JP4959881B2 - 半導体装置の製造のための露光方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術の分野】
本発明は、半導体装置の製造のための露光方法に関するもので、詳しくは、ウェーハ内での各ダイ（die）をステッパー（stepper）で露光しながらダイ単位の整列状態を向上させて正確な露光を実施し、工程マージンを高めることができる露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高集積の半導体装置の製造において狭い面積に多数の素子を形成するのは、何よりも露光技術による。半導体装置の素子高集積化と微細化に従い露光工程の精密度も漸次向上されるべきことが要求される。露光工程の精密度向上のためには露光装備の分解能が向上されなければならず、整列が正確になされなければならない。ところが、最近では露光装備の分解能が半導体装置において要求される精密度を満足できないことが問題となっている。分解能を高めるため短い波長の遠紫外線（DUV）を使用しているので限界に至っており、自己整列的なパターニング方法とその他の補助的な方法により所望の大きさと位置のパターンを得る技術が多様に開発されている。しかし、このような方法を用いることも基本的には正確な露光整列を根拠としてなされるのである。
【０００３】
正確な露光工程のためには何よりも正確な露光整列がなされなければならない。半導体装置の製造のためにはウェーハに立体的な構成をもつ半導体素子及び配線が形成され関連づけられなければならない。そして、このような構成のためには同一なウェーハ領域に多数の物質を段階に従い反復して積層し加工する。このとき、加工はたいていパターニング作業によりなされるので、ウェーハに対し各パターニング作業に対応する多数の露光工程が実施される。従って、各パターニング作業に用いられる露光用フォトマスクパターンは該当段階において形成される構造物パターンが前後段階により形成されたか、または形成されるべき構造物パターンと相対的に正確な位置関係にあるように正確に整列されなければならない。
【０００４】
整列のためには整列キーを用いる。前段階工程で次の段階の整列基準になる整列キーパターンを形成し、フォトマスクに前段階で形成された素子構成パターンが現段階で形成される素子構成パターンと相対的に正確な位置にある場合のみに整列キーパターンと一致するかまたは相応するように他のオーバーレイキーパターンを形成して整列状態を検査する。
【０００５】
整列状態を測定するためＫＬＡのような測定装備を用いる。ＫＬＡで測定された整列相偏差値は露光（exposure）を担当するステッパーに伝えられて露光段階で整列の補正がなされる。
【０００６】
従来にはそれぞれのダイに対する正確な整列のためにウェーハ毎に整列状態を検査しウェーハの位置を調節する方式を用いる場合があった。しかし、このような個別検査方式によりウェーハ内の多くのダイに対しそれぞれの露光段階毎に工程を進行することは、工程の能率を阻害するものとなる。従って、近来では幾つかの標本ダイを選定して整列状態を検査し、その偏差データを通してステッパーでウェーハの全体的な整列を決定する最終作業ファイルが生成される。この最終作業ファイルによりステッパーではウェーハを平行移動或いは回転移動させるか、または相の大きさを調節してウェーハの全体に対し補正を実施するセッティングをする。全体的な補正がなされると、個別的なダイの整列は別途に検査せずに、ダイの大きさにより決められたピッチに従いウェーハの置かれたステージを移って行きながら段階的に露光を実施する。
【０００７】
このような全体的な整列補正の方法は、露光の能率を高めることができるというのが長所である。また、半導体装置製造用露光装備は一般に非常に精密な装備であるので、個別ダイに発生する整列相の偏差は大きな問題とはならなかった。しかし、現在では半導体装置の素子高集積化が進行するに従い、露光工程でも工程マージンは非常に小さくなり、全体的な補正がなされた後のダイ別の小さい偏差でも問題となっているのが実情である。特に、領域別整列偏差はウェーハの領域別に異なった方向及び大きさの偏差を示すので、問題となっている。
【０００８】
