JP4940441B2 - 画像センサのための多点相関サンプリング - Google Patents
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- 238000005070 sampling Methods 0.000 title claims description 78
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 41
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 22
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 19
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 15
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 230000004044 response Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 101100041125 Arabidopsis thaliana RST1 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100024735 Resistin Human genes 0.000 description 1
- 101100443250 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) DIG1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 101150091950 retn gene Proteins 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
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- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
- H04N25/621—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming
- H04N25/622—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels for the control of blooming by controlling anti-blooming drains
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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- H—ELECTRICITY
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
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Description
PSはピクセル毎に増幅器を有し各ピクセル毎に雑音を補償することができる。APSは従来からのPPS画像センサ回路と比較して読み出し感度を増加させてきた。
クセルサイズが減少される時でもAPS程には劣化しない。この属性は多くの商業的マーケットにおいて効果を有する。例えばハンドヘルドやセルフォンマーケットにおいて小さいサイズという制約条件を満たすべき製品を製造しコストが相当増加したとしてもより小さなピクセルを有している製品に向かうという流れがある。PPSピクセルはこれらに対して効果のある選択肢であり得そして多くの他のマーケットに対してもである。
ピクセル13の読み出し(図3)のための転送ゲート20を駆動するために使用される。パルスTX(図4)の直前にパルスSHRを印加することによって最初のサンプル点VRSTがピクセルが読み出される直前に発生する。このようにして、第一のサンプル点VRSTはリセットの終わり近くであってピクセルの読み出しの始めより前に問われる。
VRST-i=1−VRST-i=2−VRST-i=N+VSIG=(VRST-1−VRST-2)+(VSIG−VRST-N) (1)
N=2対してはi=2はまたi=Nであり式(1)は以下の如くなる。
したがってN=2に対してはリセット信号に対するただ二つだけの例があるだけなので、最後のリセットサンプルは2度使われなければならない(例えば2度引かれるまたは2倍された後で引かれる)。式(2)をハードウェアに実装する時、(2*VRST-i=N=2)を達成するために2Xゲインを採用することが実用的かもしれない(すなわち同じ信号値を2回使うために)。
リセット値をサンプルホールドした後、ピクセル13は列線23に接続され、これはピクセル信号が積分回路40の増幅器42に集積されるようにする。集積されたピクセル信号はピクセル13によって集められた電荷に対応するが、しかし暗電流も含む。集積されたピクセル信号はVSIGとしてサンプルホールドされる。VSIGはVRST-i=Nの前述のサンプリングの後に時間TSMPでサンプルされる。かくしてVRST-1およびVRST-2の間に生ずる暗電流はTSMPだけ広げられた各連続サンプル組の間に生
ずる暗電流に対応し、これは方程式(1)のVRST-i=NおよびVSIG間に生ずる暗電流を含む。他の例としてVSIGは前のサンプルされたリセット信号(例えば1/2TSMPの時またはVRST-i=Nの後の2TSMP)の後に異なった対応する時間でサンプルされる。
電圧はCsmplの上電極へ印加される。次に図7に示すように以前に印加されたパルス(SW4、SW5)は低となり一連のパルスはSW6、SW7に印加されてVSIGを、増幅器95とCfbへと集積する。VSIGのサンプリングは多点サンプリングにおける最終点を表わす。図6の特定の回路の実施例においてSW9は閉じられ、以前に計算された差分[(VRST-i=1−VRST-i=2)−VRST-i=3](Cfb上に保持)はキャパシタCacの最も右の電極に印加され、VSIGに対応するサンプル値はキャパシタCac(SW7を介して)の最も左の電極に印加される。VSIG(SW4、SW5)をサンプルするためのスイッチ構成はリセット電圧をサンプルするために使われるスイッチ構成(すなわちSW3、SW6スイッチ構成)に比較してCsmpl上に記憶された電圧の極性を反転し、これによって相関サンプル回路90上に集積されたサンプルされたVSIGは−VSIGとして参照される。Cacにおける結果の差分(例えば[(VRST-i=1−VRST-i=2)−VRST-i=3−(−VSIG)])が増幅器95に加えられ式(1)を
VRST-i=1−VRST-i=2−VRST-i=N+VSIG=(VRST-1−VRST-2)+((VSIG−VRSTN)(1)
を計算する。
