクトホールを介して連結することができる。

上述したように本発明によると、基板に形成されている配線に対応する部分以外の封止基板の所定領域に配線を形成したり、封止基板にだけ共通電源供給ラインを形成することによってデッドスペースを減らすことができる。すなわち、既存の基板に形成される配線領域に他の配線を形成したり、画素領域をさらに広げることができる。また、封止基板に配線を広く形成して用いることができるので、電圧降下を減少させることができる利点がある。

前記では本発明の望ましい実施形態を参照しながら説明したが、該技術分野の熟練された当業者は特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることである。

以下、本発明をさらに具体的に説明するために本発明による望ましい実施形態を添付した図面を参照しながら説明する。しかし、本発明はここで説明される実施形態に限定されなくて他の形態に具体化されることができる。明細書全体にかけて等しい参照番号は等しい構成要素を示す。

図２Ａないし図２Ｃは本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置を説明する基板の平面図、封止基板の底面図及び表示装置の断面図である。

図２Ａを参照すると、基板２００上に所定の画素が配列されている画素領域２５０が形成されている。前記画素領域２５０には各画素に電圧を供給するための共通電源ライン（Ｖｄｄライン）２６０と、選択信号を出力するスキャンドライバー１４０に連結されているスキャンライン（図示せず）と、データ信号を出力するデータドライバー１３０に連結されているデータライン（図示せず）が形成されている。前記スキャンラインは前記共通電源ライン２６０と交差して、前記データラインは前記共通電源ライン２６０と平行して、前記スキャンラインとは相互に絶縁されながら交差する。前記スキャンライン及び前記データラインの交差により単位画素領域が画定される。前記共通電源ライン２６０は図面上に３個だけ図示しているが、これに限らないで複数のラインが形成されていることができる。

前記画素領域２５０の周辺部には共通電源供給ライン２１０が形成されている。前記共通電源ライン２６０は前記共通電源供給ライン２１０の上側及び下側に連結されていて、電源供給を受ける。この時、本発明の第１実施形態では、前記共通電源供給ライン２１０を前記基板２００のすべての周辺部にかけて形成するのではなく、前記画素領域２５０の左側周辺部には前記共通電源供給ライン２１０を形成しない。前記画素領域２５０の左側周辺部に形成する前記共通電源供給ライン２１０は後述する封止基板２０１の所定領域に形成する。したがって、前記画素領域２５０の左側周辺部には他の配線を形成したり、画素領域２５０をさらに広げることができる。言い換えると、デッドスペースを減少させることができる。

前記画素領域２５０の上部にはカソード電極２２０が形成されており、基板２００の左側周辺部まで拡張して形成することができる。前記画素領域２５０の左側には前記カソード電極２２０と重なるように配列されて前記カソード電極２２０にカソード電圧を提供するカソード電源供給ライン２７０が形成されている。

前記したように、本発明の第１実施形態では前記画素領域２５０の左側周辺部に共通電源供給ライン２１０を形成せずにカソード電源供給ライン２７０を形成することによって、前記画素領域２５０を広げることができる。本実施形態ではカソード電源供給ライン２７０が前記画素領域２５０の左側に形成されることを例示しているが、これに限らないでカソード電源供給ライン２７０を前記画素領域２５０の右側またはその他領域に形成することができる。この場合、前記画素領域２５０の右側またはその他領域には共通電源供給ライン２１０を形成せずに、その領域に対応する封止基板２０１の領域に前記共通電源供給ライン２１０を形成する。

前記共通電源供給ライン２１０、カソード電源供給ライン２７０をはじめとするその他配線はパッド１８０と連結されて所定の電源供給を受ける。

図２Ｂ及び図２Ｃを参照すると、図２Ｂは封止基板２０１の底面図であって前記封止基板２０１の下部面を図示していて、図２Ｃは図２Ａ及び図２Ｂに示したＩＩ−ＩＩ’における断面図である。前記封止基板の周辺部分１９０は前記基板２００に接着剤２０２が塗布されて前記封止基板２０１と接着される領域を意味する。

前記封止基板２０１の前記基板２００と向い合う面に配線が形成されている。前記配線は共通電源供給ライン２１０で前記封止基板２０１の左側に形成されることができる。すなわち、前記封止基板２０１に形成された前記共通電源供給ライン２１０の領域は、前記基板２００で形成されない共通電源供給ラインの領域に対応する領域に該当する。前記封止基板２０１に形成された共通電源供給ライン２１０は、前記封止基板２０１の左側領域だけでなく全領域を活用して形成することができ、その形態は線形または曲線形等多様な形態で形成することができる。