例えば、図３に示すように、各ダイの誤整列偏差の大きさと方向を矢印状のベクターで示すと、たいていのダイは類似であるかまたは同一な偏差傾向を示すようになるが、一部領域のダイでは図示したように領域毎にそれぞれの方向と大きさを有することができる。従って、現在のような全体的な補正体制の下では所定部分の不良が発生するようになる。
【０００９】
このようなダイ別整列偏差は多様な原因により発生する。ウェーハ大きさの増加などもその原因になり得る。特に、製造過程で複数種類の露光設備を用いると、装備に固有の不完全な特性のため、全体的な補正により克服できない部分的な整列偏差が発生するようになる。例えば、ウェーハの置かれるプレートの平面的な位置を正確に移すためにまたは整列させるために用いるＸ、Ｙ軸距離測定機に用いられるインターフェロメーター（interferometer）を構成する反射鏡がプレートのｘ軸とｙ軸に平行な側壁のなかで一つに設置される。反射鏡面の平坦度が完全でなく、また装備毎にその偏差が一致しないため、ｘ軸方向に固定しプレートをｙ軸方向に移動しながらｘ軸の位置値を読む場合、一定でない値がでることがある。
【００１０】
勿論、このような要因から発生する偏差は装備の運営プログラムに偏差値を反映することによりいくらかは補正することができる。例えば、理想的な基準反射面に対する偏差を軸別に装備の出荷段階で所定距離毎に精密に測定する（grid calibration）。そして、装備の上位運営プログラムに基本データで偏差値を事前に入力して、ダイピッチによりステップ間に行われる平行移動において、特定位置では位置に該当する偏差値だけを反対方向に移動するようにする。即ち、装備の実際運営のときには偏差が補正されるように装置を調整して運営することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
然るに、このような調整はｘ、y軸の一定単位の長さ毎に引いた平行な線が互いに会ってなす仮想の格子点の全てに対し偏差を測定するのではなく、ｘ軸の一定単位の長さ毎に照査して得た偏差とｙ軸の一定単位の長さ毎に照査して得た偏差とを組み合わせて該当位置の偏差として使用するので、不完全さがあった。
【００１２】
例えば、プレートが平面を平行移動するときにもｘ軸、ｙ軸移動ガイドにそって動く過程で、機械的精密性の限界で完全なｘ、ｙ軸への平行移動をすることができなくなる。従って、反射面が一定した場合にも偏差傾向をそのまま移すのではない。つまり、プレートが平面上のどの位置にあるかに従い或いは個別ダイがウェーハのどの位置にあるかに従い整列偏差は、既存のグリッド調整の予想する偏差の大きさと方向が異なるようになり、完全な装備の固有の偏差の補正がなされなくなる。
【００１３】
ウェーハには半導体装置の形成のために数十回の露光工程が必要であることを考慮すると、装備毎にこのような偏差特性が異なるので幾つかの装置を経ながら露光を実施する場合、ウェーハの全体的整列を通してはダイ別偏差を克服することが難しい。そして、従来とは異なって小さい工程マージンを考慮すると、このような露光設備の差によるダイ別整列偏差は深刻な問題になり得る。しかし、従来のようにウェーハ毎に個別ダイの整列状態を検査し補正する方式は工程能率上受け入れることができないので、これもまた問題になっている。
【００１４】
そこで、本発明の目的は、高集積半導体装置の製造のための露光工程において、ウェーハの全体的な水準でないダイ別整列偏差により発生する一部ダイでの工程不良を抑制することができる半導体装置の製造のための露光方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため本発明による半導体装置の製造のための露光方法は、処理されるウェーハの所定の個数を基本単位にして基本単位毎に、例えばロット（lot）単位で工程ウェーハの中から一つを選択する。そして、前記ウェーハの全てのダイに対し整列状態を検査することにより、個別ダイに対する整列偏差データ（full shot map）を得る。このようなダイ別整列偏差データはウェーハに対する基本データ、即ち、ダイの大きさによる基本移動距離のダイピッチデータなどと共にステッパーに伝えられる。
【００１６】
ステッパーに伝達される方法はディスケットコピー及びオンライン伝送などを使用することができる。整列偏差データは原始データ（raw data）形態で伝達され、ステッパーセッティングのための運営プログラムに直接入力できる常数値の形態に変換されることもできる。即ち、データ変換はステッパーの外で測定装備及び別の伝達装置（mapping tool）により行われるようになる。