ル点望ましくは同じサンプル点TSMPに渡ってのピクセル信号の転送後に生じる暗電流を決定するために使われる。例えば図7に示すように同じ時間TSMPは第一のリセットサンプル点の端部と第二のリセットサンプル点の端部の間に用いられ、これは最後のリセットサンプル点の端とピクセル信号のサンプル点の端との間に用いられているものと同様である。したがってその差(VRST-i=1−VRST-i=2)は二つのリセットサンプル点の間に生ずる暗電流(−DKTSMP)を表わすだけでなく、VRST-i=Nおよびピクセル信号サンプル点VSIGの間に生ずる暗電流もまた表わす。[VRST-i=1−VRST-i=2](すなわち−DKTSMP)を[VSIG−VRST-i=N](ピクセル信号+DKTSMP)に加えることによって暗電流(DKTSMP)は除去される。
米国の特許証によって新規でかつ保護されることを望むものとして請求されているもの。
Claims (5)
- 画像センサにおいて、
受動ピクセルセンサのアレイと、
前記アレイの1またはそれ以上の受動ピクセルセンサによって集められた電荷を受信しリセット電圧を受信しそして対応する積分回路出力信号を発生するための積分回路と、
少なくとも第一及び第二のリセット信号(V RST - 1 、V RST - 2 )と、ピクセルセンサの出力に対応したピクセル出力信号(VSIG )とを、それぞれサンプルホールドするための相関サンプリング回路であって、前記第一及び第二のリセット信号の間の差分と、前記第一及び第二のリセット信号のうちの1つと前記ピクセル出力信号との間の差分とに対応した出力信号を生成するための相関サンプリング回路と、
を備え、
前記相関サンプリング回路は、前記第一のリセット信号(V RST - 1 )、前記第二のリセット信号(V RST - 2 )、及び前記ピクセル出力信号(V SIG )を受信する少なくとも1つのサンプルホールドキャパシタを備え、該少なくとも1つのサンプルホールドキャパシタ上に保持される電圧に対応した信号を受信して、(V RST - 1 −V RST - 2 )+(V SIG −V RST - 2 )との式で表される信号を生成する、
ことを特徴とする画像センサ。 - 前記第一のリセット信号(VRST-1 )が最初にサンプルホールドされ、前記第二のリセット信号(VRST-2 )が二番目にサンプルホールドされ、そして前記ピクセル出力信号(VSIG )が三番目にサンプルホールドされることを特徴とする請求項1記載の画像センサ。
- 画像センサにおいて、
受動ピクセルセンサのアレイと、
前記アレイの1またはそれ以上の受動ピクセルセンサによって集められた電荷を受信しリセット電圧を受信しそして対応する積分回路出力信号を発生するための積分回路と、
少なくとも第一、第二、及び第三のリセット信号(V RST - 1 、V RST - 2 、V RST - 3 )と、ピクセルセンサの出力に対応したピクセル出力信号(V SIG )とを、それぞれサンプルホールドするための相関サンプリング回路であって、前記第一、第二、及び第三のリセット信号のうちの2つの間の差分と、前記第一、第二、及び第三のリセット信号のうちの1つと前記ピクセル出力信号との間の差分とに対応した出力信号を生成するための相関サンプリング回路と、
を備え、
前記相関サンプリング回路は、前記第一のリセット信号(VRST-1 )、前記第二のリセット信号(VRST-2 )、前記第三のリセット信号(VRST-3 )、及び前記ピクセル出力信号(VSIG )を受信する少なくとも1つのサンプルホールドキャパシタを備え、該少なくとも1つのサンプルホールドキャパシタ上に保持される電圧に対応した信号を受信して、(VRST-1−VRST-2)+(VSIG−VRST-3)との式で表される信号を生成する、
ことを特徴とする画像センサ。 - 前記第一のリセット信号(VRST-1 )が最初にサンプルホールドされ、前記第二のリセット信号(VRST-2 )が二番目にサンプルホールドされ、前記第三のリセット信号(VRST-3 )が三番目にサンプルホールドされ、そして前記ピクセル出力信号(VSIG )が四番目にサンプルホールドされることを特徴とする請求項3記載の画像センサ。
- 撮像装置の製造方法において、
受動ピクセルセル及び読み出し回路を備えたピクセルアレイを、集積回路チップ上に形成することと、
積分回路と、少なくとも第一のリセット信号(V RST - 1 )、第二のリセット信号(V RST - 2 )、第三のリセット(V RST - 3 )、及びピクセル電荷信号(VSIG )をサンプルホールドして、調節されたピクセル信号を生成するための相関サンプリング回路とを、前記集積回路チップ上に形成することと、
アナログ信号を、前記ピクセルアレイから前記積分回路に送信し、また、前記積分回路から前記相関サンプリング回路に送信するための接続を形成することと、
を含み、
前記相関サンプリング回路を形成することは、前記第一のリセット信号(V RST - 1 )、前記第二のリセット信号(V RST - 2 )、前記第三のリセット信号(V RST - 3 )、及び前記ピクセル電荷信号(V SIG )を受信するための少なくとも1つのサンプルホールドキャパシタを形成することを含み、
前記少なくとも1つのサンプルホールドキャパシタを形成することは、前記少なくとも1つのサンプルホールドキャパシタに保持される電圧に対応した信号を受信して、(V RST - 1 −V RST - 2 )+(V SIG −V RST - 3 )との式で表される信号を生成するための差分増幅器を形成することを含む、
ことを特徴とする撮像装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/105,409 | 2005-04-14 | ||
US11/105,409 US7282685B2 (en) | 2005-04-14 | 2005-04-14 | Multi-point correlated sampling for image sensors |
PCT/US2006/013650 WO2006113271A1 (en) | 2005-04-14 | 2006-04-12 | Multi-point correlated sampling for image sensors |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008537408A JP2008537408A (ja) | 2008-09-11 |
JP4940441B2 true JP4940441B2 (ja) | 2012-05-30 |
Family
ID=36605648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008506636A Active JP4940441B2 (ja) | 2005-04-14 | 2006-04-12 | 画像センサのための多点相関サンプリング |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7282685B2 (ja) |
EP (1) | EP1872571A1 (ja) |
JP (1) | JP4940441B2 (ja) |
KR (1) | KR100928101B1 (ja) |
CN (1) | CN101160956A (ja) |
TW (1) | TWI309112B (ja) |
