JP4931530B2 - 電力コンバータ - Google Patents
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Description
磁束エネルギー蓄積要素に流れる電流を周期的にサンプリングし、その結果を基に充電期間を推定することで、安定した出力電圧を出力ノードに供給することもできる。
本明細書では、「充電サイクル」および「充電モード」という言葉は、電流/電気エネルギーの流れが、電荷蓄積要素(たとえばコンデンサ)、または磁束エネルギー蓄積要素(たとえばインダクタまたは変圧器)に供給されている期間を指す。充電サイクルまたは充電モードの期間は、充電パルス期間または充電期間とも呼ばれる。
本明細書に記載された推定式コンダクタンスモード制御は、主として電力コンバータ中で使用するためのものである。その結果得られるECM電力コンバータは、関連する電圧制御要素を用いて、または用いずに使用することができる。一応用例では、EMC電力コンバータは、レーザまたはLEDドライバ中で有用であるような電流源として使用することができる。ここで、レーザまたはLEDの出力は電圧でなく電流に比例している。他の応用例では、電圧安定化機能を提供するスイッチング電源中においてECM電力コンバータを使用することができ、その結果得られるスイッチング電源は、無数の異なるタイプの電子装置およびシステム中における使用に適している。その他の応用例では、力率補正装置または回路網中で、ECM電力コンバータを使用することができる。本明細書に記載のECM電力コンバータは、様々な電子的要素と組み合わせることができ、および/または、さらなる利点を得るために様々な電子システム中で用いることができることは当業者に理解されよう。
本実施形態においては、電磁束エネルギー蓄積要素54であるコイル(L)にVinから電流スイッチ56のSW1を通してエネルギーを蓄積すると共にVoutに繋がる電荷蓄積要素58であるコンデンサ(C)に電流を転送する充電期間(a期間)と、Vssから電流スイッチ56のSW2を通してコイルに溜められたエネルギーをコンデンサに転送する放電期間(a’期間)、放電サイクルから充電サイクルへの切り替りのタイミングで短時間の間、電流サンプラ66の抵抗(Rref)に繋がるスイッチをオンさせ(b期間)、コイルに流れる電流に比例もしくは同等の電流を前記抵抗に流し、その両端の電圧値をコンデンサ(Csamp)にサンプリングする期間(c期間)と保持するホールド期間(d期間)を持ち、それらを周期的に繰り返すことで、前記コイルに流れる電流値を周期的にサンプリングすると共に、VINからVOUTに向かって電力をコンバートする機能を有す。
基準電圧(Vref)に対して(Vfims−Vims)を加算した電圧を閾値とし、コンパレータの片方の入力に入れる。もう片方の入力に固定電流をコンデンサに充電することによるランプ電圧を入れる。ランプ電圧が上昇し閾値を超えるとコンパレータが反転し、一瞬スイッチ(SW1)がONする。その間に上記コンデンサ(C)に溜まった電荷を放電し、瞬時に出力電圧が0Vになる。その後再びスイッチがOFFになり充電を始める。この繰り返しによりVimsに依存した周期的なパルス信号を出力する。
コンダクタンスモードコントローラの電力装置部(本発明によるECMコントローラ中に含まれるかどうかに関わらず)は、電圧−電流コンバータを含む。図7は、このような電力装置部150の一例を示し、図6は、図7〜図37に適用可能な関連パラメータを示す。電力装置部150は、インダクタL1 154およびそれに付随する等価直列抵抗R6 152、電圧−電流コンバータブロックH1 158、(PSPICEの)電流制限型電圧−電圧コンバータE1 156(すなわち定義された閾値を超えた電流の増加を抑える)、および5個の条件文ブロックを含む。これらの要素が組み合わさって、バックブースト電源中のスイッチをエミュレートする。このシステムモデルは、バックモード、ブーストモード、ブースト充電サイクルならびにそれに続くバック放電(または伝達)サイクルを用いたバックブースト(または「BB」)モード(Vinに近いVoに対して)において電力変換が可能である。電流−電圧コンバータブロックH1 158の出力はisenであり、インダクタ電流iLの別名である。図7のモデルは、インダクタL1 154の電流が連続的に監視されるように示してあるが、実際の実装形態では、インダクタ電流の離散的サンプリングを得るためにトランジスタなどのスイッチング構成部品が用いられる。電力装置部150のモデル中には、必須のものではない電流プローブ155が含まれる。
