JP4942804B2 - 半導体電力変換装置 - Google Patents
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Description
(1)短絡電流(SC:Short Current)
(2)ゲート駆動電圧低下(UV:Under Voltage)
(3)過熱(Over Temperature)
・スイッチオン状態で電流が導通時に電流導通路の抵抗成分によって発生する損失(導通損)
・スイッチオフ状態からスイッチオン状態への遷移時(ターンオン)、あるいはスイッチオン状態からスイッチオフ状態への遷移時(ターンオフ)に発生する損失(スイッチング損)
このような事象により、過度に温度が上昇して高温となると、半導体スイッチ素子は、破損してしまう。
短絡電流は、主セルと副セルに所定の比率で割り振られた半導体スイッチ素子のチップの内、副セル側に流れる電流が所定閾値を超えた場合として検出される。図9の半導体スイッチ素子1a、1bにおいては、主セルに対応するエミッタを主エミッタEmで示し、副セルに対応するエミッタをセンスエミッタEsで示している。
過熱は、半導体スイッチ素子1aのチップの近傍、あるいは、チップ構成面に形成される温度検出用ダイオード3aに基づいて行われる。温度検出用ダイオードは、所定の順バイアス電流を流しているという状態の下で、そのPN接合部の温度によって、アノードAt−カソードKt間の電圧VFが変化するという性質を持つ。
ゲート駆動電圧低下の検出は、異常検出回路42内のコンパレータで、ゲート駆動電圧低下異常判定閾電圧と異常検出回路42の電源電圧VCLとを大小比較することで行われる。電源電圧VCLは、ゲート駆動アンプ52が出力するゲート信号のハイ電圧と等しく、電源電圧VCLを監視することは、半導体スイッチ素子1aのゲート駆動電圧を監視することとなる。
図1は、本発明の実施の形態1における半導体電力変換装置の構成図である。図1において、変換主回路110は、半導体スイッチ素子1a、1bと逆並列(電流導通の順方向が相互に異なる状態での並列)に接続されたフライホイールダイオード2a、2bを単位として、2つを直列接続した1つのアームとして構成されている。
短絡電流異常の検出のため、例えば、半導体スイッチ素子のチップを構成するセルを主セルと副セルに所定の比率で割り振り、主セルには電力変換用の主回路電流を導通し、副セルには電流量検出用のセンス電流を導通させるマルチエミッタ方式のチップを用いて、電流を検出するものがある。セルは、それぞれがスイッチング動作を行う微細な素子の最小単位であり、チップは、多数のセルによって構成されている。
過熱の検出は、半導体スイッチ素子1aのチップの近傍、あるいは、チップ構成面に形成される温度検出用ダイオード3aに基づいて行われる。この検出は、温度検出用ダイオードの電極のアノードAtとカソードKtの間の電圧VFが、ダイオード3aのPN接合部分の温度によって変化することを利用している。
ゲート駆動電圧低下の検出は、異常検出回路42内のコンパレータで、ゲート駆動電圧低下異常判定閾電圧と異常検出回路42の電源電圧VCLとを大小比較することで行われる。電源電圧VCLは、ゲート駆動アンプ52が出力するゲート信号のハイ電圧と等しく、電源電圧VCLを監視することは、半導体スイッチ素子1aのゲート駆動電圧を監視することとなる。
入力信号1:異常検出回路42からの異常検出の有無と、異常検出有り時の検出要因の情報
入力信号2:チップ温度信号生成部45からのチップ温度のパルス幅変調信号
入力信号3:チップ電流信号生成部46からの半導体スイッチ素子の電流量(チップ電流量)のパルス幅変調信号
入力信号4:ゲート駆動電圧信号生成部48からのゲート駆動電圧量のパルス幅変調信号
(1)パルス幅がΔsからΔth1の場合 :短絡電流有り
(2)パルス幅がΔth1からΔth2の場合 :過熱有り
(3)パルス幅がΔth2からΔth3の場合 :ゲート駆動電圧低下有り
(4)パルス幅がΔth3から(ΔT−Δc)の場合:予備(その他要因有り)
入力信号1:異常検出回路42からの異常検出の有無と、異常検出有り時の検出要因の情報
入力信号2:チップ温度信号生成部45からのチップ温度のパルス幅変調信号
入力信号3:チップ電流信号生成部46からの半導体スイッチ素子の電流量(チップ電流量)のパルス幅変調信号
入力信号4:ゲート駆動電圧信号生成部48からのゲート駆動電圧量のパルス幅変調信号
入力信号5:キャリア波生成手段47からの第一キャリア波471、および第二キャリア波472