WO (1) | WO2006113271A1 (ja) |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006047268A1 (en) * | 2004-10-21 | 2006-05-04 | Massachusetts Institute Of Technology | Analog storage cell with low leakage |
US7282685B2 (en) * | 2005-04-14 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Multi-point correlated sampling for image sensors |
US7864229B2 (en) * | 2005-12-08 | 2011-01-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Analog to digital converting device and image pickup device for canceling noise, and signal processing method thereof |
KR100746197B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2007-08-06 | 삼성전자주식회사 | 공급 전원 및 스위칭 노이즈를 제거할 수 있는 이미지센서의 기준 전압 발생기, 칼럼 아날로그-디지털 변환장치, 이미지 센서, 및 칼럼 아날로그-디지털 변환방법 |
US7847846B1 (en) * | 2006-05-16 | 2010-12-07 | University Of Rochester | CMOS image sensor readout employing in-pixel transistor current sensing |
US7990452B2 (en) * | 2007-01-31 | 2011-08-02 | Aptina Imaging Corporation | Apparatus, methods and systems for amplifier |
US8094223B1 (en) * | 2007-05-30 | 2012-01-10 | On Semiconductor Trading Ltd. | Bus driving in an image sensor |
US7782383B2 (en) * | 2007-06-18 | 2010-08-24 | Aptina Imaging Corporation | Noise and parasitic capacitance reduction for 1T pixel CMOS image sensors |
US7872676B2 (en) * | 2007-07-13 | 2011-01-18 | Micron Technology, Inc. | Methods, systems, and devices for offset compensation in CMOC imagers |
US20090039956A1 (en) * | 2007-08-07 | 2009-02-12 | Micron Technology, Inc. | Amplifier circuits, imager, system and method of operation |
US7956914B2 (en) | 2007-08-07 | 2011-06-07 | Micron Technology, Inc. | Imager methods, apparatuses, and systems providing a skip mode with a wide dynamic range operation |
US7858914B2 (en) | 2007-11-20 | 2010-12-28 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus for reducing dark current and hot pixels in CMOS image sensors |
US7619197B2 (en) * | 2008-02-04 | 2009-11-17 | Carestream Health, Inc. | Digital radiographic imaging apparatus |
US7760019B2 (en) * | 2008-03-04 | 2010-07-20 | Micron Technology, Inc. | Adaptive operational transconductance amplifier load compensation |
CN101557456B (zh) * | 2008-04-10 | 2010-12-29 | 联咏科技股份有限公司 | 相关二重取样电路及互补金属氧化物半导体影像感测单元 |
US8077240B2 (en) | 2008-04-23 | 2011-12-13 | Inernational Business Machines Corporation | Methods for enhancing quality of pixel sensor image frames for global shutter imaging |
US8072525B1 (en) * | 2008-06-18 | 2011-12-06 | Infrared Newco, Inc. | Imaging signal processing methods and apparatus |
US20090321799A1 (en) * | 2008-06-25 | 2009-12-31 | Velichko Sergey A | Method and apparatus for increasing conversion gain in imagers |
CN101674416B (zh) * | 2008-09-11 | 2012-01-04 | 深圳市奥尼克斯实业有限公司 | 一种低照度摄像机降低噪声提升增益的方法 |
EP2377156A2 (en) * | 2008-12-16 | 2011-10-19 | Hiok Nam Tay | Noise-cancelling image sensors |
JP4917618B2 (ja) * | 2009-01-16 | 2012-04-18 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 相関二重サンプリング装置及びイメージセンサシステム |
DE102009019034A1 (de) | 2009-04-27 | 2010-10-28 | Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg | Bildsensor |
JP2011004390A (ja) * | 2009-05-18 | 2011-01-06 | Canon Inc | 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置の駆動方法 |
