CN115309005A - 用于优化光刻工艺的方法和装置 - Google Patents

用于优化光刻工艺的方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115309005A
CN115309005A CN202210953036.6A CN202210953036A CN115309005A CN 115309005 A CN115309005 A CN 115309005A CN 202210953036 A CN202210953036 A CN 202210953036A CN 115309005 A CN115309005 A CN 115309005A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
substrate
fingerprint
nth
performance parameter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210953036.6A
Other languages
English (en)
Inventor
M·豪普特曼
E·C·莫斯
寇伟田
A·伊普玛
M·库珀斯
刘贤优
韩敏燮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Holding NV
Original Assignee
ASML Holding NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Holding NV filed Critical ASML Holding NV
Publication of CN115309005A publication Critical patent/CN115309005A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41875—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Management, Administration, Business Operations System, And Electronic Commerce (AREA)

Abstract

对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。

Description

用于优化光刻工艺的方法和装置
本申请是申请日为2018年03月28日、申请号为201880027615X、发明名称为“用于优化光刻工艺的方法和装置”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及用于控制由光刻装置执行的光刻工艺的方法，具体地，涉及用于优化光刻工艺的方法。
背景技术
光刻装置是将期望图案施加于衬底(通常施加于衬底的目标部分)的机器。例如，光刻装置可用于集成电路(IC)的制造。在这种情况下，图案化设备(也可以称为掩模或中间掩模)可用于生成将在IC的各层上形成的电路图案。该图案可转移到衬底(例如，硅晶圆)上的目标部分(例如，包括部分、一个或多个管芯)。每一层都具有特定图案和材料组成的多层被施加，以限定最终产品的功能器件和互连结构。
在光刻工艺中，通常期望对所创建的结构进行测量，例如，用于工艺控制和验证。已知用于进行这种测量的各种工具，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜以及测量覆盖(器件中的两层的对准精度)的专用工具。近年来，各种形式的散射计被开发用于光刻领域。
执行测量以校正多个误差效应或机制。随着测量工艺的改进，一种越来越重要的误差机制就是所谓的晶圆到晶圆变化。已知方法通常基于每批或每堆使用，以降低测量工艺对生产量的影响。因此，各个衬底之间发生的任何变化都没有也不能被考虑在内。这降低了光刻工艺的精度，会对所生产衬底的质量产生负面影响。
此外，随着图案几何结构变得越来越复杂，已知方法在特定情况下会导致校正，这降低了被图案化的器件的功能，甚至使它们完全不起作用。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供了一种用于优化光刻工艺的方法，该方法包括：
将与至少第一层相关联的衬底的集合划分为衬底的多个子集；
针对衬底的集合中的至少一个衬底，确定与至少第一层相关联的性能参数的指印；以及
基于所确定的指印和衬底的集合的划分，导出与后续层施加于衬底的集合相关联的性能参数的校正。
根据本发明的第二方面，提供了一种用于优化光刻工艺的方法，其中，确定的步骤包括：
确定与衬底的第二层和第n层相关联的性能参数的第一指印，其中第n层在第二层之前设置，并且第二层在第一层之前设置；以及
基于与第二层和第n层相关联的性能参数的指印和至少又一特性集合，确定与第一层和第二层相关联的性能参数的第二指印。
根据本发明的第三方面，提供了一种用于控制光刻工艺的控制系统，该控制系统包括：
用于执行如上的将衬底的集合划分为衬底的多个子集的步骤的装置；
用于执行如上所述的确定性能参数的指印的步骤的装置；以及
用于执行如上所述的导出性能参数的校正的步骤的装置。
根据本发明的第四方面，提供了一种用于控制光刻工艺的控制系统，该控制系统包括：
用于执行如上所述的确定性能参数的第一指印的步骤的装置；以及
用于执行如上所述的确定性能参数的第二指印的步骤的装置。
根据本发明的第五方面，提供了一种光刻装置，包括：
被布置为照射图案的照射光学系统以及被布置为将图案的图像投影到衬底上的投影光学系统；以及
如上所述的控制系统。
根据本发明的第六方面，提供了一种检查装置，包括如上所述的控制系统。
根据本发明的第七方面，提供了一种光刻系统，包括如上所述的光刻装置或者如上所述的检查装置。
根据本发明的第八方面，提供了一种计算机程序产品，包括用于实施如上所述方法的机器可读指令的一个或多个序列。
下文参照附图详细描述本发明的其他方面、特征和优点以及本发明的各种实施例的结构和操作。应注意，本发明不限于本文描述的具体实施例。本文仅为了说明的目的而呈现这些实施例。基于本文包含的教导，附加实施例对于相关技术领域的技术人员来说是显而易见的。
附图说明
现在将仅以示例的方式，参考附图来描述本发明的实施例，附图中对应的参考标号指示对应的部分，并且其中：
图1示出了光刻装置与其他装置一起形成半导体器件的生产设施；
图2示出了在衬底上曝光目标部分的步骤；
图3示出了校正衬底上的图案化层之间的偏移的示例；
图4和图5示出了对象数据的聚类(cluster)的不同示例以示出原则上对代表性晶圆的选择；
图6示出了衬底上的图案化层之间的偏移；
图7示出了克服衬底上的偏移的示例性方法；
图8是用于确定第一校正的示例性方法；
图9示出了用于光刻装置或系统的示例性控制序列；
图10示意性地示出了基于统计分析将产品单元划分为不同子集的第一示例性划分；以及
图11示意性地示出了基于统计分析将产品单元划分为不同子集的第二示例性划分。
具体实施方式
在详细描述本发明的实施例之前，呈现可实施本发明实施例的示例环境是有益的。
图1以100示出了作为实施大容量光刻制造工艺的工业设施的一部分的光刻装置LA。在本示例中，制造工艺适于在诸如半导体晶圆的衬底上制造半导体产品(集成电路)。本领域技术人员应理解，可以通过在该工艺的变型中处理不同类型的衬底来制造各种各样的产品。半导体产品的生产纯粹被用作示例，在今天具有重要的商业意义。
在光刻装置(或简称为“光刻工具”100)中，测量站MEA在102处示出，并且曝光站EXP在104处示出。控制单元LACU在106处示出。在本示例中，每个衬底访问测量站和曝光站以具有施加的图案。例如，在光学光刻装置中，投影系统用于使用条件辐射和投影系统将产品图案从图案化设备MA转移到衬底上。这通过在辐射敏感光刻胶材料层中形成图案的图像来进行。
本文使用的术语“投影系统”应广义地解释为包括任何类型的投影系统，包括折射、反射、折反射、磁、电磁和静电光学系统或者任何它们的组合，这根据所使用的曝光辐射或者其他因素(诸如浸液的使用或真空的使用)来确定。图案化设备MA可以是掩模或中间掩模，其将图案赋予由图案化设备发射或反射的辐射光束。已知的操作模式包括步进模式和扫描模式。众所周知，投影系统可以各种方式与用于衬底和图案化设备的支撑和定位系统协作，以将期望的图案施加于横跨衬底的多个目标部分。可使用可编程图案化设备代替具有固定图案的中间掩模。例如，辐射可包括深紫外(DUV)或极紫外(EUV)波段中的电磁辐射。本公开还适用于其它类型的光刻工艺，例如，压印光刻和直写光刻(例如，通过电子书)。
光刻装置控制单元LACU控制各种致动器和传感器的所有移动和测量，以接收衬底W和中间掩模MA并且实施图案化操作。LACU还包括信号处理和数据处理能力，以实施与装置的操作相关的期望计算。实际上，控制单元LACU将被实现为许多子单元的系统，每个子单元处理装置内的子系统或组件的实时数据获取、处理和控制。
