JP4924293B2 - Electro-optical device and electronic apparatus - Google Patents

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Description

本発明は、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器に関する。   The present invention relates to an electro-optical device, a manufacturing method thereof, and an electronic apparatus.

エレクトロルミネセンスパネルのような電気光学装置では、回路を形成する領域が必要であり、また、酸素や水分の影響を受けやすい素子を有するので、素子を封止するための封止部材を設ける領域が必要である。従来、回路を形成する領域と、封止部材の取り付け領域が必要であるため、装置が大型化していた。   In an electro-optical device such as an electroluminescence panel, a region for forming a circuit is necessary, and since an element that is easily affected by oxygen or moisture is included, a region for providing a sealing member for sealing the element is provided. is required. Conventionally, an area for forming a circuit and a mounting area for a sealing member are necessary, so that the apparatus has been enlarged.

本発明の目的は、装置を小型化することにある。   An object of the present invention is to reduce the size of the apparatus.

本発明の一実施形態に係る電気光学装置は 基板と、前記基板の表示領域に、複数の走査線と複数のデータ線との交差部に対応して設けられた複数の電気光学素子と、前記複数の電気光学素子のいずれかの電気光学素子に電気エネルギーを供給する第1電極と、前記いずれかの電気光学素子を介して前記複第1電極に対向するように配置され、前記複数の電気光学素子に電気エネルギーを供給する第2電極と、を含む電気光学装置であって、前記第1電極と電気的に接続され、前記基板の第1の辺に向かって延在する配線と、前記第2電極に電気的に接続された導電部と、前記基板の一辺であって前記第1の辺と対向する第2の辺に向かって延びる第1の部分と、前記第1の部分から屈曲して前記第1の辺に沿った方向であって、前記第1の辺と前記表示領域との間に延びて前記導電部と接触する第2の部分と、を備え、少なくとも一部が複数層からなる多層構造を有するサイド配線と、を有し、前記複数のデータ線は、絶縁膜を介して前記第2の部分を横切るように配置され、前記データ線と前記第2の部分とが平面視において重なる領域における前記第2の部分の膜厚は、前記第1の部分の膜厚よりも薄いことを特徴とする。
また 本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、前記データ線と前記第2の部分とが平面視において重なる領域における前記第2の部分と前記基板との最短距離は、前記第1の部分と前記基板との最短距離よりも離れていることを特徴とする。
本発明の参考例に係る電気光学装置は、基板と、前記基板の動作領域に、複数の走査線と複数のデータ線との交差部に対応して設けられた、各々が電気光学素子を含む複数の単位回路と、能動素子を有し、前記動作領域の周囲に形成された少なくとも1つの周辺回路と、前記周辺回路とオーバーラップするように位置する、前記基板に対する取付部を有し、前記電気光学素子を封止する封止部材と、を有し、前記周辺回路は、前記複数の走査線を介して前記単位回路に走査信号を供給するための走査線駆動回路、前記単位回路の良否を検査するための検査回路及び前記複数のデータ線にプリチャージ信号を出力するプリチャージ回路のいずれかである。
本発明によれば、封止部材の取付部と周辺回路とがオーバーラップするので、装置を小型化することができる。なお、オーバーラップとは、取付部の少なくとも一部と周辺回路の少なくとも一部とが重複することを意味する。また、基板は、プレート形状のものに限定されるものではなく、それ以外の形状であっても、他の部材を支持できるものを含む。
この電気光学装置は、前記周辺回路の隣にスペーサをさらに有し、前記取付部は、前記周辺回路及び前記スペーサの両方の上方に位置していてもよい。
この電気光学装置において、前記スペーサは、前記電気光学素子と前記周辺回路とを電気的に接続する配線と同じ材料で形成されていてもよい。
この電気光学装置において、それぞれの前記電気光学素子は、複数の発光色の発光層のいずれか1つを有してもよい。
本発明に係る電子機器は、上記の電気光学装置を有する。
本発明の参考例に係る電気光学装置の製造方法は、基板の動作領域に、複数の走査線と複数のデータ線との交差部に対応して、各々が電気光学素子を含む複数の単位回路を設けること、前記基板の前記動作領域の周囲に、能動素子を有した少なくとも1つの周辺回路を形成すること、及び、前記電気光学素子を封止する封止部材を、その取付部が前記周辺回路とオーバーラップするように、前記基板に取り付けること、を含み、前記周辺回路は、前記複数の走査線を介して前記単位回路に走査信号を供給するための走査線駆動回路、前記単位回路の良否を検査するための検査回路及び前記複数のデータ線にプリチャージ信号を出力するプリチャージ回路のいずれかである。
本発明によれば、封止部材の取付部と周辺回路とをオーバーラップさせるので、装置を小型化することができる。なお、オーバーラップとは、取付部の少なくとも一部と周辺回路の少なくとも一部とが重複することを意味する。また、基板は、プレート形状のものに限定されるものではなく、それ以外の形状であっても、他の部材を支持できるものを含む。
An electro-optical device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a plurality of electro-optical elements provided in a display area of the substrate corresponding to intersections of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines, A first electrode for supplying electric energy to any one of the plurality of electro-optical elements; and the plurality of electric optical elements disposed to face the plurality of first electrodes via any one of the electro-optical elements. A second electrode for supplying electric energy to the optical element, wherein the wiring is electrically connected to the first electrode and extends toward the first side of the substrate; A conductive portion electrically connected to the second electrode; a first portion extending toward a second side which is one side of the substrate and faces the first side; and bent from the first portion And the direction along the first side, the first side And a second portion extending between the display region and the conductive portion, and at least a portion of the side wiring having a multilayer structure composed of a plurality of layers, and the plurality of data lines Is disposed across the second portion via an insulating film, and the film thickness of the second portion in the region where the data line and the second portion overlap in plan view is It is characterized by being thinner than the film thickness of the part.
In the electro-optical device according to one embodiment of the invention, the shortest distance between the second portion and the substrate in a region where the data line and the second portion overlap in plan view is the first portion. And a distance from the shortest distance from the substrate.
An electro-optical device according to a reference example of the invention includes a substrate and an operation region of the substrate corresponding to intersections of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines, each including an electro-optical element. A plurality of unit circuits, an active element, at least one peripheral circuit formed around the operation region, and an attachment portion for the substrate positioned so as to overlap the peripheral circuit, A sealing member that seals the electro-optic element, and the peripheral circuit supplies a scanning signal to the unit circuit via the plurality of scanning lines, and the unit circuit is good or bad Are either an inspection circuit for inspecting and a precharge circuit for outputting a precharge signal to the plurality of data lines.
According to the present invention, since the attachment portion of the sealing member and the peripheral circuit overlap, the apparatus can be reduced in size. Note that the overlap means that at least a part of the attachment portion and at least a part of the peripheral circuit overlap. Further, the substrate is not limited to a plate shape, and includes a substrate that can support other members even in other shapes.
The electro-optical device may further include a spacer next to the peripheral circuit, and the attachment portion may be located above both the peripheral circuit and the spacer.
In this electro-optical device, the spacer may be formed of the same material as the wiring that electrically connects the electro-optical element and the peripheral circuit.
In this electro-optical device, each of the electro-optical elements may include any one of a plurality of light emitting layers.
An electronic apparatus according to the present invention includes the above electro-optical device.
According to a method for manufacturing an electro-optical device according to a reference example of the invention , a plurality of unit circuits each including an electro-optical element corresponding to intersections of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines in an operation region of a substrate. Forming at least one peripheral circuit having an active element around the operation region of the substrate; and a sealing member for sealing the electro-optical element, the attachment portion of which is the peripheral Mounting on the substrate so as to overlap with the circuit, the peripheral circuit supplying a scanning signal to the unit circuit via the plurality of scanning lines, the unit circuit of the unit circuit It is either an inspection circuit for inspecting pass / fail or a precharge circuit that outputs a precharge signal to the plurality of data lines.
According to the present invention, since the attachment portion of the sealing member and the peripheral circuit are overlapped, the device can be reduced in size. Note that the overlap means that at least a part of the attachment portion and at least a part of the peripheral circuit overlap. Further, the substrate is not limited to a plate shape, and includes a substrate that can support other members even in other shapes.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の実施の形態に係る電気光学装置を説明する図であり、図2は、電気光学装置の詳細を示す図である。電気光学装置1は、表示装置(例えば表示パネル)などの電気光学装置や記憶装置であってもよい。図1に示す電気光学装置1は、有機EL(Electroluminescence)装置(例えば有機ELパネル)である。電気光学装置1には、基板(例えばフレキシブル基板)2が取り付けられ、電気的に接続されている。その取り付け及び電気的接続には、異方性導電フィルムや異方性導電ペーストなどの異方性導電材料を使用してもよい。電気的に接続とは、接触することも含む。このことは以下の説明でも同じである。基板2は配線基板であって、図示しない配線パターン及び端子が形成されている。基板2には、集積回路チップ(あるいは半導体チップ)3が実装されている。集積回路チップ3は、電源回路や制御回路等を有していてもよい。その実装には、TAB(Tape Automated Bonding)又はCOF(Chip On Film)を適用してもよく、そのパッケージ形態は、TCP(Tape Carrier Package)であってもよい。集積回路チップ3が実装された基板2を有する電気光学装置1を電子モジュール(例えば、液晶モジュールやELモジュール等の表示モジュール)ということができる。   FIG. 1 is a diagram illustrating an electro-optical device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram illustrating details of the electro-optical device. The electro-optical device 1 may be an electro-optical device such as a display device (for example, a display panel) or a storage device. An electro-optical device 1 shown in FIG. 1 is an organic EL (Electroluminescence) device (for example, an organic EL panel). A substrate (for example, a flexible substrate) 2 is attached to the electro-optical device 1 and is electrically connected thereto. An anisotropic conductive material such as an anisotropic conductive film or an anisotropic conductive paste may be used for the attachment and electrical connection. Electrical connection includes contact. This also applies to the following description. The substrate 2 is a wiring substrate on which wiring patterns and terminals (not shown) are formed. An integrated circuit chip (or semiconductor chip) 3 is mounted on the substrate 2. The integrated circuit chip 3 may have a power supply circuit, a control circuit, and the like. For the mounting, TAB (Tape Automated Bonding) or COF (Chip On Film) may be applied, and the package form may be TCP (Tape Carrier Package). The electro-optical device 1 having the substrate 2 on which the integrated circuit chip 3 is mounted can be referred to as an electronic module (for example, a display module such as a liquid crystal module or an EL module).