TWI412229B (zh) * | 2009-10-06 | 2013-10-11 | Himax Tech Ltd | 多通道積分器 |
KR101077408B1 (ko) * | 2010-02-05 | 2011-10-26 | 서강대학교산학협력단 | Cmos 이미지 센서 |
KR101785131B1 (ko) * | 2010-03-22 | 2017-10-12 | 홀로직, 인크. | 디지털 촬상을 위한 상관해제된 채널 샘플링 |
JP5601001B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-10-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 |
CN102244517B (zh) * | 2010-05-11 | 2014-07-09 | 迅宏科技股份有限公司 | 共享的交换电容式积分器及三角积分调变器及运作方法 |
EP2589084B1 (en) * | 2010-06-30 | 2016-11-16 | Life Technologies Corporation | Transistor circuits for detection and measurement of chemical reactions and compounds |
KR101198249B1 (ko) * | 2010-07-07 | 2012-11-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지센서의 컬럼 회로 및 픽셀 비닝 회로 |
KR101171778B1 (ko) | 2010-08-16 | 2012-08-06 | 주식회사 동부하이텍 | 수동형 이미지 센서 및 그 동작 방법 |
KR101697519B1 (ko) | 2010-09-08 | 2017-01-19 | 삼성전자주식회사 | 깊이 센싱 장치 및 방법 |
JP5858652B2 (ja) * | 2011-06-08 | 2016-02-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
US8987646B2 (en) * | 2011-06-10 | 2015-03-24 | Semiconductor Components Industries, Llc | Pixel and method |
JP2013062611A (ja) * | 2011-09-12 | 2013-04-04 | Sony Corp | 固体撮像素子およびカメラシステム |
CN102510452A (zh) * | 2011-10-18 | 2012-06-20 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于cmos有源像素传感器的相关三采样电路 |
EP2634589B1 (en) * | 2012-02-28 | 2014-10-29 | Dialog Semiconductor GmbH | Battery wake-up |
US10297630B2 (en) * | 2012-06-18 | 2019-05-21 | Forza Silicon Corporation | Pinned charge transimpedance amplifier |
KR101401263B1 (ko) * | 2012-09-06 | 2014-05-29 | 주식회사 룩센테크놀러지 | 탠덤형 상관 이중 샘플링 회로 및 이미지 센서 장치 |
JP5990080B2 (ja) * | 2012-10-05 | 2016-09-07 | キヤノン株式会社 | 撮像システム、および撮像システムの駆動方法 |
KR102054368B1 (ko) | 2013-09-09 | 2019-12-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그 구동 방법 |
KR102136055B1 (ko) * | 2014-01-08 | 2020-07-21 | 삼성전자 주식회사 | 오픈-루프 증폭기를 포함하는 비전 센서 칩, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 데이터 처리 시스템 |
US9704572B2 (en) * | 2015-03-20 | 2017-07-11 | Sandisk Technologies Llc | Sense amplifier with integrating capacitor and methods of operation |
JP6880709B2 (ja) * | 2016-12-20 | 2021-06-02 | 株式会社リコー | 光電変換装置、光電変換方法及び画像形成装置 |
US10735683B1 (en) | 2019-04-09 | 2020-08-04 | Obsidian Sensors, Inc. | Systems and methods for low-power image digitization |
JP2024521603A (ja) * | 2021-05-28 | 2024-06-04 | ヴァレックス イメージング コーポレイション | 組み合わせたイメージングアレイとストリップ及びピクセルノイズキャンセリングシステム |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04126477A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-27 | Sanyo Electric Co Ltd | デジタルccdカメラ |
JPH11355670A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-12-24 | Hewlett Packard Co <Hp> | ピクセルセンサ列増幅器のア―キテクチャ |
JP2001169184A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-06-22 | Eastman Kodak Co | 拡大されたダイナミックレンジを有するcmosイメージセンサ |
JP2004112740A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-04-08 | Fujitsu Ltd | 画質を向上させたイメージセンサ |
JP2005027013A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Sharp Corp | 増幅型固体撮像装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4203413C2 (de) | 1992-02-06 | 1993-11-25 | Fraunhofer Ges Forschung | Mehrfachabtastungsverfahren |