在曝光站EXP处将图案施加于衬底之前，在测量站MEA处对衬底进行处理，使得可以执行各种准备步骤。准备步骤可以包括使用水平传感器映射衬底的表面高度以及使用对准传感器测量衬底上的对准标记的位置。对准标记名义上以规则的网格图案布置。然而，由于创建标记时的不精确性以及在整个处理期间发生的衬底变形，标记偏离理想网格。因此，除了测量衬底的位置和定向外，如果装置要以非常高的精度在正确的位置打印产品特征，则对准传感器实际上必须详细测量穿过衬底区域的许多标记的位置。该装置可以是所谓的双级类型，其具有两个衬底台，每个衬底台具有由控制单元LACU控制的定位系统。当一个衬底台上的一个衬底在曝光站EXP处曝光时，另一衬底可以在测量站MEA处加载到另一衬底台上，使得可以执行各种准备步骤。因此，对准标记的测量非常耗时，并且提供两个衬底台能够显著增加装置的产量。
在生产设施内，装置100形成“光刻单元”或“光刻集群”的一部分，其还包含用于将光敏光刻胶和其他涂层施加到衬底W上以由装置100进行图案化的涂覆装置108。在装置100的输出侧，提供烘烤装置110和显影装置112，用于将曝光图案显影为物理光刻胶图案。在所有这些装置之间，衬底处理系统负责支撑衬底并将它们从一个装置转移到另一装置。这些装置(通常统称为轨道)受轨道控制单元的控制，轨道控制单元本身由监管控制系统SCS控制，SCS还经由光刻装置控制单元LAUC控制光刻装置。因此，可以操作不同的装置以最大化产量和处理效率。监管控制系统SCS接收配方(recipe)信息R，该信息R非常详细地提供了被执行的步骤的定义以创建每个图案化衬底。
一旦图案被施加并在光刻单元中显影，图案化衬底120被转印到诸如在122、124、126处示出的其它处理装置。在典型制造设施中，通过各种装置实施各种各样的处理步骤。为了示例，本实施例中的装置122是蚀刻站，并且装置124执行蚀刻后退火步骤。在又一装置126(等等)中应用进一步的物理和/或化学处理步骤。可要求多种类型的操作来制造真实器件，诸如材料的沉积、表面材料特性的修改(氧化、掺杂、离子注入等)、化学机械抛光(CMP)等。实际上，装置126可以表示在一个或多个装置中执行的一系列不同的处理步骤。
众所周知，半导体器件的制造涉及许多重复的这种处理，以在衬底上逐层建立具有适当材料和图案的器件结构。因此，到达光刻集群的衬底130可以是新制备的衬底，或者它们可以是先前在该集群或另一装置中被完全处理过的衬底。类似地，根据所需的处理，离开装置126的衬底132可以返回用于相同光刻中的后续图案操作，它们可以被指定用于不同集群中的图案化操作，或者它们可以是将被发送用于切割和封装的成品。
产品结构的每一层要求不同的处理步骤的集合，并且在每一层使用的装置126在类型上可以完全不同。此外，即使由装置126应用的处理步骤名义上相同，在大型设施中，也可以有多个假定相同的机器并行工作以在不同衬底上执行步骤126。这些机器之间的设置或故障的微小差异可能意味着它们以不同的方式影响不同的衬底。甚至每一层相对较常见的步骤(诸如蚀刻(装置122))可以由几个名义上相同但并行工作以最大化产量的蚀刻装置来实施。此外，在实践中，根据将被蚀刻的材料的细节以及诸如各向异性蚀刻的特殊要求，不同的层需要不同的蚀刻工艺，例如化学蚀刻、等离子体蚀刻。
如前所述，先前和/或随后的工艺可以在其他光刻装置中执行，甚至可以在不同类型的光刻装置中执行。例如，器件制造工艺中对诸如分辨率和覆盖的参数要求很高的一些层可以比要求较低的其他层在更高级的光刻工具中执行。因此，一些层可以在浸没式光刻工具中曝光，而其他层则在“干”工具中曝光。一些层可以在DUV波长下工作的工具中曝光，而其他层则使用EUV波长辐射来曝光。
为了使由光刻装置曝光的衬底正确且一致地曝光，期望检查曝光的衬底以测量特性，诸如后续层之间的套刻误差、线厚度、临界尺寸(CD)等。因此，光刻单元LC所位于的制造设施还包括计量系统MET，该计量系统接收一些或所有已在光刻单元中处理的衬底W。计量结果直接或间接提供给监管系统SCS。如果检测到误差，可以对后续衬底的曝光进行调整，具体地，如果计量可尽快完成且速度足够快，相同批次的其他衬底仍将被曝光。此外，已经曝光的衬底可以被剥离和再加工以提高生产率或者被丢弃，从而避免对已知有缺陷的衬底执行进一步的处理。在仅衬底的一些目标部分有缺陷的情况下，可以仅对良好的那些目标部分执行进一步的曝光。
在图1中还示出了计量装置140，其被提供用于在制造工艺中的期望阶段对产品的参数进行测量。现代光刻制造设施中的计量装置的常见示例是散射计(例如，角分辨散射计或光谱散射计)，并且其可以应用于在装置122中蚀刻之前在120处测量所显影的衬底的特性。使用计量装置140，例如可以确定诸如覆盖或临界尺寸(CD)的重要性能参数不满足显影光刻胶中指定的精度要求。在蚀刻步骤之前，存在机会剥离显影光刻胶并通过光刻集群重新处理衬底120。众所周知，通过监管控制系统SCS和/或控制单元LAUC 106随时间的推移进行小的调整，来自装置140的计量结果142可用于保持光刻集群中的图案化操作的精确性能，从而使产品不合格并且要求重新加工的风险降到最低。当然，计量装置140和/或其他计量装置(未示出)可应用于测量被处理衬底132、134和输入衬底130的特性。
图2示出了在图1的双级装置中曝光衬底W上的目标部分(例如，管芯)的步骤。首先将描述根据常规实践的工艺。
虚线框内的左侧是在测量站MEA处执行的步骤，而右侧示出在曝光站EXP处执行的步骤。为了说明的目的，假设衬底W已经加载到衬底台上的曝光站中。在步骤200中，通过未示出的机构将新衬底W'加载到装置。为了提高光刻装置的产量，这两个衬底被并行处理。
首先参考新加载的衬底W'，这可以是先前未处理的衬底，用新的光刻胶制备以在装置中首次曝光。然而，一般来说，所描述的光刻工艺将仅仅是一系列曝光和处理步骤中的一个步骤，使得衬底W'已经通过该装置和/或其它光刻装置好几次，并且可能也要经历后续工艺。特别是对于提高覆盖性能的问题，任务是确保在已经经受图案化和处理的一个或多个循环的衬底上在正确的位置精确地施加新图案。这些处理步骤逐步在衬底中引入变形，必须对其进行测量和校正，以获得令人满意的覆盖性能。
如前所述，先前和/或后续图案化步骤可以在其他光刻装置中执行，甚至可以在不同类型的光刻装置中执行。例如，器件制造工艺中对诸如分辨率和覆盖的参数要求很高的一些层可以比要求较低的其他层在更高级的光刻工具中执行。因此，一些层可以在浸没式光刻工具中曝光，而其他层则在“干”工具中曝光。一些层可以在DUV波长下工作的工具中曝光，而其他层则使用EUV波长辐射来曝光。
在202中，使用衬底标记和图像传感器(未示出)的对准测量被用于测量和记录衬底相对于其上放置衬底的衬底台的对准。此外，将使用对准传感器测量横穿衬底W'的多个对准标记。这些测量在一个实施例中用于建立“晶圆网格”其非常精确地映射标记在衬底上的分布，包括相对于标称矩形网格的任何变形。
在步骤204中，还使用水平传感器测量晶圆高度(Z)相对于X-Y位置的映射。通常，高度图仅用于实现曝光图案的精确聚焦。如下文将进一步解释的，本装置还使用高度图数据来补充对准测量。
当加载衬底W'时，接收限定将被执行的曝光的配方数据206以及晶圆的特性和先前制造和将要制造的图案。向这些配方数据添加在202、204处进行的晶圆位置、晶圆网格和高度图的测量，使得可以将配方和测量数据208的完整集合传送到曝光站EXP。校准数据的测量例如包括以与作为光刻工艺的产品的产品图案的固定或名义上固定的关系形成的对准目标的X和Y位置。在曝光前采集的这些对准数据被组合和插值，以提供对准模型的参数。这些参数和对准模型将在曝光操作期间用于校正当前光刻步骤中施加的图案的位置。传统的对准模型可包括四个、五个或六个参数，它们共同定义不同维度上的“理想”网格的平移、旋转和缩放。如US 2013230797A1中进一步描述的，已知使用更多参数的高级模型。
在210中，交换晶圆W'和W，使得测量的衬底W'成为进入曝光站EXP的衬底W。在图1的示例装置中，通过交换装置内的衬底台来执行这种交换，使得衬底W、W'保持精确夹紧并定位在它们相应的衬底台上，以保持衬底台和衬底本身之间的相对对准。因此，一旦交换了衬底台，确定投影系统和衬底台之间的相对位置是必须的，以便在曝光步骤的控制中使用衬底W(以前的W')的测量信息202、204。在步骤212中，使用掩模对准标记M1、M2来执行中间掩模对准。在步骤214、216、218中，在横穿衬底W的连续目标位置处施加扫描运动和辐射脉冲，以便完成多个图案的曝光。
通过在曝光步骤的执行中使用在测量站获得的对准数据和高度图，这些图案相对于期望位置(具体是相对于先前放置在同一衬底上的特征)精确地对准。在步骤220中，将现在标记为W”的曝光衬底从装置卸载，以根据曝光图案进行蚀刻或其他工艺。
随后，可将衬底转移至计量装置，其中可如上文所述进行进一步测量。计量结果可与在测量站获得的对准数据和高度图结合使用，以改善光刻装置的性能。
已知光刻装置和方法的一个问题是：通常只能对小部分的生产衬底执行计量。这是因为需要使生产量最大化。换言之，虽然理论上可以对相当大比例的衬底执行计量，但这将导致产量的降低，从而推高单个衬底的成本。在已知装置中，衬底变化通常是逐批或逐卡盘地测量。这意味着，对于衬底的给定批次或卡盘的校正通常基于从先前批次或卡盘获得的数据。