図12を参照すると、放電スイッチサブ回路160は、(PSPICEの)数式対電流型アナログ挙動モデルによるブロックABMI2 162、boostxi項、および抵抗R4 164の組合せによってモデル化され、抵抗R4 164の抵抗値は、放電スイッチ(たとえばMOSFET)の抵抗値の推定値として使用される。boostxiは、BBおよびブーストモードで用いられる(図9参照)。ソースブロックABMI2 162は、dnが論理ハイレベル(充電サイクル)のときは0アンペアに設定され、dnが論理ローレベル(放電サイクル)のときはisenに設定される。フィルタリングされたvo要求信号(vodf)がvbat×0.9より小さい場合は、充電サイクルおよび放電サイクルの両方に対して、電流はisenに設定される(バックモード)。そうでない場合には、電流はboostxiに設定される(BBおよびブーストモード)。放電電流は、スイッチ抵抗R4 164を流れて出力端へ導かれる。電流isenのわずかな部分が、抵抗R14 173(図14に示す)を通って補償回路網161を駆動する。
図14を参照すると、補償回路網161は、出力フィルタ(負荷抵抗R2 166、および付随する等価直列抵抗R3 167を有するコンデンサC1 168を含む)、帰還分圧器(抵抗R5 170、および抵抗R9 170を含む)、およびリード・ラグ回路(抵抗R14 173、R15 176、R4 164、およびコンデンサC7 174を含む)を含む。出力フィルタ特性は、抵抗R2 166およびコンデンサC1 168により設定される極点を有する一次特性である。それぞれ、コンデンサC7 174および抵抗R14 173に起因し、コンデンサC1 168および抵抗R3 167、R4 164に起因する、打ち消し合う第1の極および零点がある。フィルタコンデンサC1 168の等価直列抵抗R3 167と、それが、(R4 164としてモデル化された)伝達スイッチを通る伝達電流によって生じる進相帰還項に及ぼす減衰的(degenerative)な効果とによる、打ち消し合う第2の極と零点がある。これにより、フィルタコンデンサC1 168および負荷抵抗R2 166による2.8KHzの極と、コンデンサC7 174および抵抗R14 173、R15 176による零点が残る。補償回路網161により、系のユニティゲインクロスオーバ(約75KHz)付近の位相マージンが改善される。図15は、補償回路網161のゲインおよび位相特性のプロットを示す。
図16を参照すると、図11に示した誤差増幅器U9 180の一例の設計モデルを示す。増幅器U9 180は、(PSPICE)アナログ挙動モデルの電圧−電流コンバータブロックG1に結合された温度テーブル220、電圧源V1 224、およびPMOS要素M7 192、M8 194、M9 196、M10 198、M3 202、M4 204、およびNMOS要素M12 212、M11 214、M6 216、M5 218を含む多数の(PSPICEの)PMOSおよびNMOSトランジスタ挙動モデルを含む。2つのコンデンサC3 208、C4 207、および等価直列抵抗R11 206も設けられている。誤差増幅器U9 180のゲインおよび位相特性(すなわち開ループ周波数応答)を図17に示す。周波数応答は、約90°の位相マージンと、600KHzのユニティゲインクロスオーバを得るように設計される。誤差増幅器U9 180の位相応答は、10KHzで生じる補償回路網161における位相マージンの低下を、(少なくとも部分的に)打ち消すように設定される。位相特性とユニティゲインクロスオーバは、クリティカルである。しかし、特定の用途において高い直流ゲインが必要な場合は、より低い周波数の主極を持つ、より高いゲインの増幅器が可能である。
