JP4932881B2 - グラファイト基板前処理方法 - Google Patents
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Description
(1)グラファイト基板の電気めっき前に使用する表面処理方法であって、該処理方法が以下のステップ:
(A)洗浄:溶剤を利用し、グラファイト基板表面を洗浄し、グラファイト基板表面の汚れ及び顆粒を除去し;
(B)脱脂:pH値を利用し、pH3〜pH9の間に介在するソルビタン系活性剤を利用し、グラファイト基板表面に付着する油脂を除去し、;
(C)水洗:グラファイト基板表面に脱脂を行った後、表面に残留する溶剤を洗浄し;
(D)活性化:濃度が3%〜50%の間に介在する稀釈硝酸を利用しグラファイト基板表面を洗浄し、グラファイト基板表面の脱脂及び水洗により発生した酸化物を除去し、グラファイト基板表面に結晶組織を露出させ;
(E)水洗:グラファイト基板表面の活性化により残留した硝酸を洗浄する;
に基づき、行い、
グラファイト基板に電気めっき工程を行い、グラファイト基板表面に金属層をめっき可能にするグラファイト基板前処理方法。
(2)前記ステップD及びステップEを1回以上重複して行う(1)記載のグラファイト基板前処理方法。
(3)前記ステップAは、溶剤を利用し、グラファイト基板表面を洗浄時、超音波洗浄方式で行うことができる(1)記載のグラファイト基板前処理方法。
(4)アルミ材質を含むグラファイト基板の電気めっき前に使用する表面処理方法であって、該処理方法が以下のステップ:
(A)洗浄:溶剤を利用し、グラファイト基板表面を洗浄し、グラファイト基板表面の汚れ及び顆粒を除去し;
(B)脱脂:pH値を利用し、pH3〜pH9の間に介在するソルビタン系活性剤を利用し、グラファイト基板表面に付着する油脂を除去し、;
(C)水洗:グラファイト基板表面に脱脂を行った後、表面に残留する溶剤を洗浄し;
(D)活性化:濃度が3%〜50%の間に介在する稀釈硝酸を利用しグラファイト基板表面を洗浄し、グラファイト基板表面の脱脂及び水洗により発生した酸化物を除去し、グラファイト基板表面に結晶組織を露出させ;
(E)水洗:グラファイト基板表面の活性化により残留した硝酸を洗浄し;
(F)亜鉛置換工程:亜鉛置換液を利用し、亜鉛イオンをアルミ表面に置換し、表面に一層の亜鉛金属薄膜を形成し;
(G)水洗:グラファイト基板表面に残留する亜鉛置換液を洗浄する;
に基づき、行うグラファイト基板前処理方法。
(5)前記ステップDからステップGを1回以上重複して行う(4)記載のグラファイト基板前処理方法。
(6)前記ステップAは、溶剤を利用し、グラファイト基板表面を洗浄時、超音波洗浄方式で行うことができる(4)記載のグラファイト基板前処理方法。
(A)洗浄:溶剤を利用し、グラファイト基板表面を洗浄し、グラファイト基板表面の汚れ及び顆粒を除去し、且つ溶剤がグラファイトの表面を洗浄する時、超音波振動の機械力を利用し、溶剤中に無数の小さな気泡を発生させ、これら小さな気泡が生長を形成し、閉じ合う時、強大な振動力を発生し、グラファイト基板表面に付着した汚れ及び顆粒を迅速に離脱させ、より徹底したグラファイト基板表面の洗浄を行う。
(B)脱脂:pH値を利用し、pH3〜pH9の間に介在するソルビタン系活性剤を利用し、グラファイト基板表面に付着する油脂を除去し、有機溶剤のPH値が中性に近くなっているので、グラファイト基板表面を比較的侵蝕しない。
(C)水洗:グラファイト基板表面に脱脂を行った後、表面に残留する溶剤を洗浄し、且つステップBが使用する溶剤グラファイト基板表面に対して侵蝕しないので、この水洗ステップは、更に溶剤を清潔に洗浄することができる。
(D)活性化:濃度が3%〜50%の間に介在する稀釈硝酸を利用しグラファイト基板表面を洗浄し、グラファイト基板表面の脱脂及び水洗により発生した酸化物を除去し、グラファイト基板表面に結晶組織を露出させ、グラファイト基板表面に金属層を電気めっきした後、金属層がグラファイト基板表面において良好な結合力を有し、且つこの濃度範囲の硝酸は、グラファイト基板表面を比較的侵蝕しない。
(E)水洗:グラファイト基板表面の活性化により残留した硝酸を洗浄し、且つステップDが使用する硝酸がグラファイト基板表面に対して比較的侵蝕しないので、この水洗ステップは、より硝酸を清潔に洗浄できる。