前記封止基板２０１に形成された共通電源供給ライン２１０は導電性物質からなることが望ましい。また、前記封止基板２０１に形成された共通電源供給ライン２１０の面積は前記基板に形成された共通電源供給ライン２１０の面積より広く形成することができる。したがって、基板２００上に形成する共通電源供給ライン２１０を狭く形成しても電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）を減少させることができる。

図２Ａ及び図２Ｂを再び参照すると、前記封止基板２０１に形成された前記共通電源供給ライン２１０は、前記基板２００上に形成された前記共通電源供給ライン２１０と連結される。前記共通電源供給ライン２１０は電源を供給する配線であるので前記基板２００及び封止基板２０１に形成された共通電源供給ライン２１０を導電性物質によって連結させることが望ましい。

前記基板２００及び封止基板２０１に形成された共通電源供給ライン２１０を連結させる導電性物質として異方伝導性フィルム（ＡＣＦ）を用いることができる。前記異方伝導性フィルムは接着フィルム（Ａｄｈｅｓｉｖｅ Ｆｉｌｍ）厚さが１５〜３５μｍである絶縁接着剤に直径が３〜１５μｍを有する微細な伝導性粒子（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）をばらまいた状態の接着フィルムをいう。

前記異方伝導性フィルムを前記基板２００及び封止基板２０１に形成された共通電源供給ライン２１０の連結部分２１６に介在する。前記異方伝導性フィルムを加熱（１６０ないし１８０℃、接続時間：１０ないし２０ｓｅｃ）または加圧（２ないし３ＭＰａ）して接着剤を溶融する。この時、分散されている伝導性粒子が前記共通電源供給ライン２１０間で保護されて導電性が得られる。一方、接着剤の高い接着力に前記基板２００及び封止基板２０１に形成された共通電源供給ライン２１０は結合される。

この時、前記基板２００上に形成された前記共通電源供給ライン２１０上部には絶縁膜などが形成されることができる。この場合、前記絶縁膜にコンタクトホールを形成して、前記コンタクトホールに前記異方伝導性フィルムを介在して前記基板２００及び封止基板２０１に形成された共通電源供給ライン２１０を連結することができる。

また、前記異方伝導性フィルムが介在される位置は前記封止基板２０１が基板２００上で密閉される領域と重なることができる。この場合、前記基板２００の周辺部に沿って塗布する接着剤２０２間に前記異方伝導性フィルムが介在して前記基板２００と封止基板２０１を封止する過程で前記基板２００及び封止基板２０１に形成された共通電源供給ライン２１０を連結させることができる。

前記封止基板２０１と前記基板２００を結合することによって一つのパネルを形成するので、接着剤２０２を用いて前記封止基板２０１と前記基板２００を結合することができる。すなわち、前記基板２００の周辺部に沿って塗布された接着剤２０２を所定温度でＵＶ（Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）を照射して硬化することによって前記封止基板２０１を前記基板２００上で密閉させることができる。

前記封止基板２０１と基板２００により形成された内部空間には前記基板２００上に形成された有機発光素子２０３を保護するための吸湿剤（図示せず）が形成されることができる。特に、前記吸湿剤は前記封止基板２０１の下部面に形成されることができる。

図３Ａ及び図３Ｂは本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置を説明する基板の平面図、封止基板の底面図である。

図３Ａを参照すると、本発明の第２実施形態では共通電源供給ライン３１０を基板３００のすべての周辺部にかけて形成するのではなく、画素領域３５０の左側及び右側周辺部には前記共通電源供給ライン３１０を形成しない。前記画素領域３５０の左側及び右側周辺部に形成する前記共通電源供給ライン３１０は後述する封止基板３０１の所定領域に形成する。したがって、前記画素領域３５０の左側及び右側周辺部には他の配線を形成したり、画素領域３５０をさらに広げることができる。言い換えると、デッドスペースを減少させることができる。

図３Ｂを参照すると、図３Ｂは封止基板３０１の底面図であって前記封止基板３０１の下部面を図示している。

前記封止基板３０１の前記基板３００と向い合う面に共通電源供給ライン３１０が形成されている。前記共通電源供給ライン３１０は前記封止基板３０１の左側及び右側に形成されることができる。