電気光学装置1は、基板10を有する。基板10は、リジッド基板(例えばガラス基板、シリコン基板)であってもよいし、フレキシブル基板(例えばフィルム基板)であってもよい。基板10は、光透過性を有していてもよいし、遮光性を有していてもよい。例えば、ボトムエミッション(又はバックエミッション)型の表示装置(例えば有機ELパネル)では、光透過性の基板10を使用し、基板10の側から光を取り出してもよい。トップエミッション型の有機ELパネルでは、遮光性の基板10を使用してもよい。なお、基板10は、プレート形状のものに限定されるものではなく、それ以外の形状であっても、他の部材を支持できるものを含む。   The electro-optical device 1 has a substrate 10. The substrate 10 may be a rigid substrate (for example, a glass substrate or a silicon substrate) or a flexible substrate (for example, a film substrate). The board | substrate 10 may have a light transmittance and may have a light-shielding property. For example, in a bottom emission (or back emission) type display device (for example, an organic EL panel), a light transmissive substrate 10 may be used, and light may be extracted from the substrate 10 side. In the top emission type organic EL panel, a light-shielding substrate 10 may be used. In addition, the board | substrate 10 is not limited to a plate-shaped thing, Even if it is other shapes, the thing which can support another member is included.

基板10は、動作領域(例えば表示領域)12を含む。基板10には、1つ又は複数の周辺回路(例えば走査線駆動回路)14が設けられてもよい。周辺回路14は、動作領域12の周囲に形成されていてもよい。動作領域12を挟むように、一対の周辺回路14が形成されていてもよい。3つ以上の周辺回路14が動作領域12を囲むように形成されていてもよい。周辺回路14は、能動素子88(図7参照)を有する。能動素子88は、入力信号の増幅、制御、変換、記憶、各種処理など能動的な機能を持つ。能動素子88は、トランジスタ(例えばMOSトランジスタ)であってもよい。能動素子88は、抵抗器、コンデンサ等の受動素子を除くが、周辺回路14が受動素子を含んでもよい。能動素子88は、ポリシリコン薄膜で形成してもよいし、さらに、金属配線を含んでもよい。   The substrate 10 includes an operation area (for example, a display area) 12. The substrate 10 may be provided with one or a plurality of peripheral circuits (for example, a scanning line driving circuit) 14. The peripheral circuit 14 may be formed around the operation region 12. A pair of peripheral circuits 14 may be formed so as to sandwich the operation region 12. Three or more peripheral circuits 14 may be formed so as to surround the operation region 12. The peripheral circuit 14 has an active element 88 (see FIG. 7). The active element 88 has an active function such as amplification, control, conversion, storage, and various processing of input signals. The active element 88 may be a transistor (for example, a MOS transistor). The active element 88 excludes passive elements such as resistors and capacitors, but the peripheral circuit 14 may include passive elements. The active element 88 may be formed of a polysilicon thin film, and may further include a metal wiring.

周辺回路14は、複数の走査線(例えば配線54)を介して、電気光学素子60を含む単位回路に走査信号を供給するための走査線駆動回路であってもよい。
周辺回路14は、電気光学素子60を含む単位回路の良否を検査するための、あるいは、動作領域12での動作(例えば表示動作)が正常になされるかどうかを検査するための検査回路であってもよい。周辺回路14は、動作領域12での動作速度(表示速度)を速めるための、あるいは、複数のデータ線(例えば配線52)にプリチャージ信号(例えば、信号(電圧又は電流)の一部として予め充電される信号)を出力するためのプリチャージ回路であってもよい。動作領域12を挟む一対の周辺回路14がそれぞれ走査線駆動回路であり、他の少なくとも1つの周辺回路14が検査回路又はプリチャージ回路であってもよい。
The peripheral circuit 14 may be a scanning line driving circuit for supplying a scanning signal to a unit circuit including the electro-optical element 60 via a plurality of scanning lines (for example, the wiring 54).
The peripheral circuit 14 is an inspection circuit for inspecting the quality of the unit circuit including the electro-optical element 60 or for inspecting whether the operation (for example, display operation) in the operation region 12 is normally performed. May be. The peripheral circuit 14 is used in advance as a part of a precharge signal (for example, a signal (voltage or current) to increase the operation speed (display speed) in the operation area 12 or to a plurality of data lines (for example, the wiring 52). It may be a precharge circuit for outputting a signal to be charged. Each of the pair of peripheral circuits 14 sandwiching the operation region 12 may be a scanning line driving circuit, and the other at least one peripheral circuit 14 may be a test circuit or a precharge circuit.