【００１７】
何れの場合でも結果的に、ステッパーはウェーハに対する基本データと測定装備で出力された個別ダイに対する整列偏差データとに従い、具体的な変数値が入力されない原始作業ファイルを、或いは他の変数値が入力された作業ファイルを変更して予備的な作業ファイルを得る。このとき、作業ファイルとはステッパー装備運営プログラムを意味する。予備的な作業ファイルに従いステッパーではダイ露光のためのステージ移動計画を予定し、露光のときに焦点深度及び配列を決め、回転誤差を補正する回転角を決めるなどのウェーハ全体に適用される基本セッティングをする。
【００１８】
そして、このような基本セッティングをした状態で露光をする場合、ウェーハの各ダイに発生する修正偏差を得る。修正偏差はステッパーで基本セッティングを通して補正できる偏差を計算した後、測定装備で検査を通して測定した個別ダイに対する元来の整列偏差データからこの偏差値を除する方法により得ることもできる。
【００１９】
その結果として得られるダイ別修正偏差は既に得られた予備的な作業ファイルにフィードバック方式により入力する。そして、全てのダイに対し修正偏差がなされるように予備的な作業ファイルに対する補正がなされる。その結果、最終作業ファイルが確定される。最終作業ファイルはたいていダイからダイへ露光のためにウェーハステージが移る平行移動のときの移動距離を予備的な作業ファイル内で再調整する方式によりなされる。そして、たいてい、予備的な作業ファイルにおいてステージの移動距離は、ウェーハに対する基本データ内に含まれるウェーハ内のダイの規定的大きさにより一括的に決定されることになる。従って、行が変わることなどの場合を除いては同一な値になる。しかし、最終作業ファイルではダイ別露光のためのウェーハプレート移動においてダイ別修正偏差が反映されて、ｘ軸、ｙ軸別に微細調整がなされるようになる。即ち、ダイのウェーハ内の位置に従い露光ステップと露光ステップとの間のウェーハステージ移動距離は互いに異なった値になることができる。
【００２０】
ステッパーは最終作業ファイルによりダイ別の移動距離を除いては、前段階の基本セッティングを維持しながら全体のダイに対し検査が行われたウェーハに対するダイ別露光を実施する。
【００２１】
そして、本発明では、付加的に同一なウェーハ単位に属する他のウェーハに対してもそれぞれの最終作業ファイルによりダイ別の露光が行われるのが一般のことである。このとき、同一なウェーハ単位に属するウェーハに対しダイ別修正偏差値は同一に適用されるが、基本セッティングに関連された予備的な作業ファイルは異にすることができるため、ウェーハ別最終作業ファイルは全てが異になるのが一般のことである。詳しく説明すると、同一な装備と条件の工程を経たロット内でもウェーハ別にウェーハの全体的な水準での回転及び平行移動による差がでるようになる。そこで、既存の露光方式のようにウェーハ別に幾つかのダイに対するサンプル方式の整列状態検査が行われ、その整列偏差値によりステッパーの基本セッティングが新しくなされる。即ち、該当ウェーハに対する予備的な作業ファイルが独立的に生成される。そして、本発明の方法に特定的な段階で所定のウェーハ単位の標本ウェーハ、即ち、全体ダイが検査されたウェーハにより得られたダイ別修正偏差値は、ウェーハが異なったことにもかかわらずにウェーハ内でのダイの位置が同一であれば、同一な修正偏差値を適用して最終作業ファイルが確定される。
【００２２】
以上の説明を既存の方式と比較して整理すると、既存の方式においてはウェーハ別標本ダイを抽出して整列状態を検査し、その結果が反映されて全体的なウェーハ水準で整列補正できるように、露光工程に適用するステッパー最終作業ファイルが直接生成される。しかし、本発明では所定のウェーハ単位で選択されたウェーハに対しては全体ダイに対し検査が行われ、これを基にウェーハ別に従来の最終作業ファイルに該当する予備的な作業ファイルが先ず生成され、幾つかの過程を経てダイ別修正偏差が得られ貯蔵される。そして、予備的作業ファイルにダイ別の修正偏差が適用されて最終作業ファイルを得る。
【００２３】
本発明は、従来の全てのダイの整列状態を検査し補正するダイ別整列方式とダイサンプリングによるウェーハの全体整列方式とを混合したものといえ、本発明で通常全体ダイを検査するウェーハの単位、即ち、処理するウェーハの所定の単位を決定する段階が先行する。所定のウェーハ単位は半導体装置の製造ラインの状況に従いオペーレーターが決定して入力させることができる。