上述したことを除いては本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置と等しい。

図４Ａ及び図４Ｂは本発明の第３実施形態による有機電界発光表示装置を説明する基板の平面図、封止基板の底面図である。

図４Ａを参照すると、基板４００上に所定の画素が配列されている画素領域４５０が形成されている。前記画素領域４５０には各画素に電圧を供給するための共通電源ライン（Ｖｄｄライン）４６０と、選択信号を出力するスキャンドライバー１４０に連結されているスキャンライン（図示せず）と、データ信号を出力するデータドライバー１３０に連結されているデータライン（図示せず）が形成されている。

前記画素領域４５０はアノード電極（図示せず）、カソード電極４２０及び前記アノード電極と前記カソード電極間に介在された有機薄膜層（図示せず）を具備することができて、これで、有機電界発光素子を形成することができる。

前記画素領域４５０の周辺部には共通電源供給ライン４１０が形成されていて前記共通電源ライン４６０に電源を供給する。

前記画素領域４５０の上部にはカソード電極４２０が形成されている。この時、本発明の第３実施形態では前記画素領域４５０の左側上部エッジ（ｅｄｇｅ）に前記カソード電極４２０と重なるように配列されて前記カソード電極４２０にカソード電圧を提供するカソード電源供給ライン４７０が形成されている。すなわち、前記画素領域４５０の左側には前記カソード電極４２０と重畳するカソード電源供給ライン４７０を形成しない。前記カソード電極４２０は前記アノード電極と等しい物質からなることができる。すなわち、前記アノード電極を形成する時にパターニングすることによって前記カソード電源供給ライン４７０を同時に形成することができる。また、前記共通電源供給ライン４１０の上部領域に重なるように形成しても絶縁を維持して形成することができる。

前記画素領域４５０の左側に形成する前記カソード電源供給ライン４７０は後述する封止基板４０１の所定領域に形成する。したがって、前記画素領域４５０をさらに広げることができる。

図４Ｂを参照すると、図４Ｂは封止基板４４１の底面図であって前記封止基板４０１の下部面を図示している。

前記封止基板４０１の前記基板４００と向い合う面にカソード電源供給ライン４７０が形成されている。前記カソード電源供給ライン４７０は前記封止基板４０１の左側に形成されることができる。

前記封止基板４０１に形成されたカソード電源供給ライン４７０は導電性物質からなることが望ましい。また、前記封止基板４０１に形成されたカソード電源供給ライン４７０の面積は前記基板に形成されたカソード電源供給ライン４７０の面積より広く形成することができる。したがって、前記基板４００上に形成した前記カソード電源供給ライン４７０を画素領域４５０の左側上部エッジ（ｅｄｇｅ）に前記カソード電極４２０と重なるように形成しても電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）を減少させることができる。

図４Ａを再び参照すると、前記封止基板４０１に形成された前記カソード電源供給ライン４７０は前記基板４００上に形成された前記カソード電源供給ライン４７０と連結される。前記カソード電源供給ライン４７０は電源供給を受ける配線であるので前記基板４００及び封止基板４０１に形成された共通電源供給ライン４１０を導電性物質によって連結させることが望ましい。

前記導電性物質として異方伝導性フィルムを用いることができる。前記異方伝導性フィルムを前記基板４００及び封止基板４０１に形成されたカソード電源供給ライン４１０の連結部分４１６に介在して連結することができる。

上述したことを除いては本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置と等しい。

図５Ａ及び図５Ｂは本発明の第４実施形態による有機電界発光表示装置を説明する基板の平面図、封止基板の底面図である。

図５Ａを参照すると、基板５００上に所定の画素が配列されている画素領域５５０が形成されている。前記画素領域５５０には各画素に電圧を供給するための共通電源ライン（Ｖｄｄライン）５６０と、選択信号を出力するスキャンドライバー１４０に連結されているスキャンライン（図示せず）と、データ信号を出力するデータドライバー１３０に連結されているデータライン（図示せず）が形成されている。