基板10には、複数の外部端子20が形成されていてもよい。複数の外部端子20は、基板10の一辺に沿って配列されていてもよい。外部端子20は、端部領域18に設けられている。端部領域18は、動作領域12の外側を通る直線L(図2参照)によって動作領域12側の領域から区別された領域である。端部領域18は、基板10の周縁領域の一部である。端部領域の定義は、以下の説明でも同じである。動作領域12は基板10の中央領域(周縁領域を除く領域)であってもよい。   A plurality of external terminals 20 may be formed on the substrate 10. The plurality of external terminals 20 may be arranged along one side of the substrate 10. The external terminal 20 is provided in the end region 18. The end region 18 is a region that is distinguished from the region on the operation region 12 side by a straight line L (see FIG. 2) that passes outside the operation region 12. The end region 18 is a part of the peripheral region of the substrate 10. The definition of the end region is the same in the following description. The operation region 12 may be a central region (region excluding the peripheral region) of the substrate 10.

基板10には、複数本又は1本のサイド配線(例えば陰極線)22が形成されていてもよい。サイド配線22は、端部領域(例えば外部端子20が設けられた端部領域)18に設けられていてもよい。サイド配線22は、2つ以上の外部端子20に電気的に接続されていてもよい。サイド配線22は、外部端子20から動作領域12の方向に延びる第1の部分24を有していてもよい。サイド配線22は、第1の部分24から屈曲して動作領域12の幅方向に延びる第2の部分26を有していてもよい。第2の部分26は、導電部74(図4参照)と電気的に接続されていてもよい。   A plurality of or one side wiring (for example, cathode line) 22 may be formed on the substrate 10. The side wiring 22 may be provided in an end region 18 (for example, an end region in which the external terminal 20 is provided) 18. The side wiring 22 may be electrically connected to two or more external terminals 20. The side wiring 22 may have a first portion 24 extending from the external terminal 20 in the direction of the operation region 12. The side wiring 22 may have a second portion 26 that is bent from the first portion 24 and extends in the width direction of the operation region 12. The second portion 26 may be electrically connected to the conductive portion 74 (see FIG. 4).

基板10には、1本又は複数本の共通配線(例えば共通陽極線)30,32,34が形成されていてもよい。共通配線30,32,34は、端部領域(例えばサイド配線22が設けられた端部領域又は外部端子20が設けられた端部領域)18に設けられていてもよい。共通配線30,32,34のそれぞれ又はいずれか1つは、2つ以上の外部端子20に電気的に接続されていてもよい。共通配線30,32,34のそれぞれ又はいずれか1つは、外部端子20から動作領域12の方向に延びる第1の部分36を有していてもよい。共通配線30,32,34のそれぞれ又はいずれか1つは、第1の部分36から屈曲して動作領域12の幅方向に延びる第2の部分38を有していてもよい。共通配線30,32,34のうちいずれか1つ(例えば共通配線30)の第1の部分36は、他の1つ(例えば共通配線32又は34)の第1の部分36の外側(基板10の端部に近い位置)に配置されてもよい。共通配線30,32,34のうちいずれか1つ(例えば共通配線30(詳しくはその第2の部分38))は、他の1つ(例えば共通配線32又は34(詳しくはその第2の部分38))よりも動作領域12の近くに配置されてもよい。   One or a plurality of common wirings (for example, common anode lines) 30, 32, and 34 may be formed on the substrate 10. The common wirings 30, 32, and 34 may be provided in an end region 18 (for example, an end region in which the side wiring 22 is provided or an end region in which the external terminal 20 is provided) 18. Each or any one of the common wires 30, 32, 34 may be electrically connected to two or more external terminals 20. Each or any one of the common wires 30, 32, 34 may have a first portion 36 that extends from the external terminal 20 in the direction of the operation region 12. Each or any one of the common wires 30, 32, 34 may have a second portion 38 that is bent from the first portion 36 and extends in the width direction of the operation region 12. The first portion 36 of any one of the common wires 30, 32, 34 (for example, the common wire 30) is outside the first portion 36 of the other one (for example, the common wire 32 or 34) (the substrate 10). It may be arranged at a position close to the end of. One of the common wires 30, 32, 34 (for example, the common wire 30 (specifically, the second portion 38)) is the other one (eg, the common wire 32 or 34 (specifically, the second portion thereof). 38)) may be arranged closer to the operating region 12.

共通配線30,32,34は、複数の配線44,46,48(図2参照)と電気的に接続されていてもよい。共通配線30,32,34の本数(例えば3)は、複数の配線44,46,48の本数(例えば3×n(n=2,3,4,…))よりも少なくてもよい。共通配線30,32,34のそれぞれに、配線44,46,48の1グループが電気的に接続されていてもよい。   The common wirings 30, 32, and 34 may be electrically connected to a plurality of wirings 44, 46, and 48 (see FIG. 2). The number of common wirings 30, 32, and 34 (for example, 3) may be less than the number of wirings 44, 46, and 48 (for example, 3 × n (n = 2, 3, 4,...)). One group of wirings 44, 46, and 48 may be electrically connected to each of the common wirings 30, 32, and 34.

サイド配線22(例えばその第2の部分26)は、共通配線30,32,34(例えばそれぞれの第2の部分38)よりも動作領域12に近い位置に配置されていてもよい。また、サイド配線22は、共通配線30,32,34の外側に、あるいは、共通配線30,32,34を囲むように形成されていてもよい。詳しくは、サイド配線22の第1の部分24が、共通配線30,32,34のそれぞれの第1の部分36よりも外側(基板10の端部に近い位置)に形成されていてもよい。   The side wiring 22 (for example, the second portion 26) may be disposed at a position closer to the operation region 12 than the common wirings 30, 32, and 34 (for example, the respective second portions 38). Further, the side wiring 22 may be formed outside the common wirings 30, 32, 34 or so as to surround the common wirings 30, 32, 34. Specifically, the first portion 24 of the side wiring 22 may be formed on the outer side (position close to the end portion of the substrate 10) than the first portion 36 of each of the common wirings 30, 32, 34.

電気光学装置1(例えば基板10)は、複数層の導電パターンを含む多層構造を有する。図3(A)〜図3(C)は、下から上への順に、各層の導電パターンを示す図である。図4は、図2のIV−IV線断面図である。   The electro-optical device 1 (for example, the substrate 10) has a multilayer structure including a plurality of conductive patterns. FIG. 3A to FIG. 3C are diagrams showing conductive patterns of each layer in order from the bottom to the top. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG.

サイド配線22は、2層以上の導電パターンの積層部分を含む。例えば、図4に示すように、導電パターン41(図3(A)参照)の一部と、その上の導電パターン42(図3(B)参照)の一部と、さらにその上の導電パターン43(図3(C)参照)の一部と、の積層部分によってサイド配線22の少なくとも一部が構成されている。こうすることで、サイド配線22を少なくとも部分的に厚く形成することができ、電気的抵抗を減らすことができる。この内容は、外部端子20及び共通配線30,32,34の少なくとも一方についても適用することができる。   The side wiring 22 includes a laminated portion of two or more conductive patterns. For example, as shown in FIG. 4, a part of the conductive pattern 41 (see FIG. 3A), a part of the conductive pattern 42 thereon (see FIG. 3B), and a conductive pattern thereon. 43 (see FIG. 3C) and at least a part of the side wiring 22 is constituted by a laminated portion. By doing so, the side wiring 22 can be formed at least partially thick, and the electrical resistance can be reduced. This content can also be applied to at least one of the external terminal 20 and the common wirings 30, 32, and 34.

