JP4959632B2 - ナノピンセットおよび把持方法 - Google Patents
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Description
請求項2の発明は、請求項1に記載のナノピンセットにおいて、
振動状態検出部で検出された振動状態の変化に基づき、アームによる試料の把持を検出する把持検出手段をさらに備えたものである。
請求項3の発明は、請求項1または2に記載のナノピンセットにおいて、
振動状態の変化を、アームの物体への接触による共振振動の振幅の変化、周波数の変化および位相の変化のいずれか一つとしたものである。
請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれか一項に記載のナノピンセットにおいて、
静電アクチュエータは、静止櫛歯電極部と、アームに連結されて該アームを駆動する可動櫛歯電極部とを有することを特徴とする。
請求項5の発明は、請求項1に記載のナノピンセットによる試料の把持方法であって、振動状態検出部により振動状態の変化が検出されるまで、ナノピンセットを試料が載置された載置部の方向へ移動し、振動状態検出部により振動状態の変化が検出されたならば、ナノピンセットを載置部の方向と逆の方向に所定移動量だけ移動し、移動の後に静電アクチュエータによりアームを閉駆動し、振動状態検出部により振動状態の変化が検出されたならば、静電アクチュエータによるアームの閉駆動を停止することを特徴とする。
本実施の形態のナノピンセット1では、上述したように静電アクチュエータ6A,6Bに直流電圧を印加し、その電圧値を制御することでアーム3A,3Bの開閉動作を行うようにした。さらに、静電アクチュエータ6A,6Bを自励発振させてアーム3A,3Bを微小振動させ、試料を把持した際の微小振動の変化によりアーム3A,3Bによる把持を検出するようにした。
i1=jω(C0+CS)e1+(E0C0/X0)ν1 (1)
f1=jωmν1+rfν1+kν1/jω+E0C0e1/X0 (2)
但し、i1は交流電流値、e1は入力交流電圧の振幅、ν1は可動部の振動速度であり、f1は可動部に作用する外力を表している。また、X0は初期状態の櫛歯間距離である。
A2−2ω(C0+CS)(ωm−k/ω)=0 (4)
次に、SOI(silicon on insulator)基板を用いてナノピンセット1を形成する場合の、製造方法について説明する。なお、以下ではアーム3A,3Bや静電アクチュエータ6A,6Bの部分の形成方法について説明し、駆動回路部9については説明および図示を省略する。駆動回路部9はアーム3A,3Bや静電アクチュエータ6A,6Bを構成するものと同一のシリコン層に半導体プロセス技術によって形成しても良いし、別に作成した回路素子を台座7上に配置するようにしても良い。
縁層102は1μm、ベース層101は300μmである。また、シリコン基板100上における1つのナノピンセットを形成する領域は縦、横ともに数mmの矩形状をしている。図11(a)に示す工程では、スパッタリング法や真空蒸着法などにより、厚さ約50nmのアルミ層104をシリコン層103の表面に形成する。
液によりアルミ層104をエッチングし、シリコン層103を露出させる。その後、ICP−RIE(Inductively Coupled Plasma - Reactive Ion Etching)によりシリコン層103を垂直方向に異方性エッチングする。このエッチングは絶縁層102が露出するまで行われ、エッチング終了後、硫酸・過酸化水素混合液によりレジストパターン105aおよびアルミ層104を除去する(図12(a)参照)。
ようにレジスト106を塗布する(図12(b)参照)。レジスト106の塗布厚さは10μm程度とする。その後、フォトリソグラフィによりレジスト106にマスクパターンを転写して現像することにより、図16に示すようにアーム構成部103aの先端部分におけるレジスト106が矩形状に除去されたレジストパターン106aを形成する。そして、レジストパターン106aをマスクとしてICP−RIEや通常のRIEなどを行い、アーム構成部103aの先端部分をナノピンセットの把持対象に合わせた形状および大きさに加工する。