・送信データとしてチップ電流を毎周期送信しつつも、異常を検出した場合には次タイミングの送信データを異常検出信号とする。
・また、チップ電流よりも変化速度が遅い信号であるチップ温度、ゲート駆動電圧については、値の変化が有った場合にのみデータを送信する。あるいは、チップ電流データを所定の回数だけ送信した後に、チップ温度、ゲート駆動電圧のデータを送信する。
本実施の形態2では、フレームの属性を識別するための識別符号部の波形が、先の実施の形態1とは異なる場合について説明する。図6は、本発明の実施の形態2における半導体電力変換装置が外部装置へ伝送する二値論理信号のデータフレームの波形説明図である。当該信号は、時間ΔTを送信データの更新周期としており、時間ΔTごとに1つのデータフレームを送信する。
(1)計測時間Δt_pがΔpからΔty1の場合 :異常検出
(2)計測時間Δt_pがΔty1からΔty2の場合:チップ温度
(3)計測時間Δt_pがΔty2からΔty3の場合:チップ電流
(4)計測時間Δt_pがΔty3からΔsの場合 :ゲート駆動電圧
本実施の形態3では、本発明の半導体電力変換装置を、三相インバータに適用する場合について説明する。図8は、本発明の実施の形態3における三相インバータとなる半導体電力変換装置100の構成図である。図8において、半導体スイッチ素子1a、1bと逆並列に接続されたフライホイールダイオード2a、2bを単位として、2つを直列接続したアームとして構成された変換主回路110を、それぞれ三相のU相、V相、W相に対応して、3本を並列に接続している。図8においては、半導体スイッチ素子1a、1bとして、IGBTを適用した場合を表記している。
Claims (6)
- 異なる基準電位に基づいてスイッチング動作を行う半導体スイッチ素子を2個以上直列接続して構成され、前記半導体スイッチ素子のそれぞれのスイッチオン状態とスイッチオフ状態を切り替えて電力変換を行う半導体電力変換装置であって、
前記異なる基準電位に対応するそれぞれの半導体スイッチ素子の異常検出要因および所定の物理量を状態検知情報として検知し、基準電位が異なる外部装置へ伝送するために個別に設けられた情報伝送回路部を備え、
前記情報伝送回路部のそれぞれは、検知した前記状態検知情報に応じて、前記異常検出要因および前記所定の物理量を識別可能な二値論理信号を生成し、生成した前記二値論理信号を単一の絶縁素子を介して前記外部装置へ伝送する
ことを特徴とする半導体電力変換装置。 - 請求項1に記載の半導体電力変換装置において、
前記情報伝送回路部のそれぞれは、検知した前記状態検知情報ごとに、前記状態検知情報の属性を示す識別符号部と、検知した前記状態検知情報の前記属性に応じた内容を示すデータ本体とから構成されたデータフレームを一単位とする前記二値論理信号を生成し、前記データフレームを一単位ごとに前記外部装置へ伝送する
ことを特徴とする半導体電力変換装置。 - 請求項2に記載の半導体電力変換装置において、
前記情報伝送回路部のそれぞれは、前記状態検知情報の前記属性に対応してあらかじめ規定されたパルス信号数として符号化することで前記識別符号部における二値論理信号を生成する
ことを特徴とする半導体電力変換装置。 - 請求項2に記載の半導体電力変換装置において、
前記情報伝送回路部のそれぞれは、前記状態検知情報の前記属性に対応してあらかじめ規定されたパルス信号幅として符号化することで前記識別符号部における二値論理信号を生成する
ことを特徴とする半導体電力変換装置。 - 請求項2ないし4のいずれか1項に記載の半導体電力変換装置において、
前記情報伝送回路部のそれぞれは、前記状態検知情報の前記内容に対応してあらかじめ規定されたパルス信号幅として符号化することで前記データ本体における二値論理信号を生成する
ことを特徴とする半導体電力変換装置。 - 請求項2ないし5のいずれか1項に記載の半導体電力変換装置において、
前記情報伝送回路部は、前記状態検知情報の前記属性として、異常検出の有無、および前記半導体スイッチ素子の温度、電流、ゲート駆動電圧の各物理量のいずれであるかを識別可能とする前記二値論理信号を生成し、前記状態検知情報の前記内容として、前記異常検出要因の種別、および前記半導体スイッチ素子の前記温度、前記電流、前記ゲート駆動電圧の各物理量の値を識別可能とする前記二値論理信号を生成する
ことを特徴とする半導体電力変換装置。
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