然而，“晶圆到晶圆”(W2W)变化对套刻误差有显著贡献。因此，为了减少总体套刻误差，希望减少这些贡献。然而，使用已知方法，由于所需方法和计算的时间和复杂性，减少W2W变化使得大量的生产不切实际。
已经认识到，通过从前几层前馈计量信息并利用其来控制将被图案化的当前层，可以缓解W2W变化的影响。现在将参考图3(a)和图3(b)讨论可通过该原则减轻影响的示例。
图3(a)示意性示出了集成电路元件300(例如，存储器单元)的示例性单元几何结构。在本示例中，集成电路元件包括第一组件302a、302b(例如，电路的有源部分)、第二组件304(例如，字线结构)和第三组件306a、306b(例如，位线接触)。当前几代存储器单元(以及其他类型的器件)越来越多地包括非垂直的复杂布局(即，其中一个或多个组件相对于一个或多个其他组件以钝角或锐角放置)。在本示例中，第一组件相对于第二和第三组件以非垂直角度定向。
在处理期间，通过以已知方式(诸如上面参考图2所描述的)顺序地对每个组件进行图案化和曝光来制造集成电路元件。在本示例中，第二组件304随后被处理到第一组件302a、302b，以及第三组件306a、306b随后被处理到第二组件。
光刻处理通常相对于理想几何结构引入一个或多个偏移或偏差(例如，套刻误差)。在本示例中，需要提供第一组件302a和第三组件306a，以便基本上将第三组件定位为与两个相邻的第二组件等距。然而，在本示例中，在第一组件302b和第二组件304之间的处理期间引入偏移(例如，套刻误差)303。可以监控和测量偏移，以便能够在考虑所引入偏移的情况下正确地定位第三组件。使用现有方法，将校正308应用于第三组件的位置。在正常情况下，不论偏移如何，这将确保集成电路元件保持完全功能。
然而，在特定情况下，这种偏移校正可能对图案化设备产生负面影响。例如，在具有非垂直几何结构的存储器单元的情况下，如果第三组件306b被定位为过于靠近第二组件304(或基本上在第二组件的顶部上)，则该单元可能发生故障或遭受功能降低。通过使用现有机制，这不容易避免或补偿。
图3(b)示出了与图3(a)所示情况相同的情况，但添加了“前馈”机制，使得在对当前层进行图案化时能够考虑到前面的层。在本示例中，为了校正上述偏移并避免集成电路元件的功能性或故障的任何潜在降低，引入几何结构校正310。实际上，参照图3(a)所描述的偏移校正被替换为几何结构校正。虽然上述校正沿着与偏移相同的轴(即，在本示例中为Y方向)位移第三组件，但几何结构校正在X方向上位移第三组件。以这种方式，可以校正偏移，但不会潜在地引起无功能的集成电路元件。
现在将参考图4和图5描述根据本发明实施例的示例性方法。为了清楚，图5中与图1相似的特征用与图1相似的参考标号来表示，但前缀为“5”而不是“1”。为了简洁起见，下面只详细描述与图1中的元件具有实质性区别的元件。
在第一步骤401中，与至少第一层相关联的衬底集合550被划分为衬底的多个子集552a、552b、552c。衬底集合可以是已经作为光刻工艺的一部分施加了一个或多个图案化层的衬底集合(如箭头554所示)。在其他示例中，衬底集合可以是可被引入光刻工艺的衬底的集合(如箭头556所示)，例如在远程位置被处理之后。在一些示例中，划分步骤可以包括一个或多个划分子步骤。
应理解，虽然在本示例中参考了第一层，但原则上可以对多个先前层执行该方法步骤。这使得能够使用附加数据，从中可以更大的精度确定与工艺相关的衬底变化。例如，来自给定衬底集合的所有先前图案化层的测量数据可用于执行该方法。下面将进一步详细讨论使用多个先前层的示例。
划分步骤可以任何合适的方式执行，并且可以使用任何合适的划分标准。在一些示例中，划分步骤期间使用的划分标准基于与至少第一层相关联的至少一个特性集合。可使用与第一层相关联的任何适当的特性。在一个示例中，特性集合包括与至少第一层相关联的至少一个性能参数，包括(但不限于)：套刻误差；衬底翘曲或对准误差。在一个示例中，使用与第一层相关联的多个特性集合。在特定示例中，在划分步骤期间使用两个特性集合。一个或多个特性可以作为光刻工艺的一部分进行测量，或者可以单独进行测量(例如作为周期质量检查的一部分)。
在一些示例中，多个子集中的每一个子集都与至少第一层相关联的特性集合中的至少一个的至少一个值相关联。在一个示例中，第一子集与特性集合中至少一个的值的第一范围相关联，第二子集与特性集合中至少一个的值的第二范围相关联，并且第三子集与特性集合中至少一个的值的第三范围相关联。在其他示例中，多个子集中的每个子集与多个非连续值相关联。在一些示例中，多个子集中的每个子集可与至少第一层相关联的多个特性的值相关联。
通常，在划分步骤期间，根据至少一个特性的值，衬底集合中的每个衬底被分类为特定子集。这允许基于衬底的一个或多个特性对衬底集合进行划分。这是为了确保各个衬底与其他可显示出类似特性的衬底成组。众所周知，工艺引起的变化取决于许多因素，这些因素的影响可能因衬底而异。换言之，特定衬底上由工艺引起的变化可与紧挨在该衬底之前的另一衬底或者紧随在该衬底之后的衬底的工艺引起的变化不同。
在第二步骤402中，确定每个衬底集合的至少一个衬底558、560、562的与至少第一层相关联的性能参数的指印。可以任何适当方式执行确定。在一些示例中，由检查装置540执行该确定。
在一些示例中，对于多个衬底子集中的每个子集的至少一个衬底确定性能参数的指印。应理解，这仅仅是示例性的，并且可以从多个子集中的每个子集中选择任何合适或有利数量的衬底。期望使所选衬底的数量最少，以便降低该方法对光刻工艺的影响。然而，在特定情况下，为多个衬底子集中的每个子集选择多个衬底可能是有利或必要的。例如，可以确定从每个子集中选择两个而不是一个衬底来提高测量精度。
在其他示例中，可以为多个衬底子集中的每个子集选择不同数量的衬底。在一个示例中，可以从第一子集选择一个衬底，可以从第二子集选择两个衬底，并且可以从第三子集选择三个衬底。
可以使用任何合适的性能参数。在一些示例中，性能参数包括但不限于：套刻误差、对准、临界尺寸、或聚焦误差。
指印可以任何合适的方式来确定，在一些示例中，这可以取决于相关的性能参数。下面将更详细地描述示例性确定方法，尽管通常可理解，可以设想确定步骤的多种具体实施。可由适当的处理单元(例如，图1所示的LACU单元或SCS单元)来执行确定。
在第三步骤403中，基于确定的指印和衬底集合的划分，导出与第二层施加于衬底集合相关联的性能参数的校正。可以任何合适的方式以及通过任何合适的元件来执行这种导出。在一些示例中，通过执行第二步骤的相同处理单元来执行导出。
随后，衬底可大体如上文参考图1所述那样被处理，即，可对衬底执行进一步的处理步骤522、524、526。在完成进一步的处理步骤之后，衬底564可返回到光刻装置500以进行进一步的处理(诸如附加层的图案化)。
应理解，可以设想上述方法的多个具体实施。具体实施取决于各种特定因素，例如特定光刻系统或装置的特征和特性、系统中使用的衬底的特征和特性和/或其他外部因素。
如上文所述，在多层结构中，可能需要针对多个先前层来控制特定处理层的工艺参数(例如，套刻误差)。如果这些参数没有被充分控制，结果可能是组件不工作或出现故障。
例如，在多层结构中，每一层均可使用不同的半导体材料、图案化设备和/或图案化参数进行图案化。因此，每一层的套刻误差可能因层而异。应注意，虽然套刻误差用作性能参数的示例，但其仅是示例性的。以下原则上同样适用于其他性能参数，诸如(但不限于)对准、临界尺寸或聚焦误差。
在图6中示出了具有多层的示例性结构。结构600包括将提供的第一层604、第二层606和设置在衬底602上的第n层608。在本示例中，仅用于示例性和简洁性目的，该结构由三层组成。应理解，n可以是任何合适的数量，即可以使用任何合适数量的层。虽然在图6中仅示出了单个第n层，但是应理解，可以容易地设想以下描述的结构的实施，但是包括多个第n层。可以在第一层之前设置第二层和第n层。第二层606具有相对于第n层608的套刻误差610。在设置第一层期间，第一层相对于第二层的套刻误差612将不同于第一层相对于第n层的套刻误差614。应理解，不可能将第一层与第二层、第n层两者均完美对准。如果第一层与第二层对准，则第一层与第n层不对准。类似地，如果第一层与第n层对准，则其与第二层不对准。不对准可使得由光刻工艺产生的图案化设备具有降低的质量和/或功能。在一些情况下，这会导致器件的故障或失败。
为了确保由光刻工艺生产的器件的质量和功能，需要控制相对于多个先前图案化层而不是仅仅一个下面的层的套刻误差。例如，如上所述，可能需要控制第一层相对于第二层以及第n层的套刻误差。然而，为了做到这一点，通常需要执行附加测量。但这种附加测量是不利的，因为执行这些测量所需的时间降低了生产量。
因此，期望减少对执行附加测量的需要。一种已知解决方案是通过利用分解规则估计套刻误差。在下面的示例中，仅用于示例性的目的，假定参考描述的结构由三层组成。因此，为了简洁和清楚，在下面的示例中，第n层将被称为第三层。然而，应当注意，如上所述，结构可以包括任何适当数量的层，在适当的分解规则中可考虑每一层。在诸如图6所示的结构中用于确定第一层和第二层之间的套刻误差的示例性分解规则可表述如下：OVL1-L2＝OVL1-L3-OVL2-L3