【００２４】
しかし、ほとんど同様なロットのウェーハは、同一な傾向の整列偏差を示すので、単位をロットに決めることが好ましい。即ち、同一ロットに対してはウェーハは前段階加工を通して同一な履歴を有するので、同一な形態の偏差が生じる傾向があり、この傾向を用いたものである。即ち、同一ロットで一つのウェーハに対するダイ別整列偏差値を知ると、同一ロット内の他のウェーハに対してもダイの相対的位置が同一であれば、個別要因整列偏差において同一な整列偏差値を適用することができる。幾つかのロットが同一な装置において同一な条件を経て送られた場合では、該当ロットの全体を一つの単位にすることができる。
【００２５】
また、本発明の方法は、ダイサンプリングによる全体的なウェーハ整列方法に比べ相対的に複雑で、個別的な補正に対する時間をもっと必要とするので、恒常適用される必要はなく、工程上の攪乱要因があった場合、いろいろな露光装備を経てダイ別偏差が甚だしく現れた場合において、装備モードを変えてウェーハ処理周期を設定する方式により運営することができる。即ち、ライン運営者の選択によりウェーハ処理周期を設定する方式で運営することができる。即ち、ライン運営者の選択によりウェーハ処理周期を１ロット或いは幾つかのロットに代替でき、誤整列によるエラーが多く発生して再作業量が多くなった場合には、ウェーハ単位を個々のウェーハに低くすることもできる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳しく説明する。
図１は、本発明の一実施例に対するフローチャートである。本実施例によると、基本単位をなすウェーハ枚数を決定する段階が最初に設置される。
【００２７】
第１段階１１１は、本実施例を適用するか或いは従来のようにウェーハの全体的な水準での整列補正だけをするかを決定する段階に活用される。即ち、ラインの運用状態が適合で、ウェーハでの部分的な或いは独自的な偏差を発生するダイが現れない場合を仮定して、非常に多くの個数を基本単位に設定することができる。また、本実施例を適用していないモードを採択することもできる。通常的にウェーハ２５個１ロットを選択することとする。
【００２８】
第２段階１１２は、基本単位の標本ウェーハに対し、全体ダイに対するダイ別整列偏差データを獲得することである。
従って、露光システムにロット単位のウェーハが投入され、測定装備のＫＬＡと露光装備のステッパーからなる露光システムに投入された１ロットのウェーハが置き台に置かれるとき、例えば、一番目のウェーハに対しＫＬＡ装備が全体ダイに対する整列状態を検査しダイ別整列偏差データを得て記憶場所に貯蔵する。記憶場所としては磁気ディスケットを用いることができ、自体のレジスタを用いることもできる。
【００２９】
第３段階１１３は、ダイ別整列偏差データをマッピング（mapping）する段階である。この段階では測定装備で検査を通じて得たダイ別整列偏差に対する原始データ（raw data）をステッパーの基本セッティングをすることができる形態の加工データに作る作業がなされる。このような作業は測定装備及びステッパーの処理装置或いは別の処理装置でなされることができるし、その結果はステッパーの基本セッティングのための入力場所に伝えられる。
【００３０】
図２は、マッピングがなされる一つの簡単な例を示す。Ａ部分はＫＬＡ装備でウェーハの全体ダイに対しダイ別整列偏差を検査しその結果をダイ別に矢印形状のベクターで示したものである。矢印の大きさと方向はダイ別整列偏差の大きさと方向を示す。即ち、ダイがあるべき所で実際にダイが何れの方向へどのぐらい外れたかを示す。説明の便意のために他のダイでは整列偏差がなく、参照番号１、２、３で表示された各ダイではダイ別整列偏差が矢印のように現れる。例えば、１で表示されたダイで整列偏差はｘ軸に−３０、y軸に４０であることを示す。従って、全体ダイで測定された整列偏差を通して予備的な作業ファイルを得て、予備的な作業ファイルに従いステッパーの基本セッティングを施すとすれば、既存のダイの整列状態に影響を与えない形態、即ち、既存の条件を維持する形態になるはずである。そして、ダイ別修正偏差は１、２、３で表示される修正偏差をもつ全てのダイにおいて原始データの値と同一であるｘ軸に−３０、ｙ軸に４０になるはずである。