図11は、この実施形態によるECM電力コンバータデバイスと共に用いるための、出力フィルタコンデンサ、負荷抵抗、および電圧帰還部またはサブ回路を示す。図11は、(図16に示す誤差増幅器U9 180を含む)電圧帰還部159を、図12に示す放電スイッチサブ回路160と、図14に示す補償サブ回路161と共に示す。電圧帰還サブ回路159の出力ipを、図11の左側に示す。必要に応じて、電圧帰還部159は、誤差増幅器U9 180の周りに局部帰還を設けたアクティブ補償回路網を用いることもできる。任意選択の電圧プローブ181を、増幅器U9 180と連絡させることができる。電圧帰還サブ回路159は、誤差増幅器180に加えて、抵抗R17 184、および電流を600mAと値(ilim+1)の間の範囲に制御するために電圧を制限するリミッタブロック182を含む。
図18を参照すると、電流サンプラ230は、制御信号(リセットパルス)rstr、スイッチS1 232、およびホールドコンデンサC2 236を含む。スイッチS1 232の特性値(すなわちvoff、von、ron、およびroff)を図18に示す。図19に示すように信号rstrは、各充電サイクルの開始時に約20nsの間、ハイになる。この時間中、インダクタ電流はその最小値にあり、サンプリングされ、コンデンサC2 236にアナログ電圧として記憶される。(図7にも図11にも示されている)信号isenは、電流監視サンプルとして用いられる。これは、サンプリング抵抗が1オームであることを暗示しているが、これはサンプリングの期間中のみである。サンプリングによる平均電力損失は無視できるので、電圧降下がゼロのモニタ(H1)が用いられる。
図20を参照すると、充電期間の推定は、DCアナログ挙動モデルにおける数式対電流ブロックABMI3 256、コンデンサC3 258、およびランプ発生器を形成するトランジスタM3 280を用いて実施される。トランジスタM3 280は、充電期間中はオフで、放電期間の終わりにランプをリセットするために短い期間(たとえば20〜30ナノ秒)オンとなる。imsサンプルを抽出するのと同じ信号が、トランジスタM3の動作を制御する。抵抗R7 281は、トランジスタM3 280に接続される。thrp項は、(ゲインを有する)(PSPICE)電圧−電圧コンバータブロックE5 268中で用いられる数式対電圧項1−(v(ims)−v(fims))/3により発生され、電圧−電圧コンバータブロックE5 268は、接地されたコンデンサC5 264に結合された抵抗R11 266を通り、電流リミッタ262を介して入力信号を受け取る。充電期間推定部250は、さらに、(PSPICE)アナログ挙動モデルによる電圧リミッタブロック269、279、および任意選択の電圧プローブ204、261を含む。ブロック268、抵抗R11 266、コンデンサC5 264、および電流リミッタ262の組合せは、1つの比較器をシミュレートしている。tchの関数であるthrch項は、(ゲインを有する)(PSPICE)電圧−電圧変換ブロックE3 278に関連付けられ、電圧−電圧変換ブロックE3 278は、接地されたコンデンサC6 274に結合された抵抗R12 276を通り、電流リミッタ272を介して、入力信号を受け取る。電流リミッタ272、コンデンサC6 274、抵抗R12 276、およびブロック278は、もう1つの比較器をシミュレートしている。任意選択の電圧プローブ204は、thrpノードの電圧を監視するために用いられる。収束発生器251専用の部分は、図22にも示すように、さらに抵抗R13 252、およびコンデンサC8 254を含む。