在该等式中，OVL1-L2表示第一层604和第二层606之间的套刻误差612，OVL1-L3表示第一层和第三层608之间的套刻误差614，以及OVL2-L3表示第二层和第三层之间的套刻误差610。
可基于估计的套刻误差或测量的套刻误差中的一个或两个来确定第一层和第二层之间的套刻误差。在一个示例中，两个套刻误差610、614都是估计的套刻误差。在其它示例中，第一层和第二层之间的套刻误差基于先前测量的套刻误差来确定。
通过估计第一层和第二层之间的套刻误差，可以减少所需计量的量。此外，通过估计第一层和第二层之间的套刻误差，可以提高图案化设备的质量，因为特定层的套刻误差可以在所述层的图案化期间校正。因此，通过使用估计的套刻误差值，提高了图案化设备的质量，并且额外增加了生产量。
然而，由于各层之间的处理方法、检查装置的特性和/或用于处理的光刻装置的特性之间的差异，估计的套刻误差和对应的测量套刻误差之间可存在系统性差异。为了成功地使用估计的套刻误差值，因此需要正确地计算并补偿这一差异。
现在将参考图7描述用于确定性能参数的指印的示例性方法。例如，该示例性方法可实施上面参考图4和图5描述的方法的一部分，尽管应理解，其可以单独实施或者作为替代方法的一部分来实施。仅为了清楚和简洁的目的，下面描述的方法在包括单个第n层的结构上实施，诸如图6所示的示例。如此，第n层在下面称为第三层
在第一确定步骤701中，确定与衬底的第二层和第三层相关联的性能参数的第一指印，其中第三层在第二层之前设置，第二层在第一层之前设置。如上所述，可以针对任何合适的性能参数来确定指印，诸如(但不限于)：焦点、套刻误差或对准。
在第二确定步骤702中，基于与第二层和第三层相关联的性能参数的指印和至少又一特性集合来确定与第一层和第二层相关联的性能参数的第二指印。
可以使用任何合适的又一特性集合。可以任何适当的方式确定或导出又一特性集合。虽然被描述为单个步骤，但第二确定步骤可包括一个或多个子步骤702a、702b。应理解，虽然图7中仅示出了两个子步骤，但第二确定步骤原则上可包括任何适当数量的子步骤。在一些示例中，一个或多个子步骤可包括提供或导出又一特性集合。在一个示例中，在第一子步骤702a中确定又一特性集合。在第二子步骤702b中，确定性能参数的第二指印。当然，应理解，一个或多个提供或确定子步骤可以多种特定方式实施。
现在将更详细地描述提供或导出子步骤的一些非限制性示例。
在第一示例中，又一特性集合包括衬底的至少一个特性。在一个示例中，又一特性集合包括与至少一个工艺条件相关联的衬底的特性，该至少一个工艺条件与在衬底上提供第一、第二或第三层中的至少一层相关联。
在第二示例中，又一特性集合包括与衬底上的第一层和第三层相关联的性能参数的第三指印，其中第三指印包括第一校正。第一校正可以是任何适当的校正。在一个示例中，第一校正包括对在衬底上提供第一和第二和/或第二和第三层之间的测量或工艺条件的预期变化的校正。
再次转到图6，现在将进一步详细描述用于确定性能参数的第三指印的示例性方法，其中使用了示例性第一校正(如上所述)。在本示例中，如图6所示和上文所述，图案化结构包括将被图案化的第一层604、第二层606和单个第n(即“第三”)层608。如上所述，在已知方法中，第一层和先前层(即，第二层)之间的套刻误差可以通过利用对一个或多个先前层执行的套刻误差测量来估计。然而，正如所讨论的，这并没有考虑到估计和测量的套刻误差之间的任何差异。
因此，提出了一个示例性表达，其中考虑了估计和测量之间的差异。与上面所示的表达式类似，仅出于示例目的，将假定该结构仅包括单个第n(第三)层。可如下给出该表达式：OVL1-L2＝(a+b)OVL1-L3-b(OVL2-L3+Δ)
在该表达式中，与上面讨论的分解规则类似，OVL1-L2表示第一层和第二层之间的套刻误差，OVL1-L3表示第一层和第三层之间的套刻误差，以及OVL2-L3表示第二层和第三层之间的套刻误差。a和b是加权参数，这允许对每个套刻误差进行加权，以便提高估计套刻误差的精度。Δ是第一校正。与上面讨论的分解规则类似，表达式中使用的套刻误差的值可以是估计的套刻误差、测量的套刻误差或二者的混合。
为了得到套刻误差的最佳控制，并且通过扩展光刻工艺，需要确定上述每个参数的值。在本示例中，各个套刻误差和第一校正之间的相关性可以通过以下表达式来控制：
aOVL1-L3+bOVL1-L2＝(a+b)OVL1-L3-b(OVL2-L3+Δ)
各种参数与上面的表达式中的参数相同。应理解，上述表达式仅是示例性的，并且该表达式可以替代的特定方式实施。
加权参数a、b可根据任何要求集合以任何合适的方式确定或导出。在一些示例中，可基于特定层的重要性或临界性来确定或导出加权参数。作为示例，如果在上面的表达式中，第一层和第二层不是临界的，则可以选择较小的加权参数b。应理解，在一些示例中，加权参数是相互关联的。因此，通过修改或改变其中一个加权参数，可以减少一个性能参数(即，套刻误差)，而增加另一性能参数。在一些示例中，基于适当的要求集合(例如，历史数据、统计数据或用户选择)来选择加权参数的初始值。
第一校正Δ可以任何适当的方式确定，并且可以具有任何适当的值或值的范围。为了保持测量和估计的套刻误差之间的相关性，可能需要周期性地确定所使用的第一校正。这种确定的周期可以是固定的，也可以根据一个或多个参数而变化。
现在将参考图8描述用于确定第一校正Δ的示例性非限制性方法。
在第一步骤801中，识别和确定预测的性能参数和测量的性能参数之间的失配。失配可以任何合适的方式识别。在一些示例中，周期性地监控失配(例如，使用检查装置)。例如，可以基于批次(即，在处理了指定数量的衬底批次之后)或基于时间(即，在经过特定时间段之后)来监控失配。这种监控的周期可以任何适当的方式确定，并且可以基于适当数量的因素。例如，周期可以基于以下一个或多个：第一校正指印的稳定性、统计或历史数据或其他监控数据。可针对相关结构的任何一个或多个合适层来识别和确定失配。在一个示例中，对于由三层组成的结构(诸如图6所示)，将第二层和第三层之间的预测套刻误差与第二层和第三层之间的测量套刻误差进行比较，以确定失配。
在第二步骤802中，确定第一校正。第一校正可以任何适当的方式确定。在一些示例中，第一校正可以是估计的套刻误差和对应的测量套刻误差之间的简单差。在其他示例中，通过使用取决于一个或多个适当参数(例如但不限于一个或多个层之间的一个或多个确定或估计的套刻误差)的适当表达式来确定第一校正。应理解，用于第一校正的确定值(或多个值)可取决于一个或多个附加参数(诸如但不限于处理参数或衬底的一个或多个特性)。在一些示例中，第一校正可以是单个值。在其他示例中，第一校正可以通过具有多个变量的特定函数来描述。
在第三步骤803中，以适当的方式应用确定的第一校正，例如在诸如上面讨论的加权表达式中。
图9示出了用于光刻装置或系统(诸如图1所示)的示例性控制序列，其中实施上述一种或多种方法。
在步骤902，接收产品单元集合(诸如半导体衬底)，以通过工业化工艺(例如，光刻工艺)进行处理。
在904中，针对产品单元集合或者与产品单元集合(和/或从预先存在的测量接收的)相关地测量对象数据，该对象数据与衬底的至少一个特性集合或者衬底的一个或多个图案化层相关联。可以使用任何适当类型的对象数据。例如，在图1的制造设施中，对象数据可以是(但不限于)：在光刻装置100内作为图案化衬底的初步步骤测量的对准数据；在衬底图案化之前在衬底形状计量工具中测量的衬底形状数据；或者其可以是在处理一层的先前步骤之后使用计量装置140测量的性能数据。在一些示例中，对象数据可以包括多种数据。
在步骤906中，在该示例中，经受工业化工艺影响的产品单元集合被划分为多个子集。应理解，该步骤与参考图3讨论的方法的第一步骤301基本相同。因此，在一些示例中，如上文所述，划分步骤基于与衬底的第一层相关联的至少一个特性集合。可以任何合适的方式执行划分。在一些示例中，划分基于在步骤304中测量的一种或多种对象数据的统计分析。另外，在一些示例中，可以基于与产品单元一起接收的上下文数据来执行划分。
随后，对于每个子集，在910中，选择一个或多个样本产品单元进行计量。使用表示在步骤904中与多个产品单元相关测量的一个或多个参数的对象数据912来执行该步骤。在一些示例中，样本产品单元的选择至少部分地基于对象数据912的统计分析。用于该步骤的对象数据912可以是与划分步骤906中使用的对象数据(如果有的话)相同的类型或不同的类型。
在914中，仅对多个产品单元中选出的样本产品单元执行一个或多个计量步骤。应理解，该步骤与参照图3描述的方法的第二步骤302基本相同。
在916中，至少部分地基于所选样本产品单元的计量，导出用于控制多个产品单元的处理的校正。该步骤与参考图3所述方法的第三步骤303基本相同。此外，还可以使用上下文数据918导出校正。在920中使用校正来控制产品单元的处理，例如将图案应用于半导体制造设施中的晶圆。
测量样本产品单元的方式和使用测量来计算校正的方式可以是相关制造领域中已知的任何技术。根据本公开的原则，由于样本产品单元的选择至少部分基于对象数据的统计分析，因此对于给定水平的计量开销，可以提高可实现控制的精度。
