JP4968151B2 - 光センサ - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態に係る光センサの概略構成を図1に示す。図1(a)は平面図であり、図1(b)は図1(a)の線A―Aに沿って切断した断面図である。なお、図1中の矢印Dは光源18の移動方向を示している。
本発明の第2実施形態に係る光センサは、被写体15の反射像を撮像する2次元光センサである。本発明の第2実施形態に係る光センサの駆動は、本発明の第1実施形態に係る光センサの駆動と同一であるため、説明を省略する。
本発明の第3実施形態に係る光センサは、本発明の第1及び第2実施形態に係る光センサよりも高精度な撮像が可能な2次元光センサであり、具体的には露出補正を行う光センサである。
本発明の第4実施形態に係る光センサは、部品点数が少なく、低コスト化が可能な2次元光センサであり、具体的には光スイッチに画素アレイ部のダミー素子を利用する光センサである。
本発明に係る光センサが撮影する被写体は、透過型原稿(上述した本発明の第1実施形態参照)、反射型原稿(上述した本発明の第2実施形態参照)のどちらでもよい。
上述した本発明の第1〜第4実施形態に係る光センサでは、複数行の画素内のフォトダイオードを、1水平走査期間内に行毎に異なるタイミングで制御することができるので、フォトダイオードでの画素出力信号の蓄積時間を短縮及び制御することができる。これにより、S/Nが向上する。
2 TFT
3 オペアンプ
4 キャパシタ
5〜7 スイッチ
8、9 サンプルホールド回路
10−1〜10−n 列出力回路
11 垂直走査回路
12 タイミングジェネレータ
13 マルチプレクサ
14 A/D変換器
15 被写体
16 画素アレイ
17 出力回路部
18 光源
19 論理演算部
20 ゲート絶縁層
21 層間絶縁層
22 保護膜
23 白色光源
24 カラーフィルタ
25 原稿
26 透明電極
27 光電変換層
28 画素電極
29 コンタクト電極
30 ドレイン
31 活性層
32 ソース及びソースバス
33 ゲート
34 補助容量用電極
35 カウンタ
36 演算部
37 シュミットトリガタイプのアンプ
38 ダミー素子
39 線光源の基板
40 B発光部
41 G発光部
42 R発光部
Claims (9)
- 行状の複数のゲート線と、列状の複数の信号線と、前記ゲート線と前記信号線の各交差部に配置された行列状の複数の画素と、前記画素内の能動素子を制御するためのゲート信号を前記ゲート線に出力する垂直走査回路とを備えるアクティブマトリックス型の光センサであって、
光照射領域を検知する光スイッチを備え、
前記垂直走査回路が、前記光スイッチの出力に応じて、複数行の前記画素内の能動素子を、1水平走査期間内に行毎に異なるタイミングで制御可能であることを特徴とする光センサ。 - 前記光スイッチが行毎に設けられている請求項1に記載の光センサ。
- 前記光スイッチが前記画素内の光電変換素子と同一の構造である請求項1又は請求項2に記載の光センサ。
- 前記光スイッチのオン期間をモニターするカウンタを備え、前記カウンタのカウンタ値を用いて露出補正を行う請求項1〜3のいずれか1項に記載の光センサ。
- 前記画素内の光電変換素子が少なくも有機半導体材料を用いて形成されている請求項1〜4のいずれか1項に記載の光センサ。
- 前記画素内の光電変換素子のリセット制御と前記画素の出力信号の読出し制御とのうち、少なくとも一つを前記光スイッチの出力に応じて行う請求項1〜5のいずれか1項に記載の光センサ。
- k(kは自然数)行目が光照射領域であることを検知するk行目の光スイッチの出力に応じて、k行目以降の画素内の光電変換素子がリセット制御される請求項6に記載の光センサ。
- k(kは自然数)行目が光照射領域であることを検知するk行目の光スイッチの出力に応じて、複数行の画素内の光電変換素子がリセット制御される請求項7に記載の光センサ。
- k(kは自然数)行目が光照射領域であることを検知するk行目の光スイッチの出力に応じて、k行目以前の画素の出力信号が読出し制御される請求項6〜8のいずれか1項に記載の光センサ。
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