a)は図17のG−G’断面を示したものであり、絶縁層102の図示下側(表面側)にはシリコン層103によるアーム部103aの断面が図示されている。図17から判るように、レジスト108は、後述するガード4および連結部5に対応する部分R1,R2、台座7に対応する部分R3および図4の連結部材8に対応する部分R4が残っており、逆に図4に示した貫通孔7a,7bに対応する部分が除去されてベース層101が露出している。
より、ベース層101には貫通孔7a,7bを有する台座7やガード4,連絡部5および連結部材8が形成される。基板100上には、ガード4が形成されたナノピンセット1が複数形成される。次いで、台座上に露出している酸化シリコンから成る絶縁層102を、緩衝フッ化水素溶液を用いてエッチングする。その結果、シリコン層103とベース層101とで挟まれた領域を除いて、絶縁層102が除去される(図13(c)参照)。
よってはFIBなどの加工装置によりグリップ部3aをさらに追加工しても良い。ガード4はナノピンセット1のアーム3A,3Bを保護するものであり、連結部5により台座7に連結されている。ナノピンセット1を使用する際には、連結部5の部分を折って、ガード4をナノピンセット1から外して用いる。
図20は、熱アクチュエータを用いたナノピンセットの一例を示す図である。開閉動作するアーム3Aには、駆動レバー23,24から成る熱アクチュエータが設けられている。一方、静電アクチュエータ6Bが設けられたアーム3Bは、開閉動作は行わず振動動作のみを行う。駆動レバー23,24は、それぞれの梁部23a,梁部24aがアーム3Aに接続されている。梁部24aのX方向の幅は、梁部23aよりも狭く作製されている。
最後に、ナノピンセット1による把持動作の一例を図21,22を参照しながら説明する。前述したように、ナノピンセット1は、XYZステージ等によって3次元方向に移動することができる。まず、図21(a)に示すように、アーム3A,3Bを開いた状態で、ナノピンセット1をZ軸方向に移動してアーム3A,3Bを試料300の方向へと近づける。この段階では、アーム6A,3Bは自由な状態なので、自励発振により所定の振幅で振動している。
Claims (5)
- 開閉自在な一対のアームと、
開閉駆動電圧が印加され、前記一対のアームの少なくとも一方を開閉駆動する静電アクチュエータと、
前記静電アクチュエータが有する電気的等価回路を帰還回路として用いることにより自励発振させ、その自励発振により前記アームを振動させる増幅器と、
前記アームの物体への接触による振動状態の変化を検出する振動状態検出部と、
前記自励発振により振動する前記アームの振幅が非接触時に一定となるように、前記開閉駆動電圧に基づいて前記増幅器の利得を調整する利得調整手段と、を備えたことを特徴とするナノピンセット。 - 請求項1に記載のナノピンセットにおいて、
前記振動状態検出部で検出された前記振動状態の変化に基づき、前記アームによる試料の把持を検出する把持検出手段をさらに備えたことを特徴とするナノピンセット。 - 請求項1または2に記載のナノピンセットにおいて、
前記振動状態の変化は、前記アームの物体への接触による共振振動の振幅の変化、周波数の変化および位相の変化のいずれか一つであることを特徴とするナノピンセット。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載のナノピンセットにおいて、
前記静電アクチュエータは、静止櫛歯電極部と、前記アームに連結されて該アームを駆動する可動櫛歯電極部とを有することを特徴とするナノピンセット。 - 請求項1に記載のナノピンセットによる試料の把持方法であって、
前記振動状態検出部により前記振動状態の変化が検出されるまで、前記ナノピンセットを前記試料が載置された載置部の方向へ移動し、
前記振動状態検出部により前記振動状態の変化が検出されたならば、前記ナノピンセットを前記載置部の方向と逆の方向に所定移動量だけ移動し、
前記移動の後に前記静電アクチュエータにより前記アームを閉駆動し、
前記振動状態検出部により前記振動状態の変化が検出されたならば、前記静電アクチュエータによる前記アームの閉駆動を停止することを特徴とする把持方法。
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