【００３１】
しかし、測定装備で得たデータがステッパーに適用されて作業ファイルをつくるかまたは修正するときは、Ａ部分とＢ部分との間の矢印のようにデータ値のマッピングがなされる。マッピングは、整列偏差を補正するための目的を達成すると、いずれの方式でも可能であるが、通常ウェーハのダイで整列偏差を示すベクターの逆ベクターを作って、予備的な作業ファイルに従う基本移動値に加える方式でなされる。即ち、整列誤差が生ずると、該当位置のダイに露光を実施するときにダイを偏差と逆方向に同一距離だけ移動させれば偏差が相殺される。そこで、マッピングにより最終作業ファイルに反映される微細補正値は、１で表示されるダイの場合、ｘ軸に３０、ｙ軸に−４０になる。従って、ダイ別露光をするとき、１で表示されるダイ位置ではダイピッチによる基本移動値からステージをｘ軸に３０だけ、ｙ軸に−４０だけもっと移動させて露光を実施する。Ｂ部分はダイ別微細補正値を矢印形状のベクターで示したものである。
【００３２】
また、第３段階１１３においてウェーハに対する基本データがステッパーの入力場所などに伝えられる。しかし、ウェーハに対する基本データは本実施例の適用にかかわらずになされるもので、ウェーハステージを移動させながら露光を実施するまえになされて最終作業ファイルに適用されるといえば、いつでもなされることができる。
【００３３】
第４段階１１４は、マッピング段階においてステッパーに入力された加工データを用いて予備的な作業ファイルを生成させ、予備的な作業ファイルにより基本セッティングを実施してウェーハに対する全体的な補正を実施する段階である。
【００３４】
この段階での全体的な補正には全てのダイに対する偏差値を全て考慮することもできるが、従来のような一部のダイに対するサンプリングをして、その範囲内で偏差データを考慮する方法をも使用できる。全体的な補正の方法にはウェーハが置かれるステージを平面上でｘ、ｙ軸に平行移動する方法、所定角度だけ回転させる方法、ｘ軸或いはｙ軸に配列を調節して相の大きさを変える方法などを必要な範囲で組み合わせて使用する。
【００３５】
本実施例では予備的な作業ファイルが大略二つの調整プログラムからなると考えることができる。第１調整プログラムはウェーハステージを移しながらダイ別露光を実施するための移動プログラムである。ウェーハに対する基本データが入力されながら獲得されたダイピッチはこの移動プログラムの一つの変数を確定する。ステージに置かれたウェーハを例えば、同一行において左から右へステップ別に移動させ、行の最後で行を変え、再び右から左へ移動させる形態の移動計画もこの移動プログラムに含まれるものとする。移動計画もウェーハに対する基本データにより確定される。
【００３６】
調整プログラムの他の一つの第２調整プログラムは、露光時の拡大倍率、焦点深さ、全体的な平行移動値と回転移動値などのウェーハに全体的に適用される整列偏差補正と関係のあるもので、ステッパーの基本セッティングはこれによりなされる。このような前提下で第４段階１１４において中心となるのは第２調整プログラムである。
【００３７】
第５段階１１５は、基本セッティング或いは全体的な補正を適用する場合になされるダイ別整列偏差改善値を得て、既に第２段階１１２で得たダイ別整列偏差から控除することにより、ダイ別修正偏差を獲得することである。獲得された偏差は特定貯蔵場所に記憶されて以後の工程で呼び出されて使用されるようになる。
【００３８】
第６段階１１６は、第５段階１１５で得たダイ別修正偏差をステッパー内で再入力して露光を実施する場合、いずれのダイでも意味のある偏差が発生しないように予備的な作業ファイルを変更する最終作業ファイルの生成段階である。
【００３９】
このとき、本実施例によると、全体的な補正、或いは基本セッティングと関連された第２調整プログラムは変更されない。但し、ダイ別修正偏差を相殺できるように、第１調整プログラムでウェーハ特定位置のダイから次のダイへ移動するときの移動距離を、ダイピッチに該当する基本移動距離でｘ軸及びｙ軸の微細調整値を反映させた修正移動距離に変更させる。従って、第１調整プログラムにはウェーハに従うダイの数だけに該当する新しい変数が追加されるといえる。変更された第１調整プログラムと変更されない第２調整プログラムにより最終作業ファイルが構成される。
【００４０】