(図20にも示した)収束発生器回路のモデル251を、図22に示す。収束発生器は、不安定な動作モードを減衰させる(degenerate)ために、レギュレータの動作周波数を擾乱させることにより、デューティサイクルが50%より大きい場合の不安定性を、スロープ補償を使用することなしに克服する。収束発生器251の効果を、図23に示す。この図は動作周波数の変動を示している。収束発生器251は、抵抗R13 252およびコンデンサC8 254により得られる、imsのフィルタリング済みバージョン(fims)、および動作周期閾値(thrp)を擾乱させる進み遅れ項(lead lag term)を含む。この進み遅れ項は、1−(ims−fims)/3である。定常状態(その場合ims=fims)では、動作周期閾値は1であり、これはランプ発生器のここでのスケーリング(1V/μs)では、1MHzのスイッチング周波数に相当することに留意されたい。したがって、システムの動作中心周波数は、1MHzとなる。デューティサイクルが50%より大きい場合のサブハーモニック発振による不安定性は、システム中のノイズによって誘起されるので、1/3というスケーリング係数は、具体的なシステムノイズの所与のレベルに対して最も安定な動作周波数が得られるように、調整可能とすることができる。電源の設計において、システムノイズは十分にモデル化されていないので、この項のゲインを調整するのが望ましい。任意の適切なゲインを用いることができる。
図24を参照すると、遷移モードはvodが変化するとき、voの遷移を加速するために用いられる。フィルタリングされたvo(すなわちvof)が、その差が200mVを越えてフィルタリングされた要求信号(vodf1)より小さく、vodf1が2Vより大きい場合、tranupがアサートされる。tranupがアサートされると、ブーストモード充電サイクルがイネーブルされ、それによりインダクタL1 154(図7に示す)を充電するのに要する時間が短くなる。この機能により、レギュレータの立ち上がりのスルーレートが改善される。
図25は、この実施形態の3個の入力テストベクトル回路部310、320、330を示す。電圧源V5 312を含む第1の入力テストベクトル部310は、図7に示す電力装置回路への入力供給をオンにするために用いられる信号viを発生する。電圧源V6 322を含む第2の入力テストベクトル部320は、図20に示す充電期間推定回路中において用いられるリセット信号rstを発生する。電圧源V4 334およびV7 332、抵抗R20 336、コンデンサC11 338を含む第3の入力テストベクトル部330は、図11に示す電圧帰還ループの要求信号用のパルス波形を作り出すために用いられる。
図26〜図34は、システムの動作を実証するための、この実施形態によるECM電力コンバータを用いたシステムの応答特性を表す様々な波形を示す。図26は、この実施形態によるECM電力コンバータを含むDC−DCスイッチング電源のオープンループ周波数応答を表す2つのボード線図を示す。図26の上側プロットは、図7〜図25に関して説明したシステムのシステムモデル中の各要素の振幅応答を示す。図26の下側プロットは、各システム要素の、全体のシステム応答に対する寄与を示す。電圧ループのユニティゲインクロスオーバ周波数は75KHzであり、位相マージンは54°である。ゲインマージンは、20dBより大きい。
図35は、DC−DCスイッチング電源の動作を実例で示すために、異なる条件文およびパラメータ値を含む収束発生器を示す。すなわち、図22に示したものとほぼ同じであるが、動作状態の収束発生器を持つECM電力コンバータを含むDC−DCスイッチング電源、およびその動作が停止された収束発生器を持つECM電力コンバータを含む。収束発生器251Aは、抵抗R23 252A、コンデンサC20 254A、および(PSPICE)アナログ挙動モデルによる電圧リミッタブロック269Aを含む。収束発生器の動作していない場合と動作している場合の、電源の動作に対するPSPICEシミュレーション結果を、それぞれ図36および図37に示す。
10 コンダクタンスモード電力コンバータ
14 スイッチ
20 電圧制御ループ
21 補償
22 フィルタリング
66 電流サンプラ
70 デューティサイクル推定部
72 収束促進器
101、111 EMC電力コンバータ
106、116 電源
108、118 負荷
Claims (14)
- 入力電圧を昇圧または降圧して所望の出力電圧を生成する電力コンバータであって、
前記入力電圧を、磁束エネルギー蓄積要素を介して、電荷蓄積要素に供給するスイッチ部と、
前記磁束エネルギー蓄積要素に流れる電流を周期的にサンプリングし、その電流レベルを記憶する電流サンプル部と、