在半导体制造的批量级和卡盘级控制的传统方法中，选择有限集合的计量衬底(通常每个卡盘2个)。众所周知，为了避免加热效应进入控制回路，从批次中心选择衬底。然而，由于在其生命周期中经历的复杂的处理环境，根据例如已经处理的室或工具、它们在那些室中的定位等，批次内的衬底可具有不同的覆盖指印。通常，这会导致指印的分布，通常会由于相似的处理历史在具有相似形状和指印的衬底批次内导致“子群”或分组。当“随机”从批次中提取样本衬底时，显然没有考虑指印的这种分布，从而这些样本衬底不能代表批次和该批次内指印的分布，当工艺校正基于所选衬底并应用于整个批次时，会导致覆盖惩罚。此外，在处理误差或其他情况影响特定衬底的情况下存在风险，并且这些“偏离”衬底被偶然选择为计量衬底。来自偏离衬底的测量随后用它们的偏离指印“污染”覆盖控制回路。由于在大批量生产情况下需要限制计量开销，样本衬底的数量将相对较少，并且这种污染会具有不相称的影响。
如上文所示，在可以将衬底集合划分为子集的情况下，可以通过在每个子集内具体地选择样本衬底来对样本衬底的选择进行第一次改进。例如，这可以通过使用多线程控制方法来实施，其中测量的性能数据被应用于控制适当的线程。然而，多线程方法使测量开销问题更加尖锐，并且在子集内随机选择样本晶圆仍可能导致对不能真正代表大多数的晶圆执行测量。例如，还可以借助对象数据的统计分析来执行样本产品单元的选择，从而避免或减少选择不具代表性的产品单元。
图10示意性示出了基于统计分析的结果将产品单元划分为不同的子集或“集群”。许多产品单元的性能数据由三维图形上的点表示，它们点的轴是通过统计分析发现的主要组成PC1、PC2和PC3。本示例中的产品单元被分配给三个集群，分别标记为A、B和C。因此，由点1002表示的产品单元最初分配给集群A，由点1004和1006表示的产品单元最初分配给集群B，以及点1008和1010最初分配给集群C。应记住三维图的这种二维表示仅仅是简化的说明，并且可以基于三个、四个、十个或更多个部件来执行划分。
在图10中还示出了不容易分配给任何集群的两个“离群”或“偏离”晶圆1020、1022。如下面进一步描述的，这些可以通过统计分析来识别。在每个集群内，突出显示另一样本(1030、1032、1034)，这将在下面进一步解释。
使用主要组成作为参考，可以识别偏离晶圆1020和1022。在图9的方法的一些实施例中，对象数据912的统计分析允许在步骤910中识别这些偏离晶圆并从计量的样本晶圆的考虑中排除。因此，在这些实施例中，选择样本产品单元包括消除通过所述统计分析识别为不代表多个产品单元的产品单元。即使随后将从每个子集的剩余成员中随机选择样本晶圆，至少上述“污染”的问题将被减少。
排除偏离晶圆的边界可以在多维空间中限定，或者在一维中限定(如果需要)。边界可以完全自动和/或在专家协助下限定，并且可以在统计分析限定的多维空间中具有任意形状。例如，紧边界可环绕各个集群，或者一个边界可包围整个集合。边界可随着批量制造的进展而细化，并且可以在开发阶段设置得更宽。
为了进一步提高监控和性能控制的质量，在本方法的一些实施例中，选择用于计量的样本产品单元包括优先选择通过所述统计分析确定为多个产品单元中最具代表性的产品单元。在图10的示例中，突出显示的特定晶圆1030、1032和1034被认为最能代表它们特定的集群。使用一个或多个观察到的指印，可以分析集群A的晶圆，以将晶圆1030识别为具有集群中最典型晶圆的指印系数组合。在该图中，这由多维空间内最接近集群晶圆分布中心的晶圆1030来说明。类似地，每个晶圆1032、1034分别位于集群B和C中晶圆分布的中心。
图11示出了可应用的统计分析类型的另一示例，具体是混合回归分析。在图11的示例中，水平轴代表通过光刻装置100的批次内的晶圆数量。例如，在典型的半导体制造设施中，批次可包括25个晶圆。众所周知，特定误差指印由热效应引起，热效应在批次曝光期间产生并且在下一批次曝光之前再次消散。这种效应的一个示例可以是中间掩模(掩模)加热，并且前馈控制系统可以限定中间掩模加热校正，以在整个批次过程中应用对数增加的强度。为了确定适当的对数曲线和强度水平，通常执行历史对象数据的统计分析，而不是试图从任何“第一原则”计算中预测所需校正。如上所述，这种示例中的对象数据可以是在被处理产品单元上测量的性能数据以外的数据。其可以是在产品单元或系统的其他部分处理之前或处理期间测量的对象数据。对象数据的一个示例是从每个晶圆测量的对准数据。另一示例是使用图案化设备(掩模或中间掩模)上的标记以及位于衬底台或相关测量台上的晶圆旁边的传感器测量的掩模对准数据。如图11所示，掩模对准数据在识别中间掩模加热指印的示例中可能特别有用。
在本示例中，在晶圆通过混合回归分析沿着两条曲线1102、1104聚集时，位于曲线上或靠近曲线的衬底1130、1132可被选择作为计量的代表性样本，优先于属于相关集群但与绘制的参数PRH中的曲线有一定距离的其他晶圆。在该选择过程中，与曲线的距离可用作对晶圆进行排序的分数。诸如剪影值的KPI可以扩展到基于曲线的空间的集群以及主要组成的集群。
如图10的情况，可在样本产品单元的选择中指定附加约束。在图11中的1140处示出了这种约束，其禁止从批次中的第一数量的晶圆中选择样本晶圆。换言之，即使批次中的较早晶圆正好落在曲线1102或1104上，它们也被认为不代表大多数晶圆。
在下面编号的实施例中公开了本发明的其他方面。
1.一种用于优化光刻工艺的方法，该方法包括：
将与至少第一层相关联的衬底的集合划分为衬底的多个子集；
针对衬底的集合中的至少一个衬底，确定与至少第一层相关联的性能参数的指印；以及
基于所确定的指印和衬底的集合的划分，导出与后续层施加于衬底的集合相关联的性能参数的校正。
2.根据实施例1的方法，其中划分的步骤基于与至少第一层相关联的至少一个特性集合。
3.根据实施例2的方法，其中多个子集中的每个子集均与至少一个特性集合中的至少一个特性的至少一个值相关联，该至少一个值与至少第一层相关联。
4.根据实施例2或3的方法，其中至少一个特性集合包括与至少第一层相关联的至少一个性能参数。
5.根据任何先前实施例的方法，其中确定的步骤包括：
确定与衬底的第二层和第n层相关联的性能参数的第一指印，其中第n层在第二层之前设置，并且第二层在第一层之前设置；以及
基于与第二层和第n层相关联的性能参数的指印和至少又一特性集合，确定与第一层和第二层相关联的性能参数的第二指印。
6.根据实施例5所述的方法，其中又一特性集合包括与至少一个工艺条件相关联的衬底的特性，该至少一个工艺条件与在衬底上提供第一、第二或第n层中的至少一层相关联。
7.根据实施例5的方法，其中又一特性集合包括与衬底上的第一层和第n层相关联的性能参数的第n指印，其中第三指印包括第一校正。
8.根据实施例7的方法，其中第一校正包括对在衬底上提供第一和第二层以及提供第二和第n层之间的测量或光刻工艺条件的预期变化的校正。
9.根据任何先前实施例的方法，其中确定的步骤包括为衬底的多个子集中的每个子集的至少一个衬底确定指印。
10.根据实施例9的方法，其中确定的步骤进一步包括为衬底的多个子集中的每个子集的多个衬底确定指印。
11.根据任何先前实施例的方法，其中确定的步骤包括为与至少第一层相关联的多个性能参数中的每个性能参数确定多个指印。
12.根据任何先前实施例的方法，其中导出校正的步骤基于与衬底的多个子集中的至少一个子集相关联的每个衬底的每个确定指印。
13.根据任何先前实施例的方法，其中导出性能参数的校正的步骤进一步基于多个先前层中的每层的至少一个确定指印。
14.根据任何先前实施例的方法，其中性能参数包括以下至少之一：聚焦误差、对准误差或套刻误差。
15.一种用于优化光刻工艺的方法，其中确定的步骤包括：
确定与衬底的第二层和第n层相关联的性能参数的第一指印，其中第n层在第二层之前设置，并且第二层在第一层之前设置；以及
基于与第二层和第n层相关联的性能参数的指印和至少又一特性集合，确定与第一层和第二层相关联的性能参数的第二指印。
16.根据实施例15所述的方法，其中又一特性集合包括与至少一个工艺条件相关联的衬底的特性，该至少一个工艺条件与在衬底上提供第一层、第二层或第n层中的至少一层相关联。
17.根据实施例15的方法，其中又一特性集合包括与衬底上的第一层和第n层相关联的性能参数的第n指印，其中第n指印包括第一校正。
18.根据实施例17的方法，其中第一校正包括对在衬底上提供第一层和第二层以及提供第二层和第n层之间的测量或光刻工艺条件的预期变化的校正。
19.一种用于控制光刻工艺的控制系统，该控制系统包括：
用于执行根据实施例1至14中的任一实施例的将衬底的集合划分为衬底的多个子集的步骤的装置；
用于执行根据实施例1至14中任一实施例的确定性能参数的指印的步骤的装置；以及
用于执行根据实施例1至14中任一实施例的导出性能参数的校正的步骤的装置。
20.一种用于控制光刻工艺的控制系统，该控制系统包括：
用于执行根据实施例15至18中任一实施例的性能参数的第一指印的确定步骤的装置；以及
用于执行根据实施例15至18中任一实施例的性能参数的第二指印的确定步骤的装置。
21.一种光刻装置，包括：
被布置为照射图案的照射光学系统以及被布置为将图案的图像投影到衬底上的投影光学系统；以及
根据实施例19或实施例20的控制系统。