図5は、図2のV−V線断面図である。基板10には、共通配線30,32,34に電気的に接続された複数の配線(例えば陽極線)44,46,48が形成されている。配線44,46,48のそれぞれは、共通配線30,32,34のうちいずれか1つの第2の部分38に電気的に接続されている。マトリクス状に配列された画素を有するマトリクス表示装置では、配線44,46,48の数は、画素の列数と同じでもよい。配線44,46,48のそれぞれは、2層以上の導電パターンのそれぞれの一部によって形成されてもよい。例えば、導電パターン41(図3(A)参照)の一部とその上の導電パターン42(図3(B)参照)の一部とが電気的に接続され、導電パターン42(図3(B)参照)の一部とその上の導電パターン43(図3(C)参照)の一部とが電気的に接続されて、配線44,46,48が構成されてもよい。   5 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. A plurality of wires (for example, anode wires) 44, 46, and 48 that are electrically connected to the common wires 30, 32, and 34 are formed on the substrate 10. Each of the wirings 44, 46, 48 is electrically connected to any one second portion 38 of the common wirings 30, 32, 34. In a matrix display device having pixels arranged in a matrix, the number of wirings 44, 46, and 48 may be the same as the number of columns of pixels. Each of the wirings 44, 46, and 48 may be formed by a part of each of two or more conductive patterns. For example, a part of the conductive pattern 41 (see FIG. 3A) and a part of the conductive pattern 42 on the conductive pattern 41 (see FIG. 3B) are electrically connected to each other, and the conductive pattern 42 (see FIG. 3B). )) And a part of the conductive pattern 43 thereon (see FIG. 3C) may be electrically connected to form the wirings 44, 46, and 48.

共通配線30,32,34のそれぞれは、配線44,46,48のうちいずれかのグループの配線と電気的に接続されるが、残りのグループの配線とは電気的に接続されない。例えば、第1グループの配線44が共通配線30に電気的に接続され、第2グループの配線46が共通配線32に電気的に接続され、第3グループの配線48が共通配線34に電気的に接続されてもよい。その場合、共通配線30は第2及び第3のグループの配線46,48には電気的に接続されず、共通配線32は第1及び第3のグループの配線44,48には電気的に接続されず、共通配線34は第1及び第2のグループの配線44,46には電気的に接続されない。   Each of the common wirings 30, 32, and 34 is electrically connected to the wiring of any group among the wirings 44, 46, and 48, but is not electrically connected to the wirings of the remaining groups. For example, the first group wiring 44 is electrically connected to the common wiring 30, the second group wiring 46 is electrically connected to the common wiring 32, and the third group wiring 48 is electrically connected to the common wiring 34. It may be connected. In this case, the common wiring 30 is not electrically connected to the second and third group wirings 46 and 48, and the common wiring 32 is electrically connected to the first and third group wirings 44 and 48. The common wiring 34 is not electrically connected to the wirings 44 and 46 of the first and second groups.

配線44,46,48と共通配線30,32,34とは立体交差するように配置してもよい。その場合、オーバーラップする部分のうち、電気的に接続すべき部分間にコンタクト部を設け、電気的に接続させない部分間には絶縁体を設ける。例えば、配線44,46,48と共通配線30,32,34とを電気的に接続する第1のコンタクト部50を、図3(B)に示す導電パターン42の一部によって形成してもよい。その場合、導電パターン42とは異なる層(例えば隣接する上下層)に位置する導電パターン41,43(図3(A)及び図3(C)参照)の両方の部分によって、配線44,46,48及び共通配線30,32,34のオーバーラップする部分を形成してもよい。本実施の形態では、共通配線30,32,34の下を通るように配線44,46,48を形成してある。共通配線30,32,34のそれぞれと配線44,46,48のいずれか1つとの第1のコンタクト部50は、端部領域(例えば外部端子20が設けられた端部領域)18に位置する。   The wirings 44, 46, and 48 and the common wirings 30, 32, and 34 may be arranged so as to cross three-dimensionally. In that case, a contact part is provided between the parts which should be electrically connected among the overlapping parts, and an insulator is provided between the parts which are not electrically connected. For example, the first contact portion 50 that electrically connects the wirings 44, 46, 48 and the common wirings 30, 32, 34 may be formed by a part of the conductive pattern 42 shown in FIG. . In that case, the wirings 44, 46, and 44 are formed by both portions of the conductive patterns 41 and 43 (see FIGS. 3A and 3C) located in a layer different from the conductive pattern 42 (for example, adjacent upper and lower layers). 48 and the common wirings 30, 32, and 34 may be overlapped. In the present embodiment, the wirings 44, 46 and 48 are formed so as to pass under the common wirings 30, 32 and 34. The first contact portion 50 of each of the common wires 30, 32, and 34 and any one of the wires 44, 46, and 48 is located in the end region (for example, the end region provided with the external terminal 20) 18. .

配線44,46,48は、サイド配線22と立体交差するように配置してもよい。その場合、オーバーラップする部分間には絶縁体を設ける。例えば、積層された複数層又は1層を飛び越した層に位置する複数の導電パターン41,43(図3(A)及び図3(C)参照)の両方の部分によって、配線44,46,48及びサイド配線22のオーバーラップする部分を形成してもよい。本実施の形態では、サイド配線22の下を通るように配線44,46,48を形成してある。
これによれば、配線44,46,48、絶縁体及びサイド配線22によってキャパシタを形成することができ、配線44,46,48の急激な電圧降下を防止することができる。
The wirings 44, 46 and 48 may be arranged so as to intersect the side wiring 22 three-dimensionally. In that case, an insulator is provided between the overlapping portions. For example, the wirings 44, 46, and 48 are formed by both portions of the plurality of conductive patterns 41 and 43 (see FIG. 3A and FIG. 3C) positioned in a plurality of stacked layers or a layer that jumps over one layer. In addition, overlapping portions of the side wirings 22 may be formed. In the present embodiment, wirings 44, 46 and 48 are formed so as to pass under the side wiring 22.
According to this, a capacitor can be formed by the wirings 44, 46, 48, the insulator and the side wiring 22, and a sudden voltage drop of the wirings 44, 46, 48 can be prevented.

図6は、図2のVI−VI線断面図である。基板10には、複数本の配線(例えばデータ線)52が形成されている。配線52は、2層以上の導電パターンのそれぞれの一部によって形成されてもよい。例えば、導電パターン41(図3(A)参照)の一部とその上の導電パターン42(図3(B)参照)の一部とが電気的に接続され、導電パターン42(図3(B)参照)の一部とその上の導電パターン43(図3(C)参照)の一部とが電気的に接続されて、配線52が構成されてもよい。   6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG. A plurality of wirings (for example, data lines) 52 are formed on the substrate 10. The wiring 52 may be formed by a part of each of two or more conductive patterns. For example, a part of the conductive pattern 41 (see FIG. 3A) and a part of the conductive pattern 42 on the conductive pattern 41 (see FIG. 3B) are electrically connected to each other, and the conductive pattern 42 (see FIG. 3B). )) And a part of the conductive pattern 43 thereon (see FIG. 3C) may be electrically connected to form the wiring 52.