この時、本発明の第４実施形態では前記共通電源供給ライン５１０を前記基板５００上には形成しない。前記画素領域５５０の周辺部に形成する前記共通電源供給ライン５１０は後述する封止基板５０１の所定領域に形成する。したがって、前記画素領域５５０の周辺部には他の配線を形成したり、画素領域５５０をさらに広げることができる。すなわち、前記画素領域５５０の上部にはカソード電極５２０が形成されていて、前記画素領域５５０の左側周辺部には前記カソード電極５２０と重なるように配列されて前記カソード電極５２０にカソード電圧を提供するカソード電源供給ライン５７０を形成することができる。また、前記画素領域５５０を下方にさらに拡張して形成することができる。但し、前記基板５００上には後述する封止基板５０１に形成される共通電源供給ライン５１０と連結することができるようにパッド１８０を長く形成する。すなわち、前記パッド１８０を前記基板５００と後述する封止基板５０１が接着される領域にまで長く形成して用いることができる。

図５Ｂを参照すると、図５Ｂは封止基板５０１の底面図であって前記封止基板５０１の下部面を図示している。

前記封止基板５０１の前記基板５００と向い合う面に共通電源供給ライン５１０が形成されている。前記共通電源供給ライン５１０は前記封止基板５０１の周辺部にかけて形成されることができる。

図５Ａを再び参照すると、前記封止基板５０１に形成された前記共通電源供給ライン５１０は前記基板５００上に形成された前記共通電源ライン５６０及びパッド１８０に連結される。詳細に説明すると、前記封止基板５０１の上側及び下側に形成された共通電源供給ライン５１０は前記基板５００上に形成された前記共通電源ライン５６０の端部に連結される。そして、前記封止基板５０１の左側及び右側に形成された共通電源供給ライン５１０は前記基板５００に形成されたパッド１８０に連結される。前記封止基板５０１に形成された共通電源供給ライン５１０と前記基板５００に形成された共通電源ライン５６０及びパッド１８０は導電性物質によって連結させることが望ましい。前記導電性物質として異方伝導性フィルムを用いることができる。前記異方伝導性フィルムを前記封止基板５０１に形成されたカソード電源供給ライン５１０と前記基板５００に形成されたカソード電源供給ライン５１０及びパッド１８０との連結部分５１６に介在して連結することができる。
この時、前記基板５００上に形成する共通電源ライン５６０は前記封止基板５０１上に形成された共通電源供給ライン５１０との連結のために前記基板５００の上側及び下側部分まで延長して形成することが望ましい。

上述したことを除いては本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置と等しい。

図６Ａ及び図６Ｂは本発明の第５実施形態による有機電界発光表示装置を説明する基板の平面図、封止基板の底面図である。

図６Ａを参照すると、基板６００上に所定の画素が配列されている画素領域６５０が形成されている。前記画素領域６５０には各画素に電圧を供給するための共通電源ライン（Ｖｄｄライン）６６０と、選択信号を出力するスキャンドライバー１４０に連結されているスキャンライン（図示せず）と、データ信号を出力するデータドライバー１３０に連結されているデータライン（図示せず）が形成されている。前記画素領域６５０の上部にはカソード電極６２０が形成されている。

この時、本発明の第５実施形態ではカソード電源供給ライン６７０を前記基板６００上には形成しない。前記カソード電極６２０と重なるように形成する前記カソード電源供給ライン６７０は後述する封止基板６０１の所定領域に形成する。したがって、前記画素領域６５０をさらに広げることができる。すなわち、前記カソード電源供給ライン６７０が占めた空間を前記画素領域６５０で活用することができる。

図６Ｂを参照すると、図６Ｂは封止基板６０１の底面図であって前記封止基板６０１の下部面を図示している。

前記封止基板６０１の前記基板６００と向い合う面にカソード電源供給ライン６７０が形成されている。前記カソード電源供給ライン６７０は前記封止基板６０１の左側及び右側に形成されている。しかし、これに限らないで前記カソード電源供給ライン６７０の断面積を広げて電圧降下を防止することができる。また、直線形態に限らないで多様な形態で形成することができる。

図６Ａを再び参照すると、前記封止基板６０１に形成された前記カソード電源供給ライン６７０は前記基板６００上に形成された前記カソード電極６２０に連結される。詳細に説明すると、前記カソード電極６２０のうち前記画素領域６５０と重なる領域以外の領域に前記封止基板６０１に形成された前記カソード電源供給ライン６７０と連結される連結部分６１６に導電性物質を介在して連結させる。前記導電性物質として異方伝導性フィルムを用いることができる。