22.一种检查装置，包括根据实施例19或实施例20的控制系统。
22.一种光刻系统，包括根据实施例21的光刻装置或根据实施例22的检查装置。
23.一种计算机程序产品，包括用于实施根据实施例1至15中任一个的方法的机器可读指令的一个或多个序列。
尽管本文中具体参考了在IC制造中使用光刻装置，但应当理解，本文描述的光刻装置可具有其他应用，诸如集成光学系统的制造、磁域存储器的引导和检测模式、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员应理解，在这种备选应用的背景下，本文对术语“晶圆”或“管芯”的任何使用可分别被视为与更一般的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文所指的衬底可在曝光之前或之后例如在轨道(通常将光刻胶层施加于衬底并显影曝光的光刻胶的工具)、计量工具和/或检验工具中被处理。在可应用的情况下，本公开可应用于这种和其他衬底处理工具。此外，可以对衬底进行多次处理，例如为了创建多层IC，使得本文使用的术语衬底也可以指已包含多个处理层的衬底。
尽管上面可能参考了在光刻的条件下使用本发明的实施例，但是应当理解，本发明可以用于其他应用，例如压印光刻，并且在上下文允许的情况下，不限于光刻。在压印光刻中，图案化设备中的拓扑限定在衬底上创建的图案。图案化设备的拓扑可被压入提供给衬底的光刻胶层中，然后通过施加电磁辐射、热量、压力或它们的组合来固化光刻胶。在光刻胶固化后，从光刻胶移走图案化设备，在其中留下图案。
本文使用的术语“辐射”和“束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如，波长为或大约为365、355、248、193、157或126nm)和极紫外线(EUV)辐射(例如，波长在5-20nm范围内)以及粒子束(诸如离子束或电子束)。
在上下文允许的情况下，术语“透镜”可表示各种类型光学组件的任何一个或组合，包括折射、反射、磁性、电磁和静电光学组件。
虽然本发明的具体实施例已经在上文进行描述，但应当理解，本发明可以与所述不同地来实践。例如，本发明可以采用包含描述上述方法的机器可读指令的一个或多个序列的计算机程序的形式，或者其上存储有这些计算机程序的数据存储介质(例如，半导体存储器、磁盘或光盘)。
以上描述旨在说明而不是限制。因此，本领域技术人员应理解，在不脱离下面所述权利要求的范围的情况下，可以对本发明进行修改。

Claims (20)

1.一种方法，包括：
获取与施加到多个衬底的第一层相关联的划分结构，所述划分结构对应于与所述第一层相关联的一个或多个性能参数的一个或多个值；
获取针对所述多个衬底中的一个衬底的与所述第一层相关联的性能参数的指印；以及
使用硬件计算机系统并且基于所述指印和所述划分结构，确定用于将后续层施加到所述衬底的制造工艺或设备的调整或配置。
2.根据权利要求1所述的方法，其中获取指印包括：
确定与所述衬底的第二层和第n层相关联的性能参数的第一指印，其中所述第n层在所述第二层之前提供，并且所述第二层在所述第一层之前提供；以及
基于所述性能参数的所述第一指印和附加特性，确定所述性能参数的与所述第一层和所述第二层相关联的第二指印。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述附加特性包括所述衬底的与至少一个工艺条件相关联的特性，所述至少一个工艺条件与从如下项中选择的至少一项的提供相关联：所述衬底上的所述第一层、所述第二层或所述第n层。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述附加特征包括所述性能参数的与所述衬底上的所述第一层和所述第n层相关联的第n指印，其中所述第n指印包括校正。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述校正包括对在所述衬底上提供所述第一层和所述第二层以及所述第二层和所述第n层之间的测量或制造工艺条件的预期变化的校正。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述确定进一步基于多个先前层中的每一层的至少一个经确定的指印。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述性能参数包括选自以下中的至少一项：聚焦误差；对准误差；或套刻误差。
8.一种计算机程序产品，包括其中具有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由计算机系统执行时，被配置为使所述计算机系统至少：
获取与施加到多个衬底的第一层相关联的划分结构，所述划分结构对应于与所述第一层相关联的一个或多个性能参数的一个或多个值；
获取针对所述多个衬底中的一个衬底的与所述第一层相关联的性能参数的指印；以及
基于所述指印和所述划分结构，确定用于将后续层施加到所述衬底的制造工艺或设备的调整或配置。
9.根据权利要求8所述的计算机程序产品，其中被配置为使所述计算机系统获取指印的指令还被配置为使所述计算机系统：
确定与所述衬底的第二层和第n层相关联的性能参数的第一指印，其中所述第n层在所述第二层之前提供，并且所述第二层在所述第一层之前提供；以及
基于所述性能参数的所述第一指印和附加特性，确定所述性能参数的与所述第一层和所述第二层相关联的第二指印。
10.根据权利要求9所述的计算机程序产品，其中所述附加特性包括所述衬底的与至少一个工艺条件相关联的特性，所述至少一个工艺条件与从如下项中选择的至少一项的提供相关联：所述衬底上的所述第一层、所述第二层或所述第n层。
11.根据权利要求9所述的计算机程序产品，其中所述附加特征包括所述性能参数的与所述衬底上的所述第一层和所述第n层相关联的第n指印，其中所述第n指印包括校正。
12.根据权利要求11所述的计算机程序产品，其中所述校正包括对在所述衬底上提供所述第一层和所述第二层以及所述第二层和所述第n层之间的测量或制造工艺条件的预期变化的校正。
13.根据权利要求9所述的计算机程序产品，其中被配置为使所述计算机系统确定制造工艺或设备的校正或配置的指令进一步被配置为基于多个先前层中的每一层的至少一个经确定的指印来执行。
14.根据权利要求9所述的计算机程序产品，其中所述性能参数包括选自以下中的至少一项：聚焦误差；对准误差；或套刻误差。
15.一种光刻装置，包括：
照射光学系统，被布置为照射图案；
投影光学系统，被布置为将所述图案的图像投影到衬底上；以及
根据权利要求9所述的计算机程序产品。
16.一种计算机程序产品，包括其中具有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由计算机系统执行时，被配置为使所述计算机系统至少：
确定与所述衬底的第二层和第n层相关联的性能参数的第一指印，其中所述第n层在所述第二层之前提供，并且所述第二层在所述第一层之前提供；
基于与所述第二层和所述第n层相关联的性能参数的指印以及至少一个或多个附加特性，确定与所述第一层和所述第二层相关联的性能参数的第二指印；以及
基于所述第二指印，确定用于将后续层施加到所述衬底的制造工艺或设备的校正或配置。
17.根据权利要求16所述的计算机程序产品，其中所述一个或多个特性包括所述衬底的与至少一个工艺条件相关联的特性，所述至少一个工艺条件与从如下项中选择的至少一项的提供相关联：所述衬底上的所述第一层、所述第二层或所述第n层。
18.根据权利要求16所述的计算机程序产品，其中所述一个或多个附加特性包括与所述衬底上的所述第一层和所述第n层相关联的性能参数的第n指印，其中所述第n指印包括校正。
19.根据权利要求18所述的计算机程序产品，其中所述校正包括对在所述衬底上提供所述第一层和所述第二层以及所述第二层和所述第n层之间的测量或制造工艺条件的预期变化的校正。
20.一种光刻设备，包括：
照明光学系统，被布置为照明图案；
投影光学系统，被布置为将所述图案的图像投影到衬底上；以及
根据权利要求9所述的计算机程序产品。
CN202210953036.6A 2017-04-28 2018-03-28 用于优化光刻工艺的方法和装置 Pending CN115309005A (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP17168801.3A EP3396458A1 (en) 2017-04-28 2017-04-28 Method and apparatus for optimization of lithographic process
EP17168801.3 2017-04-28
PCT/EP2018/057926 WO2018197143A1 (en) 2017-04-28 2018-03-28 Method and apparatus for optimization of lithographic process