配線52は、サイド配線22及び共通配線30,32,34と立体交差するように配置してもよい。その場合、オーバーラップする部分間には絶縁体を設ける。例えば、積層された複数層又は1層を飛び越した層に位置する複数の導電パターン41,43(図3(A)及び図3(C)参照)の両方の部分によって、配線52及びサイド配線22のオーバーラップする部分と、配線52及び共通配線30,32,34のオーバーラップする部分と、を形成してもよい。本実施の形態では、サイド配線22及び共通配線30,32,34の下を通るように配線52を形成してある。配線52を、サイド配線22(又は共通配線30,32,34)から離して、両者間にキャパシタを形成しない、あるいはキャパシタの影響を小さくしてもよい。そうすることで、配線52を流れる信号に対する容量インピーダンスを小さくすることができる。   The wiring 52 may be disposed so as to three-dimensionally intersect the side wiring 22 and the common wirings 30, 32, and 34. In that case, an insulator is provided between the overlapping portions. For example, the wiring 52 and the side wiring 22 are formed by both portions of the plurality of conductive patterns 41 and 43 (see FIG. 3A and FIG. 3C) positioned in a plurality of stacked layers or a layer that jumps over one layer. The overlapping portion and the overlapping portion of the wiring 52 and the common wirings 30, 32, and 34 may be formed. In the present embodiment, the wiring 52 is formed so as to pass under the side wiring 22 and the common wirings 30, 32, 34. The wiring 52 may be separated from the side wiring 22 (or the common wiring 30, 32, 34) so that no capacitor is formed between them or the influence of the capacitor may be reduced. By doing so, the capacitance impedance for the signal flowing through the wiring 52 can be reduced.

基板10には、複数本の配線(例えば走査線)54が形成されている。配線54は、周辺回路(例えば走査線駆動回路)14と電気光学素子60とを電気的に接続している。配線54のそれぞれの端部に周辺回路14が電気的に接続されてもよい。配線54と配線44,46,48,52とで、マトリクス領域を区画してもよい。配線54は、配線44,46,48,52と立体交差するように配置してもよい。その場合、オーバーラップする部分間には絶縁体を設ける。例えば、積層された複数層又は1層を飛び越える層に位置する複数の導電パターン41,43(図3(A)及び図3(C)参照)の両方の部分によって、配線54及び配線44,46,48,52のオーバーラップする部分を形成してもよい。本実施の形態では、配線44,46,48,52の下を通るように配線54を形成してある。   A plurality of wirings (for example, scanning lines) 54 are formed on the substrate 10. The wiring 54 electrically connects the peripheral circuit (for example, the scanning line driving circuit) 14 and the electro-optical element 60. The peripheral circuit 14 may be electrically connected to each end of the wiring 54. The matrix region may be partitioned by the wiring 54 and the wirings 44, 46, 48, 52. The wiring 54 may be arranged so as to intersect with the wirings 44, 46, 48, 52 three-dimensionally. In that case, an insulator is provided between the overlapping portions. For example, the wiring 54 and the wirings 44 and 46 are formed by both portions of the plurality of conductive patterns 41 and 43 (see FIGS. 3A and 3C) positioned in a plurality of stacked layers or a layer that jumps over one layer. , 48, 52 may be formed. In the present embodiment, the wiring 54 is formed so as to pass under the wirings 44, 46, 48, 52.

基板10には、複数の電気光学素子60が設けられている。電気光学素子60が設けられた領域が動作領域12である。電気光学素子60は、複数の走査線(例えば配線54)及び複数のデータ線(例えば配線52)の交差部に対応して設けられている。複数の電気光学素子60は、複数の発光色(例えば赤、緑、青)の複数の発光層62を有する。それぞれの電気光学素子60は、いずれか1つの発光色の発光層62を有する。発光層62を構成する材料は、ポリマー系材料又は低分子系材料あるいは両者を複合的に用いた材料のいずれであってもよい。発光層62は、電流が流れることで発光する。発光層62は、発光色に応じて、発光効率が異なっていてもよい。1つの同じ共通配線30,32又は34に電気的に接続された1グループの配線44,46又は48は、同じ発光色の発光層62に対応している(具体的には電気的に接続されている)。   A plurality of electro-optic elements 60 are provided on the substrate 10. The region where the electro-optic element 60 is provided is the operation region 12. The electro-optical element 60 is provided corresponding to the intersection of a plurality of scanning lines (for example, the wiring 54) and a plurality of data lines (for example, the wiring 52). The plurality of electro-optical elements 60 include a plurality of light emitting layers 62 of a plurality of light emission colors (for example, red, green, and blue). Each electro-optical element 60 has a light emitting layer 62 of any one light emitting color. The material constituting the light emitting layer 62 may be either a polymer material, a low molecular material, or a material using both in combination. The light emitting layer 62 emits light when a current flows. The light emitting layer 62 may have different light emission efficiency depending on the light emission color. One group of wirings 44, 46, or 48 electrically connected to one common wiring 30, 32, or 34 corresponds to the light emitting layer 62 of the same emission color (specifically, electrically connected). ing).

電気光学素子60は、第1及び第2のバッファ層64,66の少なくとも一方を有していてもよい。第1のバッファ層64は、発光層62への正孔注入を安定化させる正孔注入層であってもよいし、正孔注入層を有していてもよい。第1のバッファ層64は、正孔輸送層を有していてもよい。正孔輸送層は、発光層62と正孔注入層との間に設けられてもよい。第2のバッファ層66は、発光層62への電子注入を安定化させる電子注入層であってもよいし、電子注入層を有していてもよい。第2のバッファ層66は、電子輸送層を有していてもよい。電子輸送層は、発光層62と電子注入層との間に設けられてもよい。隣同士の発光層62は、バンク68によって区画(電気的に絶縁)されている。   The electro-optical element 60 may include at least one of the first and second buffer layers 64 and 66. The first buffer layer 64 may be a hole injection layer that stabilizes hole injection into the light emitting layer 62 or may include a hole injection layer. The first buffer layer 64 may have a hole transport layer. The hole transport layer may be provided between the light emitting layer 62 and the hole injection layer. The second buffer layer 66 may be an electron injection layer that stabilizes electron injection into the light emitting layer 62 or may have an electron injection layer. The second buffer layer 66 may have an electron transport layer. The electron transport layer may be provided between the light emitting layer 62 and the electron injection layer. The adjacent light emitting layers 62 are partitioned (electrically insulated) by the banks 68.

基板10には、複数の第1の電極70が設けられている。それぞれの第1の電極70は、いずれかの電気光学素子60に電気エネルギーを供給するためのものである。第1の電極70は、電気光学素子60(例えば第1のバッファ層64(例えば正孔注入層))に接触していてもよい。それぞれの第1の電極70は、配線44,46,48のいずれかに電気的に接続されている。配線44,46,48のそれぞれは、1グループの第1の電極70に電気的に接続されてもよい。   A plurality of first electrodes 70 are provided on the substrate 10. Each first electrode 70 is for supplying electric energy to one of the electro-optic elements 60. The first electrode 70 may be in contact with the electro-optic element 60 (for example, the first buffer layer 64 (for example, hole injection layer)). Each first electrode 70 is electrically connected to one of the wirings 44, 46, and 48. Each of the wirings 44, 46, and 48 may be electrically connected to a group of first electrodes 70.

基板10には、複数又は1つの第2の電極72が設けられている。第2の電極72は、電気光学素子60に電気エネルギーを供給するためのものである。第2の電極72は、電気光学素子60(例えば第2のバッファ層66(例えば電子注入層))に接触していてもよい。第2の電極72は、第1の電極70に対向する部分を有する。第2の電極72は、第1の電極70の上方に配置されてもよい。   A plurality of or one second electrode 72 is provided on the substrate 10. The second electrode 72 is for supplying electric energy to the electro-optical element 60. The second electrode 72 may be in contact with the electro-optical element 60 (for example, the second buffer layer 66 (for example, the electron injection layer)). The second electrode 72 has a portion facing the first electrode 70. The second electrode 72 may be disposed above the first electrode 70.