(A)洗浄:溶剤を利用し、グラファイト基板表面を洗浄し、グラファイト基板表面の汚れ及び顆粒を除去し、且つ溶剤がグラファイトの表面を洗浄する時、超音波振動の機械力を利用し、溶剤中に無数の小さな気泡を発生させ、これら小さな気泡が生長を形成し、閉じ合う時、強大な振動力を発生し、グラファイト基板表面に付着した汚れ及び顆粒を迅速に離脱させ、より徹底したグラファイト基板表面の洗浄を行う。
(B)脱脂:pH値を利用し、pH3〜pH9の間に介在するソルビタン系活性剤を利用し、グラファイト基板表面に付着する油脂を除去し、有機溶剤のpH値が中性に近くなっているので、グラファイト基板表面を比較的侵蝕しない。
(C)水洗:グラファイト基板表面に脱脂を行った後、表面に残留する溶剤を洗浄し、且つステップBが使用する溶剤グラファイト基板表面に対して侵蝕しないので、この水洗ステップは、更に溶剤を清潔に洗浄することができる。
(D)活性化:濃度が3%〜50%の間に介在する硝酸を利用しグラファイト基板表面を洗浄し、グラファイト基板表面の脱脂及び水洗により発生した酸化物を除去し、グラファイト基板表面に結晶組織を露出させ、グラファイト基板表面に金属層を電気めっきした後、金属層がグラファイト基板表面において良好な結合力を有し、且つこの濃度範囲の硝酸は、グラファイト基板表面を比較的侵蝕しない。
(E)水洗:グラファイト基板表面の活性化により残留した硝酸を洗浄し、且つステップDが使用する硝酸がグラファイト基板表面に対して比較的侵蝕しないので、この水洗ステップは、より硝酸を清潔に洗浄できる。
(F)亜鉛置換工程:亜鉛置換液を利用し、亜鉛イオンをアルミ表面に置換し、表面に一層の亜鉛金属薄膜を形成し、アルミ材質を含むグラファイト基板に電気めっき工程を行うことに有利にする。
(G)水洗:グラファイト基板表面に残留する亜鉛置換液を洗浄する。
Claims (6)
- グラファイト基板の電気めっき前に使用する表面処理方法であって、該処理方法が以下のステップ:
(A)洗浄:溶剤を利用し、グラファイト基板表面を洗浄し、グラファイト基板表面の汚れ及び顆粒を除去し;
(B)脱脂:pH値を利用し、pH3〜pH9の間に介在するソルビタン系活性剤を利用し、グラファイト基板表面に付着する油脂を除去し、;
(C)水洗:グラファイト基板表面に脱脂を行った後、表面に残留する溶剤を洗浄し;
(D)活性化:濃度が3%〜50%の間に介在する稀釈硝酸を利用しグラファイト基板表面を洗浄し、グラファイト基板表面の脱脂及び水洗により発生した酸化物を除去し、グラファイト基板表面に結晶組織を露出させ;
(E)水洗:グラファイト基板表面の活性化により残留した硝酸を洗浄する;
に基づき、行い、
グラファイト基板に電気めっき工程を行い、グラファイト基板表面に金属層をめっき可能にするグラファイト基板前処理方法。 - 前記ステップD及びステップEを1回以上重複して行う請求項1記載のグラファイト基板前処理方法。
- 前記ステップAは、溶剤を利用し、グラファイト基板表面を洗浄時、超音波洗浄方式で行うことができる請求項1記載のグラファイト基板前処理方法。
- アルミ材質を含むグラファイト基板の電気めっき前に使用する表面処理方法であって、該処理方法が以下のステップ:
(A)洗浄:溶剤を利用し、グラファイト基板表面を洗浄し、グラファイト基板表面の汚れ及び顆粒を除去し;
(B)脱脂:pH値を利用し、pH3〜pH9の間に介在するソルビタン系活性剤を利用し、グラファイト基板表面に付着する油脂を除去し、;
(C)水洗:グラファイト基板表面に脱脂を行った後、表面に残留する溶剤を洗浄し;
(D)活性化:濃度が3%〜50%の間に介在する稀釈硝酸を利用しグラファイト基板表面を洗浄し、グラファイト基板表面の脱脂及び水洗により発生した酸化物を除去し、グラファイト基板表面に結晶組織を露出させ;
(E)水洗:グラファイト基板表面の活性化により残留した硝酸を洗浄し;
(F)亜鉛置換工程:亜鉛置換液を利用し、亜鉛イオンをアルミ表面に置換し、表面に一層の亜鉛金属薄膜を形成し;
(G)水洗:グラファイト基板表面に残留する亜鉛置換液を洗浄する;
に基づき、行うグラファイト基板前処理方法。 - 前記ステップDからステップGを1回以上重複して行う請求項4記載のグラファイト基板前処理方法。
- 前記ステップAは、溶剤を利用し、グラファイト基板表面を洗浄時、超音波洗浄方式で行うことができる請求項4記載のグラファイト基板前処理方法。
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