CN201880027615.XA CN110573966B (zh) 2017-04-28 2018-03-28 用于优化光刻工艺的方法和装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880027615.XA Division CN110573966B (zh) 2017-04-28 2018-03-28 用于优化光刻工艺的方法和装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115309005A true CN115309005A (zh) 2022-11-08

Family

ID=58640777

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210953036.6A Pending CN115309005A (zh) 2017-04-28 2018-03-28 用于优化光刻工艺的方法和装置
CN201880027615.XA Active CN110573966B (zh) 2017-04-28 2018-03-28 用于优化光刻工艺的方法和装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880027615.XA Active CN110573966B (zh) 2017-04-28 2018-03-28 用于优化光刻工艺的方法和装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11099487B2 (zh)
EP (1) EP3396458A1 (zh)
KR (1) KR102412940B1 (zh)
CN (2) CN115309005A (zh)
TW (2) TWI786474B (zh)
WO (1) WO2018197143A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11106141B2 (en) * 2017-04-28 2021-08-31 Asml Netherlands B.V. Optimizing a sequence of processes for manufacturing of product units
DE112019000022T5 (de) * 2018-01-31 2019-10-24 Asml Netherlands B.V. Verfahren zum Kennzeichnen von Substraten auf der Basis von Prozessparametern
CN113366389A (zh) * 2019-01-29 2021-09-07 Asml荷兰有限公司 用于控制光刻工艺的方法及设备
EP3848757A1 (en) * 2020-01-13 2021-07-14 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus
KR20220034902A (ko) * 2019-08-22 2022-03-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 제어 방법
US11079337B1 (en) * 2020-03-17 2021-08-03 International Business Machines Corporation Secure wafer inspection and identification
CN113552772B (zh) * 2020-04-23 2022-09-13 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 变光阑数据处理方法
US11803128B2 (en) * 2020-10-15 2023-10-31 Changxin Memory Technologies, Inc. Control method and device of overlay accuracy

Family Cites Families (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5912983A (en) * 1997-01-24 1999-06-15 Oki Electric Industry Co., Ltd Overlay accuracy measuring method
US20020042664A1 (en) * 2000-05-31 2002-04-11 Nikon Corporation Evaluation method, position detection method, exposure method and device manufacturing method, and exposure apparatus
JP2002064046A (ja) * 2000-08-21 2002-02-28 Hitachi Ltd 露光方法およびそのシステム
US6650955B1 (en) * 2001-12-18 2003-11-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for determining a sampling plan based on process and equipment fingerprinting
US8808457B2 (en) * 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US7062411B2 (en) * 2003-06-11 2006-06-13 Scientific Systems Research Limited Method for process control of semiconductor manufacturing equipment
US7084952B2 (en) 2003-07-23 2006-08-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and computer-readable storage medium
US7333173B2 (en) * 2004-04-06 2008-02-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to simplify twin stage scanner OVL machine matching
US7443486B2 (en) * 2005-02-25 2008-10-28 Asml Netherlands B.V. Method for predicting a critical dimension of a feature imaged by a lithographic apparatus
EP1744217B1 (en) * 2005-07-12 2012-03-14 ASML Netherlands B.V. Method of selecting a grid model for correcting grid deformations in a lithographic apparatus and lithographic assembly using the same
US7645546B2 (en) * 2006-02-06 2010-01-12 Macronix International Co., Ltd. Method for determining an overlay correlation set
US7808613B2 (en) * 2006-08-03 2010-10-05 Asml Netherlands B.V. Individual wafer history storage for overlay corrections
US8294907B2 (en) * 2006-10-13 2012-10-23 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
GB0800227D0 (en) * 2008-01-07 2008-02-13 Metryx Ltd Method of controlling semiconductor device fabrication
JP5166916B2 (ja) 2008-03-04 2013-03-21 キヤノン株式会社 パターンの重ね合わせを行う装置およびデバイス製造方法
US8132128B2 (en) * 2008-10-31 2012-03-06 Synopsys, Inc. Method and system for performing lithography verification for a double-patterning process
NL2004716A (en) * 2009-06-17 2010-12-20 Asml Netherlands Bv Lithographic method and arrangement.