第７段階１１７は、最終作業ファイルにより一番目のウェーハに対するダイ別露光を実施する段階である。この段階で第２調整プログラムは基本セッティングを通して全体に影響を与えるが、ダイ別に移されながら露光を実施する機械的な動作とは無関係である。従って、ウェーハステージを移動計画に従い該当ダイのウェーハ内の位置を反映しながら、順次ダイに従う固有の修正移動距離だけ移動させるのは第１調整プログラムによりなされる。
【００４１】
第８段階１１８は、基本単位内の次のウェーハが測定装置により検査される段階である。このとき、検査は一番目のウェーハとは異なってダイサンプリングにより定められたダイだけを対象とする。
第９段階１１９は、検査を通して得た値をマッピングする段階である。これは第３段階１１３と同一な性格をもつ。
【００４２】
第１０段階１２０は、第４段階１１４と同一な性格をもつもので、ステッパーから次のウェーハに対する予備的な作業ファイルが得られ、次のウェーハに対する基本セッティングがなされる段階である。
【００４３】
第１１段階１２１は、第５段階１１５で既に得られた修正偏差により第６段階１１６と同一な性格の作業がなされる段階である。即ち、ウェーハに対する最終作業ファイルが生成される段階である。
第１２段階１２２は、第７段階１１７のように、次のウェーハに対するダイ別露光が実施される段階である。
【００４４】
そして、第１３段階１２３によると、第８段階１１８から第１２段階１２２までは基本単位のウェーハが全て露光されるまで反復的になされる。また、基本単位に該当する枚数だけのウェーハに対する露光が全てなされると、工程は再び第１段階１１１に戻って始まる回帰の性格を示す。そして、以前のロットで得た修正偏差は、工程が進行されるロットの一番目のウェーハに対し、ダイの全体に対する検査を通して得られる新しい修正偏差データに変えられて、同一な貯蔵場所に記憶されるようになる。
【００４５】
以上の実施例のように、本発明が適切になされ効果を十分に出すため、好ましくはステッパー装備自体の固有偏差がないことを求めている。本発明は非常に小さく且つ局地的なダイ別偏差までもなくすことを目的とする。ステッパー装備自体の固有偏差が甚だしく発生する場合、本発明の目的を達成することは難しくなる。このような意味で本発明と関連してステッパーのステージ上の全ての位置に対する精密な偏差補正がなされることが要請されるのである。
【００４６】
従来の技術で説明したように、ｘ軸とｙ軸に対し反射鏡面を用いたグリッド調整をしステージ平面の座標値に対しこれらを組み合わせる形態で装備を補正する既存の方式から一層発展したものが要求される。例えば、実際にステージを狭い距離単位で動かし多くの平面上の格子点で反射鏡面の屈曲と共にガイドレールを通した機械的な動作から来る偏差を考慮できるように、ｘ軸とｙ軸の微細偏差を測定しこれを装備の基本運営プログラムに事前に入力して装備運営で補正をする方法などが考えられる。測定の距離単位は狭いほど精密な補正をすることができるが、限界があるのでmm単位で平面上の格子点で偏差を測定し、具体的にはダイ別露光をするためウェーハを動かすときに、格子相の中間値が必要であれば変化の趨勢を用いる補間法を用いてカバーできる。
【００４７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によると、ウェーハの各ダイ水準で整列偏差を最小に維持することにより、高集積度をもつ半導体装置を製造する過程で露光整列偏差による工程不良を減少させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例による工程段階を示すフローチャートである。
【図２】本発明の一実施例によるマッピングの一例を説明するための比較図である。
【図３】従来の全体的ウェーハ整列方法の使用時における、整列補正後の個別ダイに対する整列偏差をベクターで示した概念図である。
【符号の説明】
１１１ 第１段階
１１２ 第２段階
１１３ 第３段階
１１４ 第４段階
１１５ 第５段階
１１６ 第６段階
１１７ 第７段階
１１８ 第８段階
１１９ 第９段階
１２０ 第１０段階
１２１ 第１１段階
１２２ 第１２段階
１２３ 第１３段階

Claims (9)

1. 所定の個数のウェーハを含む基本単位に含まれる標本ウェーハの全体ダイに対する整列偏差を測定装備で測定し、前記全体ダイに対するダイ別整列偏差の原始データを得る段階と、