US5751189A (en) * | 1995-10-03 | 1998-05-12 | Omnivision Technologies, Inc. | Charge amplifier for MOS imaging array and method of making same |
US5892540A (en) * | 1996-06-13 | 1999-04-06 | Rockwell International Corporation | Low noise amplifier for passive pixel CMOS imager |
US6421085B1 (en) * | 1998-04-14 | 2002-07-16 | Eastman Kodak Company | High speed CMOS imager column CDS circuit |
KR100265364B1 (ko) * | 1998-06-27 | 2000-09-15 | 김영환 | 넓은 동적 범위를 갖는 씨모스 이미지 센서 |
US6512546B1 (en) * | 1998-07-17 | 2003-01-28 | Analog Devices, Inc. | Image sensor using multiple array readout lines |
US7133074B1 (en) * | 1999-09-28 | 2006-11-07 | Zoran Corporation | Image sensor circuits including sampling circuits used therein for performing correlated double sampling |
JP3965049B2 (ja) * | 2001-12-21 | 2007-08-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 撮像装置 |
US6586789B1 (en) * | 2002-10-07 | 2003-07-01 | Lixin Zhao | Pixel image sensor |
KR100994993B1 (ko) * | 2004-03-16 | 2010-11-18 | 삼성전자주식회사 | 서브 샘플링된 아날로그 신호를 평균화하여 디지털 변환한영상신호를 출력하는 고체 촬상 소자 및 그 구동 방법 |
US7282685B2 (en) * | 2005-04-14 | 2007-10-16 | Micron Technology, Inc. | Multi-point correlated sampling for image sensors |
-
2005
- 2005-04-14 US US11/105,409 patent/US7282685B2/en active Active
-
2006
- 2006-04-12 WO PCT/US2006/013650 patent/WO2006113271A1/en active Application Filing
- 2006-04-12 EP EP06740897A patent/EP1872571A1/en not_active Withdrawn
- 2006-04-12 KR KR1020077025855A patent/KR100928101B1/ko active IP Right Grant
- 2006-04-12 CN CNA2006800119777A patent/CN101160956A/zh active Pending
- 2006-04-12 JP JP2008506636A patent/JP4940441B2/ja active Active
- 2006-04-14 TW TW095113293A patent/TWI309112B/zh active
-
2007
- 2007-09-12 US US11/898,433 patent/US7476836B2/en active Active
-
2008
- 2008-12-15 US US12/335,249 patent/US20090166515A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04126477A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-04-27 | Sanyo Electric Co Ltd | デジタルccdカメラ |
JPH11355670A (ja) * | 1998-05-11 | 1999-12-24 | Hewlett Packard Co <Hp> | ピクセルセンサ列増幅器のア―キテクチャ |
JP2001169184A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-06-22 | Eastman Kodak Co | 拡大されたダイナミックレンジを有するcmosイメージセンサ |
JP2004112740A (ja) * | 2002-07-25 | 2004-04-08 | Fujitsu Ltd | 画質を向上させたイメージセンサ |
JP2005027013A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Sharp Corp | 増幅型固体撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080006764A1 (en) | 2008-01-10 |
US7476836B2 (en) | 2009-01-13 |
US20060231733A1 (en) | 2006-10-19 |
US7282685B2 (en) | 2007-10-16 |
KR20070118299A (ko) | 2007-12-14 |
CN101160956A (zh) | 2008-04-09 |
JP2008537408A (ja) | 2008-09-11 |
TW200707922A (en) | 2007-02-16 |
TWI309112B (en) | 2009-04-21 |
EP1872571A1 (en) | 2008-01-02 |
US20090166515A1 (en) | 2009-07-02 |
WO2006113271A1 (en) | 2006-10-26 |
KR100928101B1 (ko) | 2009-11-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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A711 | Notification of change in applicant |
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|
R155 | Notification before disposition of declining of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R155 |
|
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