第2の電極72は、導電部74に電気的に接続されている。導電部74は、第1の電極70と対向しないように設けられてもよい。第2の電極72及び導電部74は一体的に形成されていてもよい。導電部74は、サイド配線22(例えばその第2の部分26)に電気的に接続されている。導電部74とサイド配線22との第2のコンタクト部76は、端部領域(例えば第1のコンタクト部50が設けられた端部領域又は外部端子20が設けられた端部領域)18に位置していてもよい。なお、導電部74とサイド配線22とが接触している場合、両者の接触部が第2のコンタクト部76である。第2のコンタクト部76は動作領域12の幅方向に延びていてもよい。例えば、動作領域12の幅方向において、両端に位置する第1の電極70の間隔長さと同じ又はそれ以上の長さを有するように第2のコンタクト部76が形成されていてもよい。このように第2のコンタクト部76を長くすることで、導電部74とサイド配線22との電気的抵抗を小さくすることができる。その結果、サイド配線22から第2の電極72への電子の流れがスムーズになる。   The second electrode 72 is electrically connected to the conductive portion 74. The conductive portion 74 may be provided so as not to face the first electrode 70. The second electrode 72 and the conductive portion 74 may be integrally formed. The conductive portion 74 is electrically connected to the side wiring 22 (for example, the second portion 26 thereof). The second contact portion 76 between the conductive portion 74 and the side wiring 22 is located in an end region (for example, an end region where the first contact portion 50 is provided or an end region where the external terminal 20 is provided) 18. You may do it. When the conductive portion 74 and the side wiring 22 are in contact with each other, the contact portion between them is the second contact portion 76. The second contact portion 76 may extend in the width direction of the operation region 12. For example, the second contact portion 76 may be formed so as to have a length equal to or longer than the distance between the first electrodes 70 located at both ends in the width direction of the operation region 12. Thus, by making the second contact portion 76 longer, the electrical resistance between the conductive portion 74 and the side wiring 22 can be reduced. As a result, the flow of electrons from the side wiring 22 to the second electrode 72 becomes smooth.

基板10には、共通配線30,32,34を覆うように被覆層80が設けられている。被覆層80は、1つ又は複数の層で形成してもよい。被覆層80は、電気的絶縁材料で形成してもよい。被覆層80の少なくとも表面は酸化物又は窒化物で形成されていてもよい。サイド配線22(少なくともその第2の部分26)は、被覆層80から露出している。   A covering layer 80 is provided on the substrate 10 so as to cover the common wires 30, 32, and 34. The covering layer 80 may be formed of one or more layers. The covering layer 80 may be formed of an electrically insulating material. At least the surface of the coating layer 80 may be formed of an oxide or a nitride. The side wiring 22 (at least the second portion 26) is exposed from the coating layer 80.

共通配線30,32,34の隣(例えば、動作領域12から離れた位置あるいは基板10の端部に近い位置)には、図5及び図6に示すように、スペーサ82が設けられている。スペーサ82は、共通配線30,32,34、サイド配線22、配線44,46,48,52の少なくとも1つと同じ材料で形成されたダミー配線であってもよい。スペーサ82は被覆層80の下に形成されている。スペーサ82を設けることで、共通配線30,32,34の隣の領域で被覆層80の表面を高くしてある。こうすることで、被覆層80の表面において、共通配線30,32,34の上方の領域と、スペーサ82の上方の領域との高さの差(段差)を減らして、あるいはなくしてもよい。または、共通配線30,32,34の上方の領域からスペーサ82の上方の領域にかけて、被覆層80の表面の傾斜又は凹凸を減らしてもよいし、平らにしてもよい。   As shown in FIGS. 5 and 6, a spacer 82 is provided next to the common wires 30, 32, and 34 (for example, a position away from the operation region 12 or a position near the end of the substrate 10). The spacer 82 may be a dummy wiring formed of the same material as at least one of the common wirings 30, 32, 34, the side wiring 22, and the wirings 44, 46, 48, 52. The spacer 82 is formed under the covering layer 80. By providing the spacer 82, the surface of the coating layer 80 is raised in the region adjacent to the common wires 30, 32, and 34. By doing so, the height difference (step) between the region above the common wires 30, 32, and 34 and the region above the spacer 82 may be reduced or eliminated on the surface of the coating layer 80. Alternatively, the slope or unevenness of the surface of the covering layer 80 may be reduced or flattened from the region above the common wirings 30, 32, and 34 to the region above the spacer 82.

基板10には、電気光学素子60の封止部材84が設けられている。電気光学素子60の少なくとも一部が水分や酸素等によって劣化しやすい場合には、封止部材84によって電気光学素子60を保護することができる。封止部材84は、基板10に対する取付部90を有する。図7は、図2のVII−VII線断面図である。図7に示すように、取付部90は、周辺回路14とオーバーラップするように位置する。オーバーラップとは、取付部90の少なくとも一部と周辺回路14の少なくとも一部とが重複することを意味する。複数の周辺回路14の全てが取付部90とオーバーラップしてもよい。あるいは、複数の周辺回路14のうち、少なくとも1つを除いた残りの周辺回路14と取付部90がオーバーラップしてもよい。図7に示すように、1つの周辺回路14の全体が、取付部90の領域内に配置されてもよい。本実施の形態によれば、封止部材84の取付部90と周辺回路14とがオーバーラップするので、装置を小型化することができる。   The substrate 10 is provided with a sealing member 84 for the electro-optic element 60. When at least a part of the electro-optical element 60 is easily deteriorated by moisture, oxygen, or the like, the electro-optical element 60 can be protected by the sealing member 84. The sealing member 84 has an attachment portion 90 for the substrate 10. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG. As shown in FIG. 7, the attachment portion 90 is positioned so as to overlap the peripheral circuit 14. The overlap means that at least a part of the attachment portion 90 and at least a part of the peripheral circuit 14 overlap. All of the plurality of peripheral circuits 14 may overlap with the attachment portion 90. Alternatively, the remaining peripheral circuits 14 excluding at least one of the plurality of peripheral circuits 14 may overlap the mounting portion 90. As shown in FIG. 7, the entire peripheral circuit 14 may be disposed in the region of the attachment portion 90. According to the present embodiment, since the attachment portion 90 of the sealing member 84 and the peripheral circuit 14 overlap, the apparatus can be reduced in size.

図8及び図9は、本実施の形態の変形例を説明する図である。図8において、周辺回路92の一部のみが、取付部90の領域内に配置されている。このような場合、周辺回路92の隣にスペーサ94が形成されていてもよい。そして、取付部90が、周辺回路92及びスペーサ92の両方の上方に位置していてもよい。
スペーサ94を設けることで、周辺回路92の隣の領域で被覆層80の表面を高くしてある。こうすることで、被覆層80の表面において、周辺回路92の上方の領域と、スペーサ94の上方の領域との高さの差(段差)を減らして、あるいはなくしてもよい。または、周辺回路92の上方の領域からスペーサ94の上方の領域にかけて、被覆層80の表面の傾斜又は凹凸を減らしてもよいし、平らにしてもよい。スペーサ94は、電気光学素子60と周辺回路92を電気的に接続する配線54と同じ材料で形成されてもよく、これをダミー配線と称してもよい。
8 and 9 are diagrams for describing a modification of the present embodiment. In FIG. 8, only a part of the peripheral circuit 92 is disposed in the region of the attachment portion 90. In such a case, a spacer 94 may be formed next to the peripheral circuit 92. The attachment portion 90 may be located above both the peripheral circuit 92 and the spacer 92.
By providing the spacer 94, the surface of the covering layer 80 is raised in a region adjacent to the peripheral circuit 92. By doing so, the height difference (step) between the region above the peripheral circuit 92 and the region above the spacer 94 may be reduced or eliminated on the surface of the coating layer 80. Alternatively, the slope or unevenness of the surface of the covering layer 80 may be reduced or flattened from the region above the peripheral circuit 92 to the region above the spacer 94. The spacer 94 may be formed of the same material as the wiring 54 that electrically connects the electro-optical element 60 and the peripheral circuit 92, and this may be referred to as a dummy wiring.

図9において、周辺回路96の全体が、取付部90の領域内に配置されている。このような場合でも、周辺回路96の隣にスペーサ98を形成し、取付部90を、周辺回路92及びスペーサ92の両方の上方に配置してもよい。その効果は、図8に示す変形例と同じである。   In FIG. 9, the entire peripheral circuit 96 is disposed in the region of the attachment portion 90. Even in such a case, the spacer 98 may be formed next to the peripheral circuit 96, and the mounting portion 90 may be disposed above both the peripheral circuit 92 and the spacer 92. The effect is the same as that of the modification shown in FIG.

封止部材84の基板10(例えば被覆部80)に対する取付部90は、サイド配線22又は導電部74を避けて(接触しないように)配置してもよい。そのためには、封止部材84の取付部90を、サイド配線22及び導電部74よりも外側(動作領域12から離れた位置あるいは基板10の端部に近い位置)に配置してもよい。こうすることで、サイド配線22又は導電部74の少なくとも表面が接着剤86との密着性の低い材料(例えば金属)で形成された場合でも、接着剤86を使用して、封止部材84を基板10(例えば被覆部80)に確実に固定することができる。なお、被覆部80は、接着剤86との密着性が金属よりも高いものであってもよい。   The attachment portion 90 of the sealing member 84 with respect to the substrate 10 (for example, the covering portion 80) may be disposed avoiding the side wiring 22 or the conductive portion 74 (so as not to contact). For this purpose, the mounting portion 90 of the sealing member 84 may be disposed outside the side wiring 22 and the conductive portion 74 (a position away from the operation region 12 or a position close to the end of the substrate 10). In this way, even when at least the surface of the side wiring 22 or the conductive portion 74 is formed of a material having low adhesion to the adhesive 86 (for example, metal), the adhesive 86 is used to seal the sealing member 84. It can be securely fixed to the substrate 10 (for example, the covering portion 80). Note that the covering portion 80 may be higher in adhesiveness with the adhesive 86 than the metal.

本実施の形態では、共通配線30,32,34が、サイド配線22よりも外側(動作領域12から離れた位置あるいは基板10の端部に近い位置)に形成されている。したがって、封止部材84の取付部90と共通配線30,32,34の少なくとも一部とをオーバーラップさせることができる。これにより、封止部材84を小型化することができ、電気光学装置1を小型化することができる。さらに、封止部材84の取付部90は、スペーサ82の少なくとも一部と共通配線30,32,34の少なくとも一部との両方の上方に位置してもよい。これによれば、被覆層80の表面において傾斜又は凹凸が小さい領域(例えば平坦領域)に封止部材84の取付部90を配置するので、その良好な取り付けが可能である。   In the present embodiment, the common wirings 30, 32, and 34 are formed outside the side wiring 22 (a position away from the operation region 12 or a position close to the end of the substrate 10). Therefore, the attachment portion 90 of the sealing member 84 and at least a part of the common wires 30, 32, 34 can be overlapped. Thereby, the sealing member 84 can be reduced in size, and the electro-optical device 1 can be reduced in size. Further, the attachment portion 90 of the sealing member 84 may be positioned above both at least a part of the spacer 82 and at least a part of the common wirings 30, 32, 34. According to this, since the attachment portion 90 of the sealing member 84 is disposed in a region (for example, a flat region) having a small inclination or unevenness on the surface of the covering layer 80, the attachment thereof can be performed satisfactorily.

図10は、本実施の形態に係る電気光学装置の動作を説明する回路図である。
電気光学装置1は、図10に示す回路に対応する素子を有する。回路構成(素子の接続状態)は、図10に示す通りであり説明を省略する。本実施の形態では、サイド配線22を低電位(例えばグランド電位)に接続し、それよりも高電位に共通配線30,32,34を接続する。共通配線30,32,34には、それぞれ、異なる電圧Vdd1,Vdd2,Vdd3が供給される。電圧Vdd1,Vdd2,Vdd3は、それぞれ、発光層62の発光効率に応じた電圧である。配線(データ線)52には、電流Idataが流れるようになっている。電流Idataは、電気光学素子60に供給する電流に応じた信号である。配線(走査線)54には、選択信号が入力される。選択信号は、高電位のH信号又は低電位のL信号である。以下、電気光学素子60を含む1つの単位回路の動作を説明する。
FIG. 10 is a circuit diagram for explaining the operation of the electro-optical device according to the present embodiment.
The electro-optical device 1 has elements corresponding to the circuit shown in FIG. The circuit configuration (element connection state) is as shown in FIG. In the present embodiment, the side wiring 22 is connected to a low potential (for example, a ground potential), and the common wirings 30, 32, and 34 are connected to a higher potential. Different voltages V dd1 , V dd2 , and V dd3 are supplied to the common wirings 30, 32, and 34, respectively. The voltages V dd1 , V dd2 and V dd3 are voltages corresponding to the light emission efficiency of the light emitting layer 62, respectively. A current I data flows through the wiring (data line) 52. The current I data is a signal corresponding to the current supplied to the electro-optical element 60. A selection signal is input to the wiring (scanning line) 54. The selection signal is a high potential H signal or a low potential L signal. Hereinafter, the operation of one unit circuit including the electro-optical element 60 will be described.

プログラミング期間では、例えば配線46に電圧Vdd2が供給され、配線52に電流Idataが流れるようになっている。また、プログラミング期間では、配線54にH信号が入力されて、スイッチング素子110、116がONになり、スイッチング素子112がOFFになる。そして、配線46から、スイッチング素子114,116を通って、配線52に電流Idataが流れると、スイッチング素子114の制御電圧(スイッチング素子114がMOSトランジスタである場合はゲート電圧)は、電流Idataに対応した値になり、その制御電圧に応じた電荷がキャパシタ120に蓄えられる。 In the programming period, for example, the voltage V dd2 is supplied to the wiring 46, and the current I data flows through the wiring 52. In the programming period, an H signal is input to the wiring 54, the switching elements 110 and 116 are turned on, and the switching element 112 is turned off. When the current I data flows from the wiring 46 through the switching elements 114 and 116 to the wiring 52, the control voltage of the switching element 114 (the gate voltage when the switching element 114 is a MOS transistor) is the current I data. The electric charge corresponding to the control voltage is stored in the capacitor 120.

動作期間(例えば発光期間)では、配線54にL信号が入力されて、スイッチング素子110、116がOFFになり、スイッチング素子112がONになる。そして、プログラミング期間でキャパシタ120に蓄えられた電荷に応じた制御電圧(スイッチング素子114がMOSトランジスタである場合はゲート電圧)によってスイッチング素子114が制御(例えばON)され、制御電圧に応じた電流が、配線46からスイッチング素子114,112を通って、電気光学素子60を流れるようになっている。   In an operation period (for example, a light emission period), an L signal is input to the wiring 54, the switching elements 110 and 116 are turned off, and the switching element 112 is turned on. Then, the switching element 114 is controlled (for example, ON) by a control voltage (a gate voltage when the switching element 114 is a MOS transistor) corresponding to the charge stored in the capacitor 120 during the programming period, and a current corresponding to the control voltage is generated. The electro-optical element 60 flows from the wiring 46 through the switching elements 114 and 112.

なお、上述した素子は、電気光学素子60ごとに設けられる。スイッチング素子110,112,114,116等は、ポリシリコン薄膜などによって形成してもよい。本実施の形態では、サイド配線(例えば陰極配線)22と、共通配線(例えば陽極配線)30,32,34に電気的に接続された配線44,46,48と、その間に絶縁体と、によってキャパシタ122が形成される。したがって、共通配線(例えば陽極配線)30,32,34の急激な電圧降下を防止することができる。   The element described above is provided for each electro-optical element 60. The switching elements 110, 112, 114, 116, etc. may be formed by a polysilicon thin film or the like. In the present embodiment, the side wiring (for example, cathode wiring) 22, the wirings 44, 46, and 48 electrically connected to the common wiring (for example, anode wiring) 30, 32, and 34, and the insulator therebetween, A capacitor 122 is formed. Therefore, a rapid voltage drop of the common wiring (for example, anode wiring) 30, 32, and 34 can be prevented.

本実施の形態に係る電気光学装置の製造方法では、基板10の動作領域12に複数の電気光学素子60を設ける。基板10の動作領域12の周囲に、能動素子88を有した少なくとも1つの周辺回路14を形成する。電気光学素子60を封止する封止部材84を、その取付部90が周辺回路14とオーバーラップするように、基板10に取り付ける。本実施の形態によれば、封止部材84の取付部90と周辺回路14とをオーバーラップさせるので、装置を小型化することができる。なお、オーバーラップとは、取付部90の少なくとも一部と周辺回路14の少なくとも一部とが重複することを意味する。   In the electro-optical device manufacturing method according to the present embodiment, a plurality of electro-optical elements 60 are provided in the operation region 12 of the substrate 10. At least one peripheral circuit 14 having an active element 88 is formed around the operation region 12 of the substrate 10. A sealing member 84 that seals the electro-optic element 60 is attached to the substrate 10 such that the attachment portion 90 overlaps the peripheral circuit 14. According to the present embodiment, since the attachment portion 90 of the sealing member 84 and the peripheral circuit 14 are overlapped, the apparatus can be reduced in size. Note that the overlap means that at least a part of the attachment portion 90 and at least a part of the peripheral circuit 14 overlap.

本発明の実施の形態に係る電気光学装置を有する電子機器として、図11にはノート型パーソナルコンピュータ1000が示され、図12には携帯電話2000が示されている。   As an electronic apparatus having the electro-optical device according to the embodiment of the present invention, a notebook personal computer 1000 is shown in FIG. 11, and a mobile phone 2000 is shown in FIG.

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, the present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same purposes and results). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

図1は、本発明の実施の形態に係る電気光学装置を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating an electro-optical device according to an embodiment of the invention. 図2は、本発明の実施の形態に係る電気光学装置の詳細を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating details of the electro-optical device according to the embodiment of the invention. 図3(A)〜図3(C)は、下から上への順に、各層の導電パターンを示す図である。FIG. 3A to FIG. 3C are diagrams showing conductive patterns of each layer in order from the bottom to the top. 図4は、図2のIV−IV線断面図である。4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. 図5は、図2のV−V線断面図である。5 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. 図6は、図2のVI−VI線断面図である。6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG. 図7は、図2のVII−VII線断面図である。7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG. 図8は、本発明の実施の形態の変形例に係る電気光学装置を説明する図である。FIG. 8 is a diagram illustrating an electro-optical device according to a modification of the embodiment of the present invention. 図9は、本発明の実施の形態の変形例に係る電気光学装置を説明する図である。FIG. 9 is a diagram illustrating an electro-optical device according to a modification of the embodiment of the present invention. 図10は、本発明の実施の形態に係る電気光学装置の動作を説明する回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram for explaining the operation of the electro-optical device according to the embodiment of the invention. 図11は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating an electronic apparatus according to an embodiment of the present invention. 図12は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating an electronic apparatus according to an embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

1…電気光学装置、10…基板、12…動作領域、18…端部領域、20…外部端子、22…サイド配線、24…第1の部分、26…第2の部分、30,32,34…共通配線、36…第1の部分、38…第の2部分、44,46,48…配線、50…第1のコンタクト部、60…電気光学素子、70…第1の電極、72…第2の電極、74…導電部、76…第2のコンタクト部、80…被覆層、82…スペーサ、84…封止部材、88…能動素子、90…取付部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electro-optical device, 10 ... Board | substrate, 12 ... Operation | movement area | region, 18 ... End part area | region, 20 ... External terminal, 22 ... Side wiring, 24 ... 1st part, 26 ... 2nd part, 30, 32, 34 ... Common wiring, 36 ... First part, 38 ... Second part, 44, 46, 48 ... Wiring, 50 ... First contact part, 60 ... Electro-optic element, 70 ... First electrode, 72 ... First Two electrodes, 74 ... conductive part, 76 ... second contact part, 80 ... coating layer, 82 ... spacer, 84 ... sealing member, 88 ... active element, 90 ... attachment part.

Claims (3)

基板と、前記基板の表示領域に、複数の走査線と複数のデータ線との交差部に対応して
設けられた複数の電気光学素子と、前記複数の電気光学素子に対応して設けられ、前記電気光学素子に電流を供給するための複数の第1電極と、前記複数の電気光学素子を介して前記複数の第1電極に対向するように配置され、所定電位が印加される第2電極と、前記複数の第1電極に電気的に接続され、前記データ線から供給される信号に応じて前記電気光学素子に前記電流を供給する第1スイッチング素子と、前記第1スイッチング素子のゲートに接続されたキャパシタと、前記データ線と前記キャパシタとの間に接続され、前記データ線からの前記信号の供給を制御する第2スイッチング素子と、を含む電気光学装置であって、
前記第2電極に電気的に接続され、少なくとも一部が複数の層が積層されて構成されたサイド配線を備え、
前記サイド配線は、
前記基板の第1の辺と交差する第2の辺の延在方向に沿って延びる第1の部分と、
前記第1の辺と前記表示領域との間の領域において、前記第1の部分から屈曲して前記第1の辺に沿った方向に延びる第2の部分と、
を備え、
前記複数のデータ線は、絶縁膜を介して前記サイド配線の前記第2の部分と交差するように配置され、
前記サイド配線の前記第2の部分を構成する層の数は、前記サイド配線の前記第1の部分を構成する層の数よりも少ないことを特徴とする電気光学装置。
A plurality of electro-optic elements provided corresponding to intersections of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines in the display area of the substrate and the substrate, and provided corresponding to the plurality of electro-optic elements, A plurality of first electrodes for supplying a current to the electro-optic element, and a second electrode arranged to face the plurality of first electrodes via the plurality of electro-optic elements and to which a predetermined potential is applied A first switching element that is electrically connected to the plurality of first electrodes and supplies the current to the electro-optic element in response to a signal supplied from the data line; and a gate of the first switching element An electro-optical device comprising: a connected capacitor; and a second switching element that is connected between the data line and the capacitor and controls the supply of the signal from the data line ,
A side wiring electrically connected to the second electrode and comprising at least a part of a plurality of layers laminated ;
The side wiring is
A first portion extending along an extending direction of a second side intersecting the first side of the substrate;
A second portion that bends from the first portion and extends in a direction along the first side in a region between the first side and the display region;
With
The plurality of data lines are arranged so as to intersect the second portion of the side wiring via an insulating film,
The electro-optical device, wherein the number of layers constituting the second portion of the side wiring is smaller than the number of layers constituting the first portion of the side wiring.
前記データ線と前記第2の部分とが平面視において重なる領域における前記第2の部分
と前記基板との最短距離は、前記第1の部分と前記基板との最短距離よりも離れているこ
とを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
The shortest distance between the second portion and the substrate in a region where the data line and the second portion overlap in plan view is greater than the shortest distance between the first portion and the substrate. The electro-optical device according to claim 1.
請求項1または2に記載の電気光学装置を有する電子機器。 Electronic apparatus having the electro-optical device according to claim 1 or 2.
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