   前記原始データを露光装備でマッピングして前記整列偏差を補正する加工データとして前記露光装備に貯蔵する段階と、
   少なくとも前記加工データの一部に基づき前記露光装備に対する基本セッティングを実施して前記露光装備に対する前記標本ウェーハの相対的位置を反映する整列偏差改善値を前記ダイ別に備える予備作業ファイルを形成する段階と、
   前記原始データの整列偏差から前記予備作業ファイルの整列偏差改善値をダイ別に控除してダイ別修正偏差を獲得する段階と、
   前記ダイ別修正偏差に基づき前記予備作業ファイルを変更し、前記露光装備の最終作業ファイルを形成する段階と、
   前記最終作業ファイルに従い前記標本ウェーハに対するダイ別露光を実施する段階と、
   を含むことを特徴とする半導体装置の製造のための露光方法。
2. 前記標本ウェーハに対するダイ別露光を実施する段階において、
   同一な前記基本単位に含まれる他のウェーハのそれぞれに対し、
   サンプリング方式により複数個のダイを抽出してダイ別に整列偏差を測定し、該当ウェーハに対するダイ別整列偏差の原始データを得る段階と、
   前記該当ウェーハに対するダイ別整列偏差の原始データに基づき前記露光装備に前記該当ウェーハに対する予備作業ファイルを形成し、前記該当ウェーハに対し全体的に適用し得る偏差補正をすることができるように前記露光装備に前記該当ウェーハに対する基本セッティングを実施する段階と、
   前記ダイ別修正偏差に基づき前記該当ウェーハに対する予備作業ファイルを変更し、前記露光装備の前記該当ウェーハに対する最終作業ファイルを形成する段階と、
   前記該当ウェーハに対する最終作業ファイルに従い前記該当ウェーハに対するダイ別露光を実施する段階とを実施することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造のための露光方法。
3. 前記ダイ別修正偏差に基づいた前記該当ウェーハに対する予備作業ファイルの変更は、ウェーハ内でのダイの位置が同一であれば該当ダイに対し標準ウェーハに適用した修正偏差と同一な修正偏差を適用する形態に実施されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造のための露光方法。
4. 前記基本単位のウエーハの所定の個数を決定する段階をさらに含み、前記基本単位のウエーハの所定の個数を決定する段階は他の全ての段階に先だって実施されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造のための露光方法。
5. 前記所定の個数は２５個１ロットに決定することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造のための露光方法。
6. 前記マッピングによる前記加工データは、前記加工データに対応する前記原始データと大きさが同一で符号が反対になるように形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造のための露光方法。
7. 前記ダイ別修正偏差に基づき前記予備作業ファイルを変更して前記露光装備の最終作業ファイルを形成させる段階は、ダイ別に、ダイピッチと同一な前記予備作業ファイル内のステップ別基本移動距離を前記ダイ別修正偏差と大きさが同一で符号が別の値を前記ステップ別基本移動距離に足した値に代替することにより実施されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造のための露光方法。
8. 前記基本セッティングは前記露光装備における前記ウェーハの全体に対する平行移動値の決定、回転移動角度決定、拡大倍率決定またはその組合せのいずれかからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造のための露光方法。
9. 前記原始データを前記測定装備および前記露光装備によりマッピングして前記露光装備に加工データを貯蔵する段階において、前記ウェーハ基本単位に属するウェーハのダイピッチを含む基本データが一緒に前記露光装備に貯蔵されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造のための露光方法。

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