この時、前記カソード電極６２０上には絶縁膜（図示せず）が介在されることができる。この場合に、前記連結部分６１６に該当する前記絶縁膜にコンタクトホールを形成して、前記コンタクトホールに導電性物質を介在して前記カソード電源供給ライン６７０と連結することができる。前記コンタクトホールを少なくとも一つ以上形成して連結することができる。

上述したことを除いては本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置と等しい。

従来技術による有機電界発光表示装置を説明する基板の平面図である。 従来技術による有機電界発光表示装置を説明する封止基板の底面図である。 従来技術による有機電界発光表示装置を説明する表示装置の断面図である。 本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置を説明する基板の平面図である。 本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置を説明する封止基板の底面図である。 本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置を説明する表示装置の断面図である。 本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置を説明する基板の平面図である。 本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置を説明する封止基板の底面図である。 本発明の第３実施形態による有機電界発光表示装置を説明する基板の平面図である。 本発明の第３実施形態による有機電界発光表示装置を説明する封止基板の底面図である。 本発明の第４実施形態による有機電界発光表示装置を説明する基板の平面図である。 本発明の第４実施形態による有機電界発光表示装置を説明する封止基板の底面図である。 本発明の第５実施形態による有機電界発光表示装置を説明する基板の平面図である。 本発明の第５実施形態による有機電界発光表示装置を説明する封止基板の底面図である。

符号の説明

１３０ データドライバー
１４０ スキャンドライバー
１８０ パッド
１９０ 周辺部分
２００ 基板
２０１ 封止基板
２０２ 接着剤
２０３ 有機発光素子
２１０ 共通電源供給ライン
２２０ カソード電極
２５０ 画素領域
２６０ 共通電源ライン
２７０ カソード電源供給ライン

Claims (15)

1. 画素が配列された画素領域及び配線が形成されている基板と、
   前記基板上部に形成されており、前記基板と向い合う面の所定領域に配線が形成されている封止基板であって、前記封止基板に形成される配線が前記基板に形成される配線に電気的に接続される封止基板と、を含み、
   前記封止基板に形成された配線は前記基板に形成されている画素領域に対応する部分以外の領域に形成され、
   前記基板に形成されている配線及び前記封止基板に形成されている配線は前記基板に形成されている共通電源ライン（Ｖｄｄライン）に電源を供給する共通電源供給ラインであることを特徴とする有機電界発光表示装置。
2. 前記封止基板に形成された共通電源供給ラインは前記基板に形成された共通電源供給ラインと連結されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
3. 前記封止基板に形成された共通電源供給ラインと前記基板に形成された共通電源供給ラインは導電性物質により連結されることを特徴とする請求項２に記載の有機電界発光表示装置。
4. 前記導電性物質は異方伝導性フィルム（ＡＣＦ）であることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示装置。
5. 前記封止基板に形成された共通電源供給ラインの面積は前記基板に形成された共通電源供給ラインの面積より広いことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
6. 前記画素領域は、アノード電極、カソード電極、及び前記アノード電極と前記カソード電極間に介在された有機薄膜層を具備していることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
7. 前記封止基板に形成されたカソード電源供給ラインは前記基板に形成されたカソード電源供給ラインと連結されたことを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示装置。
8. 前記基板に形成された前記カソード電源供給ラインは前記アノード電極と等しい物質からなったことを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示装置。
9. 前記封止基板に形成されたカソード電源供給ラインと前記基板に形成されたカソード電源供給ラインは導電性物質により連結されることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
10. 前記導電性物質は異方伝導性フィルム（ＡＣＦ）であることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示装置。
11. 前記封止基板に形成されたカソード電源供給ラインの面積は前記基板に形成されたカソード電源供給ラインの面積より広いことを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光表示装置。
12. 画素が配列された画素領域が形成されている基板と、
    前記基板上部に形成されており、前記基板と向い合う面の所定領域に共通電源供給ラインが形成されている封止基板と、を含み、
    前記封止基板に形成された共通電源供給ラインは前記基板に形成されている画素領域に対応する部分以外の領域に形成され、
    前記共通電源供給ラインは前記基板には形成されていないことを特徴とする有機電界発光表示装置。
13. 前記封止基板に形成された共通電源供給ラインは前記基板に形成された共通電源ライン及びパッドと連結されることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置。
14. 前記封止基板に形成された共通電源供給ラインと前記基板に形成された共通電源ライン及びパッドは導電性物質により連結されることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
15. 前記導電性物質は異方伝導性フィルム（ＡＣＦ）であることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。

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