サンプリングした前記電流レベルと前記出力電圧に比例するフィードバック電圧に基づいて、前記スイッチ部によるスイッチングのデューティサイクルを制御するデューティサイクル制御部と、を備え、
前記デューティサイクル制御部は、前記電流レベルに相当する電圧と前記出力電圧に比例するフィードバック電圧との差分電圧と、ランプ波とを比較するコンパレータを備え、前記コンパレータからの出力に基づいて、前記スイッチ部によるスイッチングのデューティサイクルを制御することを特徴とする電力コンバータ。 - 前記磁束エネルギー蓄積要素に流れる電流を周期的にサンプリングし、その結果を基に充電期間を推定することによって、安定した出力電圧を出力ノードに供給することを特徴とする請求項1に記載の電力コンバータ。
- 前記磁束エネルギー蓄積要素に流れるピーク電流を監視することなしに安定した前記出力電圧を前記出力ノードに供給することを特徴とする請求項1に記載の電力コンバータ。
- 前記充電期間中に前記磁束エネルギー蓄積要素に流れる電流を連続的に監視することなしに安定した前記出力電圧を前記出力ノードに供給することを特徴とする請求項1に記載の電力コンバータ。
- 前記電流レベルに相当する電圧をフィルタリングするローパスフィルタと、前記電流レベルに相当する電圧と前記ローパスフィルタからの電圧の差分電圧および基準となる基準電圧に応じて、基準となる周波数を変化させた周波数をもつ信号を生成する発振器と、前記発振器からの周期をもつ前記ランプ波を生成するランプ波生成回路と、を有し、
放電期間を変えることを可能にする収束促進器をさらに備え、
前記電力コンバータが、非定常状態あるいは不安定状態にあるときは、前記充電期間と前記放電期間の和が変化し得ることを特徴とする請求項1に記載の電力コンバータ。 - 前記収束促進器は、サンプリングされた前記電流レベル信号の変化分に比例する信号である前記電流レベルに相当する電圧と前記ローパスフィルタからの電圧の差分電圧を、定常状態時の前記充電期間と前記放電期間の和を表す信号である前記基準電圧に重畳することによって、非定常状態あるいは不安定状態にあるときは、前記充電期間と前記放電期間の和が変化し得ることを備えたことを特徴とする請求項5に記載の電力コンバータ。
- 前記電流レベル信号の変化分は、前記電流サンプル部が(n+1)回目にサンプリングした信号と前記電流サンプル部がn回目にサンプリングした信号との差分に比例することを特徴とする請求項6に記載の電力コンバータ。
- 前記電流レベル信号の変化分は、サンプリングされた信号とサンプリングされた信号にローパスフィルタを掛けた信号との差分に比例する信号であることを特徴とする請求項6に記載の電力コンバータ。
- サンプリングされた前記電流レベルが増加した場合は前記デユーティサイクルのうちの放電期間を短くし、サンプリングされた前記電流レベルが減少した場合は前記デユーティサイクルのうちの放電期間を長くすることにより、定常状態に収束することを特徴とする請求項5に記載の電力コンバータ。
- 前記収束促進器により、50%より大きいデューティサイクルで動作し、かつ安定なままであるように適合されたことを特徴とする請求項5に記載の電力コンバータ。
- 前記電流サンプル部は、磁束エネルギー蓄積要素に流れる電流を電圧に変換するための電流電圧変換器、サンプリング用スイッチ、ならびに電圧保持する容量素子を備えることを特徴とする請求項1に記載の電力コンバータ。
- サンプリングする期間を前記充電期間に対して十分小さくすることによって、ピーク電流閾値がXアンペア、電流検出利得がYボルト/アンペア、とした時にピーク電力損失がX2×Y、平均電力損失がX2×Y/N、ただしN≫1であることを特徴とする請求項1に記載の電力コンバータ。
- 前記デューティサイクル制御部は、サンプリングされた前記電流レベルと前記磁束エネルギー蓄積要素に流れる電流の要求されるピーク電流レベルとの差分に比例した充電期間を設定することを特徴とする請求項1に記載の電力コンバータ。
- 前記磁束エネルギー蓄積要素に流れる電流をサンプリングするタイミングは、前記充電期間の最初または放電期間の最後であることを特徴とする請求項1に記載の電力コンバータ。
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