US8559001B2 (en) * 2010-01-11 2013-10-15 Kla-Tencor Corporation Inspection guided overlay metrology
WO2011101183A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product
NL2005997A (en) * 2010-02-19 2011-08-22 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
CN103097956B (zh) * 2010-02-26 2016-01-27 密克罗尼克麦达塔公司 用于执行图案对准的方法和装置
NL2007052A (en) * 2010-07-15 2012-01-17 Asml Netherlands Bv Calibration method and inspection apparatus.
US10295993B2 (en) * 2011-09-01 2019-05-21 Kla-Tencor Corporation Method and system for detecting and correcting problematic advanced process control parameters
NL2009345A (en) 2011-09-28 2013-04-02 Asml Netherlands Bv Method of applying a pattern to a substrate, device manufacturing method and lithographic apparatus for use in such methods.
US9760020B2 (en) * 2012-11-21 2017-09-12 Kla-Tencor Corporation In-situ metrology
US9442392B2 (en) * 2012-12-17 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Scanner overlay correction system and method
US9029810B2 (en) * 2013-05-29 2015-05-12 Kla-Tencor Corporation Using wafer geometry to improve scanner correction effectiveness for overlay control
US9070622B2 (en) * 2013-09-13 2015-06-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Systems and methods for similarity-based semiconductor process control
NL2013417A (en) * 2013-10-02 2015-04-07 Asml Netherlands Bv Methods & apparatus for obtaining diagnostic information relating to an industrial process.
TWI560747B (en) * 2014-04-02 2016-12-01 Macromix Internat Co Ltd Method of manufacturing semiconductor and exposure system
KR101901770B1 (ko) * 2014-05-13 2018-09-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측에 사용하기 위한 기판 및 패터닝 디바이스, 계측 방법, 및 디바이스 제조 방법
CN107004060B (zh) * 2014-11-25 2022-02-18 Pdf决策公司 用于半导体制造工艺的经改进工艺控制技术
KR102244485B1 (ko) * 2014-12-01 2021-04-26 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 제조 프로세스에 관련된 진단 정보를 획득하기 위한 방법 및 장치, 진단 장치를 포함하는 리소그래피 처리 시스템
KR102025214B1 (ko) * 2015-02-04 2019-09-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치, 컴퓨터 프로그램 및 리소그래피 시스템
CN107438795A (zh) * 2015-04-10 2017-12-05 Asml荷兰有限公司 用于检查和量测的方法和设备
KR102353145B1 (ko) * 2015-04-10 2022-01-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사와 계측을 위한 방법 및 장치
US9971478B2 (en) * 2015-04-10 2018-05-15 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for inspection and metrology
WO2017009036A1 (en) * 2015-07-13 2017-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10915689B2 (en) * 2015-10-19 2021-02-09 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to correct for patterning process error
WO2017067748A1 (en) * 2015-10-19 2017-04-27 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to reduce effects of nonlinear behavior
US9625831B1 (en) * 2015-11-25 2017-04-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposure apparatus, exposure method and manufacturing method of semiconductor device
KR20180115299A (ko) * 2016-02-22 2018-10-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 데이터에 대한 기여도들의 분리
US11022896B2 (en) * 2016-03-11 2021-06-01 Asml Netherlands B.V. Mark position determination method
US10353299B2 (en) * 2016-06-01 2019-07-16 Canon Kabushiki Kaisha Lithography method, determination method, information processing apparatus, storage medium, and method of manufacturing article
CN109478021B (zh) * 2016-07-11 2021-01-01 Asml荷兰有限公司 用于确定性能参数的指纹的方法和设备
WO2018015181A1 (en) * 2016-07-22 2018-01-25 Asml Netherlands B.V. Method of predicting patterning defects caused by overlay error
EP3279735A1 (en) * 2016-08-01 2018-02-07 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
EP3290911A1 (en) * 2016-09-02 2018-03-07 ASML Netherlands B.V. Method and system to monitor a process apparatus
EP3312693A1 (en) 2016-10-21 2018-04-25 ASML Netherlands B.V. Methods & apparatus for controlling an industrial process
KR102555175B1 (ko) 2016-10-21 2023-07-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 패터닝 프로세스용 보정 결정 방법
CN109891324B (zh) * 2016-10-26 2021-05-25 Asml荷兰有限公司 用于光刻过程的优化的方法
EP3339959A1 (en) * 2016-12-23 2018-06-27 ASML Netherlands B.V. Method of determining a position of a feature
KR102390216B1 (ko) * 2016-12-23 2022-04-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 패턴 충실도 제어를 위한 방법 및 장치
KR102485767B1 (ko) * 2017-02-22 2023-01-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 전산 계측
EP3379332A1 (en) * 2017-03-24 2018-09-26 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus being operable to determine pellicle degradation compensation corrections
EP3382606A1 (en) * 2017-03-27 2018-10-03 ASML Netherlands B.V. Optimizing an apparatus for multi-stage processing of product units
CN115220311A (zh) * 2017-05-05 2022-10-21 Asml荷兰有限公司 用于预测器件制造工艺的良率的方法
EP3435162A1 (en) * 2017-07-28 2019-01-30 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus and computer program
KR102352673B1 (ko) * 2017-08-07 2022-01-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 컴퓨테이션 계측법
EP3444674A1 (en) * 2017-08-14 2019-02-20 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
EP3447580A1 (en) * 2017-08-21 2019-02-27 ASML Netherlands B.V. Method of calibrating focus measurements, measurement method and metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method
US10520829B2 (en) * 2017-09-26 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Optical proximity correction methodology using underlying layer information
EP3518040A1 (en) * 2018-01-30 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. A measurement apparatus and a method for determining a substrate grid
DE112019000022T5 (de) * 2018-01-31 2019-10-24 Asml Netherlands B.V. Verfahren zum Kennzeichnen von Substraten auf der Basis von Prozessparametern
US10642161B1 (en) * 2018-10-10 2020-05-05 International Business Machines Corporation Baseline overlay control with residual noise reduction
US20230258446A1 (en) * 2022-02-17 2023-08-17 Kla Corporation Estimating in-die overlay with tool induced shift correction

Also Published As

Publication number Publication date
CN110573966B (zh) 2022-08-16
KR20190137132A (ko) 2019-12-10
EP3396458A1 (en) 2018-10-31
TW201903534A (zh) 2019-01-16
CN110573966A (zh) 2019-12-13
TWI786474B (zh) 2022-12-11
KR102412940B1 (ko) 2022-06-23
US20200026201A1 (en) 2020-01-23
TW202125119A (zh) 2021-07-01
US11099487B2 (en) 2021-08-24
WO2018197143A1 (en) 2018-11-01
TWI709824B (zh) 2020-11-11
US20210349402A1 (en) 2021-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110573966B (zh) 用于优化光刻工艺的方法和装置
US11714357B2 (en) Method to predict yield of a device manufacturing process
CN109154781B (zh) 获得测量的方法、用于执行过程步骤的设备和计量设备
KR102427132B1 (ko) 제품 유닛의 다중-스테이지 처리를 위한 장치 최적화
KR102166317B1 (ko) 패터닝 공정의 제어 방법, 디바이스 제조 방법, 리소그래피 장치용 제어 시스템 및 리소그래피 장치
TWI635368B (zh) 微影方法與微影裝置
CN107039304B (zh) 用于评估半导体制造工艺的方法和装置
TW201830155A (zh) 用於控制工業製程的方法與設備
TWI630465B (zh) 計算用於控制製程的修正之方法、度量衡設備、元件製造方法、及模型化方法
US11392044B2 (en) Method of determining a position of a feature
KR102451504B1 (ko) 제품 유닛들의 제조를 위한 공정들의 시퀀스의 최적화
KR20210018967A (ko) 성능 파라미터의 핑거프린트를 결정하는 장치 및 방법
KR102581889B1 (ko) 처리 스테이션들로부터의 개별적인 기여들에 관하여 후-처리 데이